CN102117860A - 三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 40
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 30
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 29
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 27
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 208000019901 Anxiety disease Diseases 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000036506 anxiety Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明涉及一种三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法，该三结叠层太阳能薄膜电池包括顶电池、中间电池和底电池，各电池分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其中，顶电池的本征层为晶粒尺寸为2-10纳米以及晶化率为10-20％的本征纳米硅薄膜。上述三结叠层太阳能薄膜电池的制备方法中，形成顶电池本征层时，在硼掺杂非晶硅碳层上，采用硅烷浓度为1-5％的硅烷和氢气的混合气体，在1.0-1.5Torr的沉积气压、180-220℃的沉积温度以及15-30W的辉光功率下，沉积本征纳米硅薄膜。通过本发明，能提高顶电池的带隙宽度，扩大太阳能薄膜电池的光谱吸收范围，克服S-W效应，从而提高光电转化效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池技术，尤其涉及一种三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法。
背景技术
目前，随着能源供应的紧张，将太阳能直接转换成电能的太阳能电池越来越受到人们的关注。
常用的太阳能电池按照材料分类大致包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池和多元化合物太阳能电池等。其中，非晶硅太阳能电池与单晶硅和多晶硅太阳能电池相比，制造工艺大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，在弱光条件也能发电。
图1是现有技术的非晶硅单结太阳能薄膜电池的结构示意图，如图1所示，该太阳能薄膜电池依次包括透明基板1、透明导电膜2、P型掺杂层30、本征非晶硅薄膜31a、N型掺杂层32、背反射电极6和金属背电极7，因此形成了没有添加杂质的本征(intrinsic)非晶硅薄膜31a被夹在P型掺杂层30和N型掺杂层32之间的PIN结构。
上述以非晶硅作为本征层的薄膜电池，由于其带隙宽度为1.7电子伏(eV)，因此只能吸收400-800纳米(nm)波长的太阳光，电池的光电转化效率一般为6-8％。此外，其存在所谓的光致衰退(Staebler-Wronski，简称S-W)效应，使得电池的光电转化效率会随着光照时间的延续而衰减。解决这些问题的途径就是制备叠层太阳能薄膜电池，叠层太阳能薄膜电池是在已制备的PIN结构的单结太阳能薄膜电池上再沉积一个或多个PIN结构的子电池而制成。
图2是现有技术的非晶硅/微晶硅双结叠层太阳能薄膜电池的结构示意图，如图2所示，该太阳能薄膜电池依次包括透明基板1、透明导电膜2、PIN结构的顶电池3、PIN结构的底电池5、背反射电极6和金属背电极7。其中，顶电池3包括P型掺杂层30、本征非晶硅薄膜31a和N型掺杂层32；底电池5包括P型掺杂层30、本征微晶硅薄膜31c和N型掺杂层32。上述底电池5的本征微晶硅薄膜31c的带隙宽度为1.1eV，因此太阳能薄膜电池的光谱吸收范围扩展到1100nm，同时光电转化效率为8-12％。
为了进一步提高太阳能薄膜电池的性能，现有技术还提供有三结叠层太阳能薄膜电池。图3是现有技术的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层太阳能薄膜电池的结构示意图，如图3所示，该太阳能薄膜电池依次包括透明基板1、透明导电膜2、PIN结构的顶电池3、PIN结构的中间电池4、PIN结构的底电池5、背反射电极6和金属背电极7，其中顶电池3包括P型掺杂层30、本征非晶硅薄膜31a和N型掺杂层32，中间电池4包括P型掺杂层30、本征非晶硅锗薄膜31b和N型掺杂层32，底电池5包括P型掺杂层30、本征微晶硅薄膜31c和N型掺杂层32，其中本征非晶硅薄膜31a、本征非晶硅锗薄膜31b和本征微晶硅薄膜31c的带隙宽度分别为1.7ev、1.45ev和1.1eV，从太阳光的入射方向依次减少，从而扩大了太阳能薄膜电池的光谱吸收范围，提高了光电转化效率。
综上，顶电池、中间电池和底电池的PIN结构都可以归结为包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，具体采用不同的材料制备而成。
但是，发明人在进行本发明的研究过程中发现现有技术中存在如下缺陷：传统的以非晶硅作为顶电池本征层时，由于其带隙宽度只有1.7ev，因此吸收光的波长主要集中在400-800nm，对于小于400nm波长的光吸收的非常少，使太阳能薄膜电池无法实现宽谱吸收，同时因非晶硅容易产生S-W效应，从而降低太阳能薄膜电池的效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法，以便提高顶电池的带隙宽度，扩大太阳能薄膜电池的光谱吸收范围，克服光衰效应，从而提高光电转化效率。
为了实现上述目的，本发明实施例提供一种三结叠层太阳能薄膜电池，包括顶电池、中间电池和底电池，分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其中：
所述顶电池的本征层为晶粒尺寸为2-10纳米以及晶化率为10-20％的本征纳米硅薄膜。
本发明实施例还提供一种三结叠层太阳能薄膜电池制备方法，包括在透明基板上依次形成透明导电膜、顶电池、中间电池、底电池、背反射电极和金属背电极的流程，其中，所述形成顶电池的流程包括：
在所述透明导电膜上沉积硼掺杂非晶硅碳层；
在所述硼掺杂非晶硅碳层上，采用硅烷浓度为1-5％的硅烷和氢气的混合气体，在1.0-1.5托的沉积气压、180-220℃的沉积温度以及15-30瓦的辉光功率下，沉积本征纳米硅薄膜，其中，所述本征纳米硅薄膜的晶粒尺寸为2-10纳米，晶化率为10-20％；
在所述本征纳米硅薄膜上沉积磷掺杂纳米硅层。
由以上技术方案可知，本发明将一定晶粒尺寸和晶化率的纳米硅作为顶电池的本征层，提高了顶电池的带隙宽度，扩大了太阳能薄膜电池的光谱吸收范围，同时克服了S-W效应，从而提高了光电转化效率。
附图说明
图1为现有技术的非晶硅单结太阳能薄膜电池的结构示意图。
图2为现有技术的非晶硅/微晶硅双结叠层太阳能薄膜电池的结构示意图。
图3为现有技术的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层太阳能薄膜电池的结构示意图。
图4为本发明实施例一提供的三结叠层太阳能薄膜电池的结构示意图。
图5为本发明实施例二提供的三结叠层太阳能薄膜电池制备方法中形成顶电池的流程图。
图中：
1-透明基板 2-透明导电膜
3-顶电池 4-中间电池
5-底电池 6-背反射电极
7-金属背电极 30-P型掺杂层
31-本征层 32-N型掺杂层
30a-硼掺杂非晶硅碳层 30b-硼掺杂微晶硅碳层
30c-硼掺杂微晶硅层 32a-磷掺杂纳米硅层
32b-磷掺杂微晶硅层 32c-磷掺杂非晶硅层
31a-本征非晶硅薄膜 31b-本征非晶硅锗薄膜
31c-本征微晶硅薄膜 31d-本征纳米硅薄膜
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
图4为本发明实施例一提供的三结叠层太阳能薄膜电池的结构示意图，从图中可以看出，该三结叠层太阳能薄膜电池，包括顶电池3、中间电池4和底电池5，分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其中，
顶电池3的本征层为晶粒尺寸为2-10内米(nm)以及晶化率为10-20％的本征纳米硅薄膜31d。
本发明将晶粒尺寸为2-10nm、晶化率为10-20％的纳米硅作为顶电池3的本征层，即本征纳米硅薄膜31d。因此使顶电池3的带隙宽度提高到1.8-2.0ev，使太阳能薄膜电池充分吸收波长小于400nm的光谱，同时由于纳米硅具有更高的稳定性，因此克服了非晶硅的S-W效应，从而提高了光电转化效率。
在本实施例中，优选的是顶电池3的本征纳米硅薄膜31d厚度为270-330nm，更佳为300nm。
在本实施例中，优选的是中间电池4的本征层为本征非晶硅锗薄膜31b，底电池5的本征层为本征微晶硅薄膜31c，并且本征非晶硅锗薄膜31b的厚度较佳为470-520nm，更佳为500nm，本征微晶硅薄膜31c的厚度较佳为1500-2000nm，更佳为1800nm。上述本征微晶硅薄膜31c的晶化率较佳为50-60％。在本发明中，中间电池4和底电池5的本征层并不仅限于使用上述材料，也可以选用其它非晶硅、微晶硅或纳米硅材料，只要满足其带隙宽度小于顶电池3并依次降低的要求即可。
上述顶电池3的P型掺杂层为硼掺杂非晶硅碳层30a，顶电池3的N型掺杂层为磷掺杂纳米硅层32a，并且硼掺杂非晶硅碳层30a的厚度较佳为13-18nm，更佳为15nm，磷掺杂纳米硅层32a的厚度较佳为20-35nm，更佳为30nm。
上述中间电池4的P型掺杂层为硼掺杂微晶硅碳层30b，中间电池4的N型掺杂层为磷掺杂微晶硅层32b，并且优选的是在中间电池4的本征非晶硅锗薄膜31b和磷掺杂微晶硅层32b之间，还包括磷掺杂非晶硅层32c；其中，硼掺杂微晶硅碳层30b的厚度较佳为25-35nm，更佳为30nm，磷掺杂非晶硅层32c和磷掺杂微晶硅层32b的总厚度较佳为25-35nm，更佳为30nm。
上述底电池5的P型掺杂层为硼掺杂微晶硅层30c，底电池的N型掺杂层为磷掺杂非晶硅层32c，硼掺杂微晶硅层30c的厚度为25-35nm，磷掺杂非晶硅层32c的厚度为25-30nm。
本发明，在顶电池3与中间电池4之间采用了具有高电导率的N型磷掺杂纳米硅层32a和P型硼掺杂微晶硅碳层30b，在中间电池4与底电池5之间采用了双N层(N型磷掺杂非晶硅层32c和N型磷掺杂微晶硅层32b)和P型硼掺杂微晶硅层30c的结构，从而使叠层电池之间有较好的隧穿特性，提高了太阳能薄膜电池的开路电压，改善了太阳能薄膜电池的性能。
在本发明中，顶电池、中间电池和底电池的P型硼掺杂硅层和N型磷掺杂硅层并不限于使用上述材料，也可以选用具有优良的光电特性的其它非晶硅、微晶硅或纳米硅材料。
实施例二
本实施例提供三结叠层太阳能薄膜电池制备方法，该方法包括在透明基板上依次形成透明导电膜、顶电池、中间电池、底电池、背反射电极和金属背电极的流程。图5为本发明实施例二提供的三结叠层太阳能薄膜电池制备方法中形成顶电池的流程图，从图5中可以看出，形成顶电池的流程包括：
步骤100、在透明导电膜上沉积硼掺杂非晶硅碳层；
步骤200、在硼掺杂非晶硅碳层上，采用硅烷浓度为1-5％的硅烷和氢气的混合气体，在1.0-1.5托(Torr)的沉积气压、180-220℃的沉积温度以及15-30W的辉光功率下，沉积本征纳米硅薄膜，其中，本征纳米硅薄膜的晶粒尺寸为2-10纳米，晶化率为10-20％；
步骤300、在本征纳米硅薄膜上沉积磷掺杂纳米硅层。
本发明在形成顶电池本征层时，通过控制硅烷和氢气的混合气体的硅烷浓度、沉积气压、沉积温度以及辉光功率，获得了带隙宽度可达到1.8-2.0ev的本征纳米硅薄膜，从而使太阳能薄膜电池充分吸收波长小于400nm的光谱，同时克服了S-W效应，从而提高了光电转化效率。
根据中间电池和底电池的不同结构，其具体形成流程可以有多种，典型的一种情况是形成中间电池的流程包括：
在顶电池上依次沉积硼掺杂微晶硅碳层、本征非晶硅锗薄膜和磷掺杂微晶硅层。
并且，优选的是在沉积磷掺杂微晶硅层之前还可以包括：在本征非晶硅锗薄膜上，沉积磷掺杂非晶硅层的步骤。通过加入该磷掺杂非晶硅层，可以使叠层电池之间有较好的隧穿特性，提高了太阳能薄膜电池的开路电压，改善了太阳能薄膜电池的性能。
上述形成底电池的流程包括：在中间电池上依次沉积硼掺杂微晶硅层、本征微晶硅薄膜和磷掺杂非晶硅层。
在本实施例中，将顶电池本征层的带隙宽度提高到1.8-2.0ev的基础上，使中间电池包含带隙宽度能达到1.45ev的本征层，以及使底电池包含带隙宽度能达到1.1-1.2ev的本征层，从而能使三结叠层太阳能薄膜电池充分吸收并利用400nm以下的太阳光和400-1100nm之间的太阳光。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (15)
1.一种三结叠层太阳能薄膜电池，包括顶电池、中间电池和底电池，分别包括P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，其特征在于：
所述顶电池的本征层为晶粒尺寸为2-10纳米以及晶化率为10-20％的本征纳米硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述顶电池的P型掺杂层为硼掺杂非晶硅碳层，所述顶电池的N型掺杂层为磷掺杂纳米硅层。
3.根据权利要求2所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述硼掺杂非晶硅碳层的厚度为13-18纳米，所述磷掺杂纳米硅层的厚度为20-35纳米。
4.根据权利要求1所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述中间电池的本征层为本征非晶硅锗薄膜，所述底电池的本征层为本征微晶硅薄膜。
5.根据权利要求4所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述本征纳米硅薄膜的厚度为270-330纳米，所述本征非晶硅锗薄膜的厚度为470-520纳米，所述本征微晶硅薄膜的厚度为1500-2000纳米。
6.根据权利要求4所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述本征微晶硅薄膜的晶化率为50-60％。
7.根据权利要求4所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述中间电池的P型掺杂层为硼掺杂微晶硅碳层，所述中间电池的N型掺杂层为磷掺杂微晶硅层。
8.根据权利要求7所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
在所述本征非晶硅锗薄膜和磷掺杂微晶硅层之间，还包括磷掺杂非晶硅层。
9.根据权利要求8所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述硼掺杂微晶硅碳层的厚度为25-35纳米，所述磷掺杂非晶硅层和磷掺杂微晶硅层的总厚度为25-35纳米。
10.根据权利要求4所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述底电池的P型掺杂层为硼掺杂微晶硅层，所述底电池的N型掺杂层为磷掺杂非晶硅层。
11.根据权利要求10所述的三结叠层太阳能薄膜电池，其特征在于：
所述硼掺杂微晶硅层的厚度为25-35纳米，所述磷掺杂非晶硅层的厚度为25-30纳米。
12.一种三结叠层太阳能薄膜电池制备方法，包括在透明基板上依次形成透明导电膜、顶电池、中间电池、底电池、背反射电极和金属背电极的流程，其特征在于，所述形成顶电池的流程包括：
在所述透明导电膜上沉积硼掺杂非晶硅碳层；
在所述硼掺杂非晶硅碳层上，采用硅烷浓度为1-5％的硅烷和氢气的混合气体，在1.0-1.5托的沉积气压、180-220℃的沉积温度以及15-30瓦的辉光功率下，沉积本征纳米硅薄膜，其中，所述本征纳米硅薄膜的晶粒尺寸为2-10纳米，晶化率为10-20％；
在所述本征纳米硅薄膜上沉积磷掺杂纳米硅层。
13.根据权利要求12所述的三结叠层太阳能薄膜电池制备方法，其特征在于，所述形成中间电池的流程包括：
在所述顶电池上依次沉积硼掺杂微晶硅碳层、本征非晶硅锗薄膜和磷掺杂微晶硅层。
14.根据权利要求13所述的三结叠层太阳能薄膜电池制备方法，其特征在于，在所述沉积磷掺杂微晶硅层之前还包括：
在所述本征非晶硅锗薄膜上沉积磷掺杂非晶硅层。
15.根据权利要求12或13或14所述的三结叠层太阳能薄膜电池制备方法，其特征在于，所述形成底电池的流程包括：
在所述中间电池上依次沉积硼掺杂微晶硅层、本征微晶硅薄膜和磷掺杂非晶硅层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010100339313A CN102117860B (zh) | 2010-01-06 | 2010-01-06 | 三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010100339313A CN102117860B (zh) | 2010-01-06 | 2010-01-06 | 三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102117860A true CN102117860A (zh) | 2011-07-06 |
| CN102117860B CN102117860B (zh) | 2013-07-31 |
Family
ID=44216528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010100339313A Active CN102117860B (zh) | 2010-01-06 | 2010-01-06 | 三结叠层太阳能薄膜电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102117860B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103022061A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池 |
| CN103022060A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池 |
| CN103022059A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池 |
| CN105470339A (zh) * | 2014-08-08 | 2016-04-06 | 上海建冶环保科技股份有限公司 | 一种纳米硅薄膜多结太阳能电池 |
| CN108336171A (zh) * | 2017-01-20 | 2018-07-27 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 用于临近空间环境的薄硅太阳电池组件 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191974A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性マルチジヤンクシヨン型半導体素子 |
| US5246506A (en) * | 1991-07-16 | 1993-09-21 | Solarex Corporation | Multijunction photovoltaic device and fabrication method |
-
2010
- 2010-01-06 CN CN2010100339313A patent/CN102117860B/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103022060A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池 |
| CN103022059A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池 |
| CN103022061A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池 |
| CN105470339A (zh) * | 2014-08-08 | 2016-04-06 | 上海建冶环保科技股份有限公司 | 一种纳米硅薄膜多结太阳能电池 |
| CN108336171A (zh) * | 2017-01-20 | 2018-07-27 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 用于临近空间环境的薄硅太阳电池组件 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102117860B (zh) | 2013-07-31 |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| CP03 | Change of name, title or address | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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|
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