CN102110760B - Led封装和包括该led封装的rfid系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种LED封装，包括基板和堆叠于基板上的显示设备，并包含发光二极管(LED)等。一种发光二极管(LED)封装包括：LED器件，被配置为发光；静电放电(ESD)设备，包含ESD电路，并形成在所述LED器件的下方；印刷电路板(PCB)，包含电源线，并形成在所述ESD设备的下方；以和散热基板，形成在所述PCB的下方，并被配置为释放从所述LED器件经由所述ESD设备和所述PCB所传来的热量。

Description

LED封装和包括该LED封装的RFID系统
相关申请的交叉引用
本申请案根据并请求分别于2009年12月23日提出的韩国专利申请案10-2009-0129394和10-2009-0129399的优先权，其全文以引用的方式合并于此。
技术领域
本发明的实施例涉及发光二极管(LED)封装和RFID系统；特别是涉及被配置为通过收发无线信号来与外部读取器通信以控制LED封装的RFID标签。
背景技术
射频识别(RFID)是一种通信方法，通过使用附着在识别目标的RFID芯片和被配置为利用RFID芯片传送无线信号的RFID读取器来提供非接触式识别。RFID可以改善现有的光学字符识别技术，并推进诸如条形码系统的现有的自动识别系统。
近年来，RFID系统可以用于配送系统(物流)、访问验证系统、电子支付系统、交通和安全所使用的门禁卡系统等。
例如，对于物流，可以在存货控制和分类中使用包含识别信息的集成电路(IC)芯片来代替交货单、传票或芯片。在访问验证系统中，由包含个人信息的IC卡来确定进入办公室或系统。
RFID装置在存储器着储存数据，特别是RFID芯片可以包括被配置为储存信息的非易失性铁电存储器。
非易失性铁电存储器(即铁电随机存取存储器；FeRAM)的数据处理速度通常类似于动态随机存取存储器(DRAM)。然而，FeRAM与DRAM的不同在于，即使在提供给存储设备的电力被切断时，储存于FeRAM的数据仍然保持。因此，FeRAM已受到相当的关注，并被视为下一世代存储设备的有力的候选产品。
FeRAM的结构与DRAM的类似之处在于FeRAM包含多个电容器。然而，FeRAM装置中的电容器由具有高剩余极化的铁电材料制成，即使在提供给存储设备的电力被切断时仍然容许储存于FeRAM的数据被保持。
图1为说明现有的RFID系统的方框图。如图所示，现有的RFID系统包含天线单元1、模拟处理单元10、数字处理单元20和信息储存单元30。
在此，天线单元1用来接收从外部RFID读取器发出的无线信号。通过天线单元1接收到的无线信号经过天线焊盘11和12并被输入至模拟处理单元10。
模拟处理单元10放大无线信号，以产生用来作为RFID芯片的电源的电压VDD，并从无线信号提取命令信号以将命令信号输出至数字处理单元20。模拟处理单元10还将上电复位信号POR(用于响应于电压VDD来控制复位操作)和时钟信号CLK输出至数字处理单元20。
数字处理单元20接收电源电压VDD、上电复位信号POR、时钟信号CLK和命令信号CMD，并产生提供给模拟处理单元10的响应信号RP。此外，数字处理单元20向信息储存单元30提供地址ADD、输入/输出数据I/O、控制信号CTR和时钟信号CLK。
信息储存单元30在与地址ADD相对应的位置处读取或写入输入/输出数据I/O，并且即使在断电后也保持数据。
RFID系统在各种频带中操作，但RFID系统的操作能力可以根据不同频带而改变。当RFID系统操作于低频带时，识别速度变得更慢，操作范围变得更小，但识别率较少受外部环境影响。否则，若RFID系统操作于更高频带，识别速度变得更快，操作范围变得更广，但识别率受外部环境影响更大。
发明内容
本发明的一个实施例提供一种包括基板和堆叠在基板上的显示设备的LED封装，所述LED封装包括发光二极管(LED)等。
本发明的实施例提供一种包括基板的封装，所述基板使用贯穿硅通孔(TSV)，所述TSV具有高导热性以改善附着在基板上的显示设备所产生的输出相对光通量的效率及其散热效率。
本发明的一个实施例提供一种包括LED封装的系统，所述LED封装耦接至RFID芯片，所述RFID芯片被配置为遥控包含在LED封装中的显示设备。
本发明的一个实施例提供一种包括LED封装的系统，所述LED封装包含温度传感器，所述温度传感器被配置为根据所感测的温度来控制提供给LED器件的电流量。
根据本发明的一个实施例，一种发光二极管(LED)封装包括：LED器件，被配置为发光；静电放电(ESD)装置，包含ESD电路，所述ESD设备形成在所述LED器件的下方；印刷电路板(PCB)，包含电源线，所述PCB形成在所述ESD设备的下方；以及散热基板，形成在所述PCB的下方，并被配置为经由所述ESD设备和所述PCB来释放从所述LED器件传来的热量。
根据本发明的一个实施例，一种射频识别(RFID)系统包括：多个LED封装，所述多个LED封装包含LED器件；RFID芯片，被配置为响应于经由天线收到的无线信号来读取或写入信息；以及操作控制器，被配置为响应于从所述RFID芯片输入的控制信号来控制多个LED封装的操作。
根据本发明的一个实施例，一种LED封装包括：LED器件，被配置为发光；ESD设备，包含ESD电路，所述ESD设备形成在所述LED器件下方；PCB，包含电源线，且形成在所述ESD设备下方；散热基板，形成在所述PCB的下方，并被配置为经由所述ESD设备和所述PCB来释放从所述LED器件传来的热量；以及温度传感器，被配置为感测所述LED器件周围的温度。
根据本发明的一个实施例，一种RFID系统包括：多个LED封装，被配置为输出温度传感器所感测的温度检测信号；RFID芯片，被配置为响应于经由天线收到的无线信号来读取或写入信息，并响应于所述温度检测信号来输出用以对提供给多个LED封装的电流量进行控制的控制信号；以及操作控制器，被配置为响应于所述控制信号来控制多个LED封装的操作。
附图说明
图1为现有的RFID系统的方框图
图2为根据本发明的一个实施例的RFID芯片的方框图。
图3为根据本发明的一个实施例的包含LED封装的RFID系统的方框图。
图4为表示图3所示的LED封装的剖面的方框图。
图5为根据本发明的另一个实施例的RFID芯片的方框图。
图6为根据本发明的另一个实施例的包含LED封装的RFID系统的方框图。
图7为表示图6所示LED封装的剖面的方框图。
图8为说明LED器件的响应于温度的相对光通量的图。
图9为说明流经LED器件的电流量响应于温度的图。
图10为说明流经包含在图6所示的LED封装中的LED器件的电流量响应于温度的图。
具体实施方式
下面，参考附图说明本发明的具体实施例。附图并非按比例绘制，并且在某些例子中，可能夸大了比例以更清楚地显示本发明的某些特点。
图2是根据本发明的一个实施例的RFID封装中的射频识别(RFID)芯片100的方框图。如图所示，RFID芯片100包含天线单元ANT、调制器110、解调器120、上电复位单元130、时钟发生器140、数字处理单元150、操作控制器160、信息处理单元170以及多个焊盘PAD1至PADn。在此，多个焊盘PAD1至PADn耦接于外部操作控制设备200。
天线单元ANT接收从RFID读取器发送的无线信号RF_EXT。天线单元ANT通过天线焊盘(未图标)将无线信号RF_EXT输出至RFID芯片100中，并输出至解调器120。
此外，天线单元ANT将从RFID芯片100接收到的无线信号发送至外部RFID读取器。从调制器110传送至天线单元ANT的无线信号通过天线焊盘(未图标)而被发送至外部RFID读取器。
解调器120将通过天线ANT输入的无线信号RF_EX解调以产生命令信号DEMOD，并将命令信号DEMOD输出至数字处理单元150。调制器110将从数字处理单元150输入的响应信号RP调制，并将调制的信号传输至天线ANT。
上电复位单元130感测从电源电压焊盘P1输入的电压VDD，并将上电复位信号POR输出至数字处理单元150。
在此，用以对RFID芯片100中的内部电路的复位操作进行控制的上电复位信号POR随着电压VDD从低电位至高电位的迁移而产生。在电压VDD在高电位维持预定时间后，上电复位信号POR于是从高电位变成低电位，从而使RFID芯片100的内部电路复位。
时钟发生器140将时钟信号CLK输出至数字处理单元150。时钟信号CLK用来根据通过电源电压焊盘P1传送的电压VDD来控制数字处理单元150的操作。
在本实施例中，利用分别通过焊盘P1和P2提供的电压VDD和接地电压GND来操作RFID芯片100。在现有方法中，当与RFID读取器通信的RFID标签接收到无线信号时，RFID标签可以由内部电压放大器来供应电压。
然而，在本实施例中，由于RFID芯片100耦接于外部操作控制设备200，而外部操作控制设备200将会被耦接至许多LED灯，因此，需要更多的电力。因此，本实施例经由焊盘P1和P2向RFID芯片100提供电压VDD和接地电压GND。
当接收到电压VDD、上电复位信号POR、时钟信号CLK和命令信号DEMOD时，数字处理单元150将命令信号DEMOD译码以产生控制信号CTR和多个处理信号。数字处理单元150还将与控制信号CTR相对应的响应信号RP和多个处理信号输出至调制器110。数字处理单元150将地址ADD、输入/输出数据I/O、控制信号CTR和时钟信号CLK输出至信息处理单元170。
操作控制器160位于数字处理单元150与多个焊盘PAD1至PADn之间。根据从数字处理单元150输入的指令信号，操作控制器160输出用以对外部操作控制设备200的操作进行控制的控制信号。外部操作控制设备200经由多个焊盘PAD1至PADn耦接至RFID芯片100的操作控制器160。
在此，多个焊盘PAD1至PADn经由连接引脚耦接至外部操作控制设备200，连接引脚用作被配置为耦接RFID芯片100与外部操作控制设备200的连接模块。经由多个焊盘PAD1至PADn传送的控制信号LEDC1至LEDCn被输出至外部操作控制设备200。
外部操作控制设备包含被配置为对诸如LED的显示器、马达、扬声器等的操作进行控制的控制器。
信息储存单元170包含多个存储器单元(memory cell)，每个存储器单元可以储存输入的信号并输出所储存的数据。
信息储存单元170可以包含非易失性铁电存储器。铁电随机存取存储器(FeRAM)的数据处理速度通常类似于动态随机存取存储器(DRAM)的数据处理速度。此外，FeRAM的结构与DRAM的相似处在于FeRAM包含多个电容器。然而，FeRAM装置中的电容器由具有高剩余极化的铁电材料制成，因此即使在提供给存储设备的电力被切断时仍然可以保持数据。
图3是包含图2所示RFID芯片100的RFID系统的方框图。如图所示，RFID系统包含RFID芯片100A至100C、操作控制设备200A至200C、LED封装300A至300C和电力控制器PC。如本文所用，术语“RFID系统”是指包含全部的RFID芯片100A至100C、操作控制设备200A至200C、LED封装300A至300C和电力控制器PC的装置。
耦接至操作控制设备200A至200C的RFID芯片100A至100C将控制信号LEDC1至LEDCn输出至操作控制设备200A至200C。在此，操作控制设备200A至200C将从RFID芯片100A至100C输入的控制信号LEDC1至LEDCn传送入LED封装300A至300。操作控制设备200A至200C可以包含开关设备(未图标)。
操作控制设备200A至200C通过局部电源线LP1至LP3来选择性地向LED封装300A至300供电。在此，操作控制设备200A至200C由从RFID芯片100A至100C输入的控制信号LEDC1至LEDCn控制。
此外，多个LED封装300A至300由通过局部电源线LP1至LP3供应的局部电力控制。耦接至局部电源线LP1至LP3的每个LED封装300A至300被配置成行。
另外，电力控制器PC耦接至全局电源线GP，并将外部电力提供至全局电源线GP。操作控制设备200A至200C经由全局电源线GP从电力控制器PC接收电力。在此，全局电源线GP的电压由电力控制器PC确定。
图4是图3所示的LED封装300A的方框图。特别地，图4表示了沿图3的A-A’切面截取的LED封装300的剖面图。
LED封装300A包含散热基板310、印刷电路板(PCB)320、静电放电(ESD)设备330和LED器件340。
在此，散热基板310、印刷电路板(PCB)320、ESD设备330和LED器件340相互耦接。
散热电极311和312在散热基板310的上方形成为突起状(或局部球状)。下部电极321和322在PCB 320的下方形成为突起状。在此，PCB 320的下部电极321和322电耦接至散热基板310的散热电极311和312。在PCB 320的上方，上部电极323和324形成为突起状。
在ESD设备330的下方，下部电极331和332形成为突起状。下部电极331和332电耦接至上部电极323和324。在ESD设备330的上方，上部电极333和334形成为突起状。
另外，LED电极341和342在LED器件340的下方形成为突起状。LED电极341和342电耦接至上部电极333和334。
此外，PCB 320包含电源线和贯穿硅通孔(TSV)325和326。TSV 325穿过PCB 320。上部电极323由TSV 325电耦接至下部电极321。同样地，TSV 326穿过PCB 320。上部电极324由TSV 326电耦接至下部电极322。
ESD设备330包含静电放电电路以及硅通孔(TSV)335和336。TSV 335穿过ESD设备330。上部电极333由TSV 335电耦接至下部电极331。同样地，TSV 336穿过ESD设备330。上部电极334由TSV 336电耦接至下部电极332。
散热基板310、PCB 320、ESD设备330和LED器件340相互耦接，每一个通过TSV 335、336、325以及326电连接。
在具有上述结构的LED封装300A中，如果通过局部电源线LP1供电，LED器件340即发出光hv。在此，LED器件340的电源端子耦接至LED电极341和342，所述LED电极341和342是导电电极。
当LED器件340发光时，LED器件340产生大量的热量。这些热量通过TSV 335、336、325和326传导至散热基板310。
TSV 335和336包含具有高导热性特征的材料，以快速地将LED器件340所产生的热量转移到散热基板310中。另外，TSV 335和336包含用来向LED器件340提供电流的导电材料。
此外，散热基板310包含散热基板风扇，所述散热基板风扇被配置为移除从LED器件340传送来的热量。散热基板310包含具有高导热性的特征的材料，以将LED器件340所产生的热量转移到周围空气中。
图5是根据本发明的另一个实施例的RFID封装中所含的RFID芯片400的方框图。RFID芯片400包含天线单元ANT、调制器410、解调器420、上电复位单元430、时钟发生器440、数字处理单元450、操作控制器460、信息储存单元470、多个焊盘PAD1至PADn和温度焊盘TPAD。在此，多个焊盘PAD1至PADn耦接至外部操作控制设备500。
天线单元ANT接收从RFID读取器传来的无线信号RF_EXT。通过天线单元ANT输入至RFID芯片400的无线信号RF_EXT通过天线焊盘输入至解调器420。
另外，天线单元ANT将从RFID芯片400接收到的无线信号发送至外部RFID读取器。从调制器410传送至天线单元ANT的无线信号通过天线焊盘(未图示)发送至外部RFID读取器。
解调器420将通过天线ANT输入的无线信号RF_EXT解调以产生命令信号DEMOD，并将命令信号DEMOD输出至数字处理单元450。调制器410将从数字处理单元450输入的响应信号RP调制，以将调制的信号传输至天线ANT。
上电复位单元430感测从电源电压焊盘P1输入的电压VDD，并将上电复位信号POR输出至数字处理单元450。
在此，用以对RFID芯片100中的内部电路的复位操作进行控制的上电复位信号POR随着电压VDD从低电位到高电位的迁移而产生。在电压VDD在高电位上维持预定时间后，上电复位信号POR从高电位变成低电位，以将RFID芯片400的内部电路复位。
时钟发生器440将时钟信号CLK输出至数字处理单元450。时钟信号CLK用来根据通过电源电压焊盘P1传送的电压VDD来控制数字处理单元450的操作。
在本实施例中，利用分别通过焊盘P1和P2供应的电压VDD和接地电压GND来操作RFID芯片400。在现有方法中，当与RFID读取器通信的RFID标签接收无线信号时，RFID标签可以由内部电压放大器供应电源电压。
然而，在本实施例中，由于RFID芯片400耦接至外部操作控制设备500，因此，需要更多的电力。如此，本实施例经由焊盘P1和P2将电压VDD和接地电压GND提供至RFID芯片400。
当接收到电压VDD、上电复位信号POR、时钟信号CLK和命令信号DEMOD时，数字处理单元450将命令信号DEMOD译码以产生控制信号CTR和多个处理信号。数字处理单元450还将与控制信号CTR相对应的响应信号RP和多个处理信号输出至调制器410。数字处理单元450将地址ADD、输入/输出数据I/O、控制信号CTR和时钟信号CLK输出至信息处理单元470。
操作控制器460位于数字处理单元450与多个焊盘PAD1至PADn之间。根据从数字处理单元450输入的指令信号，操作控制器460输出用以对外部操作控制设备500的操作进行控制的控制信号。外部操作控制设备500经由多个焊盘PAD1至PADn耦接至RFID芯片400的操作控制器460。
在此，多个焊盘PAD1至PADn经由连接引脚耦接至外部操作控制设备500，所述连接引脚被用作被配置为耦接RFID芯片400与外部操作控制设备500的连接模块。经由多个焊盘PAD1至PADn传送的控制信号LEDC1至LEDCn输出至外部操作控制设备500。
外部操作控制设备包含被配置为控制诸如LED的显示器、马达、扩音器等的操作的控制器。
另外，RFID芯片400中所含的温度焊盘TPAD接收从LED封装输入的温度检测信号T_C。通过温度焊盘TPAD输入的温度检测信号T_C被传送至RFID芯片400的操作控制器460。
操作控制器460将控制信号LEDC1至LEDCn输出至外部操作控制设备500，其中控制信号LEDC1至LEDCn被用来对响应于温度检测信号T_C而施加于LED封装的电流量进行控制。在此，外部操作控制设备500选择性地将控制信号LEDC1至LEDCn传送至LED封装中以控制LED的接通/关断、强度、亮度等。
信息储存单元470包含多个存储器单元，每个存储器单元可以储存输入的信号并输出所储存的数据。
信息储存单元470可以包含非易失性铁电存储器。铁电随机存取存储器(FeRAM)的数据处理速度通常类似于动态随机存取存储器(DRAM)的数据处理速度。另外，FeRAM的结构与DRAM的相似处在于FeRAM包含多个电容器。然而，FeRAM装置中的电容器由具有高剩余极化的铁电材料制成，因此所述电容器即使在提供给存储设备的电力被切断时仍然可以保持数据。
图6是包含图5所示的RFID芯片400的RFID系统的方框图。如图所示，RFID系统包含RFID芯片400A至400C、操作控制设备500A至500C、LED封装600A至600C和电力控制器PC。在本文中，术语“RFID系统”是指包含所有的RFID芯片400A至400C、操作控制设备500A至500C、LED封装600A至600C和电力控制器PC的装置。
耦接至操作控制设备500A至500C的RFID芯片400A至400C将控制信号LEDC1至LEDCn输出至操作控制设备500A至500C。在此，操作控制设备500A至500C将从RFID芯片400A至400C输入的控制信号LEDC1至LEDCn传送到LED封装600A至600中。操作控制设备500A至500C可以包含开关设备(未图示)。
操作控制设备500A至500C通过局部电源线LP1至LP3选择性地向LED封装600A至600供电。在此，操作控制设备500A至500C由从RFID芯片400A至400C输入的控制信号LEDC1至LEDCn控制。
此外，多个LED封装600A至600由通过局部电源线LP1至LP3提供的局部电力所控制。耦接至局部电源线LP1至LP3的每个LED封装600A至600被配置成行。
另外，电力控制器PC耦接至全局电源线GP，并将外部电力提供给全局电源线GP。操作控制设备500A至500C经由全局电源线GP从电力控制器PC接收电力。在此，全局电源线GP的电压由电力控制器PC确定。
包含温度传感器的LED封装600A至600将温度传感器所产生的温度检测信号T_C输出至多个RFID芯片400A至400C的温度焊盘TPAD。多个RFID芯片400A至400C和多个LED封装600A至600通过多个总线T_BUS(1)至T_BUS(3)耦接。LED封装600A至600的每个将由附加的温度传感器所测量到的温度信息送入RFID芯片400A至400C。
RFID芯片400A至400C响应于通过总线T_BUS(1)至T_BUS(3)输入的温度检测信号T_C来调整控制信号LEDC1至LEDCn，以对提供给LED封装600A至600的电流量进行控制。
图7是图6所示的LED封装600A至600的方框图。特别地，图7表示沿图6的A-A’切面截取的LED封装600A的剖面图。
LED封装600A包含散热基板610、印刷电路板(PCB)620、静电放电(ESD)设备630和LED器件640。
在此，散热基板610、印刷电路板620、ESD设备630和LED器件640相互耦接。
散热电极611和612在散热基板610的上方形成为突起状(即局部球状)。下部电极621和622在PCB 620的下方形成为突起状。在此，PCB 620的下部电极621和622电耦接至散热基板610的散热电极611和612。在PCB 620的上方，上部电极623和624形成为突起状。
在ESD设备630的下方，下部电极631和632形成为突起状。下部电极631和632电耦接至上部电极623和624。在ESD设备630的上方，上部电极633和634形成为突起状。
另外，LED电极641和642在LED器件640的下方形成为突起状。LED电极641和642电耦接至上部电极633和634。
此外，PCB 620包含电源线和贯穿硅通孔(TSV)625和626。TSV 625穿过PCB 620。上部电极623由TSV 625电耦接至下部电极621。同样地，TSV 626穿过PCB 620。上部电极624由TSV 626电耦接至下部电极622。
ESD设备630包含静电放电电路和贯穿硅通孔(TSV)635和636。TSV635穿过ESD设备630。上部电极633由TSV 635电耦接至下部电极631。同样地，TSV 636穿过ESD设备630。上部电极634由TSV 636电耦接至下部电极632。
散热基板610、PCB 620、ESD设备630和LED器件640相互耦接，其每一个通过TSV 635、636、625以及626电连接。
PCB 620包含信号传输线660。在此，信号传输线660包含总线T_BUS，所述总线T_BUS被配置为将来自温度传感器S的温度检测信号T_C传送到RFID芯片400的温度焊盘TPAD。
在此，信号传输线660在PCB 620的上方形成为沟槽状。在信号传输线660的上方，上电极661形成为突起状。
ESD设备630包含温度传感器S和贯穿硅通孔(TSV)650。在此，温度传感器S耦接至穿过ESD设备630的硅通孔(TSV)650。
在贯穿硅通孔(TSV)650的下方，下部电极651形成为突起状。下部电极651耦接至上部电极661。
在具有上述结构的LED封装中，如果通过局部电源线LP1供电，LED器件340即发出光hv。在此，LED器件340的电源端子耦接至LED电极341和342，所述LED电极341和342是导电电极。
当LED器件640发光时，LED器件640产生大量的热量。这些热量通过TSV 635、636、625和626传导至散热基板610。
TSV 635和636包含具有高导热性的特征的材料，以快速地将LED器件640所产生的热量转移到散热基板610中。另外，TSV 635和636包含用来将电流提供给LED器件640的导电材料。
此外，散热基板610包含散热基板风扇，所述散热基板风扇被配置为移除从LED器件640传送来的热量。散热基板610包含具有高导热性的特征的材料，以将LED器件640所产生的热量转移到周围空气中。
图8是说明LED器件的响应于温度的相对光通量的图。
通过总线T_BUS，将LED封装600A的温度传感器S所感测的温度检测信号T_C输出至RFID芯片400的温度焊盘TPAD。操作控制器460响应于温度检测信号T_C而输出控制信号LEDC1至LEDCn，以对提供给LED封装600A的电流量进行控制。
如图8所示，从LED器件640发出的光的强度随着LED器件640周围温度的升高而减小。例如，响应于100℃的温度上升，光强度减小约30％。
图9是说明流经LED器件的电流量响应于温度的图。参见图9，流经LED器件640的电流量直至达到流经LED器件640的电流量快速减小的温度点(例如电流跌落温度；current falloff temperature)之前都是恒定的。
图10是说明流经图6所示LED封装中所含的LED器件的电流量响应于温度的图。如图10所示，当温度传感器S周围的温度升高时，LED电流减小，这造成从LED器件发出的光的强度降低。
因此，在温度检测信号T_C达到电流跌落温度前，LED器件640可以将提供给LED器件640的电流量提高，以补偿流经LED器件640的电流的减小。
然而，如果在温度检测信号T_C指示温度超过电流跌落温度时操作控制器460将提供给LED器件640的电流量提高，则LED器件640可能被破坏。因此，如果温度检测信号T_C指示温度超过电流跌落温度，则LED器件640将提供给LED器件640的电流量快速减小，以保护LED器件640。
近年来，LED器件已应用于外部的泛光照明，用于在夜间照亮公共或私人建筑、运动场和其它场地。当多个LED器件被个别地接通/关断时，可以显示各种形状或图案。另外，根据使用者的要求、位置等，通过控制流经LED器件的电流量，来控制多个LED器件以调整光强度。
在本实施例中，LED器件可以由RFID系统控制。亦即，如果在RFID标签单独地附着于LED器件之后，利用外部RFID读取器传送无线信号，则RFID标签察觉从RFID读取器发送的无线信号，并根据独特的ID信息单独地接收某些备注，据此，调整或控制从耦接于RFID标签的LED器件发射的光的接通/关断状态及其强度。
在此，由于RFID标签较一般的遥控器便宜，因此，当RFID标签用来作为泛光照明的控制手段时，泛光照明的制造成本降低，控制泛光照明的方便性提高。
在本发明的一个实施例中，LED封装包含基板和包含发光二极管(LED)等堆叠于基板上的显示设备。
根据本发明的一个实施例，封装包含使用贯穿硅通孔(TSV)的基板，所述TSV具有高热导性以改善附着于基板上的显示设备的输出的相对光通量和所产生的热量的散热效率。
根据本发明的一个实施例的系统包含耦接于RFID芯片的LED封装，所述RFID芯片被配置为遥控LED封装中所含的显示设备。
在本发明的一个实施例中，一种系统包含LED封装，所述LED封装包含温度传感器，所述温度传感器被配置为根据所感测的温度来控制提供给LED器件的电流量。
虽然业已说明与本发明一致的若干例示性实施例，但应理解的是，本领域技术人员可以在本说明书所公开的内容的原理的精神和范畴内设计出若干其它修改和实施例。更具体的是，可在公开的内容、附图和所附的权利要求的零部件和/或所述的组合配置的配置中进行若干变更和修改。除了零部件和/或配置的变更和修改外，替代性使用对于本领域技术人员来说也是显而易见的。

Claims (43)

1.一种发光二极管封装、即LED封装，包括：
LED器件，所述LED器件被配置为发光；
静电放电设备、即ESD设备，所述ESD设备包含ESD电路，并设置在所述LED器件的下方；
印刷电路板、即PCB，所述PCB包含电源线，并设置在所述ESD设备的下方；
散热基板，所述散热基板设置在所述PCB的下方，并被配置为释放从所述LED器件经由所述ESD设备和所述PCB所接收的热量；
第一上部电极，所述第一上部电极形成于所述PCB上；以及
第二下部电极，所述第二下部电极形成于所述ESD设备的下方并耦接于所述第一上部电极。
2.如权利要求1所述的LED封装，其中，所述ESD设备包括第一贯穿硅通孔、即第一TSV，所述第一TSV被配置为将从所述LED器件接收的热量转移至所述PCB。
3.如权利要求2所述的LED封装，其中，所述第一TSV包括垂直延伸穿过所述ESD设备的导电材料。
4.如权利要求1所述的LED封装，其中，所述PCB包括第二贯穿硅通孔、即第二TSV，所述第二TSV被配置为将从所述ESD设备接收的热量转移至所述散热基板。
5.如权利要求4所述的LED封装，其中，所述第二TSV包括垂直延伸穿过所述PCB的导电材料。
6.如权利要求1所述的LED封装，还包括:
散热电极，所述散热电极形成于所述散热基板上；
第一下部电极，所述第一下部电极形成于所述PCB的下方并耦接于所述散热电极；
第二上部电极，所述第二上部电极形成于所述ESD设备的上方；以及
LED电极，所述LED电极形成于所述LED器件的下方并耦接于所述第二上部电极。
7.如权利要求1所述的LED封装，还包括温度传感器，所述温度传感器被配置为感测所述LED器件周围的温度。
8.如权利要求7所述的LED封装，其中，所述温度传感器包含于所述ESD设备中。
9.如权利要求7所述的LED封装，还包括:
第三TSV，所述第三TSV被配置为将由所述温度传感器感测到的温度信息发送至所述PCB；以及
第三下部电极，所述第三下部电极形成于所述第三TSV之下。
10.如权利要求9所述的LED封装，还包括:
第三上部电极，所述第三上部电极形成于所述PCB上并耦接于所述第三下部电极；以及
信号传输线，所述信号传输线形成于所述PCB中并耦接于所述第三上部电极。
11.一种射频识别系统、即RFID系统，包括：
多个LED封装，每个LED封装包含LED器件；
RFID芯片，所述RFID芯片被配置为响应于经由天线接收的无线信号来读取或写入信息；以及
操作控制器，所述操作控制器被配置为响应于从所述RFID芯片输入的控制信号来控制所述多个LED封装的操作，
其中，所述多个LED封装中的每个包括：
LED器件，所述LED器件被配置为发光；
ESD设备，所述ESD设备包含ESD电路，并设置在所述LED器件的下方；
PCB，所述PCB包含电源线，并设置在所述ESD设备的下方；
散热基板，所述散热基板设置在所述PCB的下方，并被配置为释放从所述LED器件经由所述ESD设备和所述PCB所接收的热量；
第一下部电极，所述第一下部电极形成于所述PCB的下方并耦接于所述散热电极；以及
第一上部电极，所述第一上部电极形成于所述PCB上。
12.如权利要求11所述的RFID系统，其中，所述ESD设备包括第一TSV，所述第一TSV被配置为将从所述LED器件接收的热量移除至所述PCB。
13.如权利要求12所述的RFID系统，其中，所述第一TSV包括垂直延伸穿过所述ESD设备的导电材料。
14.如权利要求11所述的RFID系统，其中，所述PCB包括第二TSV，所述第二TSV被配置为将从所述ESD设备接收的热量移除至所述散热基板。
15.如权利要求14所述的RFID系统，其中，所述第二TSV包括垂直延伸穿过所述PCB的导电材料。
16.如权利要求11所述的RFID系统，其中，所述多个LED封装的每个还包括：
散热电极，所述散热电极形成于所述散热基板上；第二下部电极，所述第二下部电极形成于所述ESD设备的下方并耦接于所述第一上部电极；
第二上部电极，所述第二上部电极形成于所述ESD设备的上方；以及
LED电极，所述LED电极形成于所述LED器件的下方并耦接于所述第二上部电极。
17.如权利要求11所述的RFID系统，其中，所述操作控制器包括开关单元。
18.如权利要求11所述的RFID系统，还包括局部电源线，所述局部电源线被配置为向所述多个LED封装供电。
19.如权利要求11所述的RFID系统，还包括电力控制器，所述电力控制器被配置为向所述操作控制器提供外部电源。
20.如权利要求19所述的RFID系统，还包括全局电源线，所述全局电源线耦接在所述电力控制器与所述操作控制器之间。
21.如权利要求11所述的RFID系统，其中，所述RFID芯片包括：
解调器，所述解调器被配置为解调所述无线信号以产生命令信号；
处理单元，所述处理单元被配置为根据所述命令信号来产生控制信号和响应信号；
调制器，所述调制器被配置为响应于所述命令信号而将所述响应信号输入天线；
上电复位单元，所述上电复位单元被配置为产生上电复位信号，并将所述上电复位信号输出至所述处理单元；
时钟发生器，所述时钟发生器被配置为产生时钟信号，并将所述时钟信号输出至所述处理单元；以及
信息储存单元，所述信息储存单元被配置为响应于从所述处理单元输入的处理信号来读取和写入信息，
其中，所述信息储存单元包括铁电随机存取存储器。
22.如权利要求11所述的RFID系统，其中，所述RFID芯片还包括：
电源电压焊盘，所述电源电压焊盘被配置为向所述RFID芯片提供电源电压；以及
接地电压焊盘，所述接地电压焊盘被配置为向所述RFID芯片提供接地电压。
23.如权利要求11所述的RFID系统，其中，所述RFID芯片还包括：
连接单元，所述连接单元耦接于所述操作控制器；以及
操作控制单元，所述操作控制单元被配置为将用以对所述操作控制器的操作进行控制的驱动信号输入所述连接单元。
24.如权利要求23所述的RFID系统，其中，所述连接单元包括耦接于所述操作控制器与所述操作控制单元之间的焊盘。
25.一种RFID系统，包括：
多个LED封装，所述多个LED封装被配置为输出由温度传感器所感测的温度检测信号，所述多个LED封装的每个包含LED器件；
RFID芯片，所述RFID芯片被配置为响应于经由天线接收到的无线信号来读取或写入信息，并响应于所述温度检测信号来输出用以对提供给多个LED封装的电流量进行控制的控制信号；以及
操作控制器，所述操作控制器被配置为响应于所述控制信号来控制所述多个LED封装的操作。
26.如权利要求25所述的RFID系统，其中，所述RFID芯片被配置为在所述温度检测信号上升到预定温度之前，逐渐增加提供给所述多个LED封装的电流量，而当所述温度检测信号超过所述预定温度时，减少提供给所述多个LED封装的电流量。
27.如权利要求25所述的RFID系统，其中，所述多个LED封装的每个包括：
LED器件，所述LED器件被配置为发光；
ESD设备，所述ESD设备包含ESD电路，并设置在所述LED器件的下方；
PCB，所述PCB包含电源线，并设置在所述ESD设备的下方；
散热基板，所述散热基板设置在所述PCB的下方，并被配置为移除从所述LED器件经由所述ESD设备和所述PCB传来的热量；以及
温度传感器，所述温度传感器被配置为感测所述LED器件周围的温度。
28.如权利要求27所述的RFID系统，其中，所述温度传感器包含于所述ESD设备中。
29.如权利要求27所述的RFID系统，还包括：
第一TSV，所述第一TSV被配置为将由所述温度传感器所感测的温度信息发送至所述PCB；以及
第一下部电极，所述第一下部电极形成于所述第一TSV的下方。
30.如权利要求29所述的RFID系统，还包括：
第一上部电极，所述第一上部电极形成于所述PCB上并耦接于所述第一下部电极；以及
信号传输线，所述信号传输线形成于所述PCB中并耦接于所述第一上部电极。
31.如权利要求27所述的RFID系统，其中，所述ESD设备包括第二TSV，所述第二TSV被配置为将从所述LED器件接收的热量移除至所述PCB。
32.如权利要求31所述的RFID系统，其中，所述第二TSV包括垂直延伸穿过所述ESD设备的导电材料。
33.如权利要求27所述的RFID系统，其中所述PCB包括第三TSV，所述第三TSV被配置为将从所述ESD设备接收的热量移除至所述散热基板。
34.如权利要求33所述的RFID系统，其中，所述第三TSV包括垂直延伸穿过所述PCB的导电材料。
35.如权利要求27所述的RFID系统，还包括：
散热电极，所述散热电极形成于所述散热基板上；
第二下部电极，所述第二下部电极形成于所述PCB的下方并耦接于所述散热电极；
第二上部电极，所述第二上部电极形成于所述PCB上；
第三下部电极，所述第三下部电极形成于所述ESD设备的下方并耦接于所述第二上部电极；
第三上部电极，所述第三上部电极形成于所述ESD设备的上方；以及
LED电极，所述LED电极形成于所述LED器件的下方并耦接于所述第三上部电极。
36.如权利要求25所述的RFID系统，还包括局部电源线，所述局部电源线被配置为向所述多个LED封装供电。
37.如权利要求25所述的RFID系统，还包括电力控制器，所述电力控制器被配置为向所述操作控制器提供外部电源。
38.如权利要求37所述的RFID系统，还包括全局电源线，所述全局电源线耦接在所述电力控制器与所述操作控制器之间。
39.如权利要求25所述的RFID系统，其中，所述RFID芯片包括：
解调器，所述解调器被配置为解调所述无线信号以产生命令信号；
处理单元，所述处理单元被配置为根据所述命令信号来产生控制信号和响应信号；
调制器，所述调制器被配置为响应于所述命令信号来将所述响应信号输入天线；
上电复位单元，所述上电复位单元被配置为产生上电复位信号，并将所述上电复位信号输出至所述处理单元；
时钟发生器，所述时钟发生器被配置为产生时钟信号，并将所述时钟信号输出至所述处理单元；以及
信息储存单元，所述信息储存单元被配置为响应于从所述处理单元输入的处理信号来读取和写入信息，
其中，所述信息储存单元包括铁电随机存取存储器。
40.如权利要求25所述的RFID系统，其中，所述RFID芯片还包括：
电源电压焊盘，所述电源电压焊盘被配置为向所述RFID芯片提供电源电压；以及
接地电压焊盘，所述接地电压焊盘被配置为向所述RFID芯片提供接地电压。
41.如权利要求25所述的RFID系统，其中，所述RFID芯片还包括：
连接单元，所述连接单元耦接于所述操作控制器；以及
操作控制单元，所述操作控制单元被配置为将用以对所述操作控制器的操作进行控制的驱动信号输入所述连接单元。
42.如权利要求41所述的RFID系统，其中，所述连接单元包括耦接于所述操作控制器与所述操作控制单元之间的焊盘。
43.如权利要求25所述的RFID系统，还包括总线，所述总线被配置为将从所述多个LED封装输入的温度检测信号输入所述RFID芯片。
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