CN102121677A

CN102121677A - 荧光灯

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Publication number: CN102121677A
Application number: CN2010105978258A
Authority: CN
Inventors: 田川幸治
Original assignee: Ushio Denki KK
Current assignee: Ushio Denki KK
Priority date: 2009-12-16
Filing date: 2010-12-15
Publication date: 2011-07-13
Anticipated expiration: 2030-12-15
Also published as: KR20110068836A; CN102121677B; KR101380492B1

Abstract

本发明提供一种荧光灯，是稀有气体荧光灯，使用尽量降低310nm以下的发光强度，而且尽量提高310nm～380nm的发光强度的荧光体。该荧光灯，用于含有光敏物质的液晶面板的制造工序中，其特征为：在形成于发光管内部的荧光体层含有将多铝酸镁钡、磷酸钆钇及铝酸镁镧中的任一个作为母晶而通过Ce³⁺予以活化的荧光体。

Description

荧光灯

技术领域

本发明涉及在制造液晶面板时所使用的光源用灯，尤其涉及在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板制造工序中所使用的荧光灯。

背景技术

液晶面板具有在具有2枚透光性的基板(玻璃基板)之间封入液晶的构造，在其中一方玻璃板上形成多个有源元件(TFT)与液晶驱动用电极，在其上形成定向膜。在另一方玻璃基板上形成有彩色滤光片、定向膜、及透明电极(ITO)。接着在两玻璃基板的定向膜间封入液晶，利用密封剂将周围密封。

在如上所示的构造的液晶面板中，定向膜用以控制对电极间施加电压而使液晶定向的液晶定向。

以往，定向膜的控制通过摩擦来进行，但是近年来则尝试一种新的定向控制技术(参照专利文献1)。

其在设有TFT元件的第1玻璃基板与与该第1玻璃基板相对的第2玻璃基板之间，封入将具有通过电压施加进行定向的定向性的液晶、及与光反应而发生聚合的单体进行混合而成的材料，在该液晶面板上施加电压的同时照射光而使单体聚合，将与玻璃基板接触的液晶(即表层的大概1分子层)的方向固定，由此对液晶分子赋予预倾角。

通过该方法，由于不需要设置以往具有为赋予预倾角所需的斜面的突起物，因此可简化液晶面板的制造工序，而且在最终制品中，由于突起物所造成的阴影消失，因此可改善开口率，结果可削减液晶面板的制造成本或制造时间，另外可使背光灯省电力化。

参照图11，针对通过该高分子的液晶定向限制技术加以说明。

面板90在由玻璃构成的透光性基板91的各个的面形成有由ITO等形成的电极92，而且在其周边涂布密封剂(未图示)而形成而予以贴合。在基板91之间注入有液晶。该液晶是在具有负的介电常数各向异性的负型液晶中以适当比例添加有紫外线硬化型单体93而得到的液晶。

对该面板90进行电压施加及紫外线照射，由此进行液晶的定向限制。

如图11(a)所示，在初期的无施加电压时，液晶分子94垂直定向，单体93也还在单基体的状态下沿着液晶分子存在。在此，若如(b)所示施加电压，液晶分子94朝像素电极的微细图案方向倾斜，单体93也同样地倾斜。若在该状态下如(c)所示进行紫外线照射，单体93保持倾斜的状态聚合。如上所示，单体93具有倾斜地聚合，由此使液晶分子94的定向受到限制。

在进行该新的定向控制的液晶面板的制造技术中，最终制品中的面板的好坏与单体的聚合是否完成大有关系，万一残留有未硬化的单体时，会发生液晶面板的残影而造成不良的原因。

因此，如专利文献1等已为人所知，采用一种将紫外线的照射分成多个阶段的2阶段的紫外线照射工序。具体而言，如图12所示，在(A)1次照射工序中，在对含有液晶材料及光聚合性单体的液晶层施加电压的状态下对液晶层照射紫外线，之后，在(B)2次照射工序中，在不施加电压的状态下照射紫外线。结果，在1次照射工序下在液晶材料的分子定向倾斜的状态下，定向膜附近的单体聚合而形成聚合物层，在2次照射工序中，液晶分子的倾斜方向被聚合物记忆。经由如上所示的工序，残留在液晶材料中的单体会完全聚合，单体则消失。

以往，在上述紫外线照射工序中，使用会放射出被称为不可见光(black light)的波长约300～400nm范围附近的紫外范围的光的荧光灯。

专利文献1日本特开2008-134668号公报

来自不可见光的放射光包含有较多的短波长(例如小于310nm的波长)的紫外线。但是，若将如上所示的波长310nm以下的紫外线照射在液晶显示面板，液晶会受到损伤，而会导致液晶显示面板的可靠性降低的新的问题。为了切掉不需要的波长范围的光，简单来说是设置滤光片，但是荧光灯为扩散光源，因此通常必须使用吸收特性的滤光片。但是，为了将波长310nm以下的光切实地遮光，310nm附近的例如310～340nm附近的光谱光也一部分被吸收。即，有助于单体聚合的波长范围的光会不可避免地被吸收。结果，无法高效地照射聚合所需的波长范围的光，而会产生聚合速度降低、紫外线照射时间长、量产性差的问题。

发明内容

因此，本发明要解决的课题是提供一种在具有电极的2片基板间填充含有可聚合的单体的液晶组成物而形成液晶层，对基板施加电压的同时使单体聚合，由此在规定液晶分子的倾斜方向的液晶显示装置的制造工序中，放射可适于使用在上述单体聚合工序中的放射紫外线的光源灯，具体而言，其目的在于提供一种以尽量减小在其光谱中比310nm更短波长的紫外线强度，且在310～380nm具有最大能量峰值的荧光灯。

为了解决上述课题，本发明的荧光灯具备以下特征。

(1)一种荧光灯，用于含有光敏物质的液晶面板的制造工序中，其特征为：在形成于发光管内部的荧光体层中含有将多铝酸镁钡、磷酸钆钇及铝酸镁镧中的任一个作为母晶而通过Ce³⁺予以活化的荧光体。

(2)另外，上述荧光体含有：通式以下式表示的铈活化多铝酸镁钡：

Ce_x(Mg_1-y-z，Ba_y-z)Al₁₁O_{19-(3(1-x)+2z)/2}

其中，0.6≤x≤0.8。

(3)另外，上述荧光体含有：通式以下式表示的铈活化磷酸钆钇：

(Y_1-x，Gd_x)PO₄:Ce

其中，0.1≤x≤0.5。

(4)并且，上述荧光体含有：通式以下式表示的铈活化铝酸镁镧：

(La_1-x，Ce_x)MgAl₁₁O₁₉

其中，0.07≤x≤0.12。

(5)并且，上述荧光体含有：通式以下式表示的铈及镧活化多铝酸镁钡：

(Ce_0.8，La_x)(Mg_0.8，Ba_0.1)Al₁₁O_18.6+3x

其中，0＜X≤0.06。

发明的效果

根据本发明，可提供一种荧光灯，其在由荧光灯放射的光的波长中，不会损及321～350nm间的光强度，而可减小310nm以下的波长的紫外线强度，因此可减小对液晶造成损伤的300nm附近的短波长的紫外线强度，可在减小对液晶造成的损伤的同时确实进行单体的聚合，可适于使用在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序。

附图说明

图1是表示搭载有本发明的荧光灯的紫外线照射装置的说明图。

图2是表示本发明的第1实施方式的荧光灯的说明图。

图3是表示第1实施方式、现有例、比较例的各荧光灯的波长250～450nm的光谱的图。

图4是表示第1实施方式的荧光灯的损伤波长区域及有效波长区域的光的积算强度的相对值与铈浓度的关系的图。

图5是表示第2实施方式、现有例、比较例的各荧光灯的波长250～450nm的光谱的图。

图6是表示第2实施方式的荧光灯的损伤波长区域及有效波长区域的光的积算强度的相对值与钆浓度的关系的图。

图7是表示第3实施方式、现有例、比较例的各荧光灯的波长250～450nm的光谱的图。

图8是表示第3实施方式的荧光灯的损伤波长区域及有效波长区域的光的积算强度的相对值与铈浓度的关系的图。

图9是表示第4实施方式、现有例、比较例的各荧光灯的波长250～450nm的光谱的图。

图10是表示第4实施方式的荧光灯的损伤波长区域及有效波长区域的光的积算强度的相对值与镧浓度的关系的图。

图11是说明将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序的图。

图12是说明将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序的图。

具体实施方式

以下根据附图，说明本发明的实施方式。但是，以下所示实施方式例示用来将本发明的技术思想具体化的液晶制造用的紫外线照射装置及荧光灯，本发明并非将荧光灯特定为以下内容。

图1是在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，用以将作为光敏物质的单体聚合的紫外线照射装置100的概略说明图。在工作台S上，将通过辊子等适当的搬送装置搬运来的液晶面板30载置于光照射部的正下方。液晶面板30如下构成：在例如由玻璃构成的具备有透光性的2片基板31之间，以框状涂布有密封剂32，并且在其内部注入含有未反应状态的光敏物质(单体)的液晶33。

在各个基板31设有在该图中并未图示的电极，各电极与施加电压的机构34相连接。

在液晶面板30的上部形成有用以照射紫外线的光照射部20。光源为荧光灯10，在此排列配置有多个灯(在该图中为5支)。其中，在荧光灯的背后具有将来自灯的光朝向载台反射的反射镜21。

图2是荧光灯的说明图。该图(a)是透视图，(b)是与灯的管轴垂直的剖视图，(c)是在(b)中以线段A-A切断的管轴方向的剖视图。

针对本发明的一个实施方式的荧光灯10详加说明。在由玻璃等电介质构成的透光性的气密容器11的内壁形成有层积荧光体所形成的荧光体层12。在该气密容器11的内部封入有由氙等稀有气体构成的放电介质，在气密容器11的外表面上配置有一对外部电极13、14。若经由引线15、16在该一对外部电极13、14间施加高频高电压，形成有使由气密容器11构成的电介质的壁部介于其中的放电，而放出属于氙的光谱的172nm的紫外线。

本发明中所使用的荧光体层12具有：当照射如上所示的短波长紫外线，例如由氙所发出的波长172nm紫外线时，发出在波长310～380nm的区域具有发光峰值波长的长波长紫外线的荧光体。

具体而言，荧光体含有将多铝酸镁钡、磷酸钆钇及铝酸镁镧中的任一个作为母晶，而且通过铈(Ce)而将各母晶活化的荧光体。尤其是，Ce可取3价及4价的价数，但在本发明中作为3价的阳离子而存在。如上所示的荧光体也可以适当比例来混合使用，但是由于作业工时会增加，因此在实用上优选单独使用。以下，针对各荧光体，根据实施例详加说明。

其中，在以下说明中，在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，与以往被使用在光敏物质的反应的所谓的不可见光作对比说明。其中，被使用在不可见光的荧光体虽有各式各样，但在此将属于一般荧光体的铈活化磷酸镧用用于比较例来加以说明，在下文的说明中，将使用该铈活化磷酸镧荧光体的不可见光称为“现有例1”。

其中，铈活化磷酸镧荧光体的通式如以下所示。

铈活化磷酸镧荧光体的通式：(La，Ce)PO₄

实施方式1

本实施方式1的荧光灯主要使用铈活化多铝酸镁钡(Ce-Mg-Ba-Al-O)类的荧光体作为荧光体层12。该荧光体层12是通式以下式(1)所示的荧光体，尤其是铈(Ce)的摩尔比(x)为0.6～0.8的范围。

式(1)：Ce_x(Mg_1-y-z，Ba_y-z)Al₁₁O_{19-(3(1-x)+2z)/2}

在上述式(1)中，属于活化金属元素的Ce在理想上全部作为3价的阳离子而存在。通过将该铈的摩尔比设定在x＝0.6～0.8的范围，可在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序使有效区域的紫外光增大。

以下通过实施例，更进一步对本实施方式详加说明。

(比较例1)

以波长310nm以下、尤其波长300nm以下的紫外线放射较少的荧光体而言，一般已知如下式(2)所示的铈活化铝酸钡镁荧光体(简称CAM荧光体)。

式(2)：CeMgAl₁₁O₁₉

其中，在式(2)中，铈(Ce)的摩尔数为1。

以图3中的比较例1的曲线来表示使用该式(2)的CAM荧光体的荧光灯的波长250～450nm范围的发光光谱波形。其中该图中的现有例1是铈活化磷酸镧荧光体发光光谱波形。如上所示，比较例1的曲线中的发光光谱的峰值在波长360～370nm附近，在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，确认出在光敏物质的反应中使用的光谱范围(波长321～350nm；称为“有效波长范围”)的强度较大。

但是，若考虑到有效波长范围的强度有改善的空间，本发明人尝试基于该铈活化多铝酸镁钡(Ce-Mg-Ba-Al-O)类的荧光体，使波长310～380nm的波长范围的紫外光增大。

其中，在该验证中，在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，分为：光敏物质的反应所使用的光谱范围、即有效波长范围(波长321～350nm)、对液晶造成损伤的光谱范围(波长300～310nm；以下称为“损伤波长范围”)、及它们之间的光谱范围(波长311～320nm)，将各区域的积算光量与已知技术的不可见光的积算光量相比较来进行。

(比较例2、3)

首先，不改变铈的配合比例而将在CAM荧光体的通式(式(1))中属于2价金属离子的镁的一部分，置换成同为2价金属离子的钡，制作出比较例2、比较例3的荧光体。以下是表示各荧光体的通式。

(比较例2)Ce(Mg_0.95，Ba_0.05)Al₁₁O₁₉

(比较例3)Ce(Mg_0.9，Ba_0.1)Al₁₁O₁₉

比较例2的荧光灯的荧光体是将钡添加量设为0.05摩尔，比较例3的荧光灯的荧光体将钡添加量设为0.1摩尔，将镁置换制作的荧光体。在制造上述荧光体时，通过将Ce、Mg、Ba、Al以通式所表示的摩尔比加以混合，之后进行烧成来制作。

使用上述荧光体，按照图2所示构成，制作出比较例2及比较例3的荧光灯。

在如上所示制作的荧光灯投入预定的电压而点灯，来测定出灯的发光强度。结果确认出虽未发现通过添加钡所造成的大幅改善，但是相较于比较例3的荧光灯，比较例2的荧光灯波长的峰值移至短波长侧，发光强度稍微变高。

(比较例4)

接着，尝试在置换了钡的荧光体的中，采用钡的摩尔数0.1摩尔，使铈的添加量改变。在此，铈的摩尔比设为0.50。其中，荧光体经过将Ce、Mg、Ba、Al以通式所示的摩尔比加以混合，之后进行烧成来制作，制作出图2所示结构的荧光灯。使该荧光灯点灯，而验证出发光光谱。

结果可知荧光的峰值进一步移至短波长侧而使发光强度增加而大幅改善。

因此，制作出使铈(Ce)浓度进一步改变的荧光体。

(实施例1～3)

以实施例1～3而言，将上述式(2)中的x的值以依序为0.6、0.7、0.8的方式进行调制而制造出荧光体。其中各实施例的铈浓度为0.6摩尔、0.7摩尔、0.8摩尔。

使用所得的荧光体构成图2的灯，施加预定的电压而点灯，验证出其发光光谱。结果，峰值强度的绝对值增加，可得良好的发光光谱。在上述实施例1～3中，与作为现有例1的不可见光的构成相比较，使至波长300～310nm为止的波长范围的积分强度减低至1/10以下为止，同时在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，尤其可放出更多有效的至波长320～350nm为止的紫外线的波长。

在图3中总结表示现有例1、比较例1～4、实施例1～3的发光光谱波形。此外，在下述表1表示现有例、比较例、实施例的荧光体组成、及按照波长300～310nm范围、波长311～320nm、波长321～350nm区别的各灯的光谱强度的积分值。

表1中，左侧的“测定值”栏是在距离发光管25mm的位置通过分光器测定出的光谱的该积分强度的实测值。右侧以现有例1的灯中的各波长范围的积分值设为100的相对值来表示该积分强度。

此外，在图4中，将纵轴设为相对值，将横轴设为铈的浓度，以坐标表示之前表示的表1的比较例及实施例的各个积分强度的相对值。曲线(甲)表示有效波长范围、曲线(乙)表示损伤波长范围。由该图可知，损伤波长范围在相对值中在10的附近推移，但是铈的浓度在0.6～0.8摩尔的范围内，有效波长范围中的光输出较大。但是，可知在铈的摩尔数中若增大至1摩尔为止，效率会变差。

由以上结果可知，实施例1～3中的任一个均可将相对现有例1的损伤波长范围的强度减低至10以下，且可将有效波长范围的强度形成为80以上。因此，在上述式中可知，若X的值在0.6～0.8的范围内，损伤波长范围中的发光较少、有效波长范围中的发光较大。

实施方式2

接着针对本发明的实施方式2加以说明。

本实施方式的荧光灯使用铈活化磷酸钆钇(Gd-Y-P-O:Ce)类的荧光体作为图2所示的荧光灯的荧光体层12。该荧光体层12是通式以下式(3)表示的荧光体，尤其钆(Gd)的摩尔比(x)为0.1～0.5的范围。

式(3)：(Y_1-x，Gd_x)PO₄:Ce(其中，0.1≤x≤0.5)

在上述式(3)中，属于活化金属元素的Ce在理想上全部作为3价阳离子而存在。通过将该钆的摩尔比设在x＝0.1～0.5的范围，在铈活化磷酸钆钇(Gd-Y-P-O:Ce)类荧光体中，在进行将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序时，可使有效区域的紫外光增大。

以下通过实施例，进一步详加说明本实施方式。

其中，在以下说明中，也将使用铈活化磷酸镧荧光体的不可见光作为现有例的灯而称为现有例1。

(比较例5)

以波长310nm以下、尤其是波长300nm以下的紫外线放射较少的荧光体而言，一般已知下式(4)所示的铈活化磷酸钇(Y-P-O:Ce)荧光体(简称YPC荧光体)。

式(4)：YPO₄:Ce

该式(4)铈活化磷酸钇(Y-p-O:Ce)荧光体，尤其有效波长区域中的光强度为现有例1的一半以下，效率不佳。本发明人根据该荧光体，尝试使波长310～380nm的波长范围的紫外光放大来提升效率。

(比较例6)

首先，将上述式(4)的荧光体的钇(Y)的一部分置换成钆(Gd)来制作荧光体，而制作出比较例6的荧光灯。

(比较例6)(Y_0.95，Gd_0.05)PO₄:Ce

比较例6的荧光灯的荧光体中，钆的摩尔数为0.05摩尔，钇的摩尔数为0.95摩尔。在制造该荧光体时，通过将Gd、Y、P、Ce以通式表示的摩尔比加以混合，进行烧成而制作。使用该荧光体，制作出比较例6的荧光灯。对如上所示所制作的荧光灯施加预定的电压而点灯，获得来自荧光灯的放射光的波长250～450nm范围的发光光谱波形与强度。结果以图5中的比较例6的曲线表示。

(实施例4～7)

以实施例4～7而言，将上述式(3)中的x的值以成为0.1、0.2、0.3、0.5的方式进行调制而制造出荧光体。其中，相对钇(Y)与钆(Gd)的合计值全为0.95摩尔，铈浓度全为0.05摩尔。

使用所得的荧光体而构成图2的灯，施加预定的电压而点灯而对发光光谱进行验证。结果，峰值强度的绝对值增加，可得良好的发光光谱。在上述实施例4～7中，与作为现有例1的不可见光的构成相比较，使至波长300～310nm为止的波长范围的积分强度减低至1/10以下为止，同时在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，可放出更多尤其有效的至波长320～350nm为止的紫外线的波长。

在图5中总结表示现有例1、比较例6、实施例4～7的发光光谱波形。此外，在下述表2中表示现有例、比较例、实施例的荧光体组成、及按照波长300～310nm范围、波长311～320nm、波长321～350nm区别的各灯的光谱强度的积分值。

表2的左侧栏为该积分强度的实测值。右侧以将现有例1的灯中的各波长范围的积分值设为100时的相对值来表示该积分强度。

此外，在图6中，将纵轴设为相对值，将横轴设为铈的浓度，以坐标表示之前表示的表1的比较例及实施例的各个积分强度的相对值。曲线(甲)表示有效波长范围、曲线(乙)表示损伤波长范围。由该图可知，随着钆的摩尔数变大，有效波长范围域中的光输出会变大。但是，同时损伤波长范围的相对值也随着有效波长范围域中的光输出的增加而变大。因此，以钆的添加量而言，0.1摩尔～0.5摩尔的范围为实用上的范围。尤其优选为钆为0.3摩尔的情形。

由以上结果确认出，实施例4～7中的任一个均可将相对现有例1的损伤波长范围的强度减低为10以下，且可更加增大有效波长范围的强度。因此，在上述式(3)中可知，若x值在0.1～0.5的范围，损伤波长范围中的发光较少、有效波长范围中的发光较大。

实施方式3

接着针对本发明的实施方式3加以说明。

本实施方式的荧光灯使用铈活化铝酸镁镧(La-Mg-Al-O:Ce)类荧光体来作为图2所示的荧光灯的荧光体层12。该荧光体层12通式为下式(5)所表示的荧光体，尤其铈(Ce)的摩尔比(x)为0.07～0.12的范围。

式(5)：(La_1-x，Cex)MgAl₁₁O₁₉(其中，0.07≤x≤0.12)

上述式(5)中，属于活化金属元素的Ce理想上全部作为3价的阳离子而存在。通过将该铈的摩尔比设为x＝0.07～0.12的范围，在铈活化铝酸镁镧(La-Mg-Al-O:Ce)类的荧光体中，在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序时，可使有效区域的紫外光增大。

以下通过实施例，进一步详加说明本实施方式。

其中，在以下说明中，将使用铈活化磷酸镧荧光体的不可见光灯作为现有例的灯而称为现有例1。铈活化磷酸镧荧光体(通式：LaPO₄:Ce)中的铈(Ce)的摩尔数为0.05摩尔。

(实施例8～11)

以实施例8～11而言，将上述式(5)中的x值以成为0.07、0.09、0.1、0.12的方式进行调制而制造出荧光体。其中各实施例中的铈的摩尔数为0.07摩尔、0.09摩尔、0.1摩尔、0.12摩尔。

使用所得的荧光体而构成图2的灯，施加预定的电压而点灯而对发光光谱进行验证。结果，峰值强度的绝对值增加，可得良好的发光光谱。在上述实施例8～11中，与作为现有例1的不可见光的构成相比较，使至波长300～310nm为止的波长范围的积分强度减低至2/5以下为止，同时在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，可放出更多尤其有效的至波长320～350nm为止的紫外线的波长。

在图7中总结表示现有例1及实施例8～11的发光光谱波形。此外，在下述表3中是表示按照现有例、实施例的荧光体组成、波长300～310nm范围、波长311～320nm、波长321～350nm区别的各灯的光谱强度的积分值。

表3的左侧栏为该积分强度的测定值。右侧以将现有例1的灯中的各波长范围的积分值设为100时的相对值来表示该积分强度。

此外，在图8中，将纵轴设为相对值，将横轴设为铈的浓度，以坐标表示之前表示的表3的比较例及实施例的各个积分强度的相对值。曲线(甲)表示有效波长范围、曲线(乙)表示损伤波长范围。由该图可知，在铈的摩尔数0.1附近，有效波长区域的相对值成为峰值，在相对值也为80以上，是表示良好的效率。以损伤波长范围的强度而言，以相对值在20～40之间推移，但是可通过将铈浓度稍高设定为0.1～0.12，可抑制较低为20左右。

由以上结果可确认出，实施例8～11中的任一个均可将相对现有例1的损伤波长范围的强度减低至40以下，且可更加大有效波长范围的强度。因此，在上述式(3)中可知，若x的值在0.1～0.12的范围内时，损伤波长范围中的发光较少、有效波长范围中的发光较大。

实施方式4

本实施方式4的荧光灯主要使用铈及镧活化多铝酸镁钡(Ce-La-Mg-Ba-Al-O)类的荧光体作为荧光体层12。该荧光体层12是通式以下式(6)所表示的荧光体，尤其是铈(Ce)的摩尔比(x)为0.8，镧(La)的摩尔比为0.06以下的范围(但是不含0)。

式(6)：(Ce_0.8，La_x)(Mg_0.8，Ba_0.1)Al₁₁O_18.6+3x

在上述式(6)中，属于活化金属元素的Ce及La理想上全部作为3价的阳离子而存在。相对于将该铈的摩尔比设为0.8，将镧(La)的摩尔比设定在0～0.06范围，由此可在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序使有效区域的紫外光增大。

以下通过实施例，进一步详加说明本实施方式。

其中，在本实施方式的说明中，由于荧光体的母晶与实施方式1的荧光体相同，因此关于比较例，援用上述比较例1～比较例4的内容，并且关于La的浓度为0的情形，由于与之前在实施方式1中所说明的实施例3的荧光体相同，因此援用实施例3的内容加以说明。

(实施例12～16)

以实施例12～16而言，将上述式(6)中的La浓度x的值以成为0.01、0.02、0.04、0.06、0.10的方式进行调制而制造出荧光体。其中各实施例的铈浓度为0.8摩尔。

使用所得的荧光体而构成图2的灯，施加预定的电压而点灯而对发光光谱进行验证。结果，峰值强度的绝对值增加，可得良好的发光光谱。在上述实施例12～16中，与作为现有例1的不可见光的构成相比较，使至波长300～310nm为止的波长范围的积分强度减低至1/10以下为止，同时在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，可放出更多尤其有效的至波长320～350nm为止的紫外线的波长。

在图9中总结表示现有例1、比较例1～4、实施例3、12～16的发光光谱波形。此外，在下述表4是表示现有例、比较例、实施例的荧光体组成、及按照波长300～310nm范围、波长311～320nm、波长321～350nm区分的各灯的光谱强度的积分值。

表4中，左侧的“测定值”栏是在距离发光管为25mm的位置通过分光器测定出的光谱的该积分强度的实测值。右侧以将现有例1的灯中的各波长范围的积分值设为100时的相对值来表示该积分强度。

此外，在图10中，将纵轴设为相对值，将横轴设为镧(La)的浓度，以坐标表示之前表示的表4的实施例3及实施例12～16的各个积分强度的相对值。曲线(甲)表示有效波长范围、曲线(乙)表示损伤波长范围。由该图可知，损伤波长范围在相对值中在10的附近作推移，但是在镧的浓度为0～0.06摩尔的范围内，相对300～310nm的积分值的320～350nm的积分值与实施例3是相等或比其小，而且321～350nm的积分强度相对于现有例的321～350nm的积分强度为大约50％以上。

由以上结果可知，实施例12～15中的任一个均可将相对现有例1的损伤波长范围的强度减低至10以下，而可将有效波长范围的强度形成为50以上。因此，在上述式(6)中，若x的值在0＜x≤0.06的范围内时，损伤波长范围中的发光较少，可加大有效波长范围中的发光。

如以上说明所示，在将含有光敏物质的液晶封入在内部的液晶面板的制造工序中，使用含有将多铝酸镁钡、磷酸钆钇及铝酸镁镧中的任一个作为母晶，且通过Ce³⁺活化的荧光体的荧光体来构成荧光灯，由此可提供一种在光敏物质的反应中有效的波长范围的光增大，对液晶造成损伤的波长范围的光的放射较少的荧光灯。

Claims

1.一种荧光灯，用于含有光敏物质的液晶面板的制造工序中，其特征为：

在形成于发光管内部的荧光体层中含有将多铝酸镁钡、磷酸钆钇及铝酸镁镧中的任一个作为母晶而通过Ce³⁺予以活化的荧光体。

2.如权利要求1所述的荧光灯，其中，上述荧光体含有：通式以下式表示的铈活化多铝酸镁钡：

Ce_x(Mg_1-y-z，Ba_y-z)Al₁₁O_{19-(3(1-x)+2z)/2}

其中，0.6≤x≤0.8。

3.如权利要求1所述的荧光灯，其中，上述荧光体含有：通式以下式表示的铈活化磷酸钆钇：

(Y_1-x，Gd_x)PO₄:Ce

其中，0.1≤x≤0.5。

4.如权利要求1所述的荧光灯，其中，上述荧光体含有：通式以下式表示的铈活化铝酸镁镧：

(La_1-x，Ce_x)MgAl₁₁O₁₉

其中，0.07≤x≤0.12。

5.如权利要求1所述的荧光灯，其中，上述荧光体含有：通式以下式表示的铈及镧活化多铝酸镁钡：

(Ce_0.8，La_x)(Mg_0.8，Ba_0.1)Al₁₁O_18.6+3x

其中，0＜X≤0.06。