JPH10116568A - 蛍光体薄膜およびその製造方法 - Google Patents
蛍光体薄膜およびその製造方法Info
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- JPH10116568A JPH10116568A JP26957296A JP26957296A JPH10116568A JP H10116568 A JPH10116568 A JP H10116568A JP 26957296 A JP26957296 A JP 26957296A JP 26957296 A JP26957296 A JP 26957296A JP H10116568 A JPH10116568 A JP H10116568A
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- phosphor thin
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型・高精細な蛍光体薄膜とその製造方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１上にストライプ状に形成された透
明電極２と、透明電極２上にストライプ状に形成された
蛍光体層３と、蛍光体層３上に帯電防止層４が形成さ
れ、透明電極２および蛍光体層３がストライプ状の無発
光壁５により分離されている蛍光体薄膜で、ストライプ
状の無発光壁５が光を透過しない材料からなるものであ
る。また、蛍光体薄膜の製造方法は、基板１に近接した
スリットマスク上からの堆積によって形成するもので、
蛍光体の結晶性の改質を行うために熱処理を行う。ま
た、熱処理は赤外線ランプ加熱炉、レーザー光発生器に
より行い、この熱処理は急速加熱、急速冷却であること
が望ましい。
提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１上にストライプ状に形成された透
明電極２と、透明電極２上にストライプ状に形成された
蛍光体層３と、蛍光体層３上に帯電防止層４が形成さ
れ、透明電極２および蛍光体層３がストライプ状の無発
光壁５により分離されている蛍光体薄膜で、ストライプ
状の無発光壁５が光を透過しない材料からなるものであ
る。また、蛍光体薄膜の製造方法は、基板１に近接した
スリットマスク上からの堆積によって形成するもので、
蛍光体の結晶性の改質を行うために熱処理を行う。ま
た、熱処理は赤外線ランプ加熱炉、レーザー光発生器に
より行い、この熱処理は急速加熱、急速冷却であること
が望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子、特
に冷陰極型電子放出素子を電子源として用いた電界放出
型蛍光表示装置に用いる蛍光体薄膜、ならびにその製造
方法に関する。
に冷陰極型電子放出素子を電子源として用いた電界放出
型蛍光表示装置に用いる蛍光体薄膜、ならびにその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電界放出型蛍光表示装置に用いら
れている蛍光体は、蛍光体粉末をペースト状にした後ス
クリーン印刷等の印刷技術によるパターン形成によるも
のが大部分であった。
れている蛍光体は、蛍光体粉末をペースト状にした後ス
クリーン印刷等の印刷技術によるパターン形成によるも
のが大部分であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般的
な印刷技術による蛍光体では、パターン幅を小さくする
ことが困難で、また蛍光体のパターン幅を精密に制御す
ることが困難で、例えば１０μｍ以下のパターン幅を形
成することは困難であった。また、一般的な低速電子線
用蛍光体の粒径は数μｍ以上の大きさがあるため、蛍光
体粉末粒子の微細化に伴う、発光効率の低下、不純物の
発生という問題点があった。また、電子線照射による帯
電といった問題点があった。
な印刷技術による蛍光体では、パターン幅を小さくする
ことが困難で、また蛍光体のパターン幅を精密に制御す
ることが困難で、例えば１０μｍ以下のパターン幅を形
成することは困難であった。また、一般的な低速電子線
用蛍光体の粒径は数μｍ以上の大きさがあるため、蛍光
体粉末粒子の微細化に伴う、発光効率の低下、不純物の
発生という問題点があった。また、電子線照射による帯
電といった問題点があった。
【０００４】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、薄膜技術を用い、高精細の蛍光体を提供することを
目的とする。
め、薄膜技術を用い、高精細の蛍光体を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の蛍光体薄膜は、基板上にストライプ状に形成さ
れた透明電極と、前記透明電極上にストライプ状に形成
された蛍光体薄膜と、前記蛍光体薄膜上に形成された帯
電防止膜を備え、前記透明電極および蛍光体薄膜がスト
ライプ状の無発光壁により分離されていることを特徴と
する。
本発明の蛍光体薄膜は、基板上にストライプ状に形成さ
れた透明電極と、前記透明電極上にストライプ状に形成
された蛍光体薄膜と、前記蛍光体薄膜上に形成された帯
電防止膜を備え、前記透明電極および蛍光体薄膜がスト
ライプ状の無発光壁により分離されていることを特徴と
する。
【０００６】また、本発明の蛍光体薄膜は、前記ストラ
イプ状の無発光壁が光を透過しない材料であることを特
徴とするものである。
イプ状の無発光壁が光を透過しない材料であることを特
徴とするものである。
【０００７】また、本発明の蛍光体薄膜は電子線の照射
によって発光する蛍光体であることを特徴とするもので
ある。
によって発光する蛍光体であることを特徴とするもので
ある。
【０００８】また、本発明の蛍光体薄膜は、ガラス基板
上に透明電極を介して装着された電界放出型ディスプレ
イ装置用の蛍光体薄膜であることを特徴とするものであ
る。
上に透明電極を介して装着された電界放出型ディスプレ
イ装置用の蛍光体薄膜であることを特徴とするものであ
る。
【０００９】また、本発明の蛍光体薄膜の製造方法は、
蛍光体薄膜を基板に近接したスリットマスク上からの材
料の堆積によって形成することを特徴とするものであ
る。
蛍光体薄膜を基板に近接したスリットマスク上からの材
料の堆積によって形成することを特徴とするものであ
る。
【００１０】また、本発明の蛍光体薄膜の製造方法は、
蛍光体薄膜を熱処理することにより、蛍光体の結晶性の
改質を行うことを特徴とするものである。
蛍光体薄膜を熱処理することにより、蛍光体の結晶性の
改質を行うことを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明の蛍光体薄膜の熱処理は、赤
外線ランプ加熱炉により行う、または、レーザー光発生
器により行うことを特徴とするものである。
外線ランプ加熱炉により行う、または、レーザー光発生
器により行うことを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の蛍光体薄膜の製造方法は、
急速加熱、急速冷却の熱処理を行うことが望ましい。
急速加熱、急速冷却の熱処理を行うことが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１４】（実施の形態１）図１は、本発明に係わる
蛍光体薄膜の概略構成図である。図１において、１は基
板、２は基板１上にストライプ状に形成された透明電
極、３は透明電極２上にストライプ状に形成された蛍光
体層、４は蛍光体層３上に形成された帯電防止層、５は
無発光壁で、透明電極２および蛍光体層３がストライプ
状の無発光壁５により分離されている。以上のように構
成された蛍光体薄膜は、電子線を照射することにより、
発光するものである。
蛍光体薄膜の概略構成図である。図１において、１は基
板、２は基板１上にストライプ状に形成された透明電
極、３は透明電極２上にストライプ状に形成された蛍光
体層、４は蛍光体層３上に形成された帯電防止層、５は
無発光壁で、透明電極２および蛍光体層３がストライプ
状の無発光壁５により分離されている。以上のように構
成された蛍光体薄膜は、電子線を照射することにより、
発光するものである。
【００１５】図２は製造方法を説明するための工程図で
ある。図２（ａ）に示すように基板１上に透明電極２を
形成した後、図２（ｂ）に示すようにレジスト６を塗布
後、露光・洗浄を行う。図２（ｃ）はエッチング工程後
の状態を示す。この時点ではパターン化された透明電極
２上にレジスト層が残存する。次に、図２（ｄ）に示す
ように、透明電極２が形成されていない、基板表面が露
出した領域に、無発光壁５を形成する。次に、図２
（ｅ）に示すようにレジストが露出するまで研磨した
後、図２（ｆ）に示すように洗浄して透明電極を露出す
る。
ある。図２（ａ）に示すように基板１上に透明電極２を
形成した後、図２（ｂ）に示すようにレジスト６を塗布
後、露光・洗浄を行う。図２（ｃ）はエッチング工程後
の状態を示す。この時点ではパターン化された透明電極
２上にレジスト層が残存する。次に、図２（ｄ）に示す
ように、透明電極２が形成されていない、基板表面が露
出した領域に、無発光壁５を形成する。次に、図２
（ｅ）に示すようにレジストが露出するまで研磨した
後、図２（ｆ）に示すように洗浄して透明電極を露出す
る。
【００１６】図３は蛍光体薄膜形成方法を説明するため
の断面図である。無発光壁５の位置に合わせてマスク７
を設置し、薄膜プロセスにより、蛍光体層を形成するこ
とにより図２（ｇ）に示す構造となる。次に急速加熱、
急速冷却熱処理によって蛍光体層の結晶性の改質を行
い、さらに図２（ｈ）に示すように帯電防止膜４を形成
することにより製造する。帯電防止膜４は、蛍光体がチ
ャージアップするのを防ぐ。特に陽極電圧が低いときに
効果を発揮する。
の断面図である。無発光壁５の位置に合わせてマスク７
を設置し、薄膜プロセスにより、蛍光体層を形成するこ
とにより図２（ｇ）に示す構造となる。次に急速加熱、
急速冷却熱処理によって蛍光体層の結晶性の改質を行
い、さらに図２（ｈ）に示すように帯電防止膜４を形成
することにより製造する。帯電防止膜４は、蛍光体がチ
ャージアップするのを防ぐ。特に陽極電圧が低いときに
効果を発揮する。
【００１７】蛍光体層３を形成する際に使用するマスク
７は、金属薄板をレーザー加工等でサブミクロンの精度
で精密加工した金属マスクを用いる。
７は、金属薄板をレーザー加工等でサブミクロンの精度
で精密加工した金属マスクを用いる。
【００１８】製造された蛍光体薄膜は、無発光壁によ
り、隣接する蛍光体薄膜と分離されており、発光効率お
よびコントラスト比が優れた高精細蛍光体薄膜が得られ
た。
り、隣接する蛍光体薄膜と分離されており、発光効率お
よびコントラスト比が優れた高精細蛍光体薄膜が得られ
た。
【００１９】なお、図２（ｅ）の工程は、無発光壁５を
形成する際に、図４の無発光壁形成方法を説明するため
の断面図に示すように、レジスト６の位置に合わせてマ
スク８を設置し、薄膜プロセスにより、無発光壁５を形
成する方法によれば、省略することが可能であり、同様
の効果が得られる。
形成する際に、図４の無発光壁形成方法を説明するため
の断面図に示すように、レジスト６の位置に合わせてマ
スク８を設置し、薄膜プロセスにより、無発光壁５を形
成する方法によれば、省略することが可能であり、同様
の効果が得られる。
【００２０】（実施の形態２）図５は、本発明によるフ
ルカラー電界放出型蛍光表示装置に用いる蛍光体薄膜の
製造方法を説明するための工程図である。図３に示す蛍
光体薄膜形成方法において、図３（ａ）のマスクに変え
て、まず赤色（Ｒ）用のマスク８ｒを用いてＲ蛍光体層
９ｒを形成し、次に緑色（Ｇ）用のマスク８ｇを用いて
Ｇ蛍光体層９ｇを形成し、次に青色（Ｂ）用のマスク８
ｂを用いてＢ蛍光体層９ｂを形成することによりＲＧＢ
蛍光体パターンを形成する。ＲＧＢ個々の蛍光体層を形
成する順序はこれに限定されるものではない。
ルカラー電界放出型蛍光表示装置に用いる蛍光体薄膜の
製造方法を説明するための工程図である。図３に示す蛍
光体薄膜形成方法において、図３（ａ）のマスクに変え
て、まず赤色（Ｒ）用のマスク８ｒを用いてＲ蛍光体層
９ｒを形成し、次に緑色（Ｇ）用のマスク８ｇを用いて
Ｇ蛍光体層９ｇを形成し、次に青色（Ｂ）用のマスク８
ｂを用いてＢ蛍光体層９ｂを形成することによりＲＧＢ
蛍光体パターンを形成する。ＲＧＢ個々の蛍光体層を形
成する順序はこれに限定されるものではない。
【００２１】ＲＧＢそれぞれの蛍光体層を形成する際の
マスクは、サブミクロンの精度でＸＹ制御可能なＸＹス
テージを使用して行う。マスクの位置調整は、マスクあ
るいは基板のどちらを動かしても構わない。
マスクは、サブミクロンの精度でＸＹ制御可能なＸＹス
テージを使用して行う。マスクの位置調整は、マスクあ
るいは基板のどちらを動かしても構わない。
【００２２】このようにして製造された蛍光体薄膜は、
高精細フルカラー電界放出型蛍光表示装置に用いる蛍光
体薄膜に使用するに十分な品質のものが得られた。
高精細フルカラー電界放出型蛍光表示装置に用いる蛍光
体薄膜に使用するに十分な品質のものが得られた。
【００２３】なお、以上の説明では、主に電界放出型蛍
光表示装置用蛍光体薄膜を例として説明したが、本発明
はこれに拘束される物ではなく、他のタイプの電子線照
射型高精細蛍光体薄膜においても、全く同様の効果が得
られるものである。
光表示装置用蛍光体薄膜を例として説明したが、本発明
はこれに拘束される物ではなく、他のタイプの電子線照
射型高精細蛍光体薄膜においても、全く同様の効果が得
られるものである。
【００２４】次に、本発明の具体例を説明する。 （実施例１）蛍光体薄膜の構造が、最終的にガラス基板
上に厚さ５０ｎｍのＩＴＯ透明電極、厚さ２μｍのＺｎ
Ｏ：Ｚｎ蛍光体薄膜、厚さ１ｎｍのＩｎ2Ｏ3帯電防止膜
の順で積層した構造となり、ＩＴＯ透明電極、ＺｎＯ：
Ｚｎ蛍光体薄膜、Ｉｎ2Ｏ3帯電防止膜は厚さ１０μｍの
黒色カーボン無発光壁で分離されている構造である。そ
して、Ｉｎ2Ｏ3帯電防止膜側から電子線を照射すること
により、発光するものである。
上に厚さ５０ｎｍのＩＴＯ透明電極、厚さ２μｍのＺｎ
Ｏ：Ｚｎ蛍光体薄膜、厚さ１ｎｍのＩｎ2Ｏ3帯電防止膜
の順で積層した構造となり、ＩＴＯ透明電極、ＺｎＯ：
Ｚｎ蛍光体薄膜、Ｉｎ2Ｏ3帯電防止膜は厚さ１０μｍの
黒色カーボン無発光壁で分離されている構造である。そ
して、Ｉｎ2Ｏ3帯電防止膜側から電子線を照射すること
により、発光するものである。
【００２５】その製造方法は、ガラス基板上にスパッタ
法により厚さ５０ｎｍのＩＴＯ透明電極を形成した後、
レジストを塗布し、ストライプ状マスクパターンを介し
て露光を行い、未露光部分を洗浄しレジストパターンを
形成する。次にエッチングによりストライプ状透明電極
を形成する。このストライプ状透明電極幅は２０μｍと
する。
法により厚さ５０ｎｍのＩＴＯ透明電極を形成した後、
レジストを塗布し、ストライプ状マスクパターンを介し
て露光を行い、未露光部分を洗浄しレジストパターンを
形成する。次にエッチングによりストライプ状透明電極
を形成する。このストライプ状透明電極幅は２０μｍと
する。
【００２６】次に、無発光壁となる黒色カーボンをレー
ザーアブレーション法により形成する。この工程を経た
後の表面の起伏を除去するため、ラッピングによって平
坦化を行う。この平坦化により、蛍光体層を形成すると
きに使用するマスクと無発光壁とのギャップを一定にす
ることが可能となる。次にレジストを洗浄し、透明電極
表面を露出する。
ザーアブレーション法により形成する。この工程を経た
後の表面の起伏を除去するため、ラッピングによって平
坦化を行う。この平坦化により、蛍光体層を形成すると
きに使用するマスクと無発光壁とのギャップを一定にす
ることが可能となる。次にレジストを洗浄し、透明電極
表面を露出する。
【００２７】次に無発光壁の位置に合わせて、Ｍｏ製マ
スクを１μｍ以下のギャップに設置する。次にレーザー
アブレーション法によりＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体層を形成す
る。レーザーアブレーション法によれば、蛍光体粒子を
クラスター状態にして堆積させることが可能である。次
に蛍光体の結晶性を向上させるために、赤外線ランプア
ニール装置を使用し、アルゴン雰囲気中で熱処理を行
う。次に、熱処理後の蛍光体表面の帯電防止のため、蒸
着法により厚さ１ｎｍのＩｎ2Ｏ3膜を形成する。特に、
陽極電圧が２００Ｖ以下の場合には、蛍光体表面がチャ
ージアップしやすくなり、結果として輝度のばらつき、
不安定性等を引き起こすため、何らかの形で電荷を逃が
さなければならない。
スクを１μｍ以下のギャップに設置する。次にレーザー
アブレーション法によりＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体層を形成す
る。レーザーアブレーション法によれば、蛍光体粒子を
クラスター状態にして堆積させることが可能である。次
に蛍光体の結晶性を向上させるために、赤外線ランプア
ニール装置を使用し、アルゴン雰囲気中で熱処理を行
う。次に、熱処理後の蛍光体表面の帯電防止のため、蒸
着法により厚さ１ｎｍのＩｎ2Ｏ3膜を形成する。特に、
陽極電圧が２００Ｖ以下の場合には、蛍光体表面がチャ
ージアップしやすくなり、結果として輝度のばらつき、
不安定性等を引き起こすため、何らかの形で電荷を逃が
さなければならない。
【００２８】このようにして製造された蛍光体薄膜は、
基板サイズを１インチとすると、モノクロＶＧＡ（６４
０ドット×４８０ドット）パネル用蛍光体として使用す
ることが可能となる。
基板サイズを１インチとすると、モノクロＶＧＡ（６４
０ドット×４８０ドット）パネル用蛍光体として使用す
ることが可能となる。
【００２９】なお、ＩＴＯ透明電極は、蒸着法あるいは
塗布法によっても同様の効果が得られた。また、蛍光体
層の形成は、ＣＶＤ法によっても同様の効果が得られ
た。
塗布法によっても同様の効果が得られた。また、蛍光体
層の形成は、ＣＶＤ法によっても同様の効果が得られ
た。
【００３０】（実施例２）蛍光体薄膜の構造が、最終的
にガラス基板上に厚さ５０ｎｍのＩＴＯ透明電極、厚さ
２μｍの赤色（Ｒ）用、緑色（Ｇ）用、青色（Ｂ）用蛍
光体薄膜、厚さ１ｎｍのＩｎ2Ｏ3帯電防止膜の順で積層
した構造となり、ＩＴＯ透明電極、各蛍光体薄膜、Ｉｎ
2Ｏ3帯電防止膜は厚さ３μｍの黒色カーボン無発光壁で
分離されている構造である。そして、Ｉｎ2Ｏ3帯電防止
膜側から電子線を照射することによって、発光するもの
である。
にガラス基板上に厚さ５０ｎｍのＩＴＯ透明電極、厚さ
２μｍの赤色（Ｒ）用、緑色（Ｇ）用、青色（Ｂ）用蛍
光体薄膜、厚さ１ｎｍのＩｎ2Ｏ3帯電防止膜の順で積層
した構造となり、ＩＴＯ透明電極、各蛍光体薄膜、Ｉｎ
2Ｏ3帯電防止膜は厚さ３μｍの黒色カーボン無発光壁で
分離されている構造である。そして、Ｉｎ2Ｏ3帯電防止
膜側から電子線を照射することによって、発光するもの
である。
【００３１】その製造方法は、石英基板上にスパッタ法
によってＩＴＯ透明電極を形成した後、レジストを塗布
し、ストライプ状マスクパターンを介して露光を行い、
未露光部分を洗浄しレジストパターンを形成する。次に
エッチングによりストライプ状透明電極を形成する。こ
のストライプ状透明電極幅は７μｍとする。
によってＩＴＯ透明電極を形成した後、レジストを塗布
し、ストライプ状マスクパターンを介して露光を行い、
未露光部分を洗浄しレジストパターンを形成する。次に
エッチングによりストライプ状透明電極を形成する。こ
のストライプ状透明電極幅は７μｍとする。
【００３２】次に、無発光壁となる黒色カーボンをレー
ザーアブレーション法により形成する。この工程を経た
後の表面の起伏を除去するためラッピングによって平坦
化を行う。この平坦化により、蛍光体層を形成するとき
に使用するマスクと無発光壁とのギャップを一定にする
ことが可能となる。次にレジストを洗浄し、透明電極表
面を露出する。
ザーアブレーション法により形成する。この工程を経た
後の表面の起伏を除去するためラッピングによって平坦
化を行う。この平坦化により、蛍光体層を形成するとき
に使用するマスクと無発光壁とのギャップを一定にする
ことが可能となる。次にレジストを洗浄し、透明電極表
面を露出する。
【００３３】次に赤色蛍光体形成用Ｍｏ製マスクを無発
光壁の位置に合わせて、１μｍ以下のギャップに設置す
る。次にレーザーアブレーション法により赤色発光蛍光
体である（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ蛍光体層を形成する。
次に緑色蛍光体形成用Ｍｏ製マスクを無発光壁の位置に
合わせて、１μｍ以下のギャップに設置し、緑色蛍光体
であるＺｎＳ：Ｃｕ：Ａｌ蛍光多層を形成する。同様に
青色発光蛍光体であるＺｎＳ：Ａｇ蛍光体層を形成す
る。
光壁の位置に合わせて、１μｍ以下のギャップに設置す
る。次にレーザーアブレーション法により赤色発光蛍光
体である（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ蛍光体層を形成する。
次に緑色蛍光体形成用Ｍｏ製マスクを無発光壁の位置に
合わせて、１μｍ以下のギャップに設置し、緑色蛍光体
であるＺｎＳ：Ｃｕ：Ａｌ蛍光多層を形成する。同様に
青色発光蛍光体であるＺｎＳ：Ａｇ蛍光体層を形成す
る。
【００３４】次に蛍光体の結晶性を向上させ、輝度を向
上させるために、短波長のレーザー光を発生するレーザ
ー光発生器により窒素雰囲気中でレーザーアニールを行
う。次に、熱処理後の蛍光体表面に蒸着法により帯電防
止のためのＩｎ2Ｏ3膜を形成する。特に、陽極電圧が２
００Ｖ以下の場合には、蛍光体表面がチャージアップし
やすくなり、結果として輝度のばらつき、不安定性等を
引き起こすため、何らかの形で電荷を逃がさなければな
らない。
上させるために、短波長のレーザー光を発生するレーザ
ー光発生器により窒素雰囲気中でレーザーアニールを行
う。次に、熱処理後の蛍光体表面に蒸着法により帯電防
止のためのＩｎ2Ｏ3膜を形成する。特に、陽極電圧が２
００Ｖ以下の場合には、蛍光体表面がチャージアップし
やすくなり、結果として輝度のばらつき、不安定性等を
引き起こすため、何らかの形で電荷を逃がさなければな
らない。
【００３５】このようにして製造された蛍光体薄膜は、
基板サイズを１インチとすると、カラーＶＧＡ（６４０
×３ドット×４８０ドット）パネル用蛍光体として使用
することが可能となる。
基板サイズを１インチとすると、カラーＶＧＡ（６４０
×３ドット×４８０ドット）パネル用蛍光体として使用
することが可能となる。
【００３６】なお、蛍光体形成に使用するマスクは、Ｍ
ｏ製に限らず真空装置内で一般的に使用可能なＳＵＳ等
の金属でも代用できる。
ｏ製に限らず真空装置内で一般的に使用可能なＳＵＳ等
の金属でも代用できる。
【００３７】なお、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの蛍光体層を形
成する際のマスクは、サブミクロンの精度でＸＹ制御可
能なＸＹステージを使用して行う。マスクの位置調整
は、マスクあるいは基板のどちらを動かしても構わな
い。
成する際のマスクは、サブミクロンの精度でＸＹ制御可
能なＸＹステージを使用して行う。マスクの位置調整
は、マスクあるいは基板のどちらを動かしても構わな
い。
【００３８】このようにして製造された蛍光体薄膜は、
高精細フルカラー電界放出型蛍光表示装置に用いる蛍光
体薄膜に使用するに十分な品質のものが得られた。
高精細フルカラー電界放出型蛍光表示装置に用いる蛍光
体薄膜に使用するに十分な品質のものが得られた。
【００３９】なお、以上の説明では、主に電界放出型蛍
光表示装置用蛍光体薄膜を例として説明したが、本発明
はこれに拘束される物ではなく、他のタイプの電子線照
射型高精細蛍光体薄膜においても、全く同様の効果が得
られる物である。
光表示装置用蛍光体薄膜を例として説明したが、本発明
はこれに拘束される物ではなく、他のタイプの電子線照
射型高精細蛍光体薄膜においても、全く同様の効果が得
られる物である。
【００４０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、電子放出
素子、特に冷陰極型電子放出素子を電子源として用いた
電界放出型蛍光表示装置に用いる蛍光体薄膜、ならびに
その製造方法に関するものである。
素子、特に冷陰極型電子放出素子を電子源として用いた
電界放出型蛍光表示装置に用いる蛍光体薄膜、ならびに
その製造方法に関するものである。
【００４１】本発明により、高精細な蛍光体薄膜が容易
に製造可能となるために、より小型・高精細の電界放出
型蛍光表示装置が得られる。
に製造可能となるために、より小型・高精細の電界放出
型蛍光表示装置が得られる。
【図１】本発明に係わる蛍光体薄膜の概略構成図
【図２】（ａ）〜（ｈ）製造方法を説明するための工程
図
図
【図３】（ａ），（ｂ）蛍光体薄膜形成方法を説明する
ための断面図
ための断面図
【図４】（ａ），（ｂ）無発光壁形成方法を説明するた
めの断面図
めの断面図
【図５】（ａ）〜（ｆ）ＲＧＢ蛍光体薄膜製造方法を説
明するための工程図
明するための工程図
１ 基板 ２ 透明電極 ３ 蛍光体層 ４ 帯電防止層 ５ 無発光壁 ６ レジスト ７ マスク ８ｒ Ｒ蛍光体形成用マスク ８ｇ Ｇ蛍光体形成用マスク ８ｂ Ｂ蛍光体形成用マスク ９ｒ Ｒ蛍光体 ９ｇ Ｇ蛍光体 ９ｂ Ｂ蛍光体
Claims (9)
- 【請求項１】基板上にストライプ状に形成された透明電
極と、前記透明電極上にストライプ状に形成された蛍光
体薄膜と、前記蛍光体薄膜上に形成された帯電防止膜を
備え、前記透明電極および蛍光体薄膜がストライプ状の
無発光壁により分離されていることを特徴とする蛍光体
薄膜。 - 【請求項２】ストライプ状の無発光壁が、光を透過しな
い材料であることを特徴とする請求項１記載の蛍光体薄
膜。 - 【請求項３】蛍光体薄膜は、電子線の照射によって発光
する蛍光体であることを特徴とする請求項１記載の蛍光
体薄膜。 - 【請求項４】蛍光体薄膜は、ガラス基板上に透明電極を
介して装着された電界放出型ディスプレイ装置用の蛍光
体薄膜であることを特徴とする請求項１記載の蛍光体薄
膜。 - 【請求項５】蛍光体薄膜を基板に近接したマスク上から
の材料の堆積によって形成することを特徴とする蛍光体
薄膜の製造方法。 - 【請求項６】蛍光体薄膜を熱処理することにより、蛍光
体の結晶性の改質を行うことを特徴とする請求項５記載
の蛍光体薄膜の製造方法。 - 【請求項７】蛍光体薄膜の熱処理が、急速加熱、急速冷
却であることを特徴とする請求項６記載の蛍光体薄膜の
製造方法。 - 【請求項８】熱処理が、赤外線ランプ加熱炉によるもの
であることを特徴とする請求項６記載の蛍光体薄膜の製
造方法。 - 【請求項９】熱処理を行う手段が、レーザー光発生器で
あることを特徴とする請求項６記載の蛍光体薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26957296A JPH10116568A (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 蛍光体薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26957296A JPH10116568A (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 蛍光体薄膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116568A true JPH10116568A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17474239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26957296A Pending JPH10116568A (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 蛍光体薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10116568A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003019599A1 (fr) | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Procede de production et dispositif de production de detecteur d'images aux rayons x, et detecteur d'images aux rayons x |
-
1996
- 1996-10-11 JP JP26957296A patent/JPH10116568A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003019599A1 (fr) | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Procede de production et dispositif de production de detecteur d'images aux rayons x, et detecteur d'images aux rayons x |
| EP1429364A1 (en) * | 2001-08-29 | 2004-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Production method and production device for x−ray image detector, and x−ray image detector |
| US7067789B2 (en) | 2001-08-29 | 2006-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and device for producing X-ray image detector, and X-ray image detector |
| CN1333421C (zh) * | 2001-08-29 | 2007-08-22 | 株式会社东芝 | X射线图像检测器的制造方法和制造装置及x射线图像检测器 |
| EP1429364A4 (en) * | 2001-08-29 | 2009-12-09 | Toshiba Kk | PRODUCTION METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING X-RAY IMAGE DETECTOR, AND X-RAY IMAGE DETECTOR |
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