CN102176624B - 低电容低钳位过压保护器件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的过压保护器件由低电容TVS管和低钳位管并联构成，低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护，低钳位管用于降低整个器件的钳位电压，其中，低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连，低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连，低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连。优点是：利用PIN管的低电容特性和低钳位管的低通态压降特性构成了低电容、低钳位瞬态电压抑制器件，克服传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求；实现用于差共模保护的三端低电容、低钳位瞬态电压抑制器，差分应用电容更低；实现具有低钳位、高浪涌能力的双向双端瞬态电压抑制器。

Description

低电容低钳位过压保护器件

技术领域

本发明涉及半导体过压保护器件的领域，尤其是一种低电容低钳位过压保护器件，为低钳位瞬态电压抑制器件。

背景技术

在过去的几十年中，以硅为主要加工材料的微电子制造工艺从开始的几个微米技术到现在的0.13μm技术，集成电路芯片集成度越来越高，成本越来越低。随着芯片尺寸的缩小，电路所能承受的过压能力也逐渐降低，系统对外部的电压波动将更加敏感，这就要求电路在进行浪涌/ESD保护时，要求保护器件的残压控制在很低水平。

于此同时，由于电子应用要求的不断发展，现代的集成电路需要更高的工作频率和更小的封装。因此，电子系统要承受更大的ESD冲击，ESD保护问题变得越来越重要。一般而言，设计者都要求器件的尺寸尽可能最小，残压尽可能的低，但又不能影响数字和模拟信号的质量。这两点要求必须与保护器件的性能结合起来。 

尽管瞬态电压抑制器作为一种有效的浪涌/ESD保护器件已经被广泛应用在各个保护领域，但是基于以上考虑，在把瞬态电压抑制器引入电路设计之前，我们不能以牺牲系统的信号完整性以及系统的安全性为代价，把现有的各种抑制器都引入接口保护中。

传统齐纳TVS管存在的两大问题，一是低电容和高浪涌不能同时获得，二是低钳位与高电容并存的问题未得到解决。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于为被保护系统提供一种低电容低钳位过压保护器件，该器件可消除浪涌、ESD等瞬态电压事件对被保护系统的损坏，不仅具有低电容、低钳位、响应速度快的特点，而且还可实现差工模三端保护和双向差模保护。

本发明解决上述技术问题所采取的技术方案是：一种低电容低钳位过压保护器件，由低电容TVS管和低钳位管并联构成，低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护，低钳位管用于降低整个器件的钳位电压，其中，低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连，低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连，低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连。

本发明涉及一种低寄生电容、低钳位瞬态电压抑制器（Low Capacitance、Low Clamping Voltage TVS），是一种新浪涌/TVS保护技术。与传统齐纳管比较，它提供了高浪泄放通道和低寄生电容，由于低结电容TVS管与低钳位管的协同工作，从而使得它具有很好的钳位特性和结电容特性。当通过TVS管的钳位电压超过低钳位管的门极触发条件时，低钳位器件导通，浪涌/ESD电流通过低钳位管分流，从而降低了整个器件的钳位电压。这种新型的低寄生电容、低钳位浪涌/ESD保护技术解决了传统齐纳TVS管存在的两大问题，一是低电容和高浪涌不能同时获得，二是低钳位与高电容并存的问题。

在上述方案的基础上，所述的过压保护器件为由两组低电容TVS和低钳位管连接构成。

在上述方案的基础上，本发明提供一种两组低电容TVS和低钳位管连接构成的过压保护器件，为三端低电容低钳位过压保护器件，由两组互呈镜像的低电容TVS和低钳位管构成，其中，

所述的第一低电容TVS管的阴极与第一低钳位管的阳极相连，构成三端器件的第一连接端S1；

所述的第一低电容TVS管的钳位输出端与第一低钳位管的门极控制端相连；

所述的第二低电容TVS管的阴极与第二低钳位管的阳极相连，构成三端器件的第三连接端S1a；

所述的第二低电容TVS管的钳位输出端与第二低钳位管的门极控制端相连；

所述的第一低电容TVS管的阳极，第二低电容TVS管的阳极，第一低钳位管的阴极和第二低钳位管的阴极都连接在一起，构成三端器件的第二连接端S2。

采用由两个PIN二极管和一个TVS管构成低电容TVS管，两组互呈镜像的低电容TVS和低钳位管，并将镜像后对应的器件连接端S2a与原器件连接端S2相连构成公共端，形成双向低电容、低钳位三端过压保护器件，可进行差共模保护，并且差模保护时电容更低。

所述的低电容TVS和低钳位管正常情况下均处于断开状态，即呈现高阻状态。当输入端流入的正向浪涌电压超过低电容TVS管的TVS管击穿电压时，低电容TVS管导通，电流通过第一PIN二极管、TVS管泄放到保护器件的另一端。

随着浪涌电流的增加，TVS管阴极上的电压逐渐增加，当电压达到低钳位管的触发条件时，低钳位管开启，整个器件进入大电流、低阻状态。器件两端电压迅速降低，整个器件处于低压钳位状态。

当浪涌消除后，器件回复至关断状态。当输入端流入的不是浪涌或ESD等瞬态高压，而只是普通的过压信号时，由于这个电压在TVS管阴极上产生的钳位输出不足以将低钳位管触发，因此，低钳位管不导通，整个器件表现为一个低电容常规TVS器件，其输出钳位电压仍能保证后级的被保护系统的正常工作。

在上述方案的基础上，本发明提供另一种两组低电容TVS和低钳位管连接构成的过压保护器件，为双向低电容低钳位双端过压保护器件，由两组互呈倒置的低电容TVS管和低钳位管构成双端器件，其中，

所述的第一低电容TVS管的钳位输出端与第一低钳位管的门极控制端相连；

所述的第二低电容TVS管的钳位输出端与第二低钳位管的门极控制端相连；

所述的第一低电容TVS管的阴极，第一低钳位管的阳极，第二低电容TVS管的阳极与第二低钳位管的阴极相连，构成双端器件的第一连接端B1；

所述的第一低电容TVS管的阳极，第一低钳位管的阴极，第二低电容TVS管的阴极与第二低钳位管的阳极相连，构成第二连接端B2。

在上述方案的基础上，提供一种具体的低钳位管结构，所述的低钳位管由PNP管、TVS管、NPN管、第一电阻和第二电阻构成，其中，

第一电阻的一端与PNP管的发射极相连，构成低钳位管的阳极；

第一电阻的另一端与PNP管的基极相连，且还与TVS管的阴极和NPN管的集电极相连，构成低钳位管的门极控制端；

PNP管的集电极和TVS管的阳极相连，且还与NPN管的基极和第二电阻的一端相连，NPN管的发射区与第二电阻的另一端相连，构成低钳位管的阴极。

在上述方案的基础上，所述构成低钳位管的PNP管和NPN管的电流放大倍数应根据需要进行调整，且随着β的增大，器件输出钳位逐渐降低，下限为低钳位管进入闩锁状态时，PNP管和NPN管的饱和压降之和，上限为TVS管的钳位输出电压。

在上述方案的基础上，针对三端低电容低钳位过压保护器件提供一种具体的低电容TVS管，所述的低电容TVS管由两个PIN二极管和一个TVS管构成，其中，

第一PIN二极管的阳极与第二PIN二极管的阴极相连，构成低电容TVS管的阴极；

第一PIN二极管的阴极与TVS管的阴极相连，构成低电容TVS管的钳位输出端；

第二PIN二极管的阳极与TVS管的阳极相连，构成低电容TVS管的阳极。

该低电容TVS管的钳位输出端用于后面低钳位管的门极控制信号。通过并联第二PIN管，器件保证了输入正极到输入负极的正向特性。

在上述方案的基础上，针对双向低电容低钳位双端过压保护器件提供另一种具体的低电容TVS管，为改进型低电容TVS管，所述的低电容TVS管由一个PIN二极管和一个TVS管构成，其中，

PIN二极管的阳极对外引出，形成低电容TVS管的阴极；

PIN二极管的阴极与TVS管的阴极相连，组成低电容TVS管的钳位输出端；

TVS管的阳极对外引出，形成低电容TVS管的阳极。

该改进型低电容TVS管去掉第二个PIN管，且对应的连接端电极不变，然后再将变化后的电路倒置，并将倒置后对应的连接端S1与原器件连接端S2相连，倒置后对应的连接端S2与原器件连接端S1相连，形成双向低电容、低钳位双端过压保护器件。用于信号线之间的差模保护。

本发明的有益效果是：

本发明是一种不同于大多数瞬态电压抑制的器件，利用PIN管的低电容特性和低钳位管的低通态压降特性构成了低电容、低钳位瞬态电压抑制器件。在保护方式上采用了两级保护，但又不同于传统的两级保护，克服了传统多级保护不能满足高速数据低电容、低残压的要求；

本发明的另一技术关键优势是依据这一器件的低电容优势，通过电路改进，实现了可用于差共模保护的三端低电容、低钳位瞬态电压抑制器，差分应用电容更低；

本发明的另一技术优势是依据低钳位特性，通过电路改进，实现了具有低钳位、高浪涌能力的双向双端瞬态电压抑制器。

附图说明

图1为本发明的电路结构原理框图。

图2为本发明低电容TVS器件的电路结构图。

图3为本发明低钳位管的电路结构图。

图4为本发明实施例1的一组低电容低钳位过压保护器件电路结构图。

图5为本发明实施例1的器件电路特性图。

图6为本发明实施例1的器件输出钳位电压随低钳位管β的变化关系图。

图7为本发明实施例2的两组低电容低钳位过压保护器件电路结构图。

图8为本发明实施例3的一组低电容低钳位过压保护器件电路结构图。

图9为本发明实施例3的两组低电容低钳位过压保护器件电路结构图。

图10为本发明实施例3的器件电路电特性图。

附图中标号说明

11，11’，11a，11c－第一PIN二极管

12，12’，12a，12c－TVS管

13，13’，13a，13c－第一电阻

14，14’，14a，14c－PNP管

15，15a－第二PIN二极管 

16，16’，16a，16c－TVS管

17，17’，17a，17c－NPN管

18，18’，18a，18c－第二电阻。

后缀带a为实施例2中镜像的第二组低电容低钳位过压保护器件结构。

后缀带c为实施例3中倒置的第二组低电容低钳位过压保护器件结构。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步阐述。

实施例1

请参阅图1为本发明的电路结构原理框图所示，低电容低钳位过压保护器件由一组低电容TVS管和低钳位管构成。其中，低电容TVS管有三个连接端，分别为阴极C1、阳极A1和钳位输出端Vc1；低钳位管也有三个连接端，阴极C2、阳极A2和门极控制端Gate。

请参阅图2为本发明低电容TVS器件的电路结构图所示，低电容TVS管由第一PIN二极管11、第二PIN二极管15和TVS管12构成，其中，

第一PIN二极管11的阳极与第二PIN二极管15的阴极相连，构成低电容TVS管的阴极C1；

第一PIN二极管11的阴极与TVS管12的阴极相连，构成低电容TVS管的钳位输出端Vc1，用于后面低钳位管的门极控制信号；

第二PIN二极管15的阳极与TVS管12的阳极相连，构成低电容TVS管的阳极A1。

请参阅图3为本发明低钳位管的电路结构图所示，所述的低钳位管由PNP管14、TVS管16、NPN管17、第一电阻13和第二电阻18构成，其中，

第一电阻13的一端与PNP管14的发射极相连，构成低钳位管的阳极A2；

第一电阻13的另一端与PNP管14的基极相连，且还与TVS管16的阴极和NPN管17的集电极相连，构成低钳位管的门极控制端Gate；

PNP管14的集电极和TVS管16的阳极相连，且还与NPN管17的基极和第二电阻18的一端相连，NPN管17的发射极与第二电阻18的另一端相连，构成低钳位管的阴极C2。

请参阅图4为本发明实施例1的一组低电容低钳位过压保护器件电路结构图，低电容低钳位过压保护器件由低电容TVS和低钳位管并联构成，低电容TVS的阴极输出端C1与低钳位管的阳极输出端A2相连，构成第一连接端S1；低电容TVS管的阳极A1和低钳位管的阴极C2相连构成第二连接端S2，低电容TVS管的钳位输出端Vc1连接到低钳位管的门极控制端Gate上。

请参阅图5为本发明实施例1的器件电路特性图所示，低电容TVS和低钳位管正常情况下均处于断开状态，即呈现高阻状态。当连接端S1流入的正向浪涌电压超过TVS管12的击穿电压V_BR时，低电容TVS管导通，电流通过第一PIN二极管11、TVS管12泄放到保护器件的第二连接端S2上。一般情况下，器件的第二连接端S2是接地的，因此浪涌会通过接地端泄放。

随着浪涌电流的增加，TVS管12阴极上的会电压逐渐增加，当电压达到低钳位管触发条件时，低钳位管开启，整个器件通过负阻区进入大电流、低阻状态。器件两端电压迅速降低，整个器件处于低压钳位状态。此时器件两端的钳位电压降至V_C，浪涌消除后，器件恢复至关断状态。

当从第一连接端S1流入的不是浪涌或ESD等瞬态高压，而只是普通的过压信号，此时，由于这个电压在TVS管12阴极上产生的钳位输出不足以将低钳位管触发，因此，低钳位管不能导通，整个器件表现为一个低电容常规TVS器件，具有钳位特性，其输出钳位电压仍能保证后级的被保护系统的正常工作。另外通过并联第二PIN二极管15，器件保证了第一连接端S1到第二连接端S2的正向特性。

    请参阅图6为本发明实施例1的器件输出钳位电压随低钳位管β的变化关系图所示，通过改变低钳位管中的PNP管和NPN管的电流放大倍数β_npn和β_pnp，可实现不同输出钳位电压的保护要求，器件的输出钳位电压下限为低钳位管进入闩锁状态时PNP管和NPN管的保护压降之和，上限为TVS管16的钳位输出电压。

实施例2

作为本发明实施例1的一个改进，请参阅图7为本发明实施例2的两组低电容低钳位过压保护器件电路结构图所示，为三端低电容低钳位过压保护器件。本实施例为二组互呈镜像的实施例1结构，以低钳位管为镜轴构成的三端低电容低钳位过压保护器件，镜像连接后的器件连接端对应为连接端S1a和连接端S2a，并将镜像后的三端低电容低钳位过压保护器件连接端S2a与原器件的连接端S2为共同端，同为一条连接线（并称为S2连接端），三个连接端分别为第一连接端S1、第三连接端S1a和第二连接端S2。三端低电容低钳位过压保护器件具有了差共模保护能力，差模保护（线与线之间，即第一连接端S1到第三连接端S1a之间）的电容更低。

所述的第一低电容TVS管的阴极与第一低钳位管的阳极相连，构成三端器件的第一连接端S1，其中，第一低电容TVS管由第一PIN二极管11、第二PIN二极管15和TVS管12构成；第一低钳位管由PNP管14、TVS管16、NPN管17、第一电阻13和第二电阻18构成；

所述的第一低电容TVS管12的钳位输出端与第一低钳位管的门极控制端相连；

所述的第二低电容TVS管12a的阴极与第二低钳位管的阳极相连，构成三端器件的第三连接端S1a，其中，第二低电容TVS管由第一PIN二极管11a、第二PIN二极管15a和TVS管12a构成；第二低钳位管由PNP管14a、TVS管16a、NPN管17、第一电阻13a和第二电阻18a构成；

所述的第二低电容TVS管12a的钳位输出端与第二低钳位管的门极控制端相连；

所述的第一低电容TVS管的阳极，第二低电容TVS管的阳极，第一低钳位管的阴极和第二低钳位管的阴极都连接在一起，构成三端器件的第二连接端S2，作为接地端。

应用时第一连接端S1和第三连接端S1a接被保护数据线，第二连接端S2接地。当浪涌电压在第一连接端S1和第三连接端S1a同时流入一个浪涌电压时，浪涌分别通过第一连接端S1和第三连接端S1a泄放到第二连接端S2，器件表现为一个单向低电容低钳位过压保护器，电特性与实施例1相同。

当S1端或者S1a端中的一端有浪涌电流流过时，此时，被保护端的两条数据线呈现差分状态，线与线之间也有浪涌电流流过，其两线之间的电容为C_j/2，钳位为Vc+V_F，其中Vc为低电容、低钳位过压保护器件的输出钳位电压，V_F为器件的正向压降，器件表现为差模钳位保护。

实施例3

请参阅图8为本发明实施例3的一组低电容低钳位过压保护器件电路结构图和图9为本发明实施例3的两组低电容低钳位过压保护器件电路结构图所示，图8中，虚线框内的结构为改进结构，改进型低电容TVS管由一个PIN二极管和一个TVS管够成，对应的连接端电极不变，系对图4的改进，即去除低电容TVS管的第二电阻，其他连接关系不变。

图8中：改进型低电容TVS管由一个PIN二极管11’（或11c）和一个TVS管12’（或12c）构成，其中，PIN二极管11’（或11c）的阳极对外引出，形成低电容TVS管的阴极；PIN二极管11’（或11c）的阴极与TVS管12’（或12c）的阴极相连，组成低电容TVS管的钳位输出端；TVS管12’（或12c）的阳极对外引出，形成低电容TVS管的阳极。

图8中：低钳位管由PNP管14’、TVS管16’、NPN管17’、第一电阻13’和第二电阻18’构成，第一电阻13’的一端与PNP管14’的发射极相连，构成低钳位管的阳极；第一电阻13’的另一端与PNP管14’的基极相连，且还与TVS管16’的阴极和NPN管17’的集电极相连，构成低钳位管的门极控制端；PNP管14’的集电极和TVS管16’的阳极相连，且还与NPN管17’的基极和第二电阻18’的一端相连，NPN管17’的发射极与第二电阻18’的另一端相连，构成低钳位管的阴极。

由改进型低电容TVS和低钳位管并联构成一组低电容低钳位过压保护器件，低电容TVS的阴极输出端C1’与低钳位管的阳极输出端A2’相连，构成第一连接端S1’；低电容TVS管的阳极A1’和低钳位管的阴极C2’相连构成第二连接端S2’，低电容TVS管的钳位输出端Vc1’连接到低钳位管的门极控制端Gate上。

如图9所示，由两组互呈倒置的低电容TVS管和低钳位管构成二端保护器件，即将图8的电路垂直翻转镜像，二组形成以改进型低电容TVS管为镜轴的倒置结构，对应的连接端电极不变。

第一改进型低电容TVS管的阴极与第一低钳位管的阳极相连，构成第一组二端器件的连接端S1’，其中，第一改进型低电容TVS管由第一PIN二极管11’和TVS管12’构成；第一低钳位管由PNP管14’、TVS管16’、NPN管17’、第一电阻13’和第二电阻18’构成；所述的第一改进型低电容TVS管的钳位输出端与第一低钳位管的门极控制端相连；二端器件的连接端为S1’和S2’。

第二改进型低电容TVS管的阴极与第二低钳位管的阳极相连，构成二端器件的第二连接端S1c，其中，第二改进型低电容TVS管由第一PIN二极管11c、和TVS管12构成；第二低钳位管由PNP管14c、TVS管16c、NPN管17c、第一电阻13c和第二电阻18c构成；所述的第二低改进型电容TVS管的钳位输出端与第二低钳位管的门极控制端相连；第二组二端器件的连接端为S1c和S2c。

所述的第二组低电容TVS管和低钳位管构成二端保护器件的连接端为S1c与第一组低电容TVS管和低钳位管构成二端保护器件的连接端S2’连接形成器件的连接端B2；第二组低电容TVS管和低钳位管构成二端保护器件的连接端为S2c与第一组低电容TVS管和低钳位管构成二端保护器件的连接端S1’ 形成器件的连接端B1，形成了双向低电容、低钳位双端过压保护器件。此器件可用于信号线之间的差模保护。

应用时将器件的两个连接端分别连接在被保护系统的两条数据线上，可进行线与线之间的差模保护。请参阅图10所示，双向低电容、低钳位双端过压保护器件的电特性表现为双向对称过压保护特性。

Claims (6)

1.一种低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的过压保护器件由低电容TVS管和低钳位管并联构成，低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护，低钳位管用于降低整个器件的钳位电压，其中，低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连，低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连，低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连；

所述的过压保护器件为由两组低电容TVS和低钳位管连接构成；

所述的过压保护器件为三端低电容低钳位过压保护器件，由两组互呈镜像的低电容TVS管和低钳位管构成三端器件，其中，

第一低电容TVS管的阴极与第一低钳位管的阳极相连，构成三端器件的第一连接端（S1）；

第一低电容TVS管的钳位输出端与第一低钳位管的门极控制端相连；

第二低电容TVS管的阴极与第二低钳位管的阳极相连，构成三端器件的第三连接端（S1a）；

第二低电容TVS管的钳位输出端与第二低钳位管的门极控制端相连；

第一低电容TVS管的阳极，第二低电容TVS管的阳极，第一低钳位管的阴极和第二低钳位管的阴极都连接在一起，构成三端器件的第二连接端（S2）。

2.一种低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的过压保护器件由低电容TVS管和低钳位管并联构成，低电容TVS管用于低电容通路及初级浪涌/ESD保护，低钳位管用于降低整个器件的钳位电压，其中，低电容TVS管的阴极与低钳位管的阳极相连，低电容TVS管的阳极与低钳位管的阴极相连，低电容TVS管的钳位输出端与低钳位管的门极控制端相连；

所述的过压保护器件为由两组低电容TVS管和低钳位管连接构成；

所述的过压保护器件为双向低电容低钳位双端过压保护器件，由两组互呈倒置的低电容TVS管和低钳位管构成双端器件，其中，

第一低电容TVS管的钳位输出端与第一低钳位管的门极控制端相连；

第二低电容TVS管的钳位输出端与第二低钳位管的门极控制端相连；

第一低电容TVS管的阴极，第一低钳位管的阳极，第二低电容TVS管的阳极与第二低钳位管的阴极相连，构成双端器件的第一连接端（B1）；

第一低电容TVS管的阳极，第一低钳位管的阴极，第二低电容TVS管的阴极与第二低钳位管的阳极相连，构成双端器件的第二连接端（B2）。

3.根据权利要求1或2所述的低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的低钳位管由PNP管（14）、TVS管（16）、NPN管（17）、第一电阻（13）和第二电阻（18）构成，其中，

第一电阻（13）的一端与PNP管（14）的发射极相连，构成低钳位管的阳极；

第一电阻（13）的另一端与PNP管（14）的基极相连，且还与TVS管（16）的阴极和NPN管（17）的集电极相连，构成低钳位管的门极控制端；

PNP管（14）的集电极和TVS管（16）的阳极相连，且还与NPN管（17）的基极和第二电阻（18）的一端相连，NPN管（17）的发射极与第二电阻（18）的另一端相连，构成低钳位管的阴极。

4.根据权利要求3所述的低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述构成低钳位管的PNP管（14）和NPN管（17）的电流放大倍数可调且随着β的增大，器件输出钳位降低，下限为低钳位管进入闩锁状态时，PNP管（14）和NPN管（17）的饱和压降之和，上限为TVS管（16）的钳位输出电压。

5.根据权利要求1所述的低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的低电容TVS管由两个PIN二极管和一个TVS管构成，其中，

第一PIN二极管（11）的阳极与第二PIN二极管（15）的阴极相连，构成低电容TVS管的阴极；

第一PIN二极管（11）的阴极与TVS管（12）的阴极相连，构成低电容TVS管的钳位输出端；

第二PIN二极管（15）的阳极与TVS管（12）的阳极相连，构成低电容TVS管的阳极。

6.根据权利要求2所述的低电容低钳位过压保护器件，其特征在于：所述的低电容TVS管由一个PIN二极管和一个TVS管构成，其中，

PIN二极管（11’）的阳极对外引出，形成低电容TVS管的阴极；

PIN二极管（11’）的阴极与TVS管（12’）的阴极相连，构成低电容TVS管的钳位输出端；

TVS管（12’）的阳极对外引出，构成低电容TVS管的阳极。