CN102129020A - 一种老化测试装置 - Google Patents
一种老化测试装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102129020A CN102129020A CN 201010022982 CN201010022982A CN102129020A CN 102129020 A CN102129020 A CN 102129020A CN 201010022982 CN201010022982 CN 201010022982 CN 201010022982 A CN201010022982 A CN 201010022982A CN 102129020 A CN102129020 A CN 102129020A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- tested semiconductor
- semiconductor devices
- carrier plate
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明提供一种老化测试装置，包括：测试腔，用于为被测半导体器件提供特定的测试环境；测试载板，用于放置被测半导体器件并与被测半导体器件实现电性连接，所述测试载板上具有与所述被测半导体器件上的管脚相对应的焊接点，所述测试载板的一侧具有金属接口；控制电路，用于向被测半导体器件提供测试信号；连接部件，与所述控制电路连接，所述连接部件设置于所述测试腔外；所述测试腔的一侧侧壁具有开口，所述测试载板放置于所述测试腔内，所述测试载板的金属接口穿过所述开口与所述连接部件连接。本发明可极大的延长老化测试装置中连接部件的使用寿命，降低他们发生故障、损坏的风险，同时可提高老化测试的效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体测试分析领域，特别涉及一种老化测试装置。
背景技术
随着半导体芯片集成度的提高，芯片中所包含的单个晶体管的尺寸也越来越小。因此，当外部的高电平电压加载于晶体管上时更易引起晶体管的故障。为了确保芯片的可靠性，需要在一开始就检测出芯片中有缺陷的单元，老化测试即为达到这一目的测试工艺。老化测试通常是在一定的环境条件下，如在高温，或在一定湿度的条件下，在芯片上施加高电压，使芯片承受高于正常使用环境的负荷，以便检测出芯片中的缺陷。
现有技术的老化测试装置中，用于将测试载板与控制电路连接的连接部件通常设置于测试腔内或集成于测试腔的一侧侧壁上，测试载板置于测试腔内并插接于连接部件一端的插接口上，连接部件的另一端连接于位于测试腔之外的控制电路上。被测半导体器件与测试载板电性连接，测试信号由控制电路发出，经由连接部件和测试载板最终作用于被测半导体器件上，实现对被测半导体器件的电性测试。与此同时，测试腔还为被测半导体器件提供一定的温度、湿度等测试环境，以测试被测半导体器件在特定环境条件下，特别是极端条件下是否会暴露出其缺陷。但这样的结构产生的问题便是连接部件在测试腔中同样需要经受极端的环境条件，而连接部件通常相较于其他部件更为脆弱，当其经受高温环境时极易损坏。在实践操作中，当测试腔内的温度为85℃时，连接部件通常能够使用4年时间，而当测试腔内的温度为200℃以上时，连接部件通常只能够使用几个月时间就损坏了。连接部件一旦损坏，可能导致电性测试的部件短路，影响测试结果的准确性，工作人员要确定问题的症结所在也比较困难，同时更换连接部件的工作也比较复杂且成本较高。因此，现有技术的老化测试装置通常只能允许将测试腔内的温度设定在150℃以下进行老化测试。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种老化测试装置，以解决现有技术的老化测试装置中用于将测试载板与控制电路连接的连接部件在老化测试中容易受到测试条件的影响而损坏的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种老化测试装置，包括：测试腔，用于为被测半导体器件提供特定的测试环境；测试载板，用于放置被测半导体器件并与被测半导体器件实现电性连接，所述测试载板上具有与所述被测半导体器件上的管脚相对应的焊接点，所述测试载板的一侧具有金属接口；控制电路，用于向被测半导体器件提供测试信号；连接部件，与所述控制电路连接，所述连接部件设置于所述测试腔外；所述测试腔的一侧侧壁具有开口，所述测试载板放置于所述测试腔内，所述测试载板的金属接口穿过所述开口与所述连接部件连接。
可选的，还包括具有密封功能的遮挡条，所述遮挡条设置于所述测试腔上设置开口的侧壁的外侧，分别固定于所述开口的两侧，用于遮挡所述测试载板的金属接口穿过所述开口后空余出的开口间隙。
可选的，所述遮挡条的材质为耐高温塑料。
可选的，所述金属接口为一个。
可选的，所述金属接口为多个。
可选的，所述开口为可同时通过所述多个金属接口的大开口。
可选的，所述开口为多个相互独立的开口，所述开口的数量和位置与所述多个金属接口相对应。
可选的，所述测试载板上具有一个或多个测试单元，每一个所述测试单元对应放置一个被测半导体器件，每一个所述测试单元上具有与放置其上的被测半导体器件的管脚相对应的焊接点。
本发明的老化测试装置将连接部件设置于测试腔外，可实现测试腔内温度为150℃以上的老化测试，使得老化测试装置中比较脆弱的部件如连接部件，不会因受到测试腔内的极高温度的影响而发生短路或损坏，从而可极大的延长老化测试装置中各部件的使用寿命，降低他们发生故障、损坏的风险。同时在本发明的老化测试装置可提供的更高的温度环境下，可更加快速的完成对被测器件的老化测试，提高老化测试的效率。在现有的老化测试装置的基础上，本发明的老化测试装置所作改进无需使用特殊的昂贵的材料，所消耗的成本很低，但却克服了现有技术的瓶颈，取得了很好的有益效果。
附图说明
图1为采用本发明的老化测试装置剖面结构示意图；
图2为本发明的老化测试装置的水平剖面结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
本发明所述的老化测试装置可利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本发明的保护范围内。
其次，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时，为了便于说明，示意图不依一般比例局部放大，不应以此作为对本发明的限定。
请同时参看图1和图2，图1为本发明的老化测试装置垂直剖面结构示意图，图2为本发明的老化测试装置的水平剖面结构示意图。如图1和图2所示，本发明的老化测试装置包括：
测试腔101，用于为被测半导体器件提供特定的测试环境；
测试载板102，用于放置被测半导体器件并与被测半导体器件实现电性连接；
控制电路104，用于向被测半导体器件提供测试信号；
连接部件103，用于实现所述测试载板102与所述控制电路104间的电性连接。
所述连接部件104设置于所述测试腔101外；所述测试载板102上具有与所述被测半导体器件上的管脚相对应的焊接点，所述测试载板102的一侧具有金属接口105，用于与所述连接部件103进行电性连接；所述测试腔101的一侧侧壁具有开口106，所述测试载板102放置于所述测试腔101内，所述测试载板102的金属接口105穿过所述开口106与所述连接部件103连接，所述连接部件103同时与所述控制电路104连接。所述测试载板102上的金属接口105可以为一个或多个，与之相对应，所述测试腔101侧壁上的所述开口106可以为可同时通过所述多个金属接口105的大开口，也可以为多个相互独立的开口，所述开口106的数量和位置与所属金属接口105相对应。
本发明的老化测试装置在测试时，将被测半导体器件放置于所述测试载板102上，使所述半导体器件上的管脚与所述测试载板102上相对应的焊接点对接。作为一种实施例，所述测试载板102上具有一个或多个测试单元107，每一个所述测试单元107对应放置一个被测半导体器件，每一个所述测试单元107上具有与放置其上的被测半导体器件的管脚相对应的焊接点。测试时，将被测半导体器件放入所述测试单元107中，使所述被测半导体器件上的管脚与所述测试单元107上相对应的焊接点对接。控制电路104发出测试信号，通过所述连接部件104和所述测试载板102将所述测试信号施加至被测半导体器件上，实现对被测半导体器件的电性测试。与此同时，测试腔还为被测半导体器件提供一定的温度、湿度等测试环境，以测试被测半导体器件在特定环境条件下，特别是极端条件下是否会暴露出其缺陷。
为防止使用时，所述测试腔101内的高温或高湿环境通过其所述侧壁的开口106传递至所述连接部件103，造成所述连接部件103损坏，还可进一步的在所述测试腔101上设置开口106的侧壁外侧，所述开口106的两侧分别固定具有密封功能的遮挡条108，通过所述遮挡条108遮挡所述测试载板102的金属接口105穿过所述开口106后空余出的开口间隙，使得所述测试腔101内的高温或高湿环境仅仅密闭于所述测试腔101内。作为一种实施例，所述遮挡条的材质可以为耐高温塑料。
本发明的老化测试装置将连接部件设置于测试腔外，可实现测试腔内温度为150℃以上的老化测试，使得老化测试装置中比较脆弱的部件如连接部件，不会因受到测试腔内的极高温度的影响而发生短路或损坏，从而可极大的延长老化测试装置中各部件的使用寿命，降低他们发生故障、损坏的风险。同时在本发明的老化测试装置可提供的更高的温度环境下，可更加快速的完成对被测器件的老化测试，提高老化测试的效率。在现有的老化测试装置的基础上，本发明的老化测试装置所作改进无需使用特殊的昂贵的材料，所消耗的成本很低，但却克服了现有技术的瓶颈，取得了很好的有益效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种老化测试装置，包括：测试腔，用于为被测半导体器件提供特定的测试环境；测试载板，用于放置被测半导体器件并与被测半导体器件实现电性连接，所述测试载板上具有与所述被测半导体器件上的管脚相对应的焊接点，所述测试载板的一侧具有金属接口；控制电路，用于向被测半导体器件提供测试信号；连接部件，与所述控制电路连接，其特征在于，所述连接部件设置于所述测试腔外；所述测试腔的一侧侧壁具有开口，所述测试载板放置于所述测试腔内，所述测试载板的金属接口穿过所述开口与所述连接部件连接。
2.如权利要求1所述的老化测试装置，其特征在于，还包括具有密封功能的遮挡条，所述遮挡条设置于所述测试腔上设置开口的侧壁的外侧，分别固定于所述开口的两侧，用于遮挡所述测试载板的金属接口穿过所述开口后空余出的开口间隙。
3.如权利要求2所述的老化测试装置，其特征在于，所述遮挡条的材质为耐高温塑料。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的老化测试装置，其特征在于，所述金属接口为一个。
5.如权利要求1至3中任一权利要求所述的老化测试装置，其特征在于，所述金属接口为多个。
6.如权利要求5所述的老化测试装置，其特征在于，所述开口为可同时通过所述多个金属接口的大开口。
7.如权利要求5所述的老化测试装置，其特征在于，所述开口为多个相互独立的开口，所述开口的数量和位置与所述多个金属接口相对应。
8.如权利要求1至3中任一权利要求所述的老化测试装置，其特征在于，所述测试载板上具有一个或多个测试单元，每一个所述测试单元对应放置一个被测半导体器件，每一个所述测试单元上具有与放置其上的被测半导体器件的管脚相对应的焊接点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010022982 CN102129020A (zh) | 2010-01-19 | 2010-01-19 | 一种老化测试装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010022982 CN102129020A (zh) | 2010-01-19 | 2010-01-19 | 一种老化测试装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102129020A true CN102129020A (zh) | 2011-07-20 |
Family
ID=44267178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010022982 Pending CN102129020A (zh) | 2010-01-19 | 2010-01-19 | 一种老化测试装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102129020A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102520280A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-06-27 | 台晶(宁波)电子有限公司 | 多温度点同步动态高温加速老化测试设备 |
| CN103513163A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 水汽检测器件及水汽检测方法 |
| CN105899942A (zh) * | 2014-01-23 | 2016-08-24 | 沙特基础工业全球技术公司 | 用于热塑性塑料加速老化的方法 |
| CN106405274A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-02-15 | 深圳振华富电子有限公司 | 电子元件老化测试装置 |
| CN109283449A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-29 | 武汉精鸿电子技术有限公司 | 一种支持半导体器件高温老化测试的装置 |
| CN114076859A (zh) * | 2020-08-18 | 2022-02-22 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种针对宇航用核心元器件的全温老炼测试系统及其方法 |
-
2010
- 2010-01-19 CN CN 201010022982 patent/CN102129020A/zh active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102520280A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-06-27 | 台晶(宁波)电子有限公司 | 多温度点同步动态高温加速老化测试设备 |
| CN103513163A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 水汽检测器件及水汽检测方法 |
| CN103513163B (zh) * | 2012-06-20 | 2016-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 水汽检测器件及水汽检测方法 |
| CN105899942A (zh) * | 2014-01-23 | 2016-08-24 | 沙特基础工业全球技术公司 | 用于热塑性塑料加速老化的方法 |
| CN105899942B (zh) * | 2014-01-23 | 2019-12-17 | 沙特基础工业全球技术公司 | 用于热塑性塑料加速老化的方法 |
| CN106405274A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-02-15 | 深圳振华富电子有限公司 | 电子元件老化测试装置 |
| CN106405274B (zh) * | 2016-08-25 | 2023-12-29 | 深圳振华富电子有限公司 | 电子元件老化测试装置 |
| CN109283449A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-29 | 武汉精鸿电子技术有限公司 | 一种支持半导体器件高温老化测试的装置 |
| CN114076859A (zh) * | 2020-08-18 | 2022-02-22 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种针对宇航用核心元器件的全温老炼测试系统及其方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102129020A (zh) | 一种老化测试装置 | |
| CN101689522B (zh) | 测试装置 | |
| US8400176B2 (en) | Wafer level contactor | |
| CN106896244B (zh) | 老炼夹具及采用该夹具做接触状况和老炼结果测试的方法 | |
| CN100432687C (zh) | 检验方法及检验装置 | |
| CN102998606A (zh) | 半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法 | |
| CN109564262A (zh) | 器件检查电路、器件检查装置和探针卡 | |
| KR20150112819A (ko) | 기판 검사 장치 | |
| CN205484607U (zh) | 电子产品老化自动测试平台 | |
| CN100474577C (zh) | 基板及其电测方法 | |
| CN100498353C (zh) | 无人测试高压自动接入装置 | |
| CN106251907B (zh) | 内建自测系统及方法 | |
| CN210487923U (zh) | 一种继电器校验装置及系统 | |
| CN207896935U (zh) | 光伏电池片测试设备 | |
| CN102081138B (zh) | 对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法 | |
| JP2007324319A5 (zh) | ||
| WO2017154277A1 (ja) | 検査器およびその制御方法、ならびに制御プログラム | |
| CN105141256B (zh) | 一种太阳能电池片测试机测试装置 | |
| US10802047B2 (en) | Inspection device and inspection method | |
| US11637421B2 (en) | Ground impedance and fault detection system and method | |
| US20150168482A1 (en) | Configurable test equipment | |
| CN203037746U (zh) | 用于两单元73毫米功率器件模块电容的测试装置 | |
| CN211043577U (zh) | 半导体芯片的老化测试装置 | |
| US20190204380A1 (en) | Lead guides having a recessed face | |
| US20140320156A1 (en) | Apparatus for detecting misalignment of test pad |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHA Effective date: 20130620 Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING Free format text: FORMER OWNER: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORPORATION Effective date: 20130620 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 100176 DAXING, BEIJING |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20130620 Address after: 100176 No. 18 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Address before: 201203 No. 18 Zhangjiang Road, Shanghai Applicant before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation |
|
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20110720 |