CN102207655B

CN102207655B - 阵列基板及其制造方法、液晶显示装置

Info

Publication number: CN102207655B
Application number: CN2011101321928A
Authority: CN
Inventors: 李成; 董学; 黎蔚
Original assignee: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2011-05-20
Filing date: 2011-05-20
Publication date: 2013-12-04
Anticipated expiration: 2031-05-20
Also published as: CN102207655A

Abstract

本发明实施例公开一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置，涉及液晶显示技术领域，能够降低触控式液晶显示装置的生产成本，有利于液晶显示装置的薄型化。一种阵列基板，在该阵列基板上形成有多个触控结构；所述触控结构包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，以及与所述栅线平行设置的开关信号线，与所述数据线平行设置的预置信号线、发生信号发射信号线和反馈信号线；所述第一薄膜晶体管的栅极与所述开关信号线相连，其源极与所述预置信号线相连，其漏极通过一触控电极与所述第二薄膜晶体管的栅极相连；所述第二薄膜晶体管的源极与所述发生信号发射信号线相连，其漏极与所述反馈信号线相连。本发明实施例提供的方案适用于触控式液晶显示装置。

Description

阵列基板及其制造方法、液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置。

背景技术

触摸屏(Touch panel)是一种感应式显示装置；当有物体(比如手指)接触了触摸屏屏幕上的图形按钮时，屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程序驱动各种连结装置从而快速确定发生触碰动作的位置。现阶段，常见的触摸屏主要有压力式、电阻式、电容式等多种实现方式。

将触摸屏技术与液晶显示技术相结合后，即可得到便于移动且操作方便的触控式液晶显示器。其主要实现方式如下：在传统的液晶显示装置的彩膜基板的外侧独立地叠加一层触摸屏结构；所述触摸屏结构和液晶显示装置可以使用相同的驱动单元和/或数据处理单元。

在使用现有的触控式液晶显示器的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于现有的触控式液晶显示器中的触摸屏结构是独立地设置在液晶显示面板外侧，这样不仅使得触控式液晶显示装置的制作成本较高，而且不利于液晶显示装置的薄型化。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置，能够降低触控式液晶显示装置的生产成本，而且有利于液晶显示装置的薄型化。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括形成在该阵列基板上的栅线、数据线以及由栅线和数据线所限定的多个像素单元；而且，在所述阵列基板上还形成有多个触控结构；所述触控结构包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，以及与所述栅线平行设置的开关信号线，与所述数据线平行设置的预置信号线、发射信号线和反馈信号线；其中，

所述第一薄膜晶体管的栅极与所述开关信号线相连，其源极与所述预置信号线相连，其漏极通过一触控电极与所述第二薄膜晶体管的栅极相连；

所述第二薄膜晶体管的源极与所述发射信号线相连，其漏极与所述反馈信号线相连。

一种用于制造上述阵列基板的方法，包括：

步骤1、在基板上形成所述开关信号线、以及所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极；

步骤2、在形成有所述开关信号线和所述栅极图形的基板上形成栅绝缘层和半导体有源层；

步骤3、在形成有半导体有源层的基板上形成所述薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源/漏极、以及所述预置信号线、发射信号线和反馈信号线；

步骤4、在形成有源/漏极和信号线图形的基板上形成绝缘保护层；

步骤5、在形成有绝缘保护层的基板上形成触控电极，该触控电极通过过孔分别与所述第一薄膜晶体管的漏极、所述第二薄膜晶体管的栅极相连。

一种液晶显示装置，包括彩膜基板和上述阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法、液晶显示装置，通过在阵列基板上设置触控结构来实现一种集成到液晶盒内的触控装置；其中，在没有触摸动作出现时，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均处于稳定状态，所述第二薄膜晶体管的漏极输出的反馈信号也基本恒定；在出现触摸动作时，彩膜基板和所述触控电极之间或者手指与所述触控电极之间产生感应电容，使所述第二薄膜晶体管的栅极电压发生变化，进而所述第二薄膜晶体管的漏极电流的大小；此时，通过所述反馈信号线将所述第二薄膜晶体管的漏极电流变化情况传送到数据处理单元即可对触摸位置进行定位。利用本发明实施例提供的方案，不仅可以实现触摸位置的准确定位，而且由于触控结构内置于液晶盒内，因此大大降低了触控式液晶显示装置的生产成本，而且有利于液晶显示装置的薄型化。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中阵列基板上触控结构的等效电路示意图；

图2为本发明实施例中阵列基板的一种实现方式的结构示意图；

图3为本发明实施例中阵列基板的另一种实现方式的结构示意图；

图4为本发明实施例中提供的阵列基板制造方法的方框流程图；

图5为本发明实施例中阵列基板制造过程中的结构示意图之一；

图6为本发明实施例中阵列基板制造过程中的结构示意图之二；

图7为本发明实施例中的第二薄膜晶体管的工作状态示意图；

图8为本发明实施例中开关信号、预置信号和发射信号的时序图示例；

图9为本发明实施例中TN型液晶显示器实现触控的原理图；

图10为本发明实施例中AD-SDS型液晶显示器实现触控的原理图；

附图标记：1-栅线；2-数据线；3-像素薄膜晶体管；4-公共电极；10-阵列基板；20-彩膜基板；

11-第一薄膜晶体管；11a-第一薄膜晶体管栅极；11b-第一薄膜晶体管源极；11c-第一薄膜晶体管漏极；

12-第二薄膜晶体管；12a-第二薄膜晶体管栅极；12b-第二薄膜晶体管源极；12c-第二薄膜晶体管漏极；

13-开关信号线；14-预置信号线；15-发射信号线；16-反馈信号线；17-触控电极；18-连接电极；31、32、33、34-过孔。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面结合附图对本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法、液晶显示装置进行详细描述。

本发明实施例提供了一种阵列基板结构。结合图1和图2所示，所述阵列基板包括形成在该阵列基板上的栅线1、数据线2以及由栅线1和数据线2所限定的多个像素单元；在所述阵列基板上还形成有多个触控结构；所述触控结构包括第一薄膜晶体管11、第二薄膜晶体管12，以及与所述栅线1平行设置的开关信号线13，与所述数据线2平行设置的预置信号线14、发射信号线15和反馈信号线16；其中，

所述第一薄膜晶体管11的栅极与所述开关信号线13相连，其源极与所述预置信号线14相连，其漏极通过一触控电极17与所述第二薄膜晶体管12的栅极相连；

所述第二薄膜晶体管12的源极与所述发射信号线15相连，其漏极与所述反馈信号线16相连。

利用本发明实施例提供的方案，不仅可以实现触摸位置的准确定位，而且由于触控结构内置于液晶盒内，因此大大降低了触控式液晶显示装置的生产成本，而且有利于液晶显示装置的薄型化。

由图1中所示的触控结构的等效电路示意图可以看到，触控结构中的第一薄膜晶体管11的导通和关闭通过所述开关信号线13来控制。在所述第一薄膜晶体管11导通的情况下，预置信号线14所传输的预置信号SCN会通过第一薄膜晶体管11的源极传输到漏极。由于第一薄膜晶体管11的漏极和第二薄膜晶体管12的栅极相连，因此可以通过所述预置信号SCN来控制第二薄膜晶体管12的导通和关闭。

在所述第二薄膜晶体管12导通时，发射信号线15中提供的发射信号GEN会通过第二薄膜晶体管12的源极传输到漏极，并通过与漏极相连的反馈信号线16向液晶显示装置中的数据处理单元传输一反馈信号REC。

在没有发生触碰动作时，由于第二薄膜晶体管12的栅极电压稳定，因此所述反馈信号REC应该是与所述发射信号GEN的波形保持一致且电流强度不会有太大波动；

而在出现触碰动作时，触摸区域内的多个像素单元中的触控电极与彩膜基板之间的距离会变小使得触控电极和彩膜基板上公共电极之间的电容发生变化，或者在触控电极与手指之间会产生感应电容，这些都会影响到触控电极上的电位变化。由于所述触控电极又与第二薄膜晶体管12的栅极相连，而栅极的电位变化会直接影响到源极输出电流的大小，因此在出现触碰动作时，反馈信号REC的电流强度大小会出现较大的波动；数据处理单元在获取到所述反馈信号REC后即可根据REC信号的变化情况判断出发生触碰动作的具体位置。

可选地，在本实施中，可以在一个像素单元内形成一个所述触控结构，即每一个所述触控结构形成在同一像素单元内；此时，为了便于布线，可以将所述触控结构中的预置信号线设置在所述同一像素单元的左侧，所述发射信号线和反馈信号线设置在所述同一像素单元的右侧。当然，实际的布线方式不限于此，只要所述预置信号线、发射信号线和反馈信号线的布局与液晶显示器中数据线的布局不冲突即可。

考虑到在每个像素单元内设置一个所述触控结构会对液晶显示装置的开口率产生较大的影响，优选地，在本实施例中还可以采用图2所示的阵列基板的实现方式。

如图2所示，在横向相邻的三个像素单元中，即在同一行像素的三个相邻像素单元中，设置一个所述触控结构。具体地，

所述触控结构的预置信号线14、发射信号线15和反馈信号线16分别位于所述横向相邻的三个像素单元的左侧；同时，第一薄膜晶体管11设置在预置信号线14和发射信号线15之间，第二薄膜晶体管12设置在发射信号线15和反馈信号线16之间。

同时从图2中还可以看到，为了避免所述触控结构中的第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12与液晶显示像素结构中的像素薄膜晶体管3发生位置冲突，因此将所述第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12设置在像素单元的上方，将像素薄膜晶体管3设置在像素单元的下方；此外，所述预置信号线14、发射信号线15和反馈信号线16与液晶显示像素结构中的数据线2同层平行、相邻设置但互相不接触。

需要说明的是，上述第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12是用于实现触控功能，完成触摸动作的准确定位；上述像素薄膜晶体管3是用于实现液晶显示装置的显示功能，与传统的液晶显示装置的像素单元中的薄膜晶体管是一样的。

由于所述第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12分别位于发射信号线15的左右两侧，因此在本实施例中，优选地将第一薄膜晶体管11的漏极和第二薄膜晶体管12的栅极通过触控电极17进行连接。

为了触控电极17的制作易于实现，因此在本实施例中，可以将触控电极17与所述液晶显示像素结构中的像素电极(图2中未示出)同层制作；并且，第一薄膜晶体管11的漏极和第二薄膜晶体管12的栅极都是通过过孔与触控电极17相连。

同样地，由于第二薄膜晶体管12和反馈信号线16分别位于在数据线的两侧，因此第二薄膜晶体管12的漏极与反馈信号线16也需要通过一连接电极18进行连接。该连接电极18可以是与液晶显示像素结构中的像素电极(图2中未示出)同层制作；而且，第二薄膜晶体管12的漏极和所述反馈信号线16均通过过孔与连接电极18相连。

参看图3中所示的阵列基板的另一种实现方式。对于上述的阵列基板，还可以将所述触控结构的开关信号线13与液晶显示像素结构中的栅线1做成同一结构，即直接利用所述栅线1来作为所述触控结构的开关信号线；这样，同一根栅线可以同时控制位于该栅线上方的像素薄膜晶体管和位于该栅线下方的所述触控结构的第一薄膜晶体管。比如，第n条栅线就可以控制第n行的像素薄膜晶体管和第n+1行的触控结构中的第一薄膜晶体管。

本实施例中提供的阵列基板结构，不仅可以适用于普通的触控式液晶显示装置，而且还可以将本实施例中的触控技术与半透半反显示技术相结合得到半透半反的触控式液晶显示装置，非常适合移动液晶显示设备的户外使用。具体地，

在普通的触控式液晶显示装置中，阵列基板上的像素单元中的像素电极采用透明电极，例如氧化铟锡ITO；此时，为了便于触控电极的制作，可以将触控电极与所述透明电极同层制作，即此时的触控电极可以采用ITO薄膜制备；

在半透半反的触控式液晶显示装置中，阵列基板上的像素单元中的像素电极可以是直接采用半透半反电极，例如氮化铝AlN薄膜；此时，为了便于触控电极的制作，可以将触控电极与所述透明电极同层制作，即此时的触控电极可以采用AlN薄膜制备；

当然，在半透半反的触控式液晶显示装置的另一种实现方式中，还可以将其像素电极分为投射区和反射区，分别采用透明电极和反光电极；此时，可以将所述触控电极作为反射区，选用可全反光的导电材料，例如厚度较大的、全反的氮化铝薄膜。

所述触控电极的实现方式可以是但不限于上述几种情况，任何能够与彩膜基板上的公共电极或者手指形成电容结构的导电材料都可以用来制作触控电极。

本发明实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板上设置触控结构来实现一种集成到液晶盒内的触控装置；其中，在没有触摸动作出现时，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均处于稳定状态，所述第二薄膜晶体管的漏极输出的反馈信号也基本恒定；在出现触摸动作时，彩膜基板和所述触控电极之间或者手指与所述触控电极之间产生感应电容，使所述第二薄膜晶体管的栅极电压发生变化，进而所述第二薄膜晶体管的漏极电流的大小；此时，通过所述反馈信号线将所述第二薄膜晶体管的漏极电流变化情况传送到数据处理单元即可对触摸位置进行定位。

下面将通过一方法实施例来说明上述阵列基板的制造工艺。

如图4所示，本发明实施例中提供的阵列基板制造方法，主要包括以下步骤：

步骤3、在形成有半导体有源层的基板上形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源/漏极、以及所述预置信号线、发射信号线和反馈信号线；

步骤4、在形成有源/漏极和信号线图形的基板上形成钝化层；

步骤5、在形成有钝化层的基板上形成触控电极，该触控电极通过过孔分别与所述第一薄膜晶体管的漏极、所述第二薄膜晶体管的栅极相连。

通过上述制造工艺得到的阵列基板，不仅可以用于实现触控装置对触摸位置的准确定位，而且由于触控结构内置于液晶盒内，因此大大降低了触控式液晶显示装置的生产成本，而且有利于液晶显示装置的薄型化。

进一步地，在本发明实施例中还提供了另一方法实施例来详细地介绍上述阵列基板的制作过程。在以下的描述中，本发明实施例所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光以及刻蚀等工艺。

结合图3、图5和图6所示的阵列基板结构示意图，现介绍上述阵列基板制作工艺的另一实现过程如下：

步骤11、在基板上沉积一层栅金属薄膜，并通过构图工艺形成所述开关信号线13、以及所述第一薄膜晶体管11的栅极11a和所述第二薄膜晶体管12的栅极12a；

为了缩短阵列基板的制作时间，提高工艺效率以及降低制作成本，该步骤11可以和阵列基板上的公共电极、栅线以及像素薄膜晶体管的栅极同层、同时制作；

优选地，还可以将开关信号线13和所述栅线1做成同一结构，得到如图5所示的结构。

步骤22、在形成有上述各薄膜晶体管的栅极、栅线和公共电极的基板上，形成栅绝缘层和半导体有源层。

步骤33、在形成有栅绝缘层和半导体有源层的基板上沉积一层源/漏极金属薄膜，并通过构图工艺形成第一薄膜晶体管11的源极11b和漏极11c、第二薄膜晶体管12的源极12b和漏极12c、以及预置信号线14、发射信号线15和反馈信号线16；

同样地，该步骤33可以和阵列基板上的数据线以及像素薄膜晶体管的源/漏极同层、同时制作，得到如图6所示的结构。

步骤44、在形成有上述各薄膜晶体管的源/漏极以及信号线图形的基板上形成钝化层。

步骤55、在形成有钝化层的基板上形成触控电极17和连接电极18，所述触控电极17通过过孔31、32分别与第一薄膜晶体管11的漏极11c、第二薄膜晶体管12的栅极12a相连，所述连接电极18通过过孔33、34分别与第二薄膜晶体管12的漏极12c、反馈信号线16相连；

该步骤55可以和阵列基板上的像素电极(图中未示出)同层、同时制作，得到如图3所示的阵列基板结构。

其中，过孔31、33用于连接像素电极层和源/漏金属层，因此可以在步骤44中通过构图工艺在钝化层上形成过孔；过孔32、34则用于连接像素电极层和栅金属层，因此需要在步骤22和步骤44中分两步完成过孔的制作。

需要注意的是，上述图3、图5和图6中均是以横向相邻的三个像素单元中形成一个触控结构为例的；在实际操作中，所述触控结构当然还可以有其它的实现方式，此处并不对其进行限定。

此外，本发明实施例中还提供了一种包含上述阵列基板的液晶显示装置；该液晶显示装置包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，在所述彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶。

以阵列基板上的开关信号线和栅线为同一结构为例。上述液晶显示装置中的开关信号即栅极扫描信号，是一个周期性的扫描脉冲信号，其同时驱动液晶显示结构中的像素薄膜晶体管和触控结构中的第一薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管的源极连接预置信号线，其接收到的预置信号保持在一稳定的电压值V_L，同时所述电压值V_L的大小应处于第二薄膜晶体管的线性工作区内。

所述第二薄膜晶体管为具有放大功能的晶体管。如图7所示，当所述第二薄膜晶体管工作在线性区时，其栅极电位的细微变化都会对其漏极输出的电流强度产生较大影响。在本实施例中，可以将所述预置信号的电压值设置在8V～11V之间；优选地，可以是10V。

需要注意的是，针对不同型号的薄膜晶体管，其线性工作区的范围也不尽相同；因此，上述8V～11V的电压值范围仅是本实施例提供的一个参考实例，并不用于限定本发明的范围。

当开关信号即栅极扫描信号周期性地扫描时，预置信号SCN便能够周期性地通过第一薄膜晶体管传输到触控面板处，同时又通过所述触控面板传输到第二薄膜晶体管的栅极，用以控制所述第二薄膜晶体管周期性地导通和关闭。这样，发射信号线所传输的发射信号GEN也会通过所述第二薄膜晶体管周期性地传输到第二薄膜晶体管的漏极并通过反馈信号线向液晶显示装置中的数据处理单元(例如中央处理器CPU、微处理单元MCU等)发送一反馈信号REC。

为了能够更好地协调上述多个不同的信号之间的时序控制，因此在本实施例中优选地将所述开关信号线、预置信号线和发射信号线中传输的信号都由同一时序控制器提供。

如图8所示，为本实施例提供了一个开关信号、预置信号和发射信号的时序图实例。其中，G1、G2、...、Gn分别表示第1、2、...、n行开关信号线(栅线)中的扫描信号，它们是具有周期性的脉冲信号，并且按照顺序依次产生。预置信号SCN是一个电压值大小为V_L的恒压，且V_L的大小设定在所述第二薄膜晶体管的线性工作区内。发射信号GEN是由时序控制器产生的周期性信号，其周期可根据实际的触控阵列设计来设定。在第二薄膜晶体管导通时，发射信号GEN的波形可以通过第二薄膜晶体管传输至其漏极形成反馈信号REC；这样，反馈信号REC与发射信号GEN在时钟上保持同步，系统端的数据处理单元可以根据反馈信号REC的电流强度的突变情况来判定触控发生位置。

举例说明，在发生触碰动作之后，系统端的数据处理单元就会接收到一个电流强度有较大变化的反馈信号REC；由于在同一时刻，液晶显示装置中只有一行像素的扫描信号处于高电平，也就是说，同一时刻只有一行像素中的触控结构的薄膜晶体管被导通，那么只要能确定数据处理单元接收到所述电流强度出现较大变化的反馈信号REC的时刻，也就可以根据那一时刻处于开启状态的像素的行数(第几行)来确定触碰动作的触点位置所对应的纵坐标。

同时，数据处理单元只要确定了其接收到的所述电流强度出现较大变化的反馈信号REC是来自于哪条反馈信号线，也就可以很容易地确定触碰动作的触点位置所对应的横坐标。

如果所述液晶显示装置是TN(Twisted Nematic，扭曲向列)型液晶显示器，如图9所示，阵列基板10上具有导电功能的触控电极17和彩膜基板20上的公共电极4之间形成电容C。当用手指、触控笔或者其他工具触碰按压彩膜基板表面时，液晶显示装置的液晶盒盒厚d发生变化；这样在像素电极4和公共电极5之间的电容也发生变化，而这个电容的变化会导致半透半反膜上的电位发生变化。这种变化当然会影响的第二薄膜晶体管的开启程度，进而影响到反馈信号REC的电流强度。

如果所述液晶显示装置是AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching，高级超维场开关技术)型液晶显示器时，其通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。如图10所示，其在彩膜基板20上没有公共电极，不过在使用手指或者特定的触碰工具触碰彩膜基板的外表面时，以手指为例，由于人体本身带电，所以在发生触碰动作的瞬间会在手指和阵列基板10上的触控电极17之间产生感应电容，进而影响到第二薄膜晶体管栅极的电位变化；进一步地，如果触碰动作具有一定的按压力度，液晶盒的盒厚d也会发生变化，进而改变触控电极的电位，这样通过双重作用能够更好地实现触控寻址功能。

本发明实施例中提供的方案当然还可以适用于其他类型的液晶显示装置，此处就不再一一列举。

本发明实施例提供的液晶显示装置，通过在阵列基板上设置触控结构来实现一种集成到液晶盒内的触控装置；其中，在没有触摸动作出现时，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均处于稳定状态，所述第二薄膜晶体管的漏极输出的反馈信号也基本恒定；在出现触摸动作时，彩膜基板和所述触控电极之间或者手指与所述触控电极之间产生感应电容，使所述第二薄膜晶体管的栅极电压发生变化，进而所述第二薄膜晶体管的漏极电流的大小；此时，通过所述反馈信号线将所述第二薄膜晶体管的漏极电流变化情况传送到数据处理单元即可对触摸位置进行定位。利用本发明实施例提供的方案，不仅可以实现触摸位置的准确定位，而且由于触控结构内置于液晶盒内，因此大大降低了触控式液晶显示装置的生产成本，而且有利于液晶显示装置的薄型化。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种阵列基板，包括形成在该阵列基板上的栅线、数据线以及由栅线和数据线所限定的多个像素单元；其特征在于，在所述阵列基板上还形成有多个触控结构；所述触控结构包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，以及与所述栅线平行设置的开关信号线，与所述数据线平行设置的预置信号线、发射信号线和反馈信号线；其中，

所述第二薄膜晶体管的源极与所述发射信号线相连，其漏极与所述反馈信号线相连；

在横向相邻的三个像素单元中设置一个所述触控结构；

所述触控结构的所述预置信号线、发射信号线和反馈信号线分别位于所述三个像素单元的左侧；

所述第一薄膜晶体管设置在所述预置信号线和所述发射信号线之间，所述第二薄膜晶体管设置在所述发射信号线和所述反馈信号线之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极与所述像素单元中的像素电极同层制作；

所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极均是通过过孔与所述触控电极相连。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述反馈信号线通过一连接电极相连。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极与所述像素单元中的像素电极同层制作；

所述第二薄膜晶体管的漏极和所述反馈信号线均通过过孔与所述连接电极相连。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述触控结构形成在同一像素单元内。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述触控结构中的所述预置信号线设置在所述同一像素单元的左侧，所述发射信号线和反馈信号线设置在所述同一像素单元的右侧。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述触控结构的开关信号线与所述栅线为同一结构。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极采用氧化铟锡薄膜或者氮化铝薄膜。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元中的像素电极采用透明电极或者半透半反电极。

10.一种用于制造权利要求1至9中任一项所述的阵列基板的方法，其特征在于，包括：

步骤5、在形成有钝化层的基板上形成触控电极，该触控电极通过过孔分别与所述第一薄膜晶体管的漏极、所述第二薄膜晶体管的栅极相连；在形成触控电极的同时形成一连接电极，该连接电极通过过孔分别与所述第二薄膜晶体管的漏极、所述反馈信号线相连；其中，横向相邻的三个像素单元中形成一个触控结构。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述步骤1与阵列基板上栅金属层图形的制作过程同时进行。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述步骤3与阵列基板上源/漏金属层图形的制作过程同时进行。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述步骤5与阵列基板上像素电极的制作过程同时进行。

14.一种液晶显示装置，包括彩膜基板和阵列基板；其特征在于，所述阵列基板采用权利要1至9中任一项所述的阵列基板。

15.根据权利要求14所述的液晶显示装置，其特征在于，所述阵列基板上的触控结构中的开关信号线、预置信号线和发射信号线中传输的信号由同一时序控制器提供。

16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其特征在于，所述预置信号线中传输的预置信号始终保持在一恒定电压，且该恒定电压使所述第二薄膜晶体管处于线性工作区；

所述开关信号线中传输的开关信号采用与栅极扫描信号相同的脉冲信号。

17.根据权利要求16所述的液晶显示装置，其特征在于，所述预置信号的电压值在8V～11V之间。

18.根据权利要求17所述的液晶显示装置，其特征在于，所述预置信号的电压值为10V。