CN107505793A - 阵列基板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板和显示装置，该阵列基板包括：基板层；触控层，设置于基板层的第一侧，用于设置触控电极，且触控层采用透明导电材料制成；第一绝缘层，设置于触控层远离基板层的一侧；以及薄膜晶体管层，设置于第一绝缘层远离触控层的一侧，其中，薄膜晶体管层设置有薄膜晶体管、栅极线和数据线，本发明提供的阵列基板通过将触控电极设置在基板层和薄膜晶体管层之间，避免了数据线和栅极线对触控信号电容量的影响，提高了触控性能。

Description

阵列基板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

液晶显示面板具有机身轻薄、功耗低、工作电压低等优点，被广泛运用于制造显示屏幕，近年来，随着触控技术的逐渐发展，智能手机、智能平板、穿戴设备等装置的显示面板普遍采用具有触控功能的触控面板，触控面板依感应技术不同可区分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种，电容式触控面板是通过检测电极与人体之间所产生的感应电容导致的基准电容变化确定触控点。当人体没有接触触控面板时，各种电极以此时的状态为基准值。当人体接触触控面板时，人体与触控面板之间产生一个寄生电容，导致触控面板的总电容变化，从而导致触控面板内电流或者电压有变化。检测触控面板不同位置电极的电压或电流变化量，从而算出接触的位置。

用户使用电容式触控面板时，一般使用手指在触控面板上点击或者滑动的方式对电子设备输入指令，电子设备接收到指令后，再对该指令进行反馈，当触控信号较弱时，触控面板将无法正确的识别用户的操作，导致电子设备反馈错误甚至不反馈，降低用户体验。

目前，绝大多数电子数码产品的显示面板采用电容式触控面板，形成电容式触控显示面板，近年来，电容式触控显示面板向轻薄化发展的趋势越加明显，市场上大多数电容式触控显示面板采用触控面板和液晶面板一体化技术减小电容式触控显示面板的总厚度，其中，作为一体化技术代表的内嵌式方法(incell)将触控面板功能嵌入到液晶面板的阵列基板和彩膜基板之间，显著减小了电容式触控显示面板的总厚度因而被广泛使用。

对于采用in cell技术的电容式触控显示面板，触控面板功能嵌入到液晶面板的阵列基板和彩膜基板之间，相对触控面板外挂在液晶面板而言，触控电极与手指之间的距离增加，对触控性能和灵敏度的要求更高，因而改善采用in cell技术的电容式触控显示面板的触控性能和灵敏度，成为一种技术需求。

因此，提供一种阵列基板和显示装置，以改善采用in cell技术的电容式触控显示面板的触控性能和灵敏度，是本领域亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板和显示装置，解决了现有技术中一种采用in cell技术的电容式触控显示面板的触控性能差的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明提出一种阵列基板。

该阵列基板，包括：基板层；触控层，设置于所述基板层的一侧，用于设置触控电极，且所述触控层采用透明导电材料制成；第一绝缘层，设置于所述触控层远离所述基板层的一侧；以及薄膜晶体管层，设置于所述第一绝缘层远离所述触控层的一侧，其中，所述薄膜晶体管层设置有薄膜晶体管、栅极线和数据线。

为了解决上述技术问题，本发明提出一种显示面板。

该显示面板，包括：彩膜基板；液晶层，设置于所述彩膜基板的一侧；本发明提供的任意一种阵列基板，设置于所述液晶层远离所述彩膜基板的一侧。

为了解决上述技术问题，本发明提出一种显示装置。

该显示装置包括：显示模组，所述显示模组包括彩膜基板、本发明提供的任意一种阵列基板，以及位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层；背光模组，设置于所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧。

与现有技术相比，本发明的阵列基板和显示装置，实现了如下的有益效果：

本发明提供的阵列基板和采用该阵列基板制备的触控显示装置中，阵列基板依次设置有基板层、触控层、第一绝缘层和薄膜晶体管层，将触控操作面设置于基板层远离触控层的一侧，而因为触控层相对薄膜晶体管层更靠近基板层，所以用户进行触控操作时，手指与触控电极之间形成的电容产生触控信号，位于触控层的靠近基板层一侧，而薄膜晶体管层的数据线与触控电极形成的电容、和薄膜晶体管层的栅极线与触控电极形成的电容不产生触控信号，位于触控层远离基板层一侧，由于产生触控信号的电容和不产生触控信号的电容分别位于触控层的两侧，所以产生触控信号的电容内的电场，与不产生触控信号的电容内的电场没有相交和重叠的部分，彼此互不干扰，即产生触控信号的电容与不产生触控信号的电容互不重叠，从而避免了数据线和栅极线对触控信号电容量的影响，提高了阵列基板的触控性能和灵敏度，改善了用户体验。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1为现有技术中一种显示装置的膜层结构图；

图2为本发明中一种显示装置的膜层结构图；

图3为现有技术中一种阵列基板的膜层结构图；

图4为本发明提供的一种阵列基板的膜层结构图；

图5为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图；

图6为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图；

图7为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图；

图8为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图；

图9为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图；

图10为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图；

图11为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图；

图12为本发明提供的一种显示面板的结构示意图；

图13为本发明提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

本发明涉及阵列基板和显示装置，其中，显示装置的显示面板为触控显示面板，其中，电容式触控显示面板可采用自电容式触控技术或互电容式触控技术。在自电容式触控技术中，触控电极与地分别作为自电容的两极，当用户进行触控操作时，手指的电容会增加到自电容上，因此自电容的电容量增加并产生触控信号，在检测触控信号时，触控显示面板依次从横向与纵向检测自电容的电容量，根据触摸前后电容量的变化，分别确定触控位点的横向坐标和纵向坐标，在互电容式触控技术中，触控电极包括横向触控电极与纵向触控电极，它与自电容式触控技术的区别在于，两组电极交叉的地方将会形成互电容，也即这两组电极分别构成了互电容的两极。当用户进行触控操作时，影响了触摸点附近互电容的两个电极之间的耦合，从而改变了这两个电极之间的电容量。检测触控位点时，向横向的触控电极依次发出激励信号，纵向的所有触控电极同时接收检测信号，这样就可以得到所有横向和纵向触控电极交汇点的电容值大小，即整个触摸屏的二维平面的电容大小，从而确定触控位点。

触控显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板是触控显示面板中的主要部件，阵列基板上形成有薄膜晶体管，薄膜晶体管作为像素单元的开关器件包括：栅极、源极、漏极和有源层，源极和漏极分别与有源层连接，当对栅极施加电压后，随着栅极电压增加，有源层表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层，当达到强反型时，即达到开启电压时，有源层的载流子将移动实现源极和漏极之间的导通。阵列基板上还形成有栅极线和数据线，栅极线与栅极连接用于传输栅极扫描驱动信号，数据线与源极连接用于传输驱动电压信号，漏极与像素电极连接，以将驱动电压信号施加至像素电极，使像素电极与公共电极之间形成使液晶分子偏转的电场。

其中，像素电极与公共电极均位于阵列基板一侧时，像素电极与公共电极之间形成的电场为水平电场，像素电极位于阵列基板、公共电极位于彩膜基板一侧时，像素电极与公共电极之间形成的电场为垂直电场。

图1为现有技术中一种显示装置的膜层结构图，对于TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)、电子纸、ECB(Electrically controller Birefringence，电控双折射)反射、VA(Vertical Alignment，垂直配向型)、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal，聚合物分散液晶)等等需要垂直电场的显示模式的产品，如图1所示，该类产品依次包括背光模组31、阵列基板32、彩膜基板34和阵列基板32与彩膜基板34之间的显示层33，其中，像素电极位于阵列基板32一侧，公共电极位于彩膜基板34一侧，背光模组31产生的光线先穿过阵列基板32，然后到达并穿过彩膜基板34进入人眼，也即，彩膜基板34远离阵列基板32的一侧为显示装置的观看侧。对于这一类产品，在采用in cell技术实现触控功能时，也即将触控电极设置于阵列基板32上时，由于公共电极位于彩膜基板34一侧，使得在操作面(也即观看侧)与触控电极之间具有公共电极，从而在观看侧对显示装置进行操作时，触控信号将会被公共电极屏蔽，而无法通过in cell技术实现触控功能。

对此，发明人研究发现，可将彩膜基板设置于阵列基板之下，也即，设置显示装置的膜层结构如图2所示，图2为本发明中一种显示装置的膜层结构图，如图2所示，该显示装置依次包括背光模组31、彩膜基板34、阵列基板32和阵列基板32与彩膜基板34之间的显示层33，其中，像素电极仍位于阵列基板32一侧，公共电极仍位于彩膜基板34一侧，背光模组产生的光线先穿过彩膜基板34，然后到达并穿过阵列基板32进入人眼，也即，阵列基板32远离彩膜基板34的一侧为显示装置的观看侧。从而，在采用in cell技术实现触控功能时，可将触控电极设置于阵列基板32上，此时在操作面(也即观看侧)与触控电极之间没有公共电极，从而在观看侧对显示装置进行操作时，触控信号也不会被公共电极屏蔽，能够通过incell技术实现触控功能。

在现有技术中给出了一种基于水平电场且通过in cell技术实现触控功能的显示面板，图3为现有技术中一种阵列基板的膜层结构图，该类显示面板的阵列基板如图3所示，阵列基板包括：基板层11、薄膜晶体管层12、绝缘层13和公共电极层14。薄膜晶体管层12包括：栅极线、数据线和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极121、源极122、漏极123和有源层124。公共电极层14设置有公共电极141，该公共电极141在触控阶段复用为触控电极141。

在上述技术的教导下，发明人尝试在图2所示的显示装置中应用图3所示的阵列基板，但是，发明人进一步研究发现，以自电容式触控为例，当操作面(也即观看侧)设置于阵列基板远离彩膜基板一侧时，用户手指从远离薄膜晶体管层12的一侧接触基板层11，此时，手指与公共电极层14上的触控电极141形成电容，改变了自电容的电容量，形成触控信号，通过检测触控信号确定触控位点，但是，由于薄膜晶体管层12上的栅极线和数据线，分别与触控电极141之间形成电容，这些电容位于用户的手指与触控电极141之间，将降低触控信号的电容量，导致触控性能降低。

本发明中提供的阵列基板和采用该阵列基板的显示装置中，将触控电极设置于薄膜晶体管层和基板层之间，此时，虽然栅极线和数据线分别与触控电极之间形成不产生触控信号的电容，但这些不产生触控信号的电容与，与由手指和触控电极形成的产生触控信号的电容分别位于触控层的两侧，所以产生触控信号的电容内的电场，与不产生触控信号的电容内的电场没有相交和重叠的部分，彼此互不干扰，即不产生触控信号的电容与产生触控信号的电容互不影响，因此并不会对触控信号的电容量造成影响，从而提高了阵列基本和显示装置的触控性能和触控灵敏度。

关于本发明提供的阵列基板和采用该阵列基板的显示装置的具体实施例，将在下文中详细描述。

本发明提供一种阵列基板，图4为本发明提供的阵列基板的膜层结构图，如图4所示，该阵列基板包括：基板层21、触控层22、第一绝缘层23和薄膜晶体管层24。

基板层21通常可用玻璃材料制备，触控层22设置于基板层21的一侧，用户进行触控操作的位置在基板层21远离触控层22的一侧，触控层22用于设置触控电极221，图4中触控电极221的排列方式仅作为参考，并不对触控电极的形状、布局和大小作任何限定，阵列基板既可以采用自电容式触控，也可以采用互电容式触控。

第一绝缘层23，设置于触控层22远离基板层21的一侧，可采用例如SiN_x或SiO_X的无色透明绝缘材料制备，第一绝缘层23将触控层22与薄膜晶体管层24相分离，防止不同层的电极之间发生短路并减小彼此间的信号干扰。

继续参考图4，薄膜晶体管层24，设置于第一绝缘层23远离触控层22的一侧，其中，薄膜晶体管层24设置有薄膜晶体管、栅极线和数据线，栅极线、数据线分别与薄膜晶体管相连接，通常栅极线与薄膜晶体管的栅极相连接，数据线与薄膜晶体管的源极相连接，在触控显示面板中，栅极线与触控层22之间会形成电容，同时数据线与触控层22之间也会形成电容，如果这些电容与形成触控信号的电容相重叠，将影响触控信号的电容量，导致触控性能下降。

当采用自电容式触控时，用户进行触控操作的手指接触基板层21远离触控层22的一侧，并与触控电极221之间形成产生触控信号的电容，产生触控信号，在本发明提供的阵列基板中，由于薄膜晶体管层24与用户进行触控的位置分别位于触控层22的两侧，所以，尽管栅极线与触控层22之间、数据线与触控层22之间仍会形成不产生触控信号的电容，但是不产生触控信号的电容的电场，与产生触控信号的电容的电场，没有相交和重叠的部分，即互不影响，由此可知，由于不产生触控信号的电容不会与产生触控信号的电容互相重叠，也就不会影响触控信号的电容量。当采用互电容式触控时，在一些可选的实施例中，可以将延伸方向互相垂直的两组触控电极221都设置于触控层22，或者一组触控电极221设置于触控层22，另一组触控电极221设置于第一绝缘层23与薄膜晶体管层23之间，避免将数据线和栅极线设置于两组触控电极221之间，从而提高触控性能。

综上所述，如果薄膜晶体管层24位于触控层22与基板层21之间，则栅极线和数据线将分别与触控层22形成电容从而影响触控信号的电容量，导致原本可以检测出的触控信号无法被正确识别，需要用户重复触控操作，即阵列基板的触控灵敏度降低，导致用户体验差，本发明提供的阵列基板通过将触控层22放置在基板层21和薄膜晶体管层24之间，屏蔽了数据线和栅极线对触控信号电容量的影响，即相比于现有技术增加了触控信号的电容量，从而提高了阵列基板的灵敏度，减少了对触控操作无法识别的概率，改善了触控性能，具有较好的用户体验。

进一步的，在一些可选的实施例中，图5为本发明中又一种阵列基板的膜层结构图，如图5所示，阵列基板还包括：触控走线241，设置于薄膜晶体管层24，与触控电极221相连接，触控走线241一方面为触控电极221提供激励信号，另一方面用于检测触控电极221与地之间的电容变化情况，通过检测触控电极的电容变化情况确定触控位点，图5只作为一种示例，并不对触控走线224的形状和位置做任何限定，图5中触控走线224位于薄膜晶体管层24，通过贯穿第一绝缘层23的过孔与触控电极221相连接。

进一步的，在一些可选的实施例中，图6为本发明中又一种阵列基板的膜层结构图，阵列基板包括：基板层21、触控层22、第一绝缘层23和薄膜晶体管层24，如图6所示，薄膜晶体管层24包括：第一金属层242、第二绝缘层243和第二金属层244。

请参考图6，第一金属层242，设置于第一绝缘层23远离触控层22的一侧，用于设置栅极线和薄膜晶体管的栅极245，栅极线与栅极245相连接，为栅极245提供扫描驱动信号。

第二绝缘层243，设置于第一金属层242远离第一绝缘层23的一侧。

第二金属层244，设置于第二绝缘层243远离第一金属层242的一侧，用于设置数据线和薄膜晶体管的源漏极246，源漏极246包括源极和漏极，数据线与源极相连接，当栅极245接收到栅极线提供的扫描驱动信号时，源极和漏极相互导通，从而将数据线传输的驱动信号经源极传输至漏极。

如图6所示，触控走线241可以设置于第一金属层242，图7为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图，如图7所示，触控走线241也可以设置于第二金属层244。

通常薄膜晶体管层的薄膜晶体管作为像素电极的开关器件，当栅极线接收到扫描信号时，有源层将连通源极和漏极，数据线提供的驱动信号将从源极传送至漏极，进而传送至像素电极，像素电极与公共电极之间形成像素电容，控制液晶分子的偏转，从而控制显示面板的显示图像，在自电容式触控显示面板中，当用户进行触控操作的时候，用户的手指从基板层21远离触控层的一侧接触基板层21，手指与触控层22之间形成电容并产生触控信号，如果数据线与触控层之间、栅极线与触控层之间形成的电容处于手指与触控层之间，则触控信号的电容量将受影响，在本发明提供的阵列基板中，触控层22位于基板层21和薄膜晶体管层24之间，因此触控信号的电容量不会受到影响，即提高了阵列基板对触控操作识别的灵敏度，改善了触控性能，具有较好的用户体验。

进一步的，在一些可选的实施例中，继续参考图6和图7，触控走线241通过第一过孔231与触控电极221相连接，当触控走线241设置在第一金属层242，第一过孔231为贯穿第一绝缘层22的通孔，当触控走线241设置在第二金属层244，第一过孔231为同时贯穿第一绝缘层22和第二绝缘层243的通孔。

进一步的，在一些可选的实施例中，如图6所示，触控走线241设置于第一金属层242，此时第一过孔231贯穿第一绝缘层23，与触控电极231相连接，触控走线241应当与栅极245和栅极线保持一定间隔，防止栅极线的扫描信号对其造成干扰，当触控走线设置于第一金属层242时，触控走线241与触控电极221之间只有第一绝缘层23，彼此间的间距较小，因此，通过将触控走线241设置于第一金属层242并通过第一过孔231与触控电极221相连接，可以减少用于连接的线路的长度，从而节约材料，降低成本，减少触控走线上的信号损失。

进一步的，在一些可选的实施例中，图8为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图，如图8所示，相邻的触控电极221之间的刻缝222在第一金属层242上的正投影位于栅极线所在的区域内，通常栅极245和栅极线并不透光，光线经过刻缝222处时易于发生折射和偏转，因此将刻缝222的正投影位于栅极线所在的区域可以减少不透光区域的面积，即增加显示区域面积，提高显示面板的开口率。

进一步的，在一些可选的实施例中，图9为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图，如图9所示，触控走线241设置于第二金属层244，此时，第一过孔231将贯穿第一绝缘层23和第二绝缘层243，同时，过孔231在阵列基板的厚度方向(图9中的竖直方向)上不与栅极或栅极线重叠，设置触控走线241时应与数据线保持一定间隔，过孔231也应与栅极245留有一定距离，防止信号之间互相干扰，因为触控走线241与数据线的走向相同，所以将触控走线241设置在数据线所在的第二金属层244时，触控走线241与数据线不会相互交叉，降低了制备工艺的难度，易于生产。

进一步的，在一些可选的实施例中，图10为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图，如图10所示，阵列基板还包括：触控搭桥部251，触控搭桥部251与触控走线241和触控电极221分别相连接，触控走线241经触控搭桥部251与触控走线相连接。

进一步的，在一些可选的实施例中，图11为本发明提供的另一种阵列基板的膜层结构图，阵列基板还包括：像素电极254，像素电极254与触控搭桥部251均位于像素电极层25，像素电极层25位于薄膜晶体管层24远离第一绝缘层23的一侧，像素电极层25与第二金属层244之间还设置有第三绝缘层26；

触控走线241设置于第二金属层244，触控搭桥部251与触控走线241经第二过孔252连接，触控搭桥部251与触控电极221经第三过孔253连接，其中，第二过孔252贯穿第三绝缘层26，第三过孔253贯穿第一绝缘层23、第二绝缘层243和第三绝缘层26。

进一步的，在一些可选的实施例中，当没有设置触控搭桥部251时，因为触控走线241与触控电极221需要通过过孔相连接，为了制作该过孔，必须增加光罩步骤；在设置触控搭桥部251时，虽然需要制备第二过孔252和第三过孔253，但是，因为薄膜晶体管的源漏极246与像素电极254相互连接，在制备像素电极254前原本就需要制作过孔以连接像素电极254与源漏极246，因此，可以在制作该过孔的光罩步骤中，同步制作第二过孔252和第三过孔253，而无需额外增加工序，即在保证触控走线241与触控电极221相连接的前提下，设置触控搭桥部251比不设置触控搭桥部251时，减少了一次光罩步骤，简化了工序，减少了制备时间，降低了工艺难度，提高了生产效率，增加了产品的竞争力。

进一步的，在一些可选的实施例中，在显示阶段，触控电极221与像素电极254形成存储电容，在显示面板中，通常在彩膜基板一侧设置有公共电极，当扫描驱动电路通过栅极线控制薄膜晶体管的源漏极之间连通时，像素驱动电路将驱动电压信号经数据线传输至薄膜晶体管的漏极，再到像素电极，使得像素电极与公共电极构成像素电容，像素电容之间形成使液晶分子偏转的电场，同时，在像素电极与存储电极还形成与像素电容并联的存储电容，当扫描驱动信号传输至薄膜晶体管的栅极时，存储电容进行充电，在下一次扫描驱动信号传输至薄膜晶体管的栅极之前，存储电容处于放电的状态，使像素电容保持使液晶分子偏转的持续电场。

本发明还提供一种显示面板，图12为本发明提供的一种显示面板的结构示意图，如图12所示，显示面板包括：彩膜基板32、液晶层33和本发明提到的任意一种阵列基板34，阵列基板34设置于液晶层33远离彩膜基板32的一侧，本发明提供的显示面板具有本发明提供的任意一种阵列基板的功能和效果。

本发明还提供一种显示装置，图13为本发明提供的一种显示装置的结构示意图，如图13所示，显示装置包括：显示模组和背光模组31。

显示模组包括彩膜基板32、本发明中提到的任一阵列基板34以及位于彩膜基板32与阵列基板34之间的液晶层33；

背光模组31设置于彩膜基板32远离阵列基板34的一侧。

本发明的显示装置具有本发明提供的任意一种阵列基板的功能和效果，在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明的阵列基板和显示装置，达到了如下的有益效果：

本发明提供的阵列基板和采用该阵列基板制备的显示装置中，通过将基板层和薄膜晶体管层分别设置在触控层的两侧，避免了数据线与触控层、栅极线与触控层形成的电容对触控信号电容量的影响，改善了阵列基板的触控性能和感应灵敏度，提高了用户体验，同时将相邻的触控电极之间的刻缝设置在第一金属层栅极线所在的区域下方，增加了显示面板的有效显示面积，提高了开口率。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板层；

触控层，设置于所述基板层的一侧，用于设置触控电极，且所述触控层采用透明导电材料制成；

第一绝缘层，设置于所述触控层远离所述基板层的一侧；以及

薄膜晶体管层，设置于所述第一绝缘层远离所述触控层的一侧，其中，所述薄膜晶体管层设置有薄膜晶体管、栅极线和数据线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

触控走线，设置于所述薄膜晶体管层，与所述触控电极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括：

第一金属层，设置于所述第一绝缘层远离所述触控层的一侧，用于设置所述栅极线和所述薄膜晶体管的栅极；

第二绝缘层，设置于所述第一金属层远离所述第一绝缘层的一侧；

第二金属层，设置于所述第二绝缘层远离所述第一金属层的一侧，用于设置数据线和所述薄膜晶体管的源漏极；

其中，所述触控走线设置于所述第一金属层或所述第二金属层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述触控走线通过第一过孔与所述触控电极连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述触控走线设置于所述第一金属层，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

相邻所述触控电极之间的刻缝在所述第一金属层上的正投影位于所述栅极线所在的区域内。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述触控走线设置于所述第二金属层，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

触控搭桥部，所述触控搭桥部与所述触控走线和所述触控电极分别电连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括：像素电极，所述像素电极与所述触控搭桥部均位于像素电极层，所述像素电极层位于所述薄膜晶体管层远离所述第一绝缘层的一侧，所述像素电极层与所述第二金属层之间还设置有第三绝缘层；

所述触控走线设置于所述第二金属层，所述触控搭桥部与所述触控走线经第二过孔连接，所述触控搭桥部与所述触控电极经第三过孔连接，其中，所述第二过孔贯穿所述第三绝缘层，所述第三过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

在显示阶段，所述触控电极与所述像素电极形成存储电容。

11.一种显示面板，其特征在于，包括：

彩膜基板；

液晶层，设置于所述彩膜基板的一侧；

权利要求1至10中任一项所述的阵列基板，设置于所述液晶层远离所述彩膜基板的一侧。

12.一种显示装置，其特征在于，包括：

显示模组，所述显示模组包括彩膜基板、权利要求1至10中任一项所述的阵列基板以及位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层；

背光模组，设置于所述彩膜基板远离所述阵列基板的一侧。