CN102157903B - “w”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 - Google Patents
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Abstract
一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构;步骤3:在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,主要是一种在GaSb衬底上生长二类“W”型量子阱结构的方法。
背景技术
随着科学技术的发展,中红外2-5μm波段的半导体激光器得到了越来越多的关注。主要的应用有化学气体探测、通信、生物医学以及军事上的电子对抗等领域。传统的Si基、GaAs基材料系带隙比较宽,不能满足对波长的要求,而锑化物(GaSb基)材料具有相对较窄的带隙,从而成为这一波段的主要研究对象。目前无论是材料方面还是器件方面,中红外2-5μm波段的半导体光电器件均还不够成熟。
目前在中红外波段的研究方向很多,在2-3μm波段,四元锑化物的一类量子阱激光器已经成为最具竞争力的研究对象。而在3-5μm波段,研究的方向还很多,主要有:量子级联和带间级联激光器,锑化物一类、二类量子阱激光器,以及InAs/GaSb短周期超晶格激光器等,在这些众多的方向中,“W”型二类量子阱激光器一直都是佼佼者,最初的“W”结构由美国海军实验室的J.R.Meyer等人提出,其中的“W”是指由材料导带边的位置所构成的形状类似“W”型,一个“W”结构主要是由两个电子阱中间夹一个空穴阱来构成。由于具有比普通量子阱更强的限制电子和空穴的结构,“W”型二类量子阱能更好的实现电子和空穴的二维输运、增强电子和空穴的耦合,以及对于俄歇复合有更好的抑制作用。
传统的“W”结构一般是用AlSb/InAs/Ga1-xInxSb材料系,垒层AlSb也可用有用含Al和Sb的三元或者四元材料来替代,而在本发明的“W”结构中,外延生长时在InAs和GaInSb界面中间插入一层InSb薄层,从而形成InSb界面并且阻碍了GaAs界面的形成,同时把中间的空穴阱用GaSb/InSb/GaSb的生长方法取代了直接生长三元材料GaxIn1-xSb。这样做的优势在于:由于三元的GaxIn1-xSb材料会有分凝、解吸附以及组分不均匀等情况发生,二元的材料更易于控制和生长。不仅如此,目前InAs/GaSb超晶格红外探测器已可作为实用型器件来应用,对这类材料的生长也已相对成熟,更易于我们进行分析研究。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,通过InSb过渡层的插入来改进界面的类型,形成InSb界面的同时抑制GaAs界面的产生。在生长空穴阱时,用二元材料GaSb/InSb/GaSb取代三元材料Ga1-xInxSb,通过控制GaSb和InSb的厚度来等效三元材料Ga1-xInxSb中In和Ga的组分。
本发明提供一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤:
步骤1:选择一衬底;
步骤2:对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构;
步骤3:在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。
其中该衬底为GaSb(001)衬底。
其中该缓冲层的材料为GaSb。
其中该10个周期的“W”结构二类量子阱有源区的每个周期包括:一Al0.35Ga0.65Sb垒层,在Al0.35Ga0.65Sb垒层上依次生长有InAs电子阱层、InSb过渡层、空穴阱层、InSb过渡层、InAs电子阱层和Al0.35Ga0.65Sb垒层,该InSb过渡层和InSb过渡层形成InSb界面,同时抑制GaAs界面的产生。
其中空穴阱层包括下GaSb层及在其上依次生长的InSb层和上GaSb层。
其中所述的脱氧除气处理并观察表面再构,是指脱氧的温度为630℃,再将温度升至660℃除气,15分钟后降至610℃,生长5min的GaSb后降温至490℃观察到再构。
其中空穴阱层中的下GaSb层、InSb层和上GaSb层的生长时间分别为9s、2s、9s。
附图说明
为进一步说明本发明的技术特征,结合以下附图,对本发明作一详细的描述,其中:
图1是外延结构示意图;
图2是用八带K·P模型模拟的“W”型量子阱结构的能带图。
具体实施方式
请参阅图1所示,本发明提供一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤:
步骤1:选择一衬底10,该衬底10为GaSb(001)衬底;
步骤2:对该衬底10进行脱氧除气处理并观察表面再构,是指脱氧的温度为630℃,再将温度升至660℃除气,15分钟后降至610℃,生长5min的GaSb后降温至490℃观察到再构。
步骤3:在该衬底10上依次生长缓冲层11、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区12和GaSb盖层13,该缓冲层11的材料为GaSb,所述该10个周期的“W”结构二类量子阱有源区12的每个周期包括:一Al0.35Ga0.65Sb垒层121,生长时间16s,厚度为4nm,该层和Al0.35Ga0.65Sb垒层127作为“W”型二类量子阱结构的垒层,主要是对电子和空穴有更好的限制作用,并可以形成二维的态密度分布,提高电子和空穴波函数的耦合程度,使得达到阈值时,每单位注入载流子会产生更高的增益。在Al0.35Ga0.65Sb垒层依次生长有InAs电子阱层122,生长时间36s,厚度是2nm,InSb过渡层123,生长时间2s,空穴阱层124、InSb过渡层125,生长时间2s、InAs电子阱层126,生长时间36s,厚度是2nm,和Al0.35Ga0.65Sb垒层127,生长时间16s,厚度为4nm。众所周知,InAs/GaSb材料在生长的过程中会形成不同类型的界面,我们在生长的过程中插入该InSb过渡层123和InSb过渡层125主要是为了易于形成InSb界面,同时抑制GaAs界面的产生,其中所述的空穴阱层124包括下GaSb层及在其上依次生长的InSb层和上GaSb层,代替了原来直接生长三元材料GaxIn1-xSb,目的在于避免三元GaxIn1-xSb材料解吸附以及组分不均匀等情况发生,同时相比三元材料而言,二元的材料更易于控制和生长。其中所述的空穴阱层124中的下GaSb层、InSb层和上GaSb层的生长时间分别为9s、2s、9s。最后,在Al0.35Ga0.65Sb垒层127上再生长一层GaSb盖层13,生长时间为100s,从而完成“W”型有源区的结构生长。
图2显示了用八带K·P模型模拟的“W”型量子阱结构的能带图。
以上所述的系统框图和实施电路图,对本发明的目的,技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤:
步骤1:选择一衬底;
步骤2:对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构;
步骤3:在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层;
其中该10个周期的“W”结构二类量子阱有源区的每个周期包括:一Al0.35Ga0.658b垒层,在Al0.35Ga0.65Sb垒层上依次生长有Inas电子阱层、InSb过渡层、空穴阱层、InSb过渡层、InAs电子阱层和Al0.35Ga0.65Sb垒层,该InSb过渡层和InSb过渡层形成InSb界面,同时抑制GaAs界面的产生。
2.根据权利要求1所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,其中该衬底为GaSb(001)衬底。
3.根据权利要求1所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,其中该缓冲层的材料为GaSb。
4.根据权利要求1所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,其中空穴阱层包括下GaSb层及在其上依次生长的InSb层和上GaSb层。
5.根据权利要求1所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,其中所述的脱氧除气处理并观察表面再构,是指脱氧的温度为630℃,再将温度升至660℃除气,15分钟后降至610℃,生长5min的GaSb后降温至490℃观察到再构。
6.根据权利要求4所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,其中空穴阱层中的下GaSb层、InSb层和上GaSb层的生长时间分别为9s、2s、9s。
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