CN102106036A - 天线装置及包含该天线装置的便携式电子装置 - Google Patents
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Abstract
一种用于便携式电子装置的天线装置(18),优选用于FM频率范围,包括:单极辐射和/或辐射接收元件(20),该单极元件(20)包括适于连接到天线连接点(23)的馈电部(32),其中电感器(24)可连接在天线连接点(23)和地面之间,并且放大级(26)的输入端也可连接到天线连接点(23),其中放大级(26)的输出端可连接到无线电路(22),天线连接点(23)、所述电感器(24)、所述放大级(26)以及所述无线电路(22)均被设置在便携式电子装置(10)的内部。
Description
技术领域
本发明总体上涉及天线装置,更具体地,涉及一种用于便携式电子装置(如移动电话)的天线装置,其适用于频率较低的无线信号(如FM频带的无线信号)。
背景技术
内部天线用于便携式无线通信装置已有时日。内部天线有很多优点,其体积小且重量轻,因此适用于大小和重量非常重要的装置,例如移动电话。
然而,内部天线在移动电话中的应用对天线元件的配置有一定限制。特别是在便携式无线通信装置中用于内部天线设置的空间有限。这些限制导致天线的配置难以提供宽的工作频带。用于频率较低的无线信号的天线尤其如此,因为其所需物理长度大于在较高频率下工作的天线。
FM无线应用是在较低频带下工作的一个特定应用。FM频带被定义为频率在88-108MHz(欧美)之间或76-90MHz(日本)之间,即,在全球范围内为76-108MHz。在现有技术中,安装在移动无线通信装置的壳体内的常规天线装置(如环状天线或单极天线)会使得操作不尽人意,因为此类天线在足够宽的频带内性能极差,或者仅在极窄的频带内具有足够的性能。
代替地,将用于便携式无线通信装置的常规FM天线设置在与通信装置相连的耳机线中。具有较长导线的这种配置使得天线长度足以适于低频应用。然而,当不能使用外部天线时,这种方案显然也是不可行的。
另一问题是如果第二天线(如GSM天线)被设置在与FM天线相同的通信装置中,则该第二天线会干扰FM天线的工作。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于便携式电子装置的内部天线装置,其能够在具有较低频率的整个频带(如FM频带)上以充分的性能工作。
本发明基于如下认识:有源内部天线可被设置成单极天线。
根据本发明,提供了一种天线装置,其接收至少一个工作频带内的无线信号并且被设置在便携式电子装置的内部,所述天线装置包括:单极辐射和/或辐射接收元件,所述单极和/或辐射接收元件包括适于连接到天线连接点的馈电部,其中可在所述天线连接点和地之间连接电感器,并且放大级的输入端也可连接到所述天线连接点,其中所述放大级的输出端可连接到无线电路,所述电感器(24)、所述放大级(26)以及所述无线电路(22)均被设置在所述便携式电子装置的内部。
还提供一种便携式电子装置,其包括:地平面、天线连接点、连接在所述天线连接点和地面之间的电感器、输入端连接到所述天线连接点的放大级、连接到所述放大级的输出端的无线电路,以及这种天线装置。
根据本发明的天线装置能够在具有较低频率的整个频带(如FM频带)上以充分的性能工作。通过使用单极天线,可以发现,在增益方面不管是否具有谐振频率行为,整个工频范围内的灵敏度都得到提高,实现了良好的信噪比。因此无需进行频率调谐。连接在单极元件和地之间的电感器增加了放大级可见的源极电阻,从而匹配噪音并增加稳定性。
在优选实施方式中,该单极元件为顶部加载单极元件,其与电感器和放大级协同设计。
更多优选实施方式在从属权利要求中限定。
附图说明
下面将参照附图并通过示例对本发明进行说明,其中:
图1示出了根据本发明的便携式电子装置的主视图;
图2示出了根据本发明的便携式电子装置的截面图;
图3示出了根据本发明的连接到无线电路的天线装置的示意图;
图4示出了设置在地平面上的天线装置的单极元件的侧视图;
图5为本发明的天线装置的电路图,其中包括了单极元件的相应电子电路元件;
图6为根据本发明第一实施方式的相对于地平面的单极元件配置的透视图;
图7示出了采用具有图6的配置的单极元件的天线装置的增益及信噪比(SNR)曲线,并与具有相同单极元件且采用常规无源共轭阻抗匹配的天线的增益及信噪比曲线相对照,以及
图8为根据本发明第二实施方式的相对于地平面的单极元件配置的透视图。
具体实施方式
下面将给出根据本发明的天线和便携式电子装置的优选实施方式的具体描述。在描述中,为了进行解释而非限制的目的给出了特定细节,以便对本发明进行透彻的理解。然而,对于本领域技术人员来说,显而易见的是本发明可用于与这些特定细节不同的其它实施方式。在其它例子中,省略了对于公知单元、实体和电路的说明,以免本发明的描述因为不必要的细节而含混不清。
图1示出了便携式电子装置10(如移动电话)的主视图。便携式电子装置也可为其它类型的装置,如膝上电脑、掌上电脑、如个人数字助理(PDA)的电子记事本、游戏机、如旅行闹钟的小型时钟、电视接收器、FM无线接收器、媒体播放器如MP3或CD播放器。装置10例如设置有靠近该装置上端的显示器12和靠近该装置下端的键盘14。此处它们均被设置在装置10的壳体上。然而应该意识到该装置也可提供为不设置显示器和/或键盘。装置10还可设置至少一个天线。不过所有天线均设置在装置内,即位于装置内部。
图2示出了装置10的侧面(穿过壳体16的截面)图。为了清晰地描述本发明,图中只包含了理解本发明所必须的元件。因此图中省略了该装置中的很多单元,例如图1所示的显示器和键盘。此处装置10包括电路板20,其上安装了根据本发明的天线装置18。电路板20上还具有无线电路22(此处形式为FM接收器电路),其例如可用于解调天线装置接收的无线信号。电路板20可以是多层印刷电路板(PCB),还包括地平面(未示出),地平面与本发明的天线装置18共同使用。
参照图3,图3中示出了根据本发明第一实施方式的天线装置18连接到无线电路22的一般配置。天线装置18此处包括辐射和/或辐射接收元件20,其可以设置为导电材料形成的非谐振件。元件20可以以金属导线或柔性膜上的导电迹线的形式设置。该元件还可以是单极元件,其细节将在下文详述。
单极元件20连接到天线连接点23,其通向连接在天线连接点23和地之间的分路电感器(shunt inductor)24。分路电感器可以较近地物理连接到天线连接点。天线装置18中还具有放大级26,其输入端也连接到天线连接点23,而其输出端连接到FM接收器电路22(可为飞利浦半导体公司生产的以品名HvQFN40销售的常规电路)。放大级26对单极元件20接收的信号进行放大,并将其提供给FM接收器电路22。
图4示意性地示出了根据第一实施方式的与电路板中的地平面34相邻的单极元件20的侧视图。可以看出,单极元件20是顶部加载型细长单极元件。单极元件20此处包括第一部分28,其在第一端提供用于连接到天线连接点的馈电部32,并且在相对的第二端结合到第二部分30的第一端。第二部分30的第二端在本实施方式中为自由端,即未连接到任何其它部分或其它元件,而是与地平面34相隔距离h。第二部分30至少还部分地与地平面34对齐,并且当单极元件20与地平面34相邻时,优选第二部分30的一半以上与地平面34对齐。此处整个第二部分30与地平面34对齐,这意味着第二部分30被完全置于地平面34之上。
第一部分28在远离馈电部32的第一维度上延伸h,该第一维度此处是与地平面34垂直的维度。在本实施方式中,第一部分只在该维上延伸。然而应该意识到,其也可择一地在第二和/或第三维度上延伸,其中第二维度和第三维度均与第一维度垂直并且相互垂直。因此第一部分28在第一维度上延伸h。第二部分30在第二维度和第三维度构成的平面上延伸。这意味着整个第二部分30位于与地平面34平行并且相距h的平面内。在本实施方式中为直部的第二部分30还具有长度l,其为单极元件20的电学长度。
图5示意性地示出了根据本发明第一实施方式的天线装置18的电路图,其中包含了根据单极元件20的模型的相应电路元件。因此,单极元件20在此可由如下电路表示,即该电路包括连接在地以及由辐射电容Cr和辐射电阻Rr构成的串联电路之间的电压源VS。辐射电阻Rr还与电感器24一样地连接到放大级26的输入端。电感器24此处被显示为具有约1μH的电感L。此处在放大级26的输入端和地之间还设置了寄生电容Cp。放大级26的输入端被显示为具有输入阻抗Zin。此处放大级26包括场效应晶体管(FET)36,其栅极连接到分路电感器24,源极直接接地,漏极则可连接到FM接收器电路的输入端(未示出)。晶体管36的漏极和馈电电压Vdd之间还连接有负载电阻器38。此处放大级26为砷化镓(GaAs)放大级,这意味着此处FET 36为GaAs FET晶体管,如GaAs pHEMT晶体管。寄生电容Cp是由于放大级26中导线、连接点以及晶体管36的栅极-源极连接的性能不理想而产生的。
此处单极元件20和电感器24与放大级26协同设计。这意味着它们均不适于连接其它元件时常用的50Ω阻抗。其原因是将小型单极元件的阻抗应用到此类阻抗非常困难。因此放大级26被设计成具有高输入阻抗Zin,其通常为50Ω的十倍或更多倍。
因此,此处单极元件20和电感器24应适应于匹配放大级26的输入阻抗Zin。因此,它们被选择为在天线连接点23提供(也许连同寄生电容Cp)匹配放大级26的输入阻抗Zin的阻抗。
这实际上是这样而实现的:选择用以获得天线电容(其中天线电容在此仅由辐射电容Cr构成)的单极元件20的大小,以使天线电容、电感器24的电感L以及寄生电容Cp共同匹配输入阻抗Zin。这种匹配也会涉及到辐射电阻Rr的选择。
按照图4所示的天线结构,辐射电容为:
Cr∝l/h,
而辐射电阻为:
Rr∝h2|,
频带的波长在此为单极元件的电学长度l的十倍或更多倍。这意味着此处单极元件的电学长度远远不足以提供谐振。通过选择单极元件的长度和高度并结合相应选择的电感器的值(通常1μH),就有可能为放大级提供匹配。该电感器增加了放大级的晶体管可见的源极阻抗,从而匹配噪音并增加稳定性。
地平面可在由多个角限定的区域上延伸。其形状通常为矩形,从而具有四个角。天线连接点在此可与地平面的这些角一角相邻。通过这种设置,单极元件20的第一部分可以设置在地平面34的一角,而第二部分伸展跨过地平面,如图6所示。第二部分在此可沿着位于便携式电子装置上端或下端的地平面34的短边伸展。通过单极元件20的这种设置,有可能使得电路板的地平面34加强天线装置的性能。
根据上述实施方式的天线装置接收无线信号(此处为FM无线信号)。因此,该天线装置被用于在频带(此处为FM频带)内工作。对于FM频带内的工作,通带为88-108MHz(欧美)或76-90MHz(日本)。
通过采用电感器使用与放大级相匹配的单极元件,可获得对于磁干扰具有良好隔离性的天线(尤其是与磁性偶极天线相比)。当便携式电子装置为可能存在多个不同天线(如GSM天线、蓝牙天线和GPS天线)的蜂窝式电话时,这一点非常重要。通过这种方式,可以最大程度地减小与单极元件相关的感生噪音和干扰。
包括单极元件、电感器和放大级的天线装置在此为所谓的有源天线。图7示出了与无损参考偶极天线的信噪比(0dB)相比的所述实施方式的天线装置的接收器电路的输入端的SNR(信噪比,单位dB)40,以及所述实施方式的天线装置的增益42和采用常规无源共轭阻抗匹配(即不放大)的所述实施方式的单极元件的接收器电路的增益43和输入端的信噪比44。从图7可见,与采用常规匹配的单极元件的信噪比44相比,根据第一实施方式的天线装置的接收器电路的输入端的信噪比40要高出很多而且在整个频率范围内变化更小。因此,在增益方面,所述实施方式的天线装置适于在全世界的FM无线频率范围内工作,无须采用例如变抗器(varactor)进行频率调谐,不管其是否有谐振频率行为。
天线装置还提供ESD保护,从而有效地阻止了ESD脉冲频谱的主要部分。这样也消除或至少减弱了来自电磁干扰(EMT)的影响以及可能的来自相同无线通信装置内的其它天线(如在远高于FM天线的频率上工作的蜂窝式GSM天线)的信号。
优选将分路电感器24和放大级26设置成靠近单极元件20,以尽可能减少寄生效应和来自外部源的干扰。
为了使天线装置工作,放大级的晶体管优选地在工作频带内具有低于1dB的最低噪声系数(noise figure)和高于15dB的增益。此外,晶体管优选具有低于10ohms的噪声电阻Rn,以对任意天线配置实现可能的最高信号接收质量。晶体管的又一优选特性是输入电容低,优选低于3pF,以获得高输入阻抗。
此外,放大级可根据本发明进行变化,成为所谓的级联放大级。这种级联放大级包括第一场效应晶体管,其栅极连接到单极元件和分路电感器,源极直接接地,漏极则连接到第二场效应晶体管的源极。第二晶体管的栅极通过电容器接地。第二晶体管的漏极可连接到FM接收器电路40的输入端。此处还具有连接在第二晶体管的漏极和馈电电压Vdd之间的负载电阻器。
此处FM发送器电路还可通过开关连接到单极元件。当发送器电路的输入阻抗很低(如低于FM接收器电路前的放大器的输入阻抗Zin十倍)时必须采用这种开关。然而,如果发送器电路的输入阻抗与放大器的输入阻抗Zin处于相同量级,这种开关可以省略。
通过提供连接到单极元件的发送器电路,该单极元件可被共享,从而既可用于发送也可用于接收。优选地,发送器电路大致在天线连接点处连接到单极元件。
此处应当认识到还可对本发明进行许多进一步的变型。例如根据本发明第二实施方式,单极元件的第二部分可以不是一个直部,而是包括两个直线部件(如图8所示的以90°角相互结合的两个直部)。然而,这两个部件均在平行于地平面的平面内延伸。还可以将第二部分设置成周期形状,如在所述平面内的蜿蜒形状或正弦曲线形状。这种形状可提供与单极元件模型的辐射电容、辐射电阻串联的辐射电感器,因此可用于通过适当地选择第二部分的结构选择该辐射电感器来影响阻抗匹配。第二部分的第二端不必是自由的,而是可以利用电容器接地。此电容器的电容与辐射电容一起构成天线电容。该电容器因此也有助于放大级的匹配。还可以使单极元件的第二部分伸出地平面的边缘之外。此时,单极元件模型中的辐射电阻受到影响,其与高出地平面的高度以及第二部分伸出地平面的距离之和成比例。
天线装置在前面被描述为包括单极元件、电感器和放大级。但是天线装置也可不包括放大级,此时天线装置仅包括单极元件和电感器。天线装置还可仅包括单极元件。在本发明的这些变型中,不属于天线装置的一部分的元件应当位于天线装置将被放入的便携式电子装置中。
本文已经描述了根据本发明的天线装置的优选实施方式。然而,本领域技术人员应当认识到在所附权利要求的范围内并且不偏离发明构思的前提下可以对这些实施方式进行变化。
应当认识到根据本发明的天线装置的形状和大小可在所附权利要求限定的范围内变化。因此,可以改变准确的天线配置以与便携式电子装置的形状和所需性能等相对应。
根据本发明的天线装置的上述实施方式已被描述为适用于接收在FM频带内的无线信号的天线装置。然而,其它应用也是可能的,例如用于约400-800MHz频率范围内的数字视频广播(DVB)信号。
FET在本文中被描述为优选的晶体管类型。应当认识到也可采用其它类型的晶体管,如异质结构双极晶体管(HBT)。
应当理解,也可在图3、5所示的第一实施方式中采用发送器电路。
单极元件可最终设置在保持单元中,如天线托架或保持单极元件的中间板。该保持单元可由塑性材料制成,与电路板相关地易于安装在便携式电子装置的内部。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种天线装置(18),所述天线装置(18)接收至少一个工作频带内的无线信号并且被设置在便携式电子装置(10)的内部,所述天线装置(18)包括:
-单极辐射和/或辐射接收元件(20),所述单极辐射和/或辐射接收元件(20)包括适于连接到天线连接点(23)的馈电部(32),
-其中在所述天线连接点(23)和地之间能连接电感器(24),并且放大级(26)的输入端也能连接到所述天线连接点(23),其中所述放大级(26)的输出端能连接到无线电路(22),天线连接点(23)、所述电感器(24)、所述放大级(26)以及所述无线电路(22)均设置在所述便携式电子装置(10)的内部。
2.根据权利要求1所述的天线装置(18),其中所述单极元件(20)为细长元件。
3.根据权利要求1或2所述的天线装置(18),其中所述单极元件(20)与所述放大级(26)和所述电感器(24)协同设计。
4.根据权利要求3所述的天线装置(18),其中所述单极元件(20)具有第一部分(28),在所述第一部分(28)的第一端提供所述馈电部(32),并且所述第一部分(28)的与所述第一端相对的第二端结合到第二部分(30)的第一端,所述第一部分(28)具有从所述馈电部(32)沿第一维度的延伸(h),并且所述第二部分(30)被设置在沿与所述第一维度垂直的第二维度和第三维度设置的平面上。
5.根据权利要求4所述的天线装置(18),其中所述第二部分(30)的长度(1)和所述第一部分(28)沿所述第一维度的所述延伸(h)被选择来提供这样的天线电容(Cr),该天线电容(Cr)与所述电感器(24)的电感(L)一起与所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)相匹配。
6.根据权利要求5所述的天线装置(18),所述天线装置(18)还包括用于在所述第二部分的第二端与地之间进行连接的电容器,所述电容器也对所述天线电容作出贡献。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的天线装置(18),其中所述馈电部(32)邻近所述便携式电子装置(10)的地平面(34)设置,所述第一部分(28)沿所述第一维度的所述延伸(h)垂直于所述地平面(34),所述第二部分(30)所处的平面平行于所述地平面(34),并且当所述单极元件(20)邻近所述地平面(34)设置时,所述第二部分(30)至少部分地与所述地平面(34)对齐。
8.根据权利要求7所述的天线装置(18),其中当所述单极元件(20)邻近所述地平面(34)设置时,所述第二部分(30)的一半以上与所述地平面(34)对齐。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的天线装置(18),其中所述单极元件(20)被设置成与所述便携式电子装置(10)的地平面(34)相邻近。
10.根据前面任一项权利要求所述的天线装置(18),其中所述工作频带的波长为所述单极元件(20)的电学长度的十倍或更多倍。
11.根据前面任一项权利要求所述的天线装置(18),其中所述工作频带为FM频带。
12.根据前面任一项权利要求所述的天线装置(18),所述天线装置(18)还包括所述天线连接点(23)和所述电感器(24),所述电感器(24)的电感(L)被选择为与所述单极元件(20)的天线电容(Cr)一起与所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)相匹配。
13.根据权利要求12所述的天线装置(18),所述天线装置(18)还包括所述放大级(26)。
14.根据权利要求13所述的天线装置(18),其中所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)比50Ω高十倍或更多倍。
15.根据权利要求13或14所述的天线装置(18),其中所述放大级(26)包括一个或更多个GaAS FET晶体管(36)。
16.根据权利要求15所述的天线装置(18),其中所述GaAS FET晶体管(36)包括一个或更多个GaAS pHEMT晶体管。
17.根据权利要求1所述的天线装置(18),其中一个工作频带是FM频带,所述放大器包括这样的晶体管,所述晶体管为场效应晶体管或双极晶体管,并包括栅极、源极和漏极,所述晶体管在第一工作频带具有低于1dB的最小噪声系数和15dB以上的增益,并且其中
所述晶体管的源极直接接地;
所述晶体管的栅极与所述电感器连接;
所述晶体管的漏极能与所述无线电路连接;并且
在所述晶体管的漏极和馈电电压之间连接有一电阻器。
18.一种便携式电子装置(10),所述便携式电子装置(10)内部包括:
-地平面(34)、天线连接点(23)、连接在所述天线连接点和地之间的电感器(24)、输入端连接到所述天线连接点的放大级(26)、连接到所述放大级的输出端的无线电路(22),以及
-根据权利要求1-9任一项所述的天线装置(20),其接收至少第一工作频带内的无线信号,并且连接到所述天线连接点(23)。
19.根据权利要求18所述的便携式电子装置(10),其中所述电感器(24)的电感(L)被选择为与所述天线装置的天线电容(Cr)一起与所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)相匹配。
20.根据权利要求18或19所述的便携式电子装置(10),其中所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)为50Ω的十倍或更多倍。
21.根据权利要求20所述的便携式电子装置(10),其中所述放大级包括一个或更多个GaAS FET晶体管(36)。
22.根据权利要求21所述的便携式电子装置(300),其中所述GaAS FET晶体管(36)包括一个或更多个GaAS pHEMT晶体管。
23.根据权利要求18-22中任一项所述的便携式电子装置,其中所述地平面(34)在由多个角限定的区域上延伸,并且所述天线连接点(23)邻近所述地平面的这些角中的一个角设置。
24.根据权利要求18所述的便携式电子装置,其中一个工作频带是FM频带,所述放大器包括这样的晶体管,所述晶体管为场效应晶体管或双极晶体管,并包括栅极、源极和漏极,所述晶体管在第一工作频带具有低于1dB的最小噪声系数和15dB以上的增益,并且其中
所述晶体管的源极直接接地;
所述晶体管的栅极与所述电感器连接;
所述晶体管的漏极能与所述无线电路连接;
在所述晶体管的漏极和馈电电压之间连接有一电阻器。
Claims (22)
1.一种天线装置(18),所述天线装置(18)接收至少一个工作频带内的无线信号并且被设置在便携式电子装置(10)的内部,所述天线装置(18)包括:
-单极辐射和/或辐射接收元件(20),所述单极辐射和/或辐射接收元件(20)包括适于连接到天线连接点(23)的馈电部(32),
-其中在所述天线连接点(23)和地之间连接电感器(24),并且放大级(26)的输入端也连接到所述天线连接点(23),其中所述放大级(26)的输出端连接到无线电路(22),天线连接点(23)、所述电感器(24)、所述放大级(26)以及所述无线电路(22)均设置在所述便携式电子装置(10)的内部。
2.根据权利要求1所述的天线装置(18),其中所述单极元件(20)为细长元件。
3.根据权利要求1或2所述的天线装置(18),其中所述单极元件(20)与所述放大级(26)和所述电感器(24)协同设计。
4.根据权利要求3所述的天线装置(18),其中所述单极元件(20)具有第一部分(28),在所述第一部分(28)的第一端提供所述馈电部(32),并且所述第一部分(28)的与所述第一端相对的第二端结合到第二部分(30)的第一端,所述第一部分(28)具有从所述馈电部(32)沿第一维度的延伸(h),并且所述第二部分(30)被设置沿与所述第一维度垂直的第二维度和第三维度设置的平面上。
5.根据权利要求4所述的天线装置(18),其中所述第二部分(30)的长度(1)和所述第一部分(28)沿所述第一维度的所述延伸(h)被选择来提供这样的天线电容(Cr),该天线电容(Cr)与所述电感器(24)的电感(L)一起与所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)相匹配。
6.根据权利要求5所述的天线装置(18),所述天线装置(18)还包括用于在所述第二部分的第二端与地之间进行连接的电容器,所述电容器也对所述天线电容作出贡献。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的天线装置(18),其中所述馈电部(32)邻近所述便携式电子装置(10)的地平面(34)设置,所述第一部分(28)沿所述第一维度的所述延伸(h)垂直于所述地平面(34),所述第二部分(30)所处的平面平行于所述地平面(34),并且当所述单极元件(20)邻近所述地平面(34)设置时,所述第二部分(30)至少部分地与所述地平面(34)对齐。
8.根据权利要求7所述的天线装置(18),其中当所述单极元件(20)邻近所述地平面(34)设置时,所述第二部分(30)的一半以上与所述地平面(34)对齐。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的天线装置(18),其中所述单极元件(20)被设置成与所述便携式电子装置(10)的地平面(34)相邻。
10.根据前面任一项权利要求所述的天线装置(18),其中所述工作频带的波长为所述单极元件(20)的电学长度的十倍或更多倍。
11.根据前面任一项权利要求所述的天线装置(18),其中所述工作频带为FM频带。
12.根据前面任一项权利要求所述的天线装置(18),所述天线装置(18)还包括所述天线连接点(23)和所述电感器(24),所述电感器(24)的电感(L)被选择为与所述单极元件(20)的天线电容(Cr)一起与所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)相匹配。
13.根据权利要求12所述的天线装置(18),所述天线装置(18)还包括所述放大级(26)。
14.根据权利要求13所述的天线装置(18),其中所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)比50Ω高十倍或更多倍。
15.根据权利要求13或14所述的天线装置(18),其中所述放大级(26)包括一个或更多个GaAS FET晶体管(36)。
16.根据权利要求15所述的天线装置(18),其中所述GaAS FET晶体管(36)包括一个或更多个GaAS pHEMT晶体管。
17.一种便携式电子装置(10),其内部包括:
-地平面(34)、天线连接点(23)、连接在所述天线连接点和地之间的电感器(24)、输入端连接到所述天线连接点的放大级(26)、连接到所述放大级的输出端的无线电路(22),以及
-根据权利要求1-9任一项所述的天线装置(20),其接收至少第一工作频带内的无线信号,并且连接到所述天线连接点(23)。
18.根据权利要求17所述的便携式电子装置(10),其中所述电感器(24)的电感(L)被选择为与所述天线装置的天线电容(Cr)一起与所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)相匹配。
19.根据权利要求17或18所述的便携式电子装置(10),其中所述放大级(26)的输入阻抗(Zin)为50Ω的十倍或更多倍。
20.根据权利要求19所述的便携式电子装置(10),其中所述放大级包括一个或更多个GaAS FET晶体管(36)。
21.根据权利要求20所述的便携式电子装置(300),其中所述GaAS FET晶体管(36)包括一个或更多个GaAS pHEMT晶体管。
22.根据权利要求17-21中任一项所述的便携式电子装置,其中所述地平面(34)在由多个角限定的区域上延伸,并且所述天线连接点(23)邻近所述地平面的这些角中的一个角设置。
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