CN102177470A - 收集器组件、辐射源、光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种收集器组件(300)，其包括用于将来自辐射发射点(31)(诸如极紫外辐射发射点)的辐射反射至中间焦点(18)的第一收集器反射镜(33)，来自所述中间焦点的辐射用在用于器件制造的光刻设备中。在辐射发射点(31)前面的第二收集器反射镜(35)收集另外的辐射，将它反射回至第三反射镜(36)和从第三反射镜到达中间焦点(18)。反射镜(33、35、36)可以允许辐射被高效率地且没有增加展度地收集。收集器组件(300)可以减小或移除所收集的辐射的不均匀性，例如由通过激光束阻挡件(34)收集的辐射的遮蔽所引起，所述激光束阻挡件用于防止激光激励辐射进入到光刻设备中。

Description

收集器组件、辐射源、光刻设备和器件制造方法
技术领域
本发明涉及光刻设备，尤其涉及辐射源和用于提供调节的辐射，诸如极紫外(EUV)辐射的收集器组件。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。
已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小，光刻术成为了使微型的IC或其它器件和/或结构能够被制造的更加关键的因素。
通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估计：
CD＝k1λ/NAPS    (1)
其中，λ是所使用的辐射的波长，NAPS是用于在衬底上印制图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于工艺的调整因子，也称为瑞利常数，以及CD是被印制的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从等式(1)可以得出，可以以三种方式实现减小特征的最小可印制尺寸：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NAPS或通过减小k1的值。
为了缩短曝光波长，并因此使最小可印制的尺寸减小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射源被配置以输出约13nm的辐射波长。因此，EUV辐射源可以构成迈向获得小的特征印刷的非常重要的一步。这样的辐射也用术语软x射线来表示，可能的源例如包括激光产生等离子体源、放电产生等离子体源或来自电子储存环的同步加速器辐射。
EUV辐射和超EUV辐射可以例如通过使用放电产生等离子体(DPP)辐射发生器来产生。等离子体例如通过使得放电穿过适合的材料(例如气体或蒸汽)来产生。所获得的等离子体可以被压缩(即遭受箍缩作用)，典型地通过激光器，在激光器的位置处电能被转换成EUV辐射(或超EUV辐射)形式的电磁辐射。本领域中已知的各种装置用于产生EUV辐射。
可替代地，可以通过使用激光产生等离子体(LPP)辐射发生器来产生EUV辐射。等离子体可以例如通过朝向适合的材料(例如锡)的颗粒引导激光或通过朝向适合的气体(例如Sn蒸汽、SnH4或Sn蒸汽和具有小的原子核电荷的任何气体(例如从H2到Ar)的混合物)的流引导激光来产生。最终获得的等离子体发射EUV辐射(或者超EUV辐射)。可以通过(通常来自Nd:YAG激光器的)高功率的激光束脉冲来辐射目标流，该脉冲加热目标材料以产生发射EUV辐射的高温的等离子体。激光束脉冲的频率是依赖于应用而特定的且依赖于多个因素。激光束脉冲需要目标区域中的足够的强度，以提供用于产生等离子体的足够的热量。
发明内容
从用于光刻术的辐射发生器(诸如EUV辐射发生器)的辐射发射点发射的辐射，通常使用布置成引导EUV辐射至收集器位置或中间焦点的收集器组件进行收集，从所述收集器位置或中间焦点处，所述辐射继续行进以在光刻过程或设备中使用。收集器组件可以例如具有椭圆形的反射式垂直入射收集器，且辐射发射点在椭圆体的一个(第一)焦点上，使得辐射形成穿过在收集孔阑处的收集器组件而出离且聚焦到椭圆体的另一(第二)焦点(所谓的中间焦点)上的束，该另一焦点用作收集位置。
典型地，例如，如果辐射发生器是用于EUV辐射的LPP辐射发生器，那么收集器组件可以设置有束阻挡件，所述束阻挡件布置成阻挡在产生EUV辐射中使用的激光辐射。束阻挡件布置成防止激光辐射直接从收集器组件的收集孔阑射出去且直接传播到光刻设备中。这种布置的一个问题是：束阻挡件可能导致遮蔽通过收集孔阑穿过的EUV辐射束的一部分，由此在从辐射发射点射出时在辐射的远场图像中呈现出强的不均匀性。在下文该远场图像也被称为源图像。遮蔽的存在使得源图像是环形的而不是圆形的。远场图像可以例如出现在与投影系统的物平面相关的傅里叶变换平面中，诸如在使用中图案形成装置的图案化表面设置所在的平面。通常，所以源图像中的强不均匀性是不被期望的，因为它必须在用于形成光刻设备的光学系统的下一段的照射器中被补偿。这样的补偿可能导致照射器中的光学损失，例如因为需要另外的反射镜从而导致了进一步的反射损失。
典型地，在光刻设备的光学系统中使用的反射镜的反射表面涂覆有反射涂层，以增强它们的反射率。重要的可能是，反射涂覆材料不会响应于例如通过等离子体产生的高能离子而劣化，所述等离子体可能撞击反射表面且分离反射涂覆材料。与等离子体辐射发生器一起使用的适合的涂层是硅/钼(Si/Mo)多层。然而，即使在其理论最大性能的情况下，收集器光学装置上的Si/Mo涂层将典型地也仅反射撞击到其上的EUV辐射的约70％。另外，这样的多层涂层的反射效率高度地依赖于辐射的入射角。
例如期望尽可能多的辐射被收集且引导至收集位置，用于改善收集器组件的效率和提供用于光刻术中的更加有效率的辐射源。例如，用于特定光学光刻过程的辐射的强度越高，将需要更少的时间来适合地曝光各种光致抗蚀剂，其可以被曝光用于提供图案化。需要的曝光时间上的减小意味着可以制造更多的电路、器件等，从而增加了生产率效率和减小了制造成本。
另外，可以减少产生辐射所需要的激励功率，由此节省所需要的输入能量且潜在地延长了激励源的寿命。还期望减小或移除来自收集的辐射的遮蔽，且增加用于光刻设备的照射器所收集的辐射，而没有增加照射器的展度(接收角)。
本发明的一个实施例解决了上述问题中的一个或更多个。
在一个实施例中，提供了一种用于光刻设备的收集器组件，所述收集器组件包括：
第一收集器反射镜，具有第一焦点和第二焦点，所述第二焦点与所述第一焦点相比更加远离所述第一收集器反射镜，所述第一和第二焦点限定了光轴，且限定了分别通过所述第一和第二焦点的第一和第二焦平面，且每一焦平面垂直于所述光轴，
其中所述第一收集器反射镜被布置以在使用中收集直接来自定位在所述第一焦点的辐射发射点的第一辐射且朝向所述第二焦点反射所述第一辐射；
第二收集器反射镜，定位在所述第一和第二焦平面之间，且布置成收集直接来自所述辐射发射点的第二辐射；和
第三反射镜，定位成基本上在所述第一焦平面和第二收集器反射镜之间的光轴上，
其中，所述第二收集器反射镜布置成反射所述第二辐射到所述第三反射镜上，所述第三反射镜布置成反射所述第二辐射至所述第二焦点，其中所述第二收集器反射镜布置成基本上不阻挡从所述第三反射镜反射至所述第二焦点的所述第二辐射，或从所述第一收集器反射镜反射至所述第二焦点的所述第一辐射。
通过术语“直接”所表达的意思是：辐射从发射点穿过至收集器反射镜，而在途中没有被显著地反射或衍射。
在一实施例中，第一收集器反射镜是凹反射镜，布置成围绕光轴且基本上成圆对称。第一收集器反射镜可以是椭圆形反射镜。
在一实施例中，第二收集器反射镜被布置以便基本上不阻挡从第三反射镜反射至第二焦点的第二辐射。第二收集器反射镜可以是定位远离光轴的反射镜。所述第二收集器反射镜可以是环形的凹反射镜，布置成围绕所述光轴且基本上成圆对称。这在围绕光轴的第二反射镜中提供了开口，通过其从第三反射镜反射的第二辐射可以穿过第二反射镜以到达第二焦点。
第三反射镜被适合地布置成围绕光轴且基本上成圆对称。第三反射镜可以是凸反射镜，但是可以使用其它形状，例如圆锥形或更加复杂的形状。
辐射发射点可以是EUV辐射发射点。尤其是，它可以是激光产生等离子体(LPP)辐射发生器的辐射发射点。LPP辐射发生器可以包括激光器，所述激光器被布置以引导激光束通过第一收集器反射镜中的孔阑到EUV辐射发射点上。在一实施例中，激光器布置成基本上沿着光轴引导激光束，束阻挡件定位成基本上阻挡激光束直接穿过至第二焦点。通过“发射点”所表示的意思是在使用中发射辐射的区域或体积。
第三反射镜被适合地完全定位在第二焦点处的第一收集器反射镜中的孔阑所对的立体角内，或完全定位在第二焦点处的束阻挡件所对的立体角内。在一实施例中，第三反射镜完全定位在提供最大的立体角的那一个中。这帮助确保第三反射镜基本上不会阻挡由第一反射镜直接反射至第二焦点的第一辐射。第三反射镜可以定位在束阻挡件上。或者说，束阻挡件可以包括安装在它上的第三反射镜，或第三反射镜可以与束阻挡件是一体的。
第一收集器反射镜、第二收集器反射镜以及第三反射镜中的任一个或任意组合可以是硅/钼多层反射镜。在一实施例中，反射镜是硅/钼多层反射镜，适合于在由EUV辐射发生器产生的辐射的波长处的高反射率。
在一个实施例中，提供了一种辐射源，包括如此处详细描述的收集器组件，其中辐射发射点是极紫外辐射发生器的辐射发射点。极紫外辐射发生器可以是激光产生等离子体辐射发生器。辐射源可以包括激光器，所述激光器布置成引导激光束通过第一收集器反射镜中的孔阑到辐射发射点上。
如上文对于收集器组件所详细描述的，激光器可以布置成基本沿着光轴引导激光束，同时收集器组件包括束阻挡件，所述束阻挡件定位成基本上阻挡激光束直接穿过到达第二焦点。在一实施例中，第三反射镜定位在束阻挡件处。
在一实施例中，提供了一种包括如此处详细描述的收集器组件或辐射源的光刻设备。
在一实施例中，提供了一种器件制造方法，所述方法包括：将图案化的辐射束投影到衬底上，其中所述辐射通过如此处详细描述的辐射源提供或由如此处详细描述的收集器组件收集。
附图说明
现在仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：
图1示意性显示根据本发明的一实施例的光刻设备；
图2是图1中的光刻设备的更加详细的但是是示意性的图示；和
图3显示根据本发明一实施例的辐射源的示意横截面视图。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备2，其使用此处描述的收集器组件。所述光刻设备2包括：
-照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
支撑结构MT保持图案形成装置。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备2的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置的示例包括掩模和可编程反射镜阵列。掩模在光刻术中是公知的，并且通常在EUV辐射(或超EUV辐射)光刻设备中是反射性的。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统。通常，在EUV(或超EUV)辐射光刻设备中，光学元件将是反射式的。然而，可以使用其它类型的光学元件。光学元件可以位于真空中。这里任意使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备2是反射型的(例如，采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射。辐射源SO包括EUV辐射发生器(诸如例如LPP辐射发生器)和用于收集从EUV辐射发生器的辐射发射点射出的辐射的收集器组件。在一实施例中，源SO可以包括收集器组件。可替代地，收集器组件可以是光刻设备2的一部分，或可以是源SO和光刻设备2两者的一部分。在一实施例中，该源和所述光刻设备可以是分立的实体。在这种情况下，在辐射源SO包括收集器组件的情况下，不会将该收集器组件考虑成形成光刻设备的一部分。在包括收集器组件的源SO是分立的实体的情况下，通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述辐射源SO的收集器组件传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源和收集器组件(不论收集器组件是源的一部分或另外地是光刻设备的一部分)可以是所述光刻设备的组成部分。可以将收集器组件、所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整装置。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。在被图案形成装置MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或者可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
所示的设备2可以用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT在衬底的平面中移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一种模式中，将保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2更详细地显示图1中的光刻设备2，但是仍然以示例图形式显示出，包括根据本发明的一实施例的收集器组件300(在这种情况下是辐射源SO的一部分)、照射器IL(有时称为照射系统)和投影系统PS。
来自辐射发生器的辐射通过收集器组件聚焦到在照射器IL的入场孔阑20处的虚源点收集焦点18上。辐射束21在照射器IL中通过第一和第二反射器22、24反射到定位在支撑结构MT上的图案形成装置MA上。形成了图案化的辐射束26，其由投影系统PS经由第一和第二反射元件28、30成像到保持在衬底台WT上的衬底W上。
应当理解，通常可以在辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS中设置比图2显示的更多或更少的元件。例如，在一个实施例中，光刻设备2可以包括一个或更多的透射或反射光谱纯度滤光片。
图3显示根据本发明的一实施例的收集器组件300的实施例的示意横截面视图。LPP辐射发生器的辐射发射点位于第一收集器反射镜33的第一焦点31处。在一实施例中，第一收集器反射镜33是凹反射镜，布置成围绕光轴且基本上成圆对称。第一收集器反射镜可以是椭圆反射镜。在使用中，来自激光器37的激光束32被通过第一收集器反射镜33中的孔阑30引导到LPP EUV辐射发射点31上。
来自在第一焦点31处的LPP发生器的辐射发射点的第一EUV辐射直接射到第一收集器发射镜33上，且反射至第二焦点18。第一焦点31和第二焦点18限定了光轴39且另外分别限定了第一焦平面40和第二焦平面41，所述第一焦平面40和第二焦平面41垂直于光轴39。激光束32被基本上沿着光轴从激光器37引导至LPP辐射发生器的辐射发射点，用于激励设置在第一焦点31处的等离子体，以便提供从辐射发射点射出的EUV辐射。束阻挡件34设置在第一焦点31和第二焦点18之间的光轴上，以阻挡激光束32和防止束直接穿过收集器组件至第二焦点18且进入光刻设备中，在该位置它可以破坏或干扰图案的形成。可以是凸反射镜的第三反射镜36位于束阻挡件34与激光器37和第一焦点31相反的一侧上。第三反射镜可以安装在激光束阻挡件34的后面。第三反射镜的反射表面可以具有成形为锥形表面的中心部分。在一实施例中，锥形表面的顶点相对于光轴39位于中心。第三反射镜用于填充由束阻挡件34产生的来自第一收集器反射镜33的收集辐射中的遮蔽锥体。
是环形凹反射镜的第二收集器反射镜35定位成围绕光轴、在第一和第二焦平面之间，且具有开口38，通过该开口38从第一收集器反射镜33反射的第一EUV辐射可以穿过第二收集器反射镜35至第二焦点18。
从在第一焦点31处的LPP辐射发生器的辐射发射点发射的第二EUV辐射直接射到第二收集器反射镜35的反射表面上，且被反射朝向在束阻挡件34处的第三反射镜36。第二收集器反射镜35收集第二EUV辐射，其沿着相对于穿过第一焦点31的焦平面的向前方向(即朝向第二焦点18)离开LPP发射点，且朝向第一焦点31的焦平面向后反射所述第二EUV辐射且朝向第三反射镜36向后反射所述第二EUV辐射。之后通过第三反射镜36反射第二辐射，以使第二辐射聚焦到第二焦点18上。
从图3可见，在没有第二反射镜35和第三反射镜36的情况下，束阻挡件34将导致在第二焦点18处的由束阻挡件34所对的中心遮蔽锥体中没有EUV辐射。通常，强不均匀性(例如中心遮蔽锥体)是不期望的，这是因为它必须在照射器中被补偿。这一补偿通常导致照射器中的光损失，例如因为补偿需要另外的反射镜。在该实施例中，第二反射镜35和第三反射镜36将第二EUV辐射从LPP辐射发生器的辐射发射点引导至所述遮蔽锥体中，从而在第二焦点18处导致更加角均匀的照射和在与第二焦点18相关的远场(傅里叶变换)平面处的更加均匀的照射。这意味着随后在照射器IL中可能需要更少地操作辐射以提供均匀的照射，这意味着应当具有更少的光损失。
另外地或可替代地，因为辐射被引导至落入到照射器的接收角内的第一辐射的已有的展度(etendue)内的第二焦点，所以没有浪费另外的收集辐射。
在典型的布置中，收集器将与在发射点处的约5球面度的立体角相对，其在平均收集器反射率为60％的情况下导致超过4π球面度的约24％的理论收集效率。原则上，可以通过增加收集角度增加收集效率，即通过使得收集器与发射点处的更大的立体角相对。然而，对这种方法有一些实际限制：
i)(从法线测量的)第一收集器反射镜33的反射表面上的入射角随着收集角度增加变得更大。多层反射镜(诸如用于EUV辐射的硅/钼的层状反射镜)对于在约30°和55°之间的入射角具有相对低的反射率，使得由于通过对于任意额外的收集的第一辐射的更大的入射角引起的减小的反射率，收集角的增加对所收集的辐射的总量贡献相对小，
ii)展度根据收集的立体角增加。因此，至少一部分任意这样的另外的收集的辐射将照射到照射器接收的且作为照射器的特性的展度的外面，且因此将被损失。
假设第三反射镜被布置以提供填充所形成的遮蔽锥体的收集辐射，因为本发明的这一实施例从源图像去除了中心遮蔽，所以第一收集器反射镜33中的孔阑30的尺寸可以增加，而没有不利地影响源图像的均匀性。由于几个原因，这可能是有利的，例如它允许增加聚焦激光束到LPP发射点上的任何光学装置的数值孔径。它还给出了将碎片减轻工具部分地放置在孔阑30内的范围。
第二反射镜35和第三反射镜36的布置帮助确保入射到反射镜上的辐射可以在低的入射角度，适合地小于35°，或甚至小于30°，或小于25°，使得反射镜的反射率高，导致较低的光学损失。
虽然在本文中对光刻设备用在集成电路(例如器件)制造中做出了具体参考，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以具有其他的应用，例如通过光刻术(尤其是通过高分辨率光刻术)制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
尽管在上文对在光学光刻术的情形中的本发明的实施例的使用做出了具体参考，但是应当理解本发明可以用在其它的应用中，例如压印光刻术，在上下文允许的情况下，不限于光学光刻术。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5-20nm范围内的波长)。
虽然在上文描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以与上述描述的不同的方式来实现。例如，EUV辐射发射点可以是DPP辐射发生器的一部分，而不是LPP辐射发生器的一部分。
以上描述意图是说明性的，而不是限制性的。因而，本领域技术人员可以明白，在不偏离所附的权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的发明进行修改。

Claims (14)

1.一种用于光刻设备的收集器组件，所述收集器组件包括：
第一收集器反射镜，具有第一焦点和第二焦点，所述第二焦点与所述第一焦点相比更加远离所述第一收集器反射镜，所述第一和第二焦点限定了光轴，且限定了分别通过所述第一和第二焦点的第一和第二焦平面，且每一焦平面垂直于所述光轴，其中所述第一收集器反射镜被布置以收集直接来自定位在所述第一焦点的辐射发射点的第一辐射且朝向所述第二焦点反射所述第一辐射；
第二收集器反射镜，定位在所述第一和第二焦平面之间，且布置成收集直接来自所述辐射发射点的第二辐射；和
第三反射镜，定位成基本上在所述第一焦平面和第二收集器反射镜之间的光轴上，
其中，所述第二收集器反射镜布置成将所述第二辐射反射到所述第三反射镜上，所述第三反射镜布置成将所述第二辐射反射至所述第二焦点，其中所述第二收集器反射镜布置成基本上不阻挡从所述第三反射镜反射至所述第二焦点的所述第二辐射，或从所述第一收集器反射镜反射至所述第二焦点的所述第一辐射。
2.根据权利要求1所述的收集器组件，其中所述第二收集器反射镜是环形的凹反射镜，所述凹反射镜布置成围绕所述光轴且基本上成圆对称。
3.根据权利要求2所述的收集器组件，其中所述第三反射镜是凸反射镜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的收集器组件，其中从所述第一收集器反射镜、所述第二收集器反射镜或所述第三反射镜选出的所述反射镜中的一个或更多个是硅/钼多层反射镜。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的收集器组件，其中所述第一收集器反射镜设置有孔阑，所述孔阑布置成引导激光束通过所述孔阑到所述辐射发射点上。
6.根据权利要求5所述的收集器组件，还包括束阻挡件，所述束阻挡件定位成在使用中基本上阻挡激光束直接穿过到所述第二焦点。
7.根据权利要求6所述的收集器组件，其中所述第三反射镜定位在所述束阻挡件处。
8.一种辐射源，所述辐射源包括权利要求1-4中任一项所述的收集器组件，其中所述辐射发射点是极紫外辐射发生器的辐射发射点。
9.根据权利要求8所述的辐射源，其中所述极紫外辐射发生器是激光产生等离子体辐射发生器。
10.根据权利要求9所述的辐射源，包括激光器，所述激光器布置成引导激光束通过所述第一收集器反射镜中的孔阑到达所述辐射发射点上。
11.根据权利要求10所述的辐射源，其中所述激光器布置成基本上沿着所述光轴引导所述激光束，其中所述收集器组件包括束阻挡件，所述束阻挡件定位成基本上阻挡所述激光束直接穿过到所述第二焦点。
12.根据权利要求11所述的辐射源，其中所述第三反射镜定位在所述束阻挡件处。
13.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求8-12中任一项所述的辐射源或根据权利要求1-7中任一项所述的收集器组件。
14.一种器件制造方法，所述方法包括：将图案化的辐射束投影到衬底上，其中所述辐射由根据权利要求8-12中任一项所述的辐射源提供。
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