CN102130655B - 交点下移电路 - Google Patents
交点下移电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102130655B CN102130655B CN 201110112252 CN201110112252A CN102130655B CN 102130655 B CN102130655 B CN 102130655B CN 201110112252 CN201110112252 CN 201110112252 CN 201110112252 A CN201110112252 A CN 201110112252A CN 102130655 B CN102130655 B CN 102130655B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- resistance
- switch element
- links
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 85
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
一种交点下移电路，包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端及一第二输出端、一电流源、一第一电阻、一第二电阻、一第一开关元件、一第二开关元件、一第三开关元件、一第一电容、一第三电阻、一第五开关元件、一第四开关元件、一第二电容、一第四电阻及一第六开关元件，第一开关元件的一端与第一电阻相连，另一端分别与第三开关元件、第一电容、第三电阻、第五开关元件、第六开关元件及第二输出端相连，第二开关元件的一端与第二电阻相连，另一端分别与第四开关元件、第二电容、第四电阻、第六开关元件、第五开关元件及第一输出端相连。本发明结构简单，可以有效抑制噪声。
Description
技术领域
本发明涉及一种交点下移电路，尤指一种结构简单且能够有效抑制噪声的交点下移电路。
背景技术
当驱动大电流转换电路时，需要将输入差分信号的交点下移，以避免大电流转换电路的输出出现过冲现象。
图1为现有的交点下移电路，其实现方式为利用数字单元对输入信号Vin+、Vin-进行上升沿延迟（或下降沿延迟），从而调整差分输出信号的占空比（不等于50%），当驱动负载电容Cd1、Cd2时，可以自由调节Vout+、Vout-的交点电压。该结构的缺点在于，当数字电压上存在干扰时，会直接影响延迟回路的延迟，从而在输出产生较大的噪声，随着工艺尺寸的降低，此影响会越来越严重。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种结构简单且能够有效抑制噪声的交点下移电路。
一种交点下移电路，包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端及一第二输出端，所述第一输入端与所述第二输入端用于接收一对输入的差分电压信号，所述第一输出端与所述第二输出端用于输出一对差分电压信号，所述交点下移电路还包括一电流源、一与所述电流源相连的第一电阻、一与所述电流源相连的第二电阻、一与所述第一输入端相连的第一开关元件、一与所述第二输入端相连的第二开关元件、一与所述第一输入端相连的第三开关元件、一与所述第三开关元件相连的第一电容、一与所述第一电容相连的第三电阻、一与所述第三电阻相连的第五开关元件、一与所述第二输入端相连的第四开关元件、一与所述第四开关元件相连的第二电容、一与所述第二电容相连的第四电阻及一与所述第四电阻相连的第六开关元件，所述第一开关元件的一端与所述第一电阻相连，另一端分别与所述第三开关元件、所述第一电容、所述第三电阻、所述第五开关元件、所述第六开关元件及所述第二输出端相连，所述第二开关元件的一端与所述第二电阻相连，另一端分别与所述第四开关元件、所述第二电容、所述第四电阻、所述第六开关元件、所述第五开关元件及所述第一输出端相连。
相对现有技术，本发明交点下移电路结构简单，可以有效抑制来自电源的干扰，几乎不产生噪声，同时采用差分结构，可以抑制共模噪声。
附图说明
图1为现有的交点下移电路的电路图。
图2为本发明交点下移电路较佳实施方式的电路图。
具体实施方式
请参阅图2，本发明交点下移电路包括一第一输入端Vin+、一第二输入端Vin-、一电流源I、一第一开关元件、一第二开关元件、一第三开关元件、一第四开关元件、一第五开关元件、一第六开关元件、一第一电阻Rs1、一第二电阻Rs2、一第三电阻Rd1、一第四电阻Rd2、一第一电容Cd1、一第二电容Cd2、一第一输出端Vout+及一第二输出端Vout-。
在本实施方式中，该第一开关元件为一第一场效应管Mpa，该第二开关元件为一第二场效应管Mpb，该第三开关元件为一第三场效应管Mn1，该第四开关元件为一第四场效应管Mn2，该第五开关元件为一第五场效应管Mp1，该第六开关元件为一第六场效应管Mp2。该第一场效应管Mpa、该第二场效应管Mpb、该第五场效应管Mp1及该第六场效应管Mp2为P型场效应管（PMOS），该第三场效应管Mn1及该第四场效应管Mn2为N型场效应管（NMOS）。在其他实施方式中，开关元件可根据需要变更为能够实现同样功能的开关元件或电路。该第一电阻Rs1与该第二电阻Rs2分别为第一场效应管Mpa与第二场效应管Mpb的源极负反馈电阻，其特殊作用为消除工艺对小信号增益的影响。该第一电阻Rs1与该第三电阻Rd1的类型相同，且需做到版图匹配；该第二电阻Rs2与该第四电阻Rd2的类型相同，且需做到版图匹配。该第一电容Cd1与该第二电容Cd2为负载电容。该第三场效应管Mn1与该第四场效应管Mn2为加快该第一输出端Vout+及该第二输出端Vout-输出差分信号的下降沿翻转而设定的，该第五场效应管Mp1与该第六场效应管Mp2用于限制该第一输出端Vout+及该第二输出端Vout-输出差分信号的幅度。
该第一输入端Vin+与该第二输入端Vin-用于接收一对输入的差分电压信号，该第一输出端Vout+与该第二输出端Vout-输出一对差分电压信号。
本发明交点下移电路较佳实施方式的具体电路连接关系如下：该第一输入端Vin+与该第一场效应管Mpa的栅极及该第三场效应管Mn1的栅极相连，该第一场效应管Mpa的源级与该第一电阻Rs1的一端相连，该第一场效应管Mpa的漏极与该第三场效应管Mn1的漏极、该第一电容Cd1的一端、该第三电阻Rd1的一端、该第五场效应管Mp1的源级及该第六场效应管Mp2的栅极相连。该第二输入端Vin-与该第二场效应管Mpb的栅极及该第四场效应管Mn2的栅极相连，该第二场效应管Mpb的源级与该第二电阻Rs2的一端相连，该第二场效应管Mpb的漏极与该第四场效应管Mn2的漏极、该第二电容Cd2的一端、该第四电阻Rd2的一端、该第六场效应管Mp2的源级及该第五场效应管Mp1的栅极相连。该第一电阻Rs2与该第二电阻Rs2的另一端通过该电流源I与一电源端VCC相连。该第一场效应管Mn1的源级、该第一电容Cd1的另一端、该第三电阻Rd1的另一端、该第五场效应管Mp1的漏极、该第六场效应管Mp2的漏极、该第四电阻Rd2的另一端、该第二电容Cd2的另一端及该第四场效应管Mn2的源级共同连接一接地端GND。
本发明交点下移电路较佳实施方式的的工作原理如下：该交点下移电路为对称结构，假设该第一电阻Rs1与该第二电阻Rs2的阻值相等，均为Rs，该第三电阻Rd1与该第四电阻Rd2的阻值相等，均为Rd，该第一电容Cd1与该第二电容Cd2的电容值相等，均为Cd，该第一场效应管Mpa与该第二场效应管Mpb的结构相同，该第五场效应管Mp1与该第六场效应管Mp2的结构相同，该第三场效应管Mn1与该第四场效应管Mn2的结构相同。
当该第一输入端Vin+输入的差分电压信号为高电平“1”时，该第二输入端Vin-输入的差分电压信号为低电平“0”时，该第二场效应管Mpb开启，该第四场效应管Mn2关断，电流源I全部通过该第二场效应管Mpb对该第二电容Cd2进行充电，其转换速率为I/Cd；同时该第一场效应管Mpa关断，该第三场效应管Mn1开启，该第一电容Cd1通过该第三电阻Rd1与该第三场效应管Mn1放电，其放电电流为I1=IMn1+IRd1，其中IMn1为该第三场效应管Mn1上流过的电流，IRd1为该第三电阻Rd1上流过的电流，其转换速率为I1/Cd。可见，可以通过调节电流源I与电流I1来调节充放电的转换速率，即调节该第一输出端Vout+与该第二输出端Vout-输出的差分电压信号的上升下降时间，从而调节交点电压。同时为了抑制码间干扰，使用该第五场效应管Mp1与该第六场效应管Mp2来限制瞬态电平，以使得不同频率下该第一输出端Vout+与该第二输出端Vout-输出的差分电压信号达到的高电平保持一致。
本发明交点下移电路结构简单，可以有效抑制来自电源的干扰，几乎不产生噪声，同时采用差分结构，可以抑制共模噪声，具有高的电源抑制比（PSRR）和共模抑制比（CMRR）。
Claims (8)
1.一种交点下移电路，包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端及一第二输出端，所述第一输入端与所述第二输入端用于接收一对输入的差分电压信号，所述第一输出端与所述第二输出端用于输出一对差分电压信号，其特征在于：所述交点下移电路还包括一电流源、一与所述电流源相连的第一电阻、一与所述电流源相连的第二电阻、一与所述第一输入端相连的第一开关元件、一与所述第二输入端相连的第二开关元件、一与所述第一输入端相连的第三开关元件、一与所述第三开关元件相连的第一电容、一与所述第一电容相连的第三电阻、一与所述第三电阻相连的第五开关元件、一与所述第二输入端相连的第四开关元件、一与所述第四开关元件相连的第二电容、一与所述第二电容相连的第四电阻及一与所述第四电阻相连的第六开关元件，所述第一开关元件的一端与所述第一电阻相连，另一端分别与所述第三开关元件、所述第一电容、所述第三电阻、所述第五开关元件、所述第六开关元件及所述第二输出端相连，所述第二开关元件的一端与所述第二电阻相连，另一端分别与所述第四开关元件、所述第二电容、所述第四电阻、所述第六开关元件、所述第五开关元件及所述第一输出端相连。
2.如权利要求1所述的交点下移电路，其特征在于：所述第一开关元件为一第一场效应管，所述第二开关元件为一第二场效应管，所述第三开关元件为一第三场效应管，所述第四开关元件为一第四场效应管，所述第五开关元件为一第五场效应管，所述第六开关元件为一第六场效应管，所述第一电阻与所述第二电阻分别为所述第一场效应管与所述第二场效应管的源极负反馈电阻。
3.如权利要求2所述的交点下移电路，其特征在于：所述第一输入端与所述第一场效应管的栅极及所述第三场效应管的栅极相连，所述第一场效应管的源级与所述第一电阻的一端相连，所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的漏极、所述第一电容的一端、所述第三电阻的一端、所述第五场效应管的源级及所述第六场效应管的栅极相连。
4.如权利要求3所述的交点下移电路，其特征在于：所述第二输入端与所述第二场效应管的栅极及所述第四场效应管的栅极相连，所述第二场效应管的源级与所述第二电阻的一端相连，所述第二场效应管的漏极与所述第四场效应管的漏极、所述第二电容的一端、所述第四电阻的一端、所述第六场效应管的源级及所述第五场效应管的栅极相连。
5.如权利要求4所述的交点下移电路，其特征在于：所述第一电阻的另一端通过所述电流源与一电源端相连，且所述第二电阻的另一端通过所述电流源与一电源端相连，所述第一场效应管的源级、所述第一电容的另一端、所述第三电阻的另一端、所述第五场效应管的漏极、所述第六场效应管的漏极、所述第四电阻的另一端、所述第二电容的另一端及所述第四场效应管的源级共同连接一接地端。
6.如权利要求5所述的交点下移电路，其特征在于：所述交点下移电路为对称结构，所述第一场效应管与所述第二场效应管的结构相同，所述第五场效应管与所述第六场效应管的结构相同，所述第三场效应管与所述第四场效应管的结构相同。
7.如权利要求1所述的交点下移电路，其特征在于：所述第一电阻与所述第四电阻匹配，所述第二电阻与所述第三电阻匹配，所述第一电容与所述第二电容为负载电容。
8.如权利要求7所述的交点下移电路，其特征在于：所述第一电阻与所述第二电阻的阻值相等，所述第三电阻与所述第四电阻的阻值相等，所述第一电容与所述第二电容的电容值相等。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110112252 CN102130655B (zh) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | 交点下移电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110112252 CN102130655B (zh) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | 交点下移电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102130655A CN102130655A (zh) | 2011-07-20 |
| CN102130655B true CN102130655B (zh) | 2013-10-02 |
Family
ID=44268567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110112252 Expired - Fee Related CN102130655B (zh) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | 交点下移电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102130655B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101110575A (zh) * | 2007-07-03 | 2008-01-23 | 华为技术有限公司 | 输出级电路、功率放大电路及电信号的处理方法 |
| CN201590808U (zh) * | 2009-12-31 | 2010-09-22 | 成都成电硅海科技股份有限公司 | 推挽放大器的电平转换电路 |
| CN201966873U (zh) * | 2011-05-03 | 2011-09-07 | 四川和芯微电子股份有限公司 | 交点下移电路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2818762B1 (fr) * | 2000-12-22 | 2003-04-04 | St Microelectronics Sa | Regulateur de tension a gain statique en boucle ouverte reduit |
-
2011
- 2011-05-03 CN CN 201110112252 patent/CN102130655B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101110575A (zh) * | 2007-07-03 | 2008-01-23 | 华为技术有限公司 | 输出级电路、功率放大电路及电信号的处理方法 |
| CN201590808U (zh) * | 2009-12-31 | 2010-09-22 | 成都成电硅海科技股份有限公司 | 推挽放大器的电平转换电路 |
| CN201966873U (zh) * | 2011-05-03 | 2011-09-07 | 四川和芯微电子股份有限公司 | 交点下移电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102130655A (zh) | 2011-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8648623B2 (en) | High side current sense amplifier | |
| WO2006117860A1 (ja) | 差動駆動回路およびそれを内蔵する電子機器 | |
| US7474154B1 (en) | Bias device clamping circuit for fast over-range recovery | |
| CN101839941B (zh) | 信号感测放大器 | |
| CN105141270A (zh) | 具有高速共模反馈的差分放大器 | |
| CN104426523A (zh) | 具有减小的抖动的波形转换电路 | |
| CN106505961B (zh) | 快速响应的自动增益控制电路 | |
| CN106230432B (zh) | 一种具有低功耗超宽带宽的高速信号电平转换电路 | |
| CN102769447A (zh) | 全差分高速低功耗比较器 | |
| CN103873032A (zh) | 轨对轨输入迟滞比较器 | |
| CN102315852B (zh) | 并串数据转换电路及并串数据转换系统 | |
| Centurelli et al. | A new class-AB flipped voltage follower using a common-gate auxiliary amplifier | |
| CN107171650B (zh) | 可变增益放大电路 | |
| US10153742B2 (en) | Active RC filters | |
| CN201966873U (zh) | 交点下移电路 | |
| US9755588B2 (en) | Signal output circuit | |
| CN103888093A (zh) | 差分信号的共模电平重置电路 | |
| KR20180071988A (ko) | 완전 평형 차동 레일-투-레일 2세대 전류 컨베이어 | |
| CN102130655B (zh) | 交点下移电路 | |
| US8890623B2 (en) | System and method for reducing stress in a cascode common-source amplifier | |
| Zhang et al. | A high-slew rate rail-to-rail operational amplifier by flipped voltage followers | |
| CN102624362A (zh) | 全差分高速低功耗比较器 | |
| CN108494377B (zh) | 运算放大器电路 | |
| CN105991101B (zh) | 一种电源自适应运算放大器 | |
| CN105468081A (zh) | 带低压检测的稳压电路及其稳压方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 610041 Sichuan city of Chengdu province high tech Zone Kyrgyzstan Road 33 block A No. 9 Patentee after: IPGoal Microelectronics (Sichuan) Co., Ltd. Address before: 402 room 7, building 610041, incubator Park, hi tech Zone, Sichuan, Chengdu Patentee before: IPGoal Microelectronics (Sichuan) Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201203 Address after: Room 705, building 2, No. 515, No. 2 street, Baiyang street, Qiantang New District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee after: Zhejiang zhexin Technology Development Co., Ltd Address before: 610041 Sichuan city of Chengdu province high tech Zone Kyrgyzstan Road 33 block A No. 9 Patentee before: IPGoal Microelectronics (Sichuan) Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210421 Address after: 835221 Electronic Information Industrial Park, Horgos Industrial Park, Yili Kazak Autonomous Prefecture, Xinjiang Uygur Autonomous Region (West of Beijing Road and north of Suzhou Road) Patentee after: Xinjiang xintuan Technology Group Co.,Ltd. Address before: Room 705, building 2, No. 515, No. 2 street, Baiyang street, Qiantang New District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee before: Zhejiang zhexin Technology Development Co., Ltd |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131002 Termination date: 20210503 |