CN102214570B - 一种高稳定触发二极管的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高稳定触发二极管的制造方法,包括焊接、一次酸洗、高纯水冲洗、二次酸洗、高纯水冲洗、两道高纯水超声波清洗、两道无水乙醇清洗、上胶、注塑等步骤;焊接炉进口设计成上坡、出口设计成下坡的结构形式,使焊接时的保护气体氮气的用量明显减少,减少了能源的消耗;将现有散下式方法改为集中定点放入酸液,减小了酸的耗用,同时降低了对环境的污染,减少了对铜引线的腐蚀;清洗过程中采用了扇形喷嘴冲洗的方式能有效地去除杂质;采用两道高纯水超声波清洗,再经过两道无水乙醇清洗,使产品高温性能大幅度地提高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体二极管的制造,具体地说是一种高稳定触发二极管的制造方法。
背景技术
经检索有关专利文献,目前尚未检索到与本发明相同的一种高稳定触发二极管的制造方法。随着科技的进步,电器行业正朝着高集成、大功率的方向发展,这给二极管的品质提出了更高的要求。现有触发二极管一般采用多次玻璃烧涂和多次光刻的工艺来制作,由于制作过程中对环境的要求高,而且成本较高,所以生产出的触发二极管的性能可靠性较低,且由于生产过程中采用的保护氮气用量较大,使得其能源消耗大;同时由于生产工艺问题,使生产出的触发二极管在高温状态下的性能不够稳定,所以有必要对现有的触发二极管的生产方法加以改进,以提高产品的性能。
发明内容
本发明的目的是要提供一种能减少氮气的使用,具有节能降耗,且性能可靠的一种高稳定触发二极管的制造方法。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种高稳定触发二极管的制造方法,它包括以下步骤:
(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉加温,温度t1为:290℃≤t1≤305℃,温控时间h1为:14分钟≤h1≤16分钟,使用氮气作为焊接时的保护气体;
(2)将步骤(1)所得的材料随同焊接炉温度缓慢下降至t2为:95℃≤t2≤105℃,温控时间h2为:28分钟≤h2≤32分钟;
(3)将步骤(2)所得的材料装人酸洗盘中;
(4)将步骤(3)所得的材料进行一次酸洗,酸洗液为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=9∶9∶12∶4,腐蚀去除划片机械损伤层,时间h3为:135秒≤h3≤155秒;
(5)将步骤(4)所得的材料用高纯水冲洗,冲洗时间h4为:50秒≤h4≤70秒;
(6)将步骤(5)所得的材料进行二次酸洗,酸洗液为:H3PO4∶H2O2∶H2O=1∶2∶3进行清洗,温度t3为:58℃≤t3≤62℃,时间h5为:50秒≤h5≤60秒;
(7)将步骤(6)所得的材料用高纯水冲洗,冲洗时间h6为:50秒≤h6≤70秒;
(8)将步骤(7)所得的材料再经过两道高纯水超声波清洗,清洗时间h7为:90秒≤h7≤120秒;
(9)将步骤(8)所得的材料再经过两道无水乙醇清洗,清洗后用超声波脱水,超声波脱水时间h8为:50秒≤h8≤70秒;
(10)将步骤(9)所得的材料排列到铝条上;
(11)将步骤(10)所得的材料连同铝条放入烘箱内烘干,烘干温度t4为:178℃≤t4≤182℃,烘干时间h9为:58分钟≤h9≤63分钟,去除表面残余水分;
(12)将步骤(11)所得的材料送入上胶机,依次对每支二极管芯片表面涂覆一层硅绝缘胶,使其表面绝缘;
(13)将步骤(12)所得的材料送入烘箱内烘干,烘干温度t5为:198℃≤t5≤202℃,烘干时间h10为8小时,使其固化;
(14)将步骤(13)所得的材料放置注塑模中,用环氧树脂注塑到其外围,初步成型;
(15)将步骤(14)所得的材料送入烘箱内烘干,烘干温度t6为:178℃≤t6≤182℃,烘干时间h11为7小时,使其完全固化;
(16)将步骤(15)所得的材料的两铜线电极电镀上锡,使两电极在使用过程中易于焊接;
(17)将电镀时弯曲的两电极引线抹直;
(18)对部件进行检测,并包装得成品。
所述的步骤(1)中的焊接炉为进口为上坡、出口为下坡的结构形式。
所述的步骤(4)采取集中定点放入酸液的方法进行酸洗。
所述的步骤(5)的高纯水冲洗采用扇形喷嘴进行冲洗。
本发明与现有技术相比具有以下显著优点:
1、将焊接炉进口设计成上坡、出口设计成下坡的结构形式,使焊接时的保护气体氮气的用量明显减少,减少了能源的消耗。
2、改变酸洗时的下酸方式,将现有散下式方法改为集中定点放入酸液,减小了酸的耗用,同时降低了对环境的污染,减少了对铜引线的腐蚀。
3、清洗过程中采用了扇形喷嘴冲洗的方式能有效地去除杂质。
4、采用两道高纯水超声波清洗,再经过两道无水乙醇清洗,清洗后用超声波脱水,使产品高温性能大幅度地提高,尤其是在双向触发二极管的应用上尤为突出。
5、由于生产的产品性能可靠,能耗小,所以有着很大的实用和推广价值。
以下将对本发明进行进一步的描述:
具体实施方式
一种高稳定触发二极管的制造方法,它包括以下步骤:
(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉加温,温度t1为:290℃≤t1≤305℃,温控时间h1为:14分钟≤h1≤16分钟,使用氮气作为焊接时的保护气体,本实施例温度t1为300℃,温控时间h1为:15分钟,焊接炉为进口为上坡、出口为下坡的结构形式;
(2)将步骤(1)所得的材料随同焊接炉温度缓慢下降至t2为:95℃≤t2≤105℃,温控时间h2为:28分钟≤h2≤32分钟,本实施例温度t2为100℃,温控时间h2为30分钟;
(3)将步骤(2)所得的材料装人酸洗盘中;
(4)将步骤(3)所得的材料进行一次酸洗,酸洗液为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=9∶9∶12∶4,腐蚀去除划片机械损伤层,时间h3为:135秒≤h3≤155秒,本实施例时间h3为:140秒,采取集中定点放入酸液的方法进行酸洗;
(5)将步骤(4)所得的材料用高纯水冲洗,冲洗时间h4为:50秒≤h4≤70秒,本实施例冲洗时间h4为60秒,采用扇形喷嘴进行冲洗;
(6)将步骤(5)所得的材料进行二次酸洗,酸洗液为:H3PO4∶H2O2∶H2O=1∶2∶3进行清洗,温度t3为:58℃≤t3≤62℃,时间h5为:50秒≤h5≤60秒,本实施例温度t3为60℃,时间h5为55秒;
(7)将步骤(6)所得的材料用高纯水冲洗,冲洗时间h6为:50秒≤h6≤70秒,本实施例冲洗时间h6为60秒;
(8)将步骤(7)所得的材料再经过两道高纯水超声波清洗,清洗时间h7为:90秒≤h7≤120秒,本实施例清洗时间h7为100秒;
(9)将步骤(8)所得的材料再经过两道无水乙醇清洗,清洗后用超声波脱水,超声波脱水时间h8为:50秒≤h8≤70秒,本实施例超声波脱水时间h8为60秒;
(10)将步骤(9)所得的材料排列到铝条上;
(11)将步骤(10)所得的材料连同铝条放入烘箱内烘干,烘干温度t4为:178℃≤t4≤182℃,烘干时间h9为:58分钟≤h9≤63分钟,去除表面残余水分,本实施例烘干温度t4为180℃,烘干时间h9为60分钟;
(12)将步骤(11)所得的材料送入上胶机,依次对每支二极管芯片表面涂覆一层硅绝缘胶,使其表面绝缘;
(13)将步骤(12)所得的材料送入烘箱内烘干,烘干温度t5为:198℃≤t5≤202℃,烘干时间h10为8小时,使其固化,本实施例烘干温度t5为200℃;
(14)将步骤(13)所得的材料放置注塑模中,用环氧树脂注塑到其外围,初步成型;
(15)将步骤(14)所得的材料送入烘箱内烘干,烘干温度t6为:178℃≤t6≤182℃,烘干时间h11为7小时,使其完全固化,本实施例烘干温度t6为180℃;
(16)将步骤(15)所得的材料的两铜线电极电镀上锡,使两电极在使用过程中易于焊接;
(17)将电镀时弯曲的两电极引线抹直;
(18)对部件进行检测,并包装得成品。
Claims (4)
1.一种高稳定触发二极管的制造方法,它包括以下步骤:
(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉加温,温度t1为:290℃≤t1≤305℃,温控时间h1为:14分钟≤h1≤16分钟,使用氮气作为焊接时的保护气体;
(2)将步骤(1)所得的材料随同焊接炉温度缓慢下降至t2为:95℃≤t2≤105℃,温控时间h2为:28分钟≤h2≤32分钟;
(3)将步骤(2)所得的材料装人酸洗盘中;
(4)将步骤(3)所得的材料进行一次酸洗,酸洗液为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=9∶9∶12∶4,腐蚀去除划片机械损伤层,时间h3为:135秒≤h3≤155秒;
(5)将步骤(4)所得的材料用高纯水冲洗,冲洗时间h4为:50秒≤h4≤70秒;
(6)将步骤(5)所得的材料进行二次酸洗,酸洗液为:H3PO4∶H2O2∶H2O=1∶2∶3进行清洗,温度t3为:58℃≤t3≤62℃,时间h5为:50秒≤h5≤60秒;
(7)将步骤(6)所得的材料用高纯水冲洗,冲洗时间h6为:50秒≤h6≤70秒;
(8)将步骤(7)所得的材料再经过两道高纯水超声波清洗,清洗时间h7为:90秒≤h7≤120秒;
(9)将步骤(8)所得的材料再经过两道无水乙醇清洗,清洗后用超声波脱水,超声波脱水时间h8为:50秒≤h8≤70秒;
(10)将步骤(9)所得的材料排列到铝条上;
(11)将步骤(10)所得的材料连同铝条放入烘箱内烘干,烘干温度t4为:178℃≤t4≤182℃,烘干时间h9为:58分钟≤h9≤63分钟,去除表面残余水分;
(12)将步骤(11)所得的材料送入上胶机,依次对每支二极管芯片表面涂覆一层硅绝缘胶,使其表面绝缘;
(13)将步骤(12)所得的材料送入烘箱内烘干,烘干温度t5为:198℃≤t5≤202℃,烘干时间h10为8小时,使其固化;
(14)将步骤(13)所得的材料放置注塑模中,用环氧树脂注塑到其外围,初步成型;
(15)将步骤(14)所得的材料送入烘箱内烘干,烘干温度t6为:178℃≤t6≤182℃,烘干时间h11为7小时,使其完全固化;
(16)将步骤(15)所得的材料的两铜线电极电镀上锡,使两电极在使用过程中易于焊接;
(17)将电镀时弯曲的两电极引线抹直;
(18)对部件进行检测,并包装得成品。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定触发二极管的制造方法,其特征在于:所述的步骤(1)中的焊接炉为进口为上坡、出口为下坡的结构形式。
3.根据权利要求1所述的一种高稳定触发二极管的制造方法,其特征在于:所述的步骤(4)采取集中定点放入酸液的方法进行酸洗。
4.根据权利要求1所述的一种高稳定触发二极管的制造方法,其特征在于:所述的步骤(5)的高纯水冲洗采用扇形喷嘴进行冲洗。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1988114A (zh) * | 2006-12-20 | 2007-06-27 | 鞍山市华辰电力器件有限公司 | 一次涂源全扩散生产整流管芯片的工艺方法 |
CN101017773A (zh) * | 2007-02-27 | 2007-08-15 | 江苏佳讯电子有限公司 | 半导体管芯总成晶粒表面的处理方法 |
CN101399201A (zh) * | 2008-11-13 | 2009-04-01 | 杭州杭鑫电子工业有限公司 | 一种硅双向触发二极管的制造方法 |
CN101593693A (zh) * | 2009-06-19 | 2009-12-02 | 常州银河电器有限公司 | 制作高压双向触发二极管的方法 |
CN101651102A (zh) * | 2009-08-25 | 2010-02-17 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种双向触发二极管芯片的制备方法 |
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CN101017773A (zh) * | 2007-02-27 | 2007-08-15 | 江苏佳讯电子有限公司 | 半导体管芯总成晶粒表面的处理方法 |
CN101399201A (zh) * | 2008-11-13 | 2009-04-01 | 杭州杭鑫电子工业有限公司 | 一种硅双向触发二极管的制造方法 |
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CN101651102A (zh) * | 2009-08-25 | 2010-02-17 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种双向触发二极管芯片的制备方法 |
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