CN102142262A - 光盘装置、半导体集成电路和激光二极管驱动器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光盘装置、半导体集成电路和激光二极管驱动器。在一种光盘装置中,通过在调节写入策略信号中的信道间相移时和在实际写入时使用相同路径来减少写入策略信号中的信道间相移。该光盘装置包括激光二极管、激光二极管驱动器和半导体集成电路。该半导体集成电路包括写入策略电路和用于控制写入策略电路的操作的控制单元。通过使用与用于在向光盘的实际写入时从脉冲生成电路向激光二极管驱动器发送脉冲信号的信号路径相同的信号路径来执行用于信道间延迟调节的信息收集。基于此,设置用于向光盘施加激光的信道间延迟量,由此减少写入策略信号中的信道间相移。
Description
相关申请的交叉引用
包括说明书、说明书附图和说明书摘要、于2010年1月29日提交的第2010-18051号日本专利申请的公开内容通过整体引用结合于此。
技术领域
本发明涉及一种用于通过向光盘施加激光来写入信息的技术。
背景技术
当光盘驱动向作为记录介质的光盘写入信息时,它需要精确控制半导体激光器的发射定时和发光时间段。这样的半导体激光器发射控制电路一般被称为写入策略电路,并且从写入策略电路输出的写入脉冲发射定时信息的数字信号一般被称为写入策略信号。经常在一般称为DSP(数字信号处理器)的LSI(大规模集成)中包括写入策略电路用于控制光盘驱动。
从激光二极管向记录介质施加的脉冲激光常由具有多个功率电平的复杂形状形成,并且写入策略电路为一个功率电平生成一个写入策略信号;因此需要多个信道的写入策略信号以发送具有多个功率电平的写入脉冲信息。
近来已经开发高写入密度的系统,比如BD(蓝光盘)。向高写入密度的记录介质写入信息需要更小斑尺寸的施加激光和更短长度的写入标记,这要求对半导体激光器的精确控制。因而有必要向激光二极管驱动器(LDD)高精确度地发送由写入策略电路生成的写入策略信号。
公开号为2006-120252的日本待审专利(专利文献1)和公开号为2007-134006的日本待审专利(专利文献2)描述了涉及光盘写入装置的技术。
专利文献1描述了一种用于在光盘写入装置中通过以所需写入波形进行写入来稳定写入质量的技术。
专利文献2描述了一种用于确定发光脉冲组中的首脉冲、末脉冲或者冷却脉冲的脉冲宽度以便形成一个写入标记的写入策略的优化处理技术。
发明内容
具有激光二极管和激光二极管驱动器的光学拾取器需要在光盘的径向方向上可移动,并且因此一般通过柔性线缆耦合到具有DSP的PCB(印刷电路板)。因而从写入策略电路到光学拾取器的激光二极管驱动器的传输距离范围从数厘米至约20厘米。由于在传输线中在信道之间的距离和阻抗差、与在光盘装置中的升温相关联的设备特性改变等而可能出现写入策略信号中的信道间定时移位(相移)。
本发明人已经考察了写入策略信号中的信道间定时移位的影响。
图3示出了在向写入策略电路输入的NRZI信号与作为DSP内部信号的写入时钟信号CLK之间的关系。
在DSP中与写入时钟信号CLK同步生成NRZI信号。写入策略电路基于NRZI(不归零反转)信号来生成LVDS(低压差分信令)信号。LVDS信号是包含W1DISP、W2DISP、W3DISP和W4DISP的4信道脉冲信号(写入策略信号)。激光二极管驱动器组合LVDS信号,由此生成用于驱动激光二极管的信号。这一信号的功率电平Pw、Pm、Pe和Pb分别表示写入功率、中间功率、擦除功率和偏置功率。
写入时钟信号CLK的一个周期由1T代表,并且1T的绝对时间取决于写入时钟信号的频率。1X速度的BD的绝对时间约为15ns。NRZI信号是在DSP中并入的调制单元(未示出)将待向记录介质写入的信息编码于其中的数字信号,并且一般包含高电平持续时间和低电平持续时间,这些持续时间为1T的整数倍,并且在蓝光系统中为2T、3T、4T、......、8T和9T。NRZI信号的高电平持续时间和低电平持续时间对应于向光盘记录介质写入的标记和间隔的长度。然而NRZI信号的高电平持续时间根据系统而对应于标记或者对应于间隔。
希望向写入策略电路输入的NRZI信号与通过对如下再现信号进行信号处理如均衡和分片而获得的数字信号相同,该再现信号是通过再现光学拾取器的写入激光在光盘记录介质上写入的标记和间隔而获得的。例如当在NRZI信号中以2T的持续时间写入的标记由于向激光二极管驱动器输入的写入策略信号的不良精确度而再现为3T时,出现数据错误。一般而言,在光盘系统中,纠错功能并入于用于将再现的数字信号解码成原写入信息的系统中,并且实现对少量数据错误的纠正。然而错误超过某一数目会使纠正失效,这导致丢失写入的信息。出于这一原因,向激光二极管驱动器精确地发送根据向写入策略电路输入的NRZI信号等而生成的写入策略信号颇为重要。通过施加写入激光并在化学上改变材料来形成在光盘上写入的标记。标记的长度和写入激光的照射时间并未匹配,并且激光的照射时间一般比待形成的标记的长度更短。有必要精确控制通过实验等预先获得的激光的最佳照射时间以精确地形成标记。一般而言,用通过将1T除以整数而获得的解析度(1/n)T控制激光照射时间。虽然n的值依赖于系统,但是n在蓝光系统中近似等于16至64。
如上文所述,传输线存在于DSP与激光二极管驱动器之间,这可能在写入策略信号中引起信道间定时移位(相移)。由于在写入策略信号中出现信道间相移使光盘的写入质量下降,所以对于写入策略信号而言需要很高的定时精确度。具体而言,在向高密度记录介质如BD高速写入的情况下,将信道间定时精确度维持于高水平以维持良好写入质量是重要的。
根据专利文献1,用于在调节时使用的脉冲由在DSP中包括的定时移位检测信号生成电路生成,并且通过切换信号传输路径向激光二极管驱动器发送定时移位检测信号生成电路的输出。因此在调节时和在实际写入时使用不同的信号路径。本发明人已经考察了这一点并且发现应当在调节时和在实际写入时使用相同的路径以提高写入策略信号中的信道间相移的调节精确度。
另外,专利文献2并未考虑写入策略信号中的信道间相移的调节精确度。
本发明的目的在于在光盘装置中通过在调节写入策略信号中的信道间相移时和在实际写入时使用相同路径来减少写入策略信号中的信道间相移。另外,本发明的另一目的在于提供一种半导体集成电路和一种应用于这样的光盘装置的激光二极管驱动器。
本发明的上述和其它目的及新颖特征根据本说明书的描述和附图将变得清楚。
在本申请中公开的本发明的一个典型方面将简述如下。
一种光盘装置包括:激光二极管,用于生成向光盘施加的激光;激光二极管驱动器,用于驱动激光二极管;以及半导体集成电路,能够控制激光二极管驱动器的操作。激光二极管驱动器通过传输线耦合到半导体集成电路。半导体集成电路包括:写入策略电路,用于控制激光二极管的发射;以及控制单元,用于控制写入策略电路的操作。写入策略电路包括:脉冲生成电路,能够基于用于向光盘写入的信息来生成多信道脉冲信号;以及信道间延迟调节电路,能够调节从脉冲生成电路输出的脉冲信号中的信道间延迟。激光二极管驱动器包括:信道间相移确定电路,用于确定通过传输线从半导体集成电路发送的多信道脉冲信号中的信道间相移。控制单元使脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号,并且在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量。另外,控制单元在信道间延迟调节电路中的信道间延迟量每次改变时基于由信道间相移确定电路获得的确定结果向信道间延迟调节电路设置用于向光盘施加激光的信道间延迟量。
在本申请中公开的本发明的一个典型效果将简述如下。
有可能在光盘装置中通过在调节写入策略信号中的信道间相移时和在实际写入时使用相同路径来减少写入策略信号中的信道间相移。
附图说明
图1是根据本发明的光盘装置的总体框图;
图2是图1中所示光盘装置中的主要部分的具体框图;
图3是光盘装置中的主要部分的信号波形图;
图4是示出了图1中所示光盘装置中的主要操作的流程图;
图5是示出了图1中所示光盘装置中的主要操作的流程图;
图6是图1中所示光盘装置中的主要部分的操作定时图;
图7是图1中所示光盘装置中的主要部分的操作定时图;
图8是示出了图1中所示光盘装置中的主要操作的流程图;并且
图9是有助于说明图1中所示光盘装置中的主要操作的波形图。
具体实施方式
1.实施例的概况
首先将描述在本申请中公开的本发明典型实施例的概况。在典型实施例的概况描述中用括号引用的附图中的参考标号仅举例说明在用参考标号标记的部件概念中包含的部件。
[1]根据本发明一个典型实施例的一种光盘装置(10)包括:激光二极管(307),用于生成向光盘施加的激光;激光二极管驱动器(300),用于驱动激光二极管;以及半导体集成电路(24),能够控制激光二极管驱动器的操作。激光二极管驱动器通过传输线耦合到半导体集成电路。
半导体集成电路包括:写入策略电路(202),用于控制激光二极管的发射;以及控制单元(143),用于控制写入策略电路的操作。写入策略电路包括:脉冲生成电路(203),能够基于用于向光盘写入的信息来生成多信道脉冲信号;以及信道间延迟调节电路(204),能够调节从脉冲生成电路输出的脉冲信号中的信道间延迟。
激光二极管驱动器包括:信道间相移确定电路(306),用于确定通过传输线从半导体集成电路发送的多信道脉冲信号中的信道间相移。控制单元使脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号并且在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量。另外,控制单元在信道间延迟调节电路中的信道间延迟量每次改变时基于由信道间相移确定电路获得的确定结果向信道间延迟调节电路设置用于向光盘施加激光的信道间延迟量。
根据上述配置,控制单元使脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号、在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量并且在信道间延迟调节电路中的信道间延迟量每次改变时基于由信道间相移确定电路获得的确定结果向信道间延迟调节电路设置信道间延迟量。这使得有可能通过使用与用于在向光盘的实际写入时从脉冲生成电路向激光二极管驱动器发送脉冲信号的信号路径相同的信号路径来收集用于信道间延迟调节的信息,这可以提高写入策略信号中的信道间相移的调节精确度。
[2]在上述[1]中,半导体集成电路(24)包括:半导体集成电路的输出端子(206),用于向传输线发送信道间延迟调节电路的输出信号;以及半导体集成电路的信息通信端子(207),用于使半导体集成电路能够在信道间延迟调节电路中的信道间延迟量每次改变时接收由信道间相移确定电路获得的确定结果。
利用上述配置,有可能通过半导体集成电路的输出端子(206)向传输线发送信道间延迟调节电路的输出信号并且在信道间延迟调节电路的信道间延迟量每次改变时在半导体集成电路中通过半导体集成电路的信息通信端子(207)接收由信道间相移确定电路获得的确定结果。
[3]在上述[2]中,控制单元(143)具有用于控制用于对从脉冲生成电路输出的脉冲信号中的信道间延迟进行调节的信息收集的第一控制模式和用于基于从脉冲生成电路输出的脉冲信号来控制向光盘施加激光的第二控制模式。另外,控制单元(143)在第二控制模式中确定信道间相移确定电路获得的确定结果是否存在于半导体集成电路中。如果信道间相移确定电路获得的确定结果未存在于半导体集成电路中,则控制单元(143)转向第一控制模式、使脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号并且在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量。这时,控制单元(143)在半导体集成电路中通过半导体集成电路的信息通信端子接收由信道间相移确定电路获得的确定结果。
信道间相移确定电路获得的确定结果可以存储于半导体集成电路中的适当存储介质如闪存中。如果信道间相移确定电路获得的确定结果未存在于闪存中,则控制单元转向第一控制模式、使脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号并且在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量以由此进行用于信道间延迟调节的信息收集。
[4]在上述[3]中,如果信道间相移确定电路获得的确定结果存在于半导体集成电路中,则控制单元(143)基于确定结果来设置信道间延迟调节电路中的信道间延迟量。
如果信道间相移确定电路获得的确定结果存储于半导体集成电路中的适当存储介质如闪存中,则控制单元基于确定结果来设置信道间延迟调节电路中的信道间延迟量并且可以消除用于信道间延迟调节的信息收集。
[5]在上述[2]中,控制单元(143)确定是否实现用于信道间延迟量调节的条件,并且如果控制单元确定实现用于信道间延迟量调节的条件,则无论信道间相移确定电路获得的确定结果是否存在于半导体集成电路中,控制单元都使得脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号。另外,控制单元(143)在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量并且在半导体集成电路中通过半导体集成电路的信息通信端子接收由信道间相移确定电路获得的确定结果。
例如当光盘装置中的温度达到预定值时实现用于信道间延迟量调节的条件。光盘装置中的温度可以由在光盘装置中提供的温度感测器来检测。由于在写入策略信号中的信道间定时移位(相移)可能由于与在光盘装置中的升温相关联的设备特性改变等而出现,所以检测光盘装置的内部温度何时达到预定值并且执行如上文所述的信道间延迟量调节可以提高光盘装置的可靠性。
[6]在上述[1]中,激光二极管驱动器(300)包括:驱动器的输入端子(209),用于允许激光二极管驱动器接收通过传输线从半导体集成电路发送的多信道脉冲信号;以及驱动器的信息通信端子(210),用于实现与半导体集成电路的信息通信。
有可能在激光二极管驱动器中通过驱动器的输入端子(209)接收通过传输线从半导体集成电路发送的多信道脉冲信号并且通过驱动器的信息通信端子(210)进行与半导体集成电路的信息通信。
[7]在上述[6]中,信道间相移确定电路(306)包括:确定电路(304),用于确定以通过驱动器的输入端子接收的多信道脉冲信号中的参考信道的脉冲信号为参照,不同信道的脉冲信号在相位上是延迟还是提前;以及寄存器(305),用于保持确定电路获得的确定结果。在这一情况下,通过驱动器的信息通信端子向半导体集成电路发送保持于寄存器中的信息。
信道间相移确定电路(306)确定以通过驱动器的输入端子接收的多信道脉冲信号中的参考信道的脉冲信号为参照,不同信道的脉冲信号在相位上是延迟还是提前。利用这一配置,有可能例如与确定输入脉冲信号中的延迟量相较而言简化确定电路的逻辑配置。在减少激光二极管驱动器的部件数目方面具有优势。
[8]在上述[7]中,信道间相移确定电路(306)可以包括能够从通过驱动器的输入端子接收的多信道脉冲信号之中选择参考信道的脉冲信号和不同信道的脉冲信号的选择电路(303)。在这一情况下,确定电路确定在选择电路选择的信道中,不同信道的脉冲信号以参考信道的脉冲信号为参照在相位上是延迟还是提前。
通过包括选择电路(303),有可能从通过驱动器的输入端子接收的多信道脉冲信号之中选择任意信道的脉冲信号。
[9]一种半导体集成电路(24),其并入于包括用于生成向光盘施加的激光的激光二极管(307)和用于驱动激光二极管的激光二极管驱动器(300)的光盘装置(10)中,该半导体集成电路能够控制激光二极管驱动器的操作。半导体集成电路(24)包括:写入策略电路(202),用于控制激光二极管的发射;以及控制单元(143),用于控制写入策略电路的操作。写入策略电路包括:脉冲生成电路(203),能够基于用于向光盘写入的信息来生成多信道脉冲信号;以及信道间延迟调节电路(204),能够调节从脉冲生成电路输出的脉冲信号中的信道间延迟。
控制单元使得脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号并且在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量。控制单元在信道间延迟调节电路中的信道间延迟量每次改变时基于在激光二极管驱动器中获得的信道间相移的确定结果向信道间延迟调节电路设置用于向光盘施加激光的信道间延迟量。
这一半导体集成电路适当并入于上述[1]的光盘装置中。
[10]在上述[9]中,半导体集成电路可以包括:第一端子(206),用于向传输线发送信道间延迟调节电路的输出信号;以及第二端子(207),用于使半导体集成电路能够在信道间延迟调节电路中的信道间延迟量每次改变时接收在激光二极管驱动器中获得的信道间相移的确定结果。
利用上述配置,有可能通过第一端子向传输线发送信道间延迟调节电路的输出信号并且在信道间延迟调节电路中的信道间延迟量每次改变时在半导体集成电路中通过第二端子接收在激光二极管驱动器中获得的信道间相移的确定结果。
[11]在上述[10]中,控制单元(143)具有用于控制用于对从脉冲生成电路输出的脉冲信号中的信道间延迟进行调节的信息收集的第一控制模式和用于基于从脉冲生成电路输出的脉冲信号来控制向光盘施加激光的第二控制模式。控制单元在第二控制模式中确定激光二极管驱动器获得的信息是否存在于半导体集成电路中。如果激光二极管驱动器获得的信息未存在于半导体集成电路中,则控制单元(143)转向第一控制模式,使得脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号并且在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量。这时,控制单元(143)在半导体集成电路中通过第二端子接收在激光二极管驱动器中获得的信道间相移的确定结果。
利用上述配置,激光二极管驱动器获得的信息可以存储于半导体集成电路中的适当存储介质如闪存中。如果激光二极管驱动器获得的信息未存在于闪存中,则控制单元转向第一控制模式,使得脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号并且在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量以由此进行用于信道间延迟调节的信息收集。
[12]在上述[11]中,如果激光二极管驱动器获得的信息存在于半导体集成电路中,则控制单元(143)基于该信息来设置信道间延迟调节电路中的信道间延迟量。
如果激光二极管驱动器获得的信息存储于半导体集成电路中的适当存储介质如闪存中,则控制单元基于该信息来设置信道间延迟调节电路中的信道间延迟量并且可以消除用于信道间延迟调节的信息收集。
[13]在上述[10]中,控制单元(143)确定是否实现用于信道间延迟量调节的条件,并且如果控制单元确定实现用于信道间延迟量调节的条件,则无论激光二极管驱动器获得的信息是否存在于半导体集成电路中,控制单元都使得脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号。控制单元(143)在预定调节单元中改变信道间延迟调节电路中的信道间延迟量并且在半导体集成电路中通过第二端子接收在激光二极管驱动器中获得的信道间相移的确定结果。
例如当光盘装置中的温度达到预定值时实现用于信道间延迟量调节的条件。在光盘装置中的温度可以由在光盘装置中提供的温度感测器来检测。由于在写入策略信号中的信道间定时移位(相移)可能由于与在光盘装置中的升温关联的设备特性改变等而出现,所以检测光盘装置的内部温度何时达到预定值并且执行如上文所述的信道间延迟量调节可以提高光盘装置的可靠性。
[14]一种激光二极管驱动器(300),其并入于包括用于生成向光盘施加的激光的激光二极管(307)和半导体集成电路(24)的光盘装置(10)中,该半导体集成电路包括用于控制激光二极管的发射的写入策略电路和用于控制写入策略电路的操作的控制单元,该激光二极管驱动器在半导体集成电路的控制之下驱动激光二极管。激光二极管驱动器包括:第一端子(209),用于接收通过传输线从半导体集成电路发送的多信道脉冲信号;信道间相移确定电路(306),用于确定通过第一端子接收的多信道脉冲信号中的信道间相移;以及第二端子(210),用于实现向外界输出信道间相移确定电路获得的确定结果。
具有上述配置的激光二极管驱动器(300)适当并入于上述[1]的光盘装置中。
[15]在上述[14]中,信道间相移确定电路(306)包括:确定电路(304),用于确定以通过第一端子接收的多信道脉冲信号中的参考信道的脉冲信号为参照,不同信道的脉冲信号在相位上是延迟还是提前;以及寄存器(305),用于保持确定电路获得的确定结果。在这一情况下,通过第二端子向半导体集成电路发送保持于寄存器中的信息。
信道间相移确定电路(306)确定以通过第一端子接收的多信道脉冲信号中的参考信道的脉冲信号为参照,不同信道的脉冲信号在相位上是延迟还是提前。利用这一配置,有可能例如与确定输入脉冲信号中的延迟量相较而言简化确定电路的逻辑配置。这在减少激光二极管驱动器的部件数目方面具有优势。
[16]在上述[15]中,信道间相移确定电路(306)可以包括能够从通过第一端子接收的多信道脉冲信号之中选择参考信道的脉冲信号和不同信道的脉冲信号的选择电路(306)。在这一情况下,确定电路确定在选择电路选择的信道中,不同信道的脉冲信号以参考信道的脉冲信号为参照在相位上是延迟还是提前。
通过包括选择电路(303),有可能从通过第一端子接收的多信道脉冲信号之中选择任意信道的脉冲信号。
[17]在上述[16]中,激光二极管驱动器可以包括:电流放大器(301),用于放大通过第一端子接收的多信道脉冲信号;以及数模转换器(302),用于对接收的控制信号进行解码并且生成用于控制电流放大器的操作的信号。在这一情况下,第二端子用于发送保持于寄存器中的信息和接收电流放大器控制信号。
由于第二端子用于发送保持于寄存器中的信息和接收电流放大器控制信号,所以有可能抑制激光二极管驱动器的端子数目的增加。
2.实施例的细节
下文将具体描述实施例。
第一实施例
图1示出了根据本发明的光盘装置的总体配置例子。
图1中所示光盘装置10包括用于旋转地驱动可移除光盘11的主轴电机12、光学拾取器13和用于执行信号处理的信号处理大规模半导体集成电路(下文称为“系统LSI”)24。尽管无特别限制,但是系统LSI 24使用已知的半导体集成电路制造技术来形成于单个半导体衬底如单晶硅衬底之上。用于由光盘装置10读取/写入的光盘11包括CD(光盘)、DVD(数字万用盘)和BD(蓝光盘)。主轴电机12的旋转由来自系统LSI 24的电机控制信号控制,由此使光盘11能够按预定速度旋转。光学拾取器13的位置由来自系统LSI 24的位置控制信号控制,由此将光学拾取器13移向光盘11在径向方向上的读取/写入位置。另外,从光学拾取器13的发光单元向光盘11施加的激光由来自系统LSI 24的LVDS信号控制。利用这一控制向光盘11的表面施加用于读取/写入的脉冲激光。从光盘11的表面反射从光学拾取器13施加的激光,并且反射光由光学拾取器13的光接收单元接收。光接收单元将反射光转换成电信号。向系统LSI 24发送电信号并且在读取信号处理系统(未示出)中处理该电信号。系统LSI 24包括微处理器143、RAM(随机存取存储器)142、闪存144、位置控制电路145、信号处理电路146和电机控制电路147。微处理器143为本发明中的控制单元的例子并且控制光盘装置10的整体操作。尽管无特别限制,但是微处理器143根据预定程序进行算术处理并且有时被称为微计算机或者微控制器。使用RAM 142例如作为用于微处理器143的算术处理的工作区。在闪存144中存储由微处理器143执行的程序和用于在微处理器143的算术处理中使用的各种信息。响应于来自微处理器143的位置控制指令,位置控制电路145输出位置控制信号从而将光学拾取器13移向预定写入位置或者预定读取位置。向光学拾取器13供应位置控制信号。信号处理电路146生成用于控制光学拾取器13中的激光二极管的发射的脉冲信号。有可能将DSP应用于信号处理电路146。信号处理电路146生成的脉冲信号为比如图3中所示4信道LVDS信号,但是并不特别限于此,而且通过传输线发送到光学拾取器13。响应于来自微处理器143的电机控制指令,电机控制电路147向主轴电机12输出电机控制信号以便按微处理器143指定的速度旋转光盘11。
图2示出了图1中所示光盘装置10中的主要部分的具体配置的例子。
信号处理电路146包括编码器201和写入策略电路202。编码器201在微处理器143的控制之下生成与当前装配于光盘装置中的盘类型(CD、DVD、BD等)对应的写入NRZI信号并且生成调节NRZI信号。在向光盘写入信息的情况下生成写入NRZI信号,并且在执行后文描述的信道间延迟调节的情况下生成调节NRZI信号。写入策略电路202包括写入脉冲生成电路203和设置于后续级中的信道间延迟调节电路204。写入脉冲生成电路203基于从编码器201发送的NRZI信号来生成4信道脉冲信号(LVDS信号)。在向写入脉冲生成电路203输入与盘类型对应的写入NRZI信号的情况下,写入脉冲生成电路203在向光盘11写入信息的情况下例如如图3中所示根据盘类型来生成与预先设置的功率电平对应的LVDS信号。另一方面,在向写入脉冲生成电路203输入调节NRZI信号的情况下,写入脉冲生成电路203生成独立于功率电平的矩形脉冲信号。响应于调节NRZI信号来生成矩形脉冲信号的原因在于如后文将描述的那样精确地确定信道间延迟的延迟/超前。信道间延迟调节电路204包括能够个别设置与从写入脉冲生成电路203输出的4信道脉冲信号(LVDS信号)对应的预定延迟量的延迟电路。通过向信道间延迟调节电路204设置延迟量,有可能执行对从写入脉冲生成电路203输出的4信道脉冲信号(LVDS信号)的信道间延迟调节。向信道间延迟调节电路204设置延迟量可以由微处理器143进行。系统LSI 24具有与写入策略电路202的输出信号对应的多个端子206,并且可以通过端子206向外界输出4信道脉冲信号(LVDS信号)。另外,系统LSI 24具有用于与在光学拾取器13中包括的激光二极管驱动器300进行信息通信的端子207。端子207耦合到微处理器143。
光学拾取器13包括用于生成向光盘(未示出)施加的激光的激光二极管(LD)307和用于驱动激光二极管307的激光二极管驱动器(LDD)300。激光二极管驱动器300使用已知的半导体集成电路制造技术来形成于单个半导体衬底如单晶硅衬底之上。尽管无特别限制,但是激光二极管驱动器300包括电流放大器301、数模转换器(DAC)302和信道间相移确定电路306。信道间相移确定电路306具有在微处理器143的控制之下确定输入脉冲信号中的信道间相移的功能,并且包括信道选择电路303、延迟/提前确定电路304和确定结果保持寄存器305。另外,激光二极管驱动器300具有用于接收从写入策略电路202输出的4信道脉冲信号的多个端子209和用于与系统LSI 24进行信息通信的端子210。尽管无特别限制,但是端子209例如通过柔性线缆208耦合到系统LSI 24中的端子206,该柔性线缆形成用于发送4信道脉冲信号的传输线。电流放大器301对通过端子209接收的4信道脉冲信号(LVDS信号)进行组合和电流放大,由此生成用于驱动激光二极管307的信号(见图3中的LDD输出波形)。另外,端子210通过信息通信接口线缆308耦合到系统LSI 24中的端子207。信道选择电路303和延迟/提前确定电路304可以通过信息通信接口线缆308由微处理器143操作。激光二极管驱动器300可以通过信息通信接口线缆308接收从微处理器143发送的控制信号。控制信号包含用于控制电流放大器301的操作的信号,并且数模转换器302将这一信号转换成向电流放大器301供应的模拟信号。用于控制电流放大器301的操作的信号包含用于控制电流放大器301的电流放大因子的信号。信道选择电路303从在写入脉冲生成电路203中基于调节NRZI信号而生成的4信道脉冲信号(LVDS信号)之中选择参考信道的信号和不同信道的信号。向后续级中的延迟/提前确定电路304发送所选2信道信号。延迟/提前确定电路304确定以信道选择电路303选择的2信道信号中的一个信号为参照,另一信号是延迟还是提前。在调节模式中每当在预定调节单元中改变系统LSI 24中的信道间延迟调节电路204中的延迟量时进行这样的确定。延迟/提前确定电路304的确定结果保持于确定结果保持寄存器305中。保持于确定结果保持寄存器305中的信息可以通过信息通信接口线缆308由微处理器143读取。
另外由于各信道的写入策略信号具有不同的最佳发射功率,所以可以采用如下配置,在该配置中为各信道提供数模转换器和电流放大器并且可以针对各信道调节电流放大器的电流量。
接着将描述上述配置的操作。
图4示出了写入策略信号的信道间延迟调节流程。信道间延迟调节由微处理器143控制。微处理器143的信道间延迟调节控制被称为“第一控制模式”。
通过微处理器143的控制来进行各单元的各种初始设置(401)。然后通过微处理器143的控制从写入策略信号的多个信道之中选择用于调节的两个信道(402)。在信道选择时,选择参考信道和比较信道。在这一例子中,参考信道总是相同的信道。例如假设为方便起见写入策略信号的四个信道由W1、W2、W3和W4代表。在这一情况下,W1为参考信道,并且依次选择其它信道W2、W3和W4供比较。当在步骤402选择信道时,编码器201在微处理器403的控制之下生成用于与之对应的信道间延迟调节的调节NRZI信号(403)。当向写入脉冲生成电路203输入调节NRZI信号时,写入脉冲生成电路203可以生成用于与在步骤402中选择的信道对应的信道间延迟调节的矩形波信号。另外,信道选择电路303在微处理器143的控制之下选择与在步骤402中选择的两个信道对应的信道。
然后在微处理器143的控制之下在信道间延迟调节电路204中为对应信道初始设置延迟量(404)。在这一初始设置中,按照比较信道的脉冲信号以参考信道的脉冲信号为参照而在相位上从负相位改变成正相位这样的方式来为对应信道设置延迟量。
图6示出了来自写入策略电路202的输出波形的例子。
在图6中所示例子中,601表示初始设置,并且延迟量为-(2/n)T,但是并不特别限于此。在初始设置中,比较脉冲信号在相位上从参考信道的脉冲信号(称为“参考信号”)提前(2/n)T。通过柔性线缆208向激光二极管驱动器300发送这一信号。在激光二极管驱动器300中,信道选择电路303选择与在步骤402中的信道选择对应的信道,并且延迟/提前确定电路304确定比较脉冲信号的上升相位从参考信号的上升相位是延迟还是提前(405)。
图7示出了在通过线缆208向激光二极管驱动器300发送图6中所示波形的情况下向延迟/提前确定电路304的输入波形的例子。在图7中所示例子中,701表示步骤405中的比较脉冲信号,并且这一脉冲信号的上升相位从参考信号的上升相位提前。因而延迟/提前确定电路304的确定结果为“提前”,并且向确定结果保持寄存器305写入与确定结果对应的逻辑值。例如,如果相位提前则写入逻辑值“1”,而如果相位延迟则写入逻辑值“0”。微处理器143可以通过读取确定结果保持寄存器305中的逻辑值来识别延迟/提前确定电路304的确定结果。另外,微处理器143确定延迟/提前确定电路304的确定结果是否为“延迟”(406)。在这一确定中,如果微处理器143确定延迟/提前确定电路304的确定结果并非“延迟”(否),则微处理器143向信道间延迟调节电路204中的当前信道间延迟量-(2/n)T添加1/n(410)。因而,在信道间延迟调节电路204中的信道间延迟量如图6中的602所示从-(2/n)T改变成-(1/n)T。在改变延迟量之后,延迟/提前确定电路304再次确定比较脉冲信号的相位从参考信号的相位是延迟还是提前(405)。另外,微处理器143再次确定延迟/提前确定电路304的比较结果是否为“延迟”(406)。在信道间延迟调节电路204中的信道间延迟量如图6中的602所示改变成-(1/n)T的情况下,延迟/提前确定电路304确定如图7中的702所示比较脉冲信号的上升相位从参考信号的上升相位延迟(405),并且向确定结果保持寄存器305写入与确定结果对应的逻辑值。因而在步骤406中,微处理器143确定延迟/提前确定电路304的确定结果为“延迟”(是)。如从上述确定结果所见,以参考信道为参照在比较信道中出现延迟,并且延迟量落在(2/n)T至(1/n)T的范围内。因此通过在比较信道中有意生成延迟量“-(2/n)T”或者“-(1/n)T”,有可能减少信道间相移。在这一情况下采用延迟量“-(2/n)T”还是“-(1/n)T”,信道间延迟量都落在写入脉冲生成电路203的解析度(1/n)T以下,这产生大的调节效果。在这一例子中,微处理器143向闪存144中的预定的写入区域写入在该信道中的延迟调节量“-(1/nT)”(407)。然后,微处理器143确定是否已经完成所有的信道调节(408)。在这一确定中,如果微处理器143确定尚未完成所有信道调节(否),则流程返回到步骤402并且调节另一信道中的信道间延迟量。当已经完成所有信道调节时,流程结束。
在步骤406中,如果确定延迟/提前确定电路304的确定结果并非“延迟”(否),则再次向信道间延迟量添加+1/n并且再次进行步骤405和406中的确定。因此重复步骤410中的处理直至在步骤406中确定延迟/提前确定电路304的确定结果为“延迟”(是)、由此如图6中的603、604和605所示改变信道间延迟调节电路204中的信道间延迟量。在如图6中的603、604和605所示改变信道间延迟调节电路204中的信道间延迟量的情况下,延迟/提前确定电路304的所有确定结果如图7中的703、704和705所示为“延迟”。这里的重点在于延迟/提前确定电路304的确定结果如图7中的701和702所示从“提前”改变成“延迟”并且仅需识别这一改变,从而无需其它确定(703,704,705)。
根据专利文献1中描述的技术,由于用于在调节时使用的脉冲由在DSP中包括的定时移位检测信号生成电路生成并且通过切换信号传输路径向激光二极管驱动器发送定时移位检测信号生成电路的输出,所以在调节时和在实际写入时使用不同信号路径。另一方面,在上述第一控制模式中,通过使用与用于在实际写入时从写入脉冲生成电路203向激光二极管驱动器300发送4信道脉冲信号(LVDS信号)的信号路径相同的信号路径来收集用于信道间延迟调节的信息,这可以提高写入策略信号中的信道间相移的调节精确度。
图5示出了使用通过图4中所示信道间延迟调节而获得的调节结果的写入发射控制流程。写入发射控制由微处理器143执行。微处理器143的写入发射控制被称为“第二控制模式”。
首先,微处理器143访问闪存144并且确定是否存在在第一控制模式中获得的信息(信道间延迟量调节结果)(501,502)。在这一确定中,如果确定存在在第一控制模式中获得的信息(信道间延迟量调节结果)(是),则向信道间延迟调节电路204设置该信息(503)。在存在三个或者更多信道的写入策略信号的情况下,向除了参考信道之外的所有信道或者一些信道设置相应最佳延迟量。然后,微处理器143进行各单元的各种初始设置(504)。当向写入脉冲生成电路203输入与写入数据对应的NRZI信号时,写入脉冲生成电路203生成与NRZI信号对应的LVDS信号(4信道脉冲信号)。通过柔性线缆208向激光二极管驱动器300发送LVDS信号,这些LVDS信号的各信道具有信道间延迟调节电路204中的相应适当延迟。向激光二极管驱动器300发送的LVDS信号(4信道脉冲信号)已经在信道间延迟调节电路204中经历与系统的传输线(从写入脉冲生成电路203到激光二极管驱动器300的信号路径)对应的信道间延迟调节。这使得有可能将信道间相移控制为小于写入脉冲生成电路203的解析度(1/n)T,因此实现LVDS信号的高精确度传输。因而激光二极管驱动器300驱动可以生成能够进行高质量写入的激光的激光二极管307(505)。在步骤502中,如果确定不存在在第一控制模式中获得的信息(信道间延迟量调节结果)(否),则进行图4中所示信道间延迟调节(506),并且然后微处理器143再次访间闪存144并且确定是否存在在第一控制模式中获得的信息(信道间延迟量调节结果)(501,502)。
可以在制造光盘装置10的过程中,紧接在光盘装置10的用户向光盘11写入信息之前或者期间或者在通电时,执行向信道间延迟调节电路204设置延迟量。另外对调节频率无限制。
图8示出了紧接在开始写入之前或者在写入中间向信道间延迟调节电路204设置延迟量的情况下的处理流程。
在这一例子中,微处理器143确定是在光盘装置10的用户开始向光盘11写入信息时还是其间实现用于信道间延迟量调节的条件(801)。例如当光盘装置10中的温度达到预定值时实现用于信道间延迟量调节的条件。光盘装置10中的温度可以由在光盘装置10中提供的温度感测器来检测。在步骤801中,如果确定实现用于信道间延迟量调节的条件(是),则无论信道间延迟量调节结果是否存在于闪存144中都如图4中那样进行信道间延迟量调节(802)。另外如图5中那样向信道间延迟调节电路204设置最佳延迟量(804),从而生成能够进行高质量写入的激光(805)。在步骤801中,如果确定未实现用于信道间延迟量调节的条件(否),则微处理器143访问闪存144并且确定是否存在在第一控制模式中获得的信息(信道间延迟量调节结果)(806)。在这一确定中,如果确定存在在第一控制模式中获得的信息(信道间延迟量调节结果)(是),则从闪存144读取信息(807)并且向信道间延迟调节电路204设置信息(803)。
由于在写入策略信号中的信道间定时移位(相移)可能由于与在光盘装置10中的升温相关联的设备特性改变等而出现,所以检测光盘装置10的内部温度何时达到预定值并且执行如上文所述的信道间延迟量调节可以提高光盘装置10的可靠性。
下文为在步骤801中如果确定实现用于信道间延迟量调节的条件(是)则无论信道间延迟量调节结果是否于闪存144中都执行信道间延迟量调节(802)的原因。
例如当在写入策略信号中的信道间定时移位(相移)由于与在光盘装置10中的升温相关联的设备特性改变等而出现时,即使使用在光盘装置10中的升温之前收集的信道间延迟量调节信息向信道间延迟调节电路204设置延迟量,仍然不能预计适当的信道间延迟调节。出于这一原因,当在写入策略信号中的信道间定时移位(相移)由于与在光盘装置10中的升温相关联的设备特性改变等而出现时,无论信道间延迟量调节结果是否存在于闪存144中,都进行信道间延迟量调节(802),并且收集新的信道间延迟量调节信息。因此有可能适当纠正写入策略信号中的由在光盘装置10中的升温引起的信道间定时移位(相移)。
第二实施例
在第一实施例中,在写入策略信号的上升沿调节信道间延迟量;然而可以在写入策略信号的上升沿和下降沿对其进行调节。光盘装置10的配置和调节流程与第一实施例中相同。然而延迟/提前确定电路304在脉冲信号波形的上升沿和下降沿进行相位比较。图9示出了其中比较信号在上升沿和下降沿处在相位上从参考信号提前的例子。认为上升沿和下降沿中的任一个足以用于相位比较,因为即使在传输线中出现延迟时,信号为高的持续时间(脉冲保持(duty))内也很少有改变。然而随着写入时钟信号的频率更高,可能有必要调节脉冲保持的信道间移位。在这一情况下,为脉冲信号波形的上升沿和下降沿两者设置最佳信道间延迟量以便实际上写入信息、由此使得有可能减少脉冲保持的信道间移位。
另外无需赘言可以按照需要仅在上升沿进行相位比较。
尽管已经基于所示实施例具体描述了本发明人以上创造的本发明,但是本发明并不限于此。无需赘言可以对之进行各种改变和修改而不脱离本发明的精神实质和范围。
例如在第一实施例中,在微处理器143的第一控制模式中,信道间延迟量的改变单位为(1/n)T,但是并不限于此。例如信道间延迟量的改变单位可以为实际时间(ns),这实现以更高的调节精确度来校正信道间延迟量。光盘装置的基本配置和调节流程与第一实施例中相同。
另外,虽然写入脉冲生成电路203在向其输入调节NRZI信号时生成与功率电平独立的矩形脉冲信号,但是写入脉冲生成电路203生成的这样的信号并不限于矩形脉冲信号,只要该信号能实现相位比较即可。
另外,在信道间延迟调节中,可以响应于向激光二极管驱动器300发送的脉冲信号来发射激光二极管307,并且可以通过微处理器143的控制来禁止激光二极管307的发射。
Claims (17)
1.一种光盘装置,包括:
激光二极管,用于生成向光盘施加的激光;
激光二极管驱动器,用于驱动所述激光二极管;以及
半导体集成电路,能够控制所述激光二极管驱动器的操作,
所述激光二极管驱动器通过传输线耦合到所述半导体集成电路,
其中所述半导体集成电路包括:
写入策略电路,用于控制所述激光二极管的发射;以及
控制单元,用于控制所述写入策略电路的操作,
其中所述写入策略电路包括:
脉冲生成电路,能够基于用于向所述光盘写入的信息来生成多信道脉冲信号;以及
信道间延迟调节电路,能够调节从所述脉冲生成电路输出的脉冲信号中的信道间延迟,
其中所述激光二极管驱动器包括:
信道间相移确定电路,用于确定通过所述传输线从所述半导体集成电路发送的所述多信道脉冲信号中的信道间相移,并且
其中所述控制单元使得所述脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号,在预定调节单元中改变所述信道间延迟调节电路中的信道间延迟量,并且在所述信道间延迟调节电路中的所述信道间延迟量每次改变时基于由所述信道间相移确定电路获得的确定结果向所述信道间延迟调节电路设置用于向所述光盘施加激光的所述信道间延迟量。
2.根据权利要求1所述的光盘装置,
其中所述半导体集成电路包括:
所述半导体集成电路的输出端子,用于向所述传输线发送所述信道间延迟调节电路的输出信号;以及
所述半导体集成电路的信息通信端子,用于使所述半导体集成电路能够在所述信道间延迟调节电路中的所述信道间延迟量每次改变时接收所述信道间相移确定电路获得的所述确定结果。
3.根据权利要求2所述的光盘装置,其中所述控制单元具有用于控制用于对从所述脉冲生成电路输出的所述脉冲信号中的信道间延迟进行调节的信息收集的第一控制模式,和用于基于从所述脉冲生成电路输出的所述脉冲信号来控制向所述光盘施加激光的第二控制模式,并且在所述第二控制模式中确定所述信道间相移确定电路获得的所述确定结果是否存在于所述半导体集成电路中,并且如果所述信道间相移确定电路获得的所述确定结果未存在于所述半导体集成电路中,则所述控制单元转向所述第一控制模式,使得所述脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号,在所述预定调节单元中改变所述信道间延迟调节电路中的信道间延迟量,并且在所述半导体集成电路中通过所述半导体集成电路的所述信息通信端子接收所述信道间相移确定电路获得的确定结果。
4.根据权利要求3所述的光盘装置,其中如果所述信道间相移确定电路获得的所述确定结果存在于所述半导体集成电路中,则所述控制单元基于所述确定结果来设置所述信道间延迟调节电路中的所述信道间延迟量。
5.根据权利要求2所述的光盘装置,其中所述控制单元确定是否实现用于信道间延迟量调节的条件,并且如果所述控制单元确定实现用于信道间延迟量调节的所述条件,则无论所述信道间相移确定电路获得的所述确定结果是否存在于所述半导体集成电路中,所述控制单元都使所述脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号,在所述预定调节单元中改变所述信道间延迟调节电路中的信道间延迟量,并且在所述半导体集成电路中通过所述半导体集成电路的所述信息通信端子接收所述信道间相移确定电路获得的确定结果。
6.根据权利要求1所述的光盘装置,
其中所述激光二极管驱动器包括:
所述驱动器的输入端子,用于允许所述激光二极管驱动器接收通过所述传输线从所述半导体集成电路发送的所述多信道脉冲信号;以及
所述驱动器的信息通信端子,用于实现与所述半导体集成电路的信息通信。
7.根据权利要求6所述的光盘装置,
其中所述信道间相移确定电路包括:
确定电路,用于确定以通过所述驱动器的所述输入端子接收的所述多信道脉冲信号中的参考信道的脉冲信号为参照,不同信道的脉冲信号在相位上是延迟还是提前;以及
寄存器,用于保持所述确定电路获得的确定结果,并且
其中通过所述驱动器的所述信息通信端子向所述半导体集成电路发送保持于所述寄存器中的信息。
8.根据权利要求7所述的光盘装置,
其中所述信道间相移确定电路还包括能够从通过所述驱动器的所述输入端子接收的所述多信道脉冲信号之中选择参考信道的脉冲信号和不同信道的脉冲信号的选择电路,并且
其中所述确定电路确定在所述选择电路选择的所述信道中,所述不同信道的所述脉冲信号以所述参考信道的所述脉冲信号为参照在相位上是延迟还是提前。
9.一种半导体集成电路,并入于包括用于生成向光盘施加的激光的激光二极管和用于驱动所述激光二极管的激光二极管驱动器的光盘装置中并且能够控制所述激光二极管驱动器的操作,所述半导体集成电路包括:
写入策略电路,用于控制所述激光二极管的发射;以及
控制单元,用于控制所述写入策略电路的操作,
其中所述写入策略电路包括:
脉冲生成电路,能够基于用于向所述光盘写入的信息来生成多信道脉冲信号;以及
信道间延迟调节电路,能够调节从所述脉冲生成电路输出的脉冲信号中的信道间延迟,并且
其中所述控制单元使所述脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号,在预定调节单元中改变所述信道间延迟调节电路中的信道间延迟量,并且在所述信道间延迟调节电路中的所述信道间延迟量每次改变时基于在所述激光二极管驱动器中获得的信道间相移的确定结果向所述信道间延迟调节电路设置用于向所述光盘施加激光的所述信道间延迟量。
10.根据权利要求9所述的半导体集成电路,还包括:
第一端子,用于向传输线发送所述信道间延迟调节电路的输出信号;以及
第二端子,用于使所述半导体集成电路能够在所述信道间延迟调节电路中的所述信道间延迟量每次改变时接收在所述激光二极管驱动器中获得的所述信道间相移的所述确定结果。
11.根据权利要求10所述的半导体集成电路,
其中所述控制单元具有用于控制用于对从所述脉冲生成电路输出的所述脉冲信号中的信道间延迟进行调节的信息收集的第一控制模式,和用于基于从所述脉冲生成电路输出的所述脉冲信号来控制向所述光盘施加激光的第二控制模式,并且在所述第二控制模式中确定所述激光二极管驱动器获得的信息是否存在于所述半导体集成电路中,并且如果所述激光二极管驱动器获得的所述信息未存在于所述半导体集成电路中,则所述控制单元转向所述第一控制模式,使得所述脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号,在所述预定调节单元中改变所述信道间延迟调节电路中的信道间延迟量,并且在所述半导体集成电路中通过所述第二端子接收在所述激光二极管驱动器中获得的信道间相移的确定结果。
12.根据权利要求11所述的半导体集成电路,其中如果所述激光二极管驱动器获得的所述信息存在于所述半导体集成电路中,则所述控制单元基于所述信息来设置所述信道间延迟调节电路中的所述信道间延迟量。
13.根据权利要求10所述的半导体集成电路,其中所述控制单元确定是否实现用于信道间延迟量调节的条件,并且如果所述控制单元确定实现用于信道间延迟量调节的所述条件,则无论所述激光二极管驱动器获得的所述信息是否存在于所述半导体集成电路中,所述控制单元都使得所述脉冲生成电路生成用于信道间延迟调节的脉冲信号,在所述预定调节单元中改变所述信道间延迟调节电路中的信道间延迟量,并且在所述半导体集成电路中通过所述第二端子接收在所述激光二极管驱动器中获得的信道间相移的确定结果。
14.一种激光二极管驱动器,并入于包括用于生成向光盘施加的激光的激光二极管和半导体集成电路的光盘装置中,所述半导体集成电路包括用于控制所述激光二极管的发射的写入策略电路和用于控制所述写入策略电路的操作的控制单元,所述激光二极管驱动器在所述半导体集成电路的控制之下驱动所述激光二极管,所述激光二极管驱动器包括:
第一端子,用于接收通过传输线从所述半导体集成电路发送的多信道脉冲信号;
信道间相移确定电路,用于确定通过所述第一端子接收的所述多信道脉冲信号中的信道间相移;以及
第二端子,用于实现向外界输出所述信道间相移确定电路获得的确定结果。
15.根据权利要求14所述的激光二极管驱动器,
其中所述信道间相移确定电路包括:
确定电路,用于确定以通过所述第一端子接收的所述多信道脉冲信号中的参考信道的脉冲信号为参照,不同信道的脉冲信号在相位上是延迟还是提前;以及
寄存器,用于保持所述确定电路获得的确定结果,并且
其中通过所述第二端子向所述半导体集成电路发送保持于所述寄存器中的信息。
16.根据权利要求15所述的激光二极管驱动器,
其中所述信道间相移确定电路还包括能够从通过所述第一端子接收的所述多信道脉冲信号之中选择参考信道的脉冲信号和不同信道的脉冲信号的选择电路,并且
其中所述确定电路确定在所述选择电路选择的所述信道中,所述不同信道的所述脉冲信号以所述参考信道的所述脉冲信号为参照在相位上是延迟还是提前。
17.根据权利要求16所述的激光二极管驱动器,还包括:
电流放大器,用于放大通过所述第一端子接收的所述多信道脉冲信号;以及
数模转换器,用于对接收的控制信号进行解码并且生成用于控制所述电流放大器的操作的信号,
其中所述第二端子用于发送保持于所述寄存器中的信息和接收电流放大器控制信号。
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PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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