CN102124321B - 电感式电导率传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电导率传感器,用于测量包围该电导率传感器的介质的电导率,该电导率传感器包括:第一环形线圈,该第一环形线圈围绕可被施加介质的第一贯穿开口,用于在介质中感生电流;第二环形线圈,该第二环形线圈围绕可被施加介质的第二贯穿开口,用于检测由所感生的电流产生的磁场;其中,这些环形线圈中的至少一个环形线圈具有在多层的电路板的第一平面中分布的多个第一导线段和在电路板的第二平面中分布的多个第二导线段以及将第一导线段和第二导线段相连的多个通孔;其中,第一导线段、第二导线段和通孔共同构成环形线圈的绕组;其中,至少一个环形线圈被多个内侧金属化的孔包围,这些孔充当环形线圈的电屏蔽。
Description
技术领域
本发明涉及一种电感式电导率传感器,用于测量包围该电导率传感器的介质的电导率。
背景技术
这种电导率传感器基本上包括发送线圈和接收线圈,这些线圈通常构造成环形线圈并且包围可被施加介质的贯穿开口,从而在激励发送线圈时能够构成在介质内分布的、封闭的短路路径,该短路路径贯穿发送线圈和接收线圈。电感式电导率传感器可以被描述成两个变压器的连接,其中,封闭的线路路径在一定程度上作为带有绕组的线圈属于两个变压器。因此,通过对响应于发送线圈信号的接收线圈信号进行评估,能够测定介质的电导率。
由现有技术,例如由DE 10 2007 039015 A1,公知的电感式电导率传感器通常借助有传导能力的支承件或壳体以及由高磁导率材料构成的屏蔽来对电容式耦合和电感式耦合进行屏蔽。
由DE 10 2006 025 194 A1公知一种电导率传感器,其环形线圈由在多层的电路板的第一平面中分布的多个第一导线段、在电路板的第二平面中分布的多个第二导线段以及将第一导线段与第二导线段连接成线圈绕组的多个通孔(Durchkontaktierung)形成。在实施方式中,线圈同轴地并且在轴向上相继地布置在电路板内部。在两个线圈之间分布的是在电路板内部的附加的分离层,该分离层可以充当用于使线圈解耦的屏蔽层。
但是,这种分离层仅能够平行于环形线圈底面地实现屏蔽,并不能沿着环形线圈的周边实现屏蔽。相应地,带有平行地取向的中心轴线的并排布置的环形线圈或同轴地共面地布置的环形线圈通过这种方式不足以被相互屏蔽。对各个集成到电路板中的环形线圈分别在特有的壳体中进行的封装(所述壳体使两个线圈相互屏蔽)带来一系列的缺陷。尤其是,通过这种方式,又没有了将电导率传感器集成到电路板中的优点,例如简化的自动化的制造或传感器结构的紧凑性。
发明内容
因此,本发明的目的是,克服现有技术的缺陷,尤其为集成在电路板中的电导率传感器提供有效的屏蔽,这种屏蔽尤其适合共面的线圈布置。
该目的通过一种电导率传感器得以解决,该电导率传感器用于测量包围该电导率传感器的介质的电导率,该电导率传感器包括:
第一环形线圈,该第一环形线圈围绕可被施加介质的第一贯穿开口,用于在介质中感生电流,
第二环形线圈,该第二环形线圈围绕可被施加介质的第二贯穿开口,用于检测由所感生的电流产生的磁场,
其中,所述环形线圈中的至少一个环形线圈,尤其是每个环形线圈,具有在多层的电路板的第一平面中分布的多个第一导线段和在电路板的第二平面中分布的多个第二导线段以及将第一导线段和第二导线段相连的多个通孔,其中,第一导线段、第二导线段和第一通孔共同形成环形线圈的绕组,
并且其中,至少一个环形线圈,尤其是每个环形线圈,被电路板内部的多个内侧金属化的孔包围,这些内侧金属化的孔以如下方式布置,即,这些内侧金属化的孔充当环形线圈的电屏蔽。
概念“环形线圈”表示的是带有在线圈绕组内部分布的、自身封闭的磁路径的线圈。当设置有磁心时,该磁心必须自身封闭地分布或者至少仅通过气隙桥接地分布。在没有磁心的环形线圈中,同样也适用于以气体或非磁性的材料,例如电路板材料,填充的空腔。在此,环形分布的构型并不重要。最简单的形状是圆环,但是同样地也可以设想任意的其他形状,例如椭圆形、矩形或其他的多边形。这种环形线圈具有中心轴线,在圆环形线圈的情况下,该中心轴线是旋转对称轴线。
如果环形线圈不具有圆柱对称性,而是例如被构造成椭圆形或多边形的话,那么中心轴线例如穿过多边形的中点地分布或穿过椭圆内部的处在椭圆焦点之间的中心点地分布。
多层的电路板包括多个分层式地在堆叠方向上相继地堆叠的平面或层,其中可以布置有传导轨迹或导线段或其他构件。
由第一环形线圈包围的第一贯穿开口和由第二环形线圈包围的第二贯穿开口可以在空间上彼此分隔开或者重合。因此,在同轴地轴向上相继地放置的线圈中,第一开口和第二开口直接彼此邻接地相继地布置。在环形线圈的同轴的共面的布置中,第一开口和第二开口与由两个线圈包围的唯一的中心的贯穿开口重合。
内侧金属化的孔例如可以像电路板的通孔那样地构造,其中设置有带有金属层的内壁。为了制造这种也被称作过孔(Vias)的通孔,存在所建立的方法。因此,利用内侧金属化的孔,能够为环形线圈提供有效的、但制造技术可以简单地加以转化的屏蔽。
优选地,所述孔基本上平行于环形线圈的通孔地分布。尤其是,所述孔可以像通孔那样基本上垂直于电路板的层地分布,即在堆叠方向上垂直地分布。
在一种构造方式中,多个内侧金属化的孔包括第一组内侧金属化的孔,下面称为“第一种类型的孔”,所述第一种类型的孔沿着由至少一个环形线圈包围的、基本上封闭的环围绕着环形线圈的贯穿开口布置。概念“环”在此指的也是基本上封闭的路径,所述环的确切的形状并不重要,并且所述环例如可以圆形地、椭圆形地或以不规则的方式来构造。在此,理想的是,这些孔基本上平行于环形线圈绕组的通孔地分布或基本上垂直于电路板的层地分布。
第一种类型的孔因此布置在环形线圈的内周边与由环形线圈包围的、可被施加介质的贯穿开口之间。环形线圈的内周边由环形线圈的向内隔离环形线圈的、平行于孔分布的内通孔形成。例如,在旋转对称的环形线圈的情况下,该环形线圈的内周边与由环形线圈的内通孔包围的圆柱罩面相应。第一种类型的孔在该情况下优选基本上平行于环形线圈的旋转对称轴线地分布,并且围绕着圆柱罩面地布置。
在另一构造方式中,多个内侧金属化的孔包括第二组内侧金属化的孔,下面称为“第二种类型的孔”,所述第二种类型的孔沿着基本上封闭的环围绕着至少一个环形线圈布置。概念“环”在此指的也是基本上封闭的路径,所述环例如可以圆形地、椭圆形地、多边形地或以不规则的方式来构造。在此,理想的是,这些孔基本上平行于环形线圈绕组的通孔地分布或基本上垂直于电路板的层地分布。
第二种类型的孔因此包围环形线圈的外周边,环形线圈的外周边由环形线圈绕组的向外隔离环形线圈的外通孔形成。在旋转对称的环形线圈的情况下,环形线圈的外周边例如与垂直于电路板平面分布的圆柱罩面相应,该圆柱罩面包裹着环形线圈。在该特殊情况下,第二种类型的孔平行于环形线圈的圆柱对称轴线地分布,并且围绕着包裹着环形线圈的圆柱罩面地布置。
概念“内”或“向内”指的是基本上平行于电路板的层朝向环形线圈的中心轴线的方向。概念“外”或“向外”相应地指的是相反的方向。
在另一构造方式中,在电路板的至少一个附加的第三平面中布置有用于电屏蔽的屏蔽层,下面也称为“电屏蔽层”,该电屏蔽层尤其由导电的金属例如铜构成,其中,至少一个环形线圈在电路板的堆叠方向上布置在电屏蔽层的前面或后面。在该情况下,尤其是第一平面和第二平面在电路板的堆叠方向上布置在屏蔽层的前面或后面,在该第一平面和第二平面中布置有环形线圈的第一导线段和第二导线段。
在该构造方式的一种优选的改进方案中,在电路板的第三平面中布置有第一电屏蔽层并且在电路板的另外的第四平面中布置有第二电屏蔽层,其中,至少一个环形线圈关于电路板的堆叠方向布置在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间,其中,尤其是,第一平面和第二平面布置在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间,在该第一平面和该第二平面中布置有环形线圈的第一导线段和第二导线段。
该电屏蔽层用于屏蔽在其底面上的环形线圈。该电屏蔽层可以与基本上垂直于屏蔽层分布的金属化的孔一起形成用于环形线圈的一种类型的封装。
特别适合用于产生全面的屏蔽的是如下构造方式,在该构造方式中,第一种类型的孔分别仅与所述屏蔽层中的一个屏蔽层直接连接,并且其中,第二种类型的孔将第一电屏蔽层和第二电屏蔽层彼此相连。通过这种方式,能够保证环形线圈在所有空间方向上都电屏蔽。但是因为第一种类型的孔仅与屏蔽层中的一个屏蔽层直接连接,所以在环形线圈的屏蔽中产生环绕的空隙,通过该空隙来避免在屏蔽内部形成涡流。
在对此可供选择的构造方式中,第一种类型的孔将第一屏蔽层和第二屏蔽层彼此相连,而第二种类型的孔分别仅与所述电屏蔽层中的一个电屏蔽层直接连接。这种可供选择的构造方式还具有如下附加的优点,即,在屏蔽中的环绕的空隙布置在环形线圈的外部区域中,从而使得在那里出现的漏磁场彼此间具有尽可能大的间距。
在这种情况下,特别具有优点的是,第二种类型的孔包括与第一电屏蔽层直接连接的第一组孔和与第二电屏蔽层导电连接的第二组孔,其中,第一电屏蔽层和第二电屏蔽层分别布置在至少一个环形线圈的对置的侧上。在此,第一组孔和第二组孔在电路板的堆叠方向上优选在同一电路板层之上延伸,像环形线圈的通孔那样。通过这种方式,由第一组的孔所保证的屏蔽与由第二组的孔所保证的屏蔽发生重叠。这种类型的屏蔽在其效果上仅略微逊色于带有在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间贯穿的通孔的屏蔽。
在另一构造方式中,环形线圈中的至少一个环形线圈具有环形磁心,所述环形磁心尤其由至少一个环形膜或者至少一个实心的或分层的磁心材料构成。磁心材料例如能够以实心的磁性材料、卷绕的或分层的磁性膜或实心的绝缘基体(Isolationsmatrix)的形式实现,该绝缘基体例如由如下塑料或陶瓷构成,所述塑料或陶瓷带有磁性颗粒或卷绕的或分层的绝缘的膜基体,该膜基体例如由带有磁性颗粒的塑料或陶瓷构成。在制造电路板时,可以例如通过层压(einlaminieren)或插入或粘贴来将环形磁心引入到空隙中。
在另一构造方式中,第一环形线圈和第二环形线圈共面地同轴地布置,其中,第一环形线圈和第二环形线圈具有共同的中心轴线,尤其是旋转对称轴线。
在可供选择的构造方式中,第一环形线圈和第二环形线圈共面地轴平行地并排布置,其中,第一环形线圈和第二环形线圈具有彼此间隔开的中心轴线,尤其是旋转对称轴线。
在可供选择的构造方式中,第一环形线圈和第二环形线圈同轴地并且轴向上相继地布置,并且具有共同的中心轴线,尤其是旋转对称轴线,其中,在电路板中,在环形线圈之间布置有至少一个用于磁屏蔽的屏蔽层。在该构造方式中,磁屏蔽层在环形线圈之间的布置有利于减小电感式耦合。在上述两个段落所描述的、在其中共面地布置有环形线圈的构造方式中,电感式耦合明显较小,从而在需要时能够舍弃这种附加的磁屏蔽层。
具有优点地,所述至少一个用于磁屏蔽的屏蔽层包括高磁导率材料,该高磁导率材料至少具有大于1000的磁导率。
附图说明
现借助附图中示出的实施例来阐述本发明。其中:
图1示出按照本发明的构造方式的、集成在电路板中的带屏蔽的电导率传感器的剖面图;
图2示出图1中所示的电导率传感器的电路板平面的局部俯视图。
具体实施方式
图1示出在多层的电路板3中,电导率传感器中的线圈布置1的纵剖面。线圈布置1包括两个环形线圈2,这些环形线圈环形地包围电路板3中的贯穿开口5。环形线圈2的线圈绕组由第一导线段9、第二导线段11、内通孔14以及外通孔13形成。内通孔14用于在导线段9和11的靠近环形线圈2的中心轴线ZA的内端部之间建立导电连接,而外通孔13则用于在导线段9和11的远离中心轴线ZA的另外的外端部之间建立导电连接。在图1所示实例中,中心轴线ZA是圆柱对称的环形线圈2的旋转对称轴线。
在其中分布有导线段9和11的电路板的不同平面之间,布置有中间层,该中间层本身可以包括电路板3的一个或多个层。该中间层包括空隙,各一个用于环形线圈2的环形磁心7插入该空隙中。导线段9和11以及通孔13和14包围该环形磁心7。
在本实例中,线圈布置1的两个环形线圈2都关于共同的旋转对称轴线ZA同轴地并且轴向上相继地布置,从而使由每个单个的环形线圈2包围的贯穿的孔彼此直接连接,并且沿着旋转对称轴线ZA形成唯一的贯穿开口5。在轴向上相继地布置的环形线圈2之间分布有分离层21,该分离层可以包括一个或多个分层,例如屏蔽层,尤其用于使环形线圈电感式解耦。
在电路板3的堆叠方向上,在环形线圈2的前面和后面都布置有由导电材料例如铜构成的电屏蔽层15,该电屏蔽层与导线段9和11以及通孔13和14电绝缘。因此,环形线圈2中的每个环形线圈都关于电路板3的堆叠方向布置在两个屏蔽层15之间。
为了保护不接触腐蚀性的测量介质,可以在可湿润区域中给电路板3,尤其是给屏蔽层15覆盖上(未示出的)塑料保护层。
沿着环形线圈2的由内通孔14形成的内周边,布置有多个平行于通孔13、14分布的内侧金属化的孔19,这些内侧金属化的孔沿着基本上封闭的环围绕着贯穿开口5布置。所述孔19具有像通孔13、14那样相似的直径地,并且同样具有金属化的内壁地构成。所述孔19将与环形线圈2分别直接相邻的屏蔽层15彼此相连,从而所述孔充当用于这两个屏蔽层15的通孔。
沿着环形线圈2的由外通孔13形成的外周边,布置有其他平行于通孔13、14分布的金属化的孔17、18。所述孔17和18以两个同中心的环围绕着环形线圈2地布置,所述孔的共同的中心轴线是环形线圈2的旋转对称轴线ZA。在此,孔18相对于孔17错开地布置(如图2所示)。因此,在图1所示的剖面图中,实际上无法看见孔18。但为了更加清楚地描述,用虚线的轮廓表示这些孔18。
孔18在其一个端部上分别与外屏蔽层15导电连接,这些外屏蔽层布置在电路板3的覆盖层上或布置在电路板3的基层下面,而这些孔在其相反的端部上通过绝缘的电路板平面与第二屏蔽层15分隔开。
孔17在其一个端部上分别与屏蔽层15导电连接,这些屏蔽层布置在中间层21与其中布置有导线段11的平面之间,而这些孔在其相反的端部上通过绝缘的电路板平面与第二屏蔽层15分隔开。因此,与孔19相反地,孔17和18在屏蔽层15之间不产生电接触。
因此,孔17和18虽然严格来说在两个电路板平面之间不形成通孔,然而,在其他情况下,这些孔仍然能够与通孔11、14或19完全相似地构造,并且能够以相同的方法和方式地制造。在电路板制造方面,这种孔作为所谓的盲孔(Sackloch-Vias)而公知。
孔17和18在此平行于环形线圈绕组的通孔13和14地分布,并且像这些通孔那样,垂直于堆叠方向地在电路板3的相同的层上延伸。通过这种方式,由孔17产生的屏蔽与由孔18产生的屏蔽发生重叠。所述屏蔽沿着环形线圈2的外周边的这种构造方式在其效果上几乎是最佳的,也就是说,是可以与在屏蔽层15之间的贯穿的孔19的屏蔽作用相比较的,并且这种构造方式同时避免了形成围绕单个环形线圈2分布的短路路径。
在这里所示的实例中,将内孔19构造为屏蔽层15之间的通孔,而外孔17、18分别仅与一个屏蔽层15导电连接。然而,可供选择地,也能够实现的是,内孔分别仅与一个屏蔽层导电连接,并且将外孔构造为屏蔽层之间的通孔。
图2示出电路板3平面的局部俯视图,其在图1中布置在虚线A下面。该局部包括两个环形线圈2中的一个环形线圈的90°的扇形部分,其带有围绕着环形线圈2的、用于电屏蔽的内通孔17、18、19。在所示的电路板平面中存在第一导线9,该第一导线通过外通孔13和内通孔14与(在图2中不可见的)第二导线在布置在图2所示的电路板平面下方的第二电路板平面中连接。此外,在所示的电路板平面下方还存在环形线圈2的环形磁心7,该环形磁心被由示出的或未示出的导线和通孔13、14所形成的绕组包围。
在贯穿开口5与环形线圈2的由内通孔14形成的内周边之间,布置有用于电屏蔽的内侧金属化的孔19,这些内侧金属化的孔将布置在图2所示的平面上方的第一屏蔽平面15与布置在图2所示的平面下方的第二屏蔽平面15彼此导电连接(参见图1)。所述孔19以两个同中心的环围绕着旋转对称轴线ZA地布置,其中,所述孔至少以略微小于其半径的距离彼此错开,以便在径向方向上产生重叠,从而使由该孔19产生的屏蔽基本上无空隙地在环形线圈2的整个内周边上延伸。在图1的剖面图中,分别仅示出该环的一个孔19。
沿着环形线圈2的由外通孔13形成的外周边,布置有金属化的孔17、18。如借助图1已经描述的那样,孔18与处在所示平面上方的与环形线圈2相邻的屏蔽层15导电连接,而孔17则与处在所示平面下方的与环形线圈2的相邻的屏蔽层15连接。孔17和18在其相应的其他端部上通过电路板的不导电的平面与相应的其他屏蔽层15绝缘。
孔17和18以具有不同直径的同中心的环围绕着旋转对称轴线ZA地布置。像孔19那样,孔17和18至少以略微小于其半径的距离彼此错开地布置,从而使由孔17、18保证的屏蔽基本上无空隙地沿着环形线圈2的整个外周边延伸。
如开头所实施的那样,在其中布置有孔17、18和19的环的确切的构型并不重要。所述构型例如可以是圆形的、椭圆形的、多边形的或具有不规则的形状,只要孔17、18、19分别形成基本上封闭的路径。
除了图1和2所示的实施例以外,也可以设想本发明的其他实施例。例如,电导率传感器的两个环形线圈,代替同轴地轴向上相继地布置,也可以与共同的中心轴线同轴地共面地布置或与平行的中心轴线共面地并排地布置。在共面地布置的线圈的情况下,仅需要两个连续的电屏蔽层,所述电屏蔽层关于电路板平面的堆叠方向布置在所述平面的上面或下面,在所述平面中存在环形线圈绕组,并且需要时存在环形线圈磁心。在该实施例中,用于沿着环形线圈的内周边或外周边地屏蔽环形线圈的孔的布置与图1和2中所示的实例类似。
Claims (16)
1.电导率传感器,用于测量包围该电导率传感器的介质的电导率,所述电导率传感器包括:
第一环形线圈(2),该第一环形线圈围绕能够被施加所述介质的第一贯穿开口(5),用于在介质中感生电流,
第二环形线圈(2),该第二环形线圈围绕能够被施加所述介质的第二贯穿开口(5),用于检测由所感生的所述电流产生的磁场,
其中,所述第一环形线圈和第二环形线圈(2)中的至少一个环形线圈具有在多层的电路板(3)的第一平面中分布的多个第一导线段(9)和在所述电路板(3)的第二平面中分布的多个第二导线段(11)以及将所述第一导线段(9)和所述第二导线段(11)相连的多个通孔(13,14),其中,所述第一导线段(9)、所述第二导线段(11)和所述通孔(13,14)共同构成所述至少一个环形线圈(2)的绕组,
其特征在于,
所述至少一个环形线圈(2)被多个内侧金属化的孔(17,18,19)包围,这些孔充当所述至少一个环形线圈(2)的电屏蔽,
其中,所述内侧金属化的孔(17,18,19)基本上平行于所述通孔(13,14),
其中,所述多个内侧金属化的孔(17,18,19)包括第一种类型的内侧金属化的孔(19)和第二种类型的内侧金属化的孔(17,18),所述第一种类型的内侧金属化的孔沿着由所述至少一个环形线圈(2)包围的、基本上封闭的环围绕由所述至少一个环形线圈包围的贯穿开口(5),所述第二种类型的内侧金属化的孔沿着基本上封闭的环围绕所述至少一个环形线圈(2),
其中,在所述电路板的至少一个附加的第三平面中布置有电屏蔽层(15),所述电屏蔽层由导电的材料构成,
其中,所述至少一个环形线圈在所述电路板(3)的堆叠方向上布置在所述电屏蔽层(15)的前面或后面,
其中,在所述电路板(3)的所述第三平面中布置有第一电屏蔽层(15)并且在所述电路板(3)的另外的第四平面中布置有第二电屏蔽层(15),其中,所述至少一个环形线圈(2)关于所述电路板(3)的所述堆叠方向布置在所述第一电屏蔽层和所述第二电屏蔽层(15)之间,
其中,所述第一种类型的内侧金属化的孔(19)分别仅与所述第一电屏蔽层和第二电屏蔽层(15)中的一个电屏蔽层直接连接,并且其中,所述第二种类型的内侧金属化的孔(17,18)将所述第一电屏蔽层和所述第二电屏蔽层(15)彼此相连。
2.电导率传感器,用于测量包围该电导率传感器的介质的电导率,所述电导率传感器包括:
第一环形线圈(2),该第一环形线圈围绕能够被施加所述介质的第一贯穿开口(5),用于在介质中感生电流,
第二环形线圈(2),该第二环形线圈围绕能够被施加所述介质的第二贯穿开口(5),用于检测由所感生的所述电流产生的磁场,
其中,所述第一环形线圈和第二环形线圈(2)中的至少一个环形线圈具有在多层的电路板(3)的第一平面中分布的多个第一导线段(9)和在所述电路板(3)的第二平面中分布的多个第二导线段(11)以及将所述第一导线段(9)和所述第二导线段(11)相连的多个通孔(13,14),其中,所述第一导线段(9)、所述第二导线段(11)和所述通孔(13,14)共同构成所述至少一个环形线圈(2)的绕组,
其特征在于,
所述至少一个环形线圈(2)被多个内侧金属化的孔(17,18,19)包围,这些孔充当所述至少一个环形线圈(2)的电屏蔽,
其中,所述内侧金属化的孔(17,18,19)基本上平行于所述通孔(13,14),
其中,所述多个内侧金属化的孔(17,18,19)包括第一种类型的内侧金属化的孔(19)和第二种类型的内侧金属化的孔(17,18),所述第一种类型的内侧金属化的孔沿着由所述至少一个环形线圈(2)包围的、基本上封闭的环围绕由所述至少一个环形线圈包围的贯穿开口(5),所述第二种类型的内侧金属化的孔沿着基本上封闭的环围绕所述至少一个环形线圈(2),
其中,在所述电路板的至少一个附加的第三平面中布置有电屏蔽层(15),所述电屏蔽层由导电的材料构成,
其中,所述至少一个环形线圈在所述电路板(3)的堆叠方向上布置在所述电屏蔽层(15)的前面或后面,
其中,在所述电路板(3)的所述第三平面中布置有第一电屏蔽层(15)并且在所述电路板(3)的另外的第四平面中布置有第二电屏蔽层(15),其中,所述至少一个环形线圈(2)关于所述电路板(3)的所述堆叠方向布置在所述第一电屏蔽层和所述第二电屏蔽层(15)之间,
其中,所述第一种类型的内侧金属化的孔(19)将所述第一电屏蔽层和所述第二电屏蔽层(15)彼此相连,并且其中,所述第二种类型的内侧金属化的孔(17,18)分别仅与所述第一电屏蔽层和第二电屏蔽层(15)中的一个电屏蔽层直接连接。
3.根据权利要求1或2所述的电导率传感器,
其中,所述内侧金属化的孔(17,18,19)和所述通孔(13,14)基本上垂直于所述电路板(3)的层。
4.根据权利要求1或2所述的电导率传感器,其中,所述电屏蔽层由铜构成。
5.根据权利要求2所述的电导率传感器,
其中,所述第二种类型的内侧金属化的孔包括与所述第一电屏蔽层(15)直接连接的第一组孔(17,18)和与所述第二电屏蔽层(15)导电连接的第二组孔(17,18)。
6.根据权利要求5所述的电导率传感器,
其中,像所述至少一个环形线圈的所述通孔(13,14)那样,所述第一组孔和所述第二组孔在所述电路板的堆叠方向上延伸,穿过相同电路板层。
7.根据权利要求1或2所述的电导率传感器,
其中,所述第一环形线圈或第二环形线圈(2)具有环形磁心(7)。
8.根据权利要求7所述的电导率传感器,所述环形磁心由至少一个环形膜或者至少一个实心的或分层的磁心材料构成。
9.根据权利要求1或2所述的电导率传感器,
其中,所述第一环形线圈和所述第二环形线圈共面且同轴地布置,并且其中,所述第一环形线圈和所述第二环形线圈具有共同的中心轴线。
10.根据权利要求1或2所述的电导率传感器,
其中,所述第一环形线圈和所述第二环形线圈共面且轴平行地并排布置,
并且其中,所述第一环形线圈和所述第二环形线圈具有彼此间隔开的中心轴线。
11.根据权利要求1或2所述的电导率传感器,
其中,所述第一环形线圈和所述第二环形线圈(2)同轴地并且在轴向上相继地布置,并且具有共同的中心轴线,并且其中,在所述电路板(3)中,在所述第一环形线圈和第二环形线圈(2)之间布置有至少一个用于磁屏蔽的屏蔽层(21)。
12.根据权利要求9所述的电导率传感器,其中,所述中心轴线中的至少一条是旋转对称轴线。
13.根据权利要求10所述的电导率传感器,其中,所述中心轴线中的至少一条是旋转对称轴线。
14.根据权利要求11所述的电导率传感器,其中,所述中心轴线中的至少一条是旋转对称轴线。
15.根据权利要求11所述的电导率传感器,
其中,所述至少一个用于磁屏蔽的屏蔽层(21)包括高磁导率材料。
16.根据权利要求15所述的电导率传感器,
其中,所述高磁导材料是相对磁导率大于1000的高磁导率材料。
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