CN102163526A - 黑底、其制造方法和使用黑底的图像显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及黑底、其制造方法和使用黑底的图像显示装置。在基板上形成的黑底包括通过依次层叠第一膜、第二膜、第三膜和第四膜而形成的四个层，每个膜由过渡金属氧化物和硅氧化物制成。第一膜的折射率＝第三膜的折射率＜第二膜的折射率＝第四膜的折射率的关系被设定，第四膜是多层膜，第四膜的每个层的组分彼此是同样的，并且，当在TEM照片上观察时，在第四膜内辨认出边界。

Description

黑底、其制造方法和使用黑底的图像显示装置

技术领域

本发明涉及作为平板显示器(FPD)的遮光部件的黑底(black matrix)、其制造方法和使用黑底的图像显示装置。

背景技术

用于诸如等离子体显示器、液晶显示器或场发射显示器(FED)的具有发光表面的显示装置的基板(面板)的遮光膜被称为黑底，并且在玻璃基板上被形成以提高对比度或防止混色。

黑底的最重要的特性是光学特性。防止混色需要充分的遮光。换句话说，必须提供高的遮光性能。为了通过减少从显示侧观察时的外部光源的投影而提高显示图像的对比度，反射率必须被设为低。为了在减小反射率的同时提高遮光性能，常规上使用具有遮光功能的薄膜和具有光反射防止功能的薄膜构成黑底的方法。日本专利申请公开No.2000-214308讨论了通过层叠多个层并且包含光学干涉效果降低反射率的光学干涉层及反射率高但光透射率低的金属膜降低透射率的遮光层而配置的黑底。日本专利申请公开No.10-239679讨论了重复Cr和CrO使得光学干涉层包含遮光效果的多层膜配置。

黑底被设置在玻璃基板或其上形成有透明导电膜的基板上，由此，在形成黑底之后，在面板制造过程中需要处理耐受性(process resistance)。由于等离子体显示器或FED的制造过程包含烘焙处理，因此，耐热性特别重要。日本专利申请公开No.08-271880讨论了防止黑底的光学特性关于高温处理的劣化。形成将金属微细颗粒分散在绝缘体中的遮光膜。在绝缘体中保持金属颗粒抑制高温处理期间的光学特性的劣化。

根据常规的技术，通过溅射形成包含光学干涉层和遮光层的黑底。光学干涉层包含多个膜，并被配置为利用光学干涉来抑制反射率。因此，折射率的精度和膜的厚度是重要的。但是，一般地，在溅射方法中，膜厚分布为约±7～10％。因此，问题是光学干涉效果在基板表面内是不均匀的，导致黑底的反射率的分布和一些位置中的反射率的增大。对于遮光层使用没有耐热性的诸如金属膜的薄膜。当如在日本专利申请公开No.08-271880的情况下那样在绝缘体中分散金属微细颗粒时，在烘焙处理之后维持遮光性能。但是，由于它不包含光反射层，因此，难以使反射率减小为小于或等于由绝缘体层和基板的折射率确定的反射率。

发明内容

根据本发明的一个方面，一种在基板上形成的黑底包括通过依次层叠第一膜、第二膜、第三膜和第四膜而形成的四个层，每个膜由过渡金属氧化物(transition metal oxide)和硅氧化物制成。第一膜的折射率＝第三膜的折射率＜第二膜的折射率＝第四膜的折射率的关系被设定，第四膜是多层膜，其中每层的组分彼此是同样的，并且，当在透射电子显微镜(TEM)照片上观察时，在第四膜内辨认出边界。

参照附图阅读示例性实施例的以下详细描述，本发明的其它特征和方面将变得清晰。

附图说明

被并入说明书中并构成其一部分的附图示出本发明的示例性实施例、特征和方面，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A和图1B示出根据本发明的黑底的膜配置的示例性实施例。

图2A～2C示出根据本发明的黑底的镜面(specular)反射率。

图3A和图3B是分别示出根据本发明的黑底的遮光膜的示意性断面图。

图4示出多层遮光膜和单层遮光膜中的漫反射率和波长之间的关系。

图5示出根据本发明的黑底的遮光膜的折射率和消光系数。

图6示出根据本发明的图像显示装置的示例性实施例的总体概要。

具体实施方式

以下将参照附图详细描述本发明的各种示例性实施例、特征和方面。

本发明针对这样的黑底、其制造方法以及使用该黑底的图像显示装置，该黑底即使在诸如烘焙的高温处理之后也可在不使光学特性劣化的情况下在整个基板表面内实现低的反射率和高的遮光性能。

根据本发明，可以提供在膜厚有变化时即使在高温处理之后也具有低的反射率特性和优异的遮光性能的黑底。使用黑底的图像显示装置在显示表面上的投影受到限制，并且可提供高对比度的良好图像。

根据本发明的使用黑底的图像显示装置包括液晶显示器、等离子体显示器、场发射显示器(FED)或电子发光显示器(ELD)。等离子体显示器或由表面传导型电子发射器显示器(SED)代表的FED的制造过程包括高温处理。因此，可以容易地提供本发明的效果。

图1A和图1B示出根据本发明的黑底的膜配置：图1A是断面图，图1B示出上表面和沿着线A-A′的断面图。玻璃基板6可以是一般用于液晶显示器或等离子体显示器的玻璃基板。例如，可以使用PD200(ASAHI GLASS CO.，LTD.制造)，原因是它具有高的应变点(strain point)和对于高温处理的耐受性。

黑底5包含通过溅射在玻璃基板6上形成的四个膜。这四个膜是依次层叠的第一到第四膜1～4。通过混合过渡金属氧化物和硅氧化物而形成第一膜1。通过以与第一膜1的混合比(mol％)不同的混合比(mol％)混合过渡金属氧化物和硅氧化物而形成第二膜2。通过以与第一膜1的混合比(mol％)相同的混合比(mol％)混合过渡金属氧化物和硅氧化物而形成第三膜3。通过以与第二膜2的混合比(mol％)相同的混合比(mol％)混合过渡金属氧化物和硅氧化物而形成第四膜4。作为靶材(target)，可以使用过渡金属氧化物和硅氧化物的烧结体。由于即使膜配置是四层的构造也可由过渡金属氧化物和硅氧化物的混合比不同的两个烧结体靶材形成黑底，因此，该配置在制造上是有利的。溅射气氛可以是Ar或者Ar和氧气的混合气氛。

在图1A和图1B中，除了淀积时间以外，在相同的淀积条件下形成第一膜1和第三膜3。除淀积时间以外，在相同的淀积条件下形成第二膜2和第四膜4。第一膜1和第三膜3的厚度可以不同。第二膜2和第四膜4的厚度可以不同。由于形成的膜包含氧化物，因此，与金属的情况不同，不发生氧化，因此，即使在高温处理之后，诸如反射率的特性也不劣化。作为过渡金属，可以使用钴、锰、铁或镍，原因是这样的金属几乎是黑色的并且阻挡可见光。由于如果只使用过渡金属氧化物，那么膜在强度上低并且脆(brittle)，并且，出于控制折射率的目的，因此，硅氧化物被混合。

作为黑底5的构图方法，例如，存在在玻璃基板6上形成黑底5并然后通过湿法蚀刻对抗蚀剂构图的方法。还存在对抗蚀剂构图并然后淀积黑底5以使抗蚀剂脱落的剥离方法。

也可通过使用作为过渡金属和硅的合金的硅化物的靶材在混有氧气的气氛中执行溅射来获取黑底5。可使用过渡金属氧化物和硅氧化物作为分开的靶材并同时或交替地溅射这两个靶材来形成第一到第四膜1～4。当同时溅射这两个靶材时，可通过向各靶材施加的能量(W/cm²)调整过渡金属氧化物和硅氧化物的混合比，并且，向混合比较大的靶材施加的能量被设为较大。

当交替地溅射这两个靶材时，由于基于从各靶材形成的膜的厚度比而确定过渡金属氧化物和硅氧化物的混合比，因此，通过将混合比大的靶材的淀积时间时段设为较长，可以调整过渡金属氧化物和硅氧化物的混合比。通过在淀积时间时段相等时将向混合比较大的靶材施加的能量设为较大，可以调整过渡金属氧化物和硅氧化物的混合比。在形成黑底5之后，在随后的步骤中在黑底5的开口上涂敷发光部件。

第一膜1的折射率n1和第二膜2的折射率n2之间的关系可被设为n1＜n2，以实现低的反射率。可基于膜中的过渡金属和硅的组分比来调整折射率。折射率越高，则过渡金属的比越大。根据一个方面，可以设定n1＜n2的关系，n1可以为大于或等于1.6且小于或等于2.1，n2可以为大于或等于2.1。

当过渡金属为钴时，如果过渡金属与膜中的所有金属元素的组分比为第一膜1的组分比＜第二膜2的组分比、在第一膜1中为约大于或等于10mol％且小于或等于60mol％、以及在第二膜2中为约60mol％或更大，那么实现上述的折射率。在锰的情况下，如果该组分比为第一膜1的组分比＜第二膜2的组分比、在第一膜1中为约大于或等于10mol％且小于等于30mol％、以及在第二膜2中为约30mol％或更大，那么实现上述的折射率。在铁的情况下，如果该组分比为第一膜1的组分比＜第二膜2的组分比、在第一膜1中为约大于或等于10mol％且小于或等于60mol％、以及在第二膜2中为约60mol％或更大，那么实现上述的折射率。在镍的情况下，如果该组分比为第一膜1的组分比＜第二膜2的组分比、在第一膜1中为约大于或等于10mol％且小于或等于90mol％、以及在第二膜2中为约90mol％或更大，那么实现上述的折射率。但是，实现对于这四种金属的折射率的组分比可根据膜形成条件而稍微改变。在这种情况下，折射率为复折射率的实部。由于折射率的值根据可见光的波长而改变，因此与550纳米的波长处的值对应地表示上述值中的每一个。

图1A和图1B所示的黑底5包含三个光干涉膜和一个遮光膜。关于膜的类型，两种类型的折射率被组合，并且光干涉膜自身表现出遮光性能。在许多情况下，一般基于三个层的配置来设计光干涉膜，所述三个层具有低折射率、高折射率和低折射率，或者高折射率、低折射率和高折射率。这是用于仅获取特定波长的最佳值的方法。由于可能难以在整个可见光范围中进行估计或者可能没有任何可被设为设计所要求的值的材料，因此可通过实验来获取最佳配置。

本发明的发明人对于具有耐热性的过渡金属氧化物的使用、基于过渡金属氧化物和硅氧化物的折射率的控制、所有可见光范围中的低的反射率、关于膜厚的变化的稳定的反射率特性、以及高折射率膜的足够的遮光性能进行了研究。作为结果，发明了本发明的膜配置。换句话说，利用了基板、低折射率膜、高折射率膜和低折射率膜的配置。设定低折射率膜的折射率＜高折射率膜的折射率的关系。低折射率膜具有大于或等于1.6且小于或等于2.1的折射率。高折射率膜具有2.1或更大的折射率。遮光膜具有等于高折射率膜的折射率的折射率。

图2A示出根据本发明的黑底的镜面反射率和折射率之间的关系的例子。反射包含镜面反射成分和漫反射成分。镜面反射表示镜面反射成分。图2A示出当高折射率膜(第二膜2)的折射率为2.1或更大时，镜面反射率关于低折射率膜(膜1和膜3)的折射率的变化。随着折射率增大，镜面反射率变大。在这种情况下，以550纳米的波长处的值表示镜面反射率。为了在整个可见光范围中将镜面反射率限于1％或更小，低折射率膜(膜1和膜3)的折射率必须被设为2.1或更小。难以在包含过渡金属氧化物和硅氧化物的膜中将折射率设为1.6或更小。高折射率膜(膜2)的折射率需要比低折射率膜(膜1和膜3)的折射率大。可对于遮光膜(膜4)设定大的折射率，并且，可对于高折射率膜(膜2和膜4)设定2.1或更大的折射率。

通过基于膜的折射率来光学计算膜厚之间的中间值而确定膜1～4中的每一个的膜厚。膜厚的这种确定使得即使当膜厚改变时也能够在表面内实现低的反射率。例如，光干涉膜的膜厚根据折射率而改变，因此，各层的膜厚可被设定为使得镜面反射率可在550纳米的波长处最小。根据本发明的膜配置，镜面反射率在整个可见光范围中是低的，并且，难以关于膜厚的可变性(variability)而改变。图2B示出当使用钴氧化物作为过渡金属氧化物来形成黑底5时的镜面反射率光谱。镜面反射率在整个可见光范围中是低的。图2C示出当对于各膜提供达±10％的可变性时的镜面反射率的频率。比镜面反射率之间的平均值小的镜面反射率值出现的频率最高，从而表示有限的变化。

图3A和图3B示意性地示出通过由TEM观察根据本发明的黑底而拍摄的照片(透射电子显微镜(TEM)照片)的图像，特别地，表示在形成第四膜期间通过溅射在相同的淀积条件下对于每个特定的膜厚断续地执行膜形成来形成膜之后的状态。图3A是断面图，图3B是图3A所示的第四膜中的区域A的放大图。

以下详细描述断续的膜形成。在图1中，在第四膜4中，首先以大于或等于1.2纳米且小于或等于30纳米的厚度形成膜4a。在中断膜形成之后，在与膜4a的条件相同的条件下，以大于或等于1.2纳米且小于或等于30纳米的厚度形成膜4b。当不再有溅射粒子到达淀积表面时，中断时段开始。以任意的次数重复淀积和淀积中断，直到获得预定的膜厚，从而层叠大于或等于1.2纳米且小于或等于30纳米并且组分是同样的薄膜，由此完成包含膜4a～4g的第四膜4。在图1中，第四膜4是包含七个层的多层膜。但是，可形成任意数量的层，只要有至少两个层即可。上面的膜和下面的膜之间的膜厚可以相近或者不同，只要一个膜的膜厚为大于或等于1.2纳米且小于或等于30纳米即可。但是，就较短的淀积时段来说，膜在更厚时更好。膜的断续形成消除了膜沿膜厚方向的连续性。可通过在淀积中断期间将膜暴露于与淀积气氛不同的气氛(例如，暴露于溅射气体以外的诸如氮气或空气的气氛)或者在淀积中断期间通过与溅射气体的气氛相同的气氛改变压力，更确定地消除膜沿膜厚方向的连续性。

因此，根据本示例性实施例，由于可以消除第四膜4沿膜厚方向的连续性，因此可以防止溅射膜的晶粒(grain)生长超过30纳米。当溅射膜包含超过30纳米的晶粒时，由晶粒界面上的光散射导致的漫反射不能被忽略。但是，根据本示例性实施例的第四膜4的淀积期间的膜的中断形成可提供低的漫反射率。

即使当形成条件在各膜之间相同时，由断续淀积方法形成的第四膜4也基本上是多层膜。基本上是多层膜意味着该膜的所有层的组分是同样的，并且，当在TEM照片上观察时，在该膜内辨认出至少一个边界。这样的边界源自通过断续淀积方法由气体的物理吸收导致的膜质量(例如，密度)从周边开始的变化。图4示出使用由断续淀积方法形成的遮光膜的黑底和使用单个遮光膜的黑底的漫反射率的例子。使用积分球(integrating sphere)在可见光范围中测量漫反射率。从图4可以理解，多层膜减小漫反射率。

图5示出包含钴氧化物和硅氧化物的遮光膜的折射率和消光系数的例子。遮光性能取决于消光系数。钴氧化物、锰氧化物、铁氧化物和镍氧化物均表现出高的遮光性能。在膜厚为0.3微米～0.5微米的情况下，光透射率为5％或更小，并且，充分的遮光性能被提供。其中，应选择钴氧化物或锰氧化物。包含过渡金属氧化物和硅氧化物的膜在热处理期间是极其稳定的，并且，即使在后面描述的面板制造处理之后、例如在诸如打印布线的烘焙的高温处理之后，也不出现黑底的光学特性的劣化。在PD200的应变点570℃的热处理之前，光学特性是稳定的。

下面描述使用黑底5的图像显示装置。作为图像显示装置，描述使用表面传导型电子发射器件的例子。但是，根据本发明的使用黑底5的图像显示装置不限于此。图6是用于示出内部结构的部分切除透视图，提供根据示例性实施例的图像形成装置100的总体概要。后板12包含通过扫描线14和信息线15以矩阵形式连接的多个表面传导型电子发射元件16。

在前板11(face plate)上，在基板上形成黑底5。在黑底5的开口中形成发光部件17。发光部件17接收从表面传导型电子发射元件16发射的电子以发光。对于发光部件17，可以使用被电子束激发以发光的荧光体晶体。对于这种材料，例如，可以使用在“Phosphor Handbook”(由Phosphor Research Society编辑并由Ohmsha，Ltd.出版)中描述的材料。与发光部件17重叠的阳极电极19被称为金属背板。在适当时向阳极电极19施加电压以加速来自后板12的电子。对于金属背板使用在阴极射线管(CRT)中已知的Al。隔壁(partition wall)部件18位于相邻的发光部件17之间以比发光部件17更多地向后板12侧突出。隔壁部件18与隔板13邻接。隔壁部件18由包含诸如铅氧化物、锌氧化物、硼氧化物、铝氧化物、硅氧化物或钛氧化物的金属氧化物的玻璃材料制成，并可使用例如感光光糊剂(photosensitive photo paste)方法而被构图。构图的隔壁部件18在大气中以500℃或更高的高温经受烘焙。

隔板13作为耐大气压结构被设置在后板12和前板11之间。隔板13位于相邻的发光部件17之间，以便不影响图像形成装置100的显示图像，并且经由隔壁部件18与前板11邻接。由此获取的前板11被装配为面对具有电子发射源的后板12，并且，其周边部分被接合以构成真空容器。

高压端子向阳极电极19施加电压，同时，表面传导型电子发射元件16发射电子束。然后，电子与发光部件17碰撞，导致发光部件17发光。因此，可以显示图像。

下面描述第一示例性实施例。使用以50∶50(mol％)的比混合了钴氧化物和硅氧化物的烧结体靶材A并在氩气和氧气的混合气氛下以2.0千瓦的RF功率和0.3帕斯卡的总压力执行溅射，在由ASAHIGLASS CO.，LTD.制成的PD200的玻璃基板上，以60纳米的厚度形成第一膜1。第一膜1的折射率为1.8。使用以90∶10(mol％)的比混合了钴氧化物和硅氧化物的烧结体靶材B并在氩气和氧气的混合气氛下以2.0千瓦的RF功率和0.3帕斯卡的总压力执行溅射，在第一膜1上以10纳米的厚度形成第二膜2。第二膜2的折射率为2.5。在与第一膜1的条件相同的条件下，使用与靶材A具有相同组分的靶材，在第二膜2上以20纳米的厚度形成第三膜3。最后，在与第二膜2的条件相同的条件下，使用与靶材B具有相同组分的靶材，在第三膜3上以270纳米的厚度形成第四膜4。在第四膜4的形成期间，重复每形成30纳米便中断淀积并在将膜暴露于氮气气氛中之后继续淀积的处理，由此完成包含共9个层的第四膜4。

在表面内测量这样形成的黑底5的膜厚可变性，并得到±10％的可变性。测量漫反射率和镜面反射率。使用的测量设备是SolidSpec 3700(由SHIMADZU CORPORATION制造)。通过使测量光从玻璃侧和对于黑底的法线方向为0°的方向进入到在玻璃上形成的黑底上，用积分球测量漫反射率。在这种情况下，标准白板为基准(100％)。使用绝对反射率测量、通过使测量光从玻璃侧进入到在玻璃上形成的黑底，测量镜面反射率。未被涂覆的玻璃的一个表面上的反射从通过各测量获取的镜面反射率中被减去，并且，基于JIS-Z-8722将结果转换成发光反射率。通过上述方法测量漫反射率和镜面反射率。在所有的位置处，漫反射率为0.2％，镜面反射率为0.6～0.9％。在以580℃对黑底5进行30分钟的烘焙之后，测量漫反射率和镜面反射率。漫反射率为0.2％，镜面反射率为0.6～0.9％。即使在烘焙之后，也在表面内所有的位置处维持低反射率特性，并且，获取质量良好的黑底。

在第二示例性实施例中，第一示例性实施例的靶材A变为以20∶80(mol％)的比混合了锰氧化物和硅氧化物的靶材C，并且，第一示例性实施例的靶材B变为以50∶50(mol％)的比混合了锰氧化物和硅氧化物的靶材D。其它的条件与第一示例性实施例的条件类似，并且，形成黑底5。

在表面内测量这样形成的黑底5的膜厚可变性，并得到±10％的可变性。通过与第一示例性实施例的测量设备和测量方法相同的测量设备和测量方法测量漫反射率和镜面反射率。在所有的位置处，漫反射率为0.2％，镜面反射率为0.6～1.0％。在对黑底5以580℃进行30分钟的烘焙之后，通过与第一示例性实施例的测量设备和测量方法相同的测量设备和测量方法测量漫反射率和镜面反射率。漫反射率为0.2％，镜面反射率为0.7～1.0％。即使在烘焙之后，也在表面内所有的位置处维持低反射率特性，并且，获取质量良好的黑底。

在第三示例性实施例中，使用在第一示例性实施例中形成的黑底来构成图像显示装置。使用包含多个表面传导型电子发射元件16的后板12。前板11使用CRT荧光体作为发光部件17，并且通过丝网印刷被构图。然后，在500℃烧掉有机成分。对于金属背板使用Al膜。隔壁部件18使用主要包含硼硅酸盐玻璃的感光糊剂，并且经受涂覆、曝光和显影，被构图并然后在570℃经受烘焙。后板12和前板11经由隔板13彼此相对，并且，其周边部分被接合以完成图像形成装置100。

向这样构成的图像形成装置100的发光部件17的阳极电极19施加10千伏的电压。发射电子束以显示图像。因此，获取没有投影的高对比度的良好图像。

第一比较例是黑底包含单层遮光膜的情况。在本比较例中，除了下面的条件以外，在与第一示例性实施例的条件相同的条件下形成黑底5：使用第一示例性实施例的靶材B，淀积等于第一示例性实施例的第一到第四膜的总膜厚的膜厚，并且，黑底5是使用靶材B的单个膜。

通过与第一示例性实施例的测量设备和测量方法相同的测量设备和测量方法测量这样形成的黑底5的漫反射率和镜面反射率。在所有的位置处，漫反射率为0.6～0.8％，镜面反射率为0.6～0.9％。在对黑底5以580℃进行30分钟的烘焙之后，通过与第一示例性实施例的测量设备和测量方法相同的测量设备和测量方法测量漫反射率和镜面反射率。漫反射率为0.6～0.8％，镜面反射率为0.6～0.9％。烘焙之前和之后的漫反射率比第一和第二示例性实施例的漫反射率大。

第二比较例是第一到第四膜的折射率不是最佳的情况。在本比较例中，通过不相对于第一示例性实施例改变靶材组分和淀积条件，形成黑底5，但是，通过烧结体靶材B溅射膜1和3，并且，通过烧结体靶材A溅射膜2和4。基于光学计算，从膜1开始，膜厚依次被设为15纳米、30纳米、60纳米和600纳米，以减小反射率和透射率。使用烧结体靶材A并且重复每形成30纳米便中断淀积并在暴露于氮气气氛之后继续淀积的处理，在第三膜3上以600纳米的厚度形成包含共20个层的第四膜4。

在表面内测量这样形成的黑底5的膜厚可变性，并得到±10％的变化。通过与第一示例性实施例的测量设备和测量方法相同的测量设备和测量方法来测量漫反射率和镜面反射率。漫反射率为0.2％，而镜面反射率从1.0％大大地改变到2.8％。在对黑底5以580℃进行30分钟的烘焙之后，通过与第一示例性实施例的测量设备和测量方法相同的测量设备和测量方法来测量漫反射率和镜面反射率。漫反射率为0.2％，而镜面反射率从1.1％变为3.0％。作为结果，形成了镜面反射率在基板表面内大大地改变的质量差的黑底。

虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有的变更方式以及等同的结构和功能。

Claims (8)

1.一种在基板上形成的黑底，包括：

四个层，所述四个层通过依次层叠第一膜、第二膜、第三膜和第四膜而被形成，每个膜由过渡金属氧化物和硅氧化物制成，

其中，第一膜的折射率＝第三膜的折射率＜第二膜的折射率＝第四膜的折射率的关系被设定，第四膜是多层膜，其中每层的组分彼此是同样的，并且，当在TEM照片上观察时，在第四膜内辨认出边界。

2.根据权利要求1的黑底，其中，通过层叠组分是同样的、具有大于或等于1.2纳米且小于或等于30纳米的厚度的膜层，形成第四膜。

3.根据权利要求2的黑底，其中，过渡金属是选自钴、锰、镍和铁中的一种。

4.根据权利要求1的黑底，其中，第一膜的折射率为大于或等于1.6且小于或等于2.1，第一膜的折射率小于第二膜的折射率，并且，第二膜的折射率为大于或等于2.1。

5.一种制造根据权利要求1的黑底的方法，包括：

通过溅射形成黑底；和

通过重复淀积和淀积中断而形成第四膜。

6.根据权利要求5的方法，其中，第四膜是通过在淀积中断期间在与淀积气氛不同的气氛中被暴露而形成的。

7.根据权利要求5或权利要求6的方法，其中，通过在混有氧气的气氛中溅射，形成黑底。

8.一种图像显示装置，包括：

根据权利要求1的黑底。

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