CN102082221A - 发光二极管封装结构及其传导结构、制作方法 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管封装结构及其传导结构、制作方法，该封装结构包括一脚架、一发光二极管芯片、一上封装部件与一下封装部件。发光二极管芯片电性耦接于脚架。上封装部件包覆发光二极管芯片，由发光二极管芯片所发出的光线可经由上封装部件而射出。下封装部件环设且固定脚架且邻接于上封装部件，并且上封装部件用以将发光二极管芯片包覆于脚架，下封装部件由上封装部件延伸而出且上封装部件覆盖部分下封装部件。本发明可有效提高脚架的结构稳定性，还可大幅降低制作成本。

Description

发光二极管封装结构及其传导结构、制作方法

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构，特别涉及一种发光二极管封装结构及其传导结构、制作方法。

背景技术

传统炮弹型发光二极管的制作是以环氧树脂作为封装胶材，但运用在高功率炮弹型发光二极管(蓝白光)时，由于紫外光与热会使得环氧树脂碳化而造成了元件衰减，于部分例子中采用全硅胶封装的方式以降低衰减的情况。

然而，除了全硅胶封装所需的成本相当的高，硅胶的硬度明显地小于环氧树脂，因而相当容易受到外力作用而受破坏，于是更结合塑胶射出成型方式而设置在支架端，借此以达到稳固整体结构的目的。虽然利用了塑胶射出成型结合了全硅胶封装的方式可解决发光二极管的前述问题，但由于塑胶是属于导热性差的物质，因而无法有效提高散热效能。也有现有技术，揭示了在高功率发光二极管(lamp LED)的支架上使用了散热塑胶材射出成型技术与抗紫外光(UV)胶材封装，但无法解决散热及提升整体发光二极管可靠度的问题。

有鉴于此，于未来发光二极管将朝向更高功率的方向进行发展，如何有效提高散热效能更为重要的主要课题之一。

发明内容

为了解决现有技术存在的上述问题，本发明提供了具有不同型态的一发光二极管封装结构。本发明的一实施例的发光二极管封装结构包括一脚架、一发光二极管芯片、一上封装部件与一下封装部件。发光二极管芯片电性耦接于脚架。上封装部件包覆发光二极管芯片，由发光二极管芯片发出的光线可经由上封装部件而射出。下封装部件环设且固定脚架且邻接于上封装部件，上封装部件用以将发光二极管芯片包覆于脚架，其中下封装部件由上封装部件延伸而出且上封装部件覆盖部分下封装部件。

根据本发明的一特性可知，脚架可包括一第一引脚与一第二引脚，发光二极管芯片设置于脚架的第一引脚且电性耦接于脚架的第二引脚，上封装部件对于设置在脚架的第一引脚的发光二极管芯片与第二引脚进行包覆，下封装部件固置于脚架的第一引脚与第二引脚。

根据本发明的一特性可知，发光二极管封装结构更可包含一承载部，发光二极管芯片设置于承载部上，且承载部上设置在第一引脚的一端部。第一引脚的端部以一银胶层固设于承载部且第二引脚，其一端部以一导线与发光二极管芯片电气相接。第二引脚的端部以共晶的方式与发光二极管芯片电气相接。

根据本发明的一特性可知，第一引脚与第二引脚向下延伸且相对平行设置。

根据本发明的一特性可知，上封装部件与下封装部件局部地相互重叠。

根据本发明的一特性可知，上封装部件包括一抗衰减材料，下封装部件包括一散热材料。

根据本发明的一特性可知，抗衰减材料选自下列群组：环氧树脂、甲基橡胶、甲基树脂、苯环橡胶、苯环树脂、有机变性硅胶及其组合。

根据本发明的一特性可知，散热材料选自下列群组：聚对苯二酰对苯二胺、耐高温尼龙、液晶树脂、聚醚醚酮、含硅树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、陶磁及其组合。

根据本发明的一特性可知，下封装部件包括至少一延伸部，下封装部件的至少一延伸部以远离于上封装部件的方向而延伸。

根据本发明的一特性可知，本发明的发光二极管封装结构更可包括一散热件，并且下封装部件包括至少一延伸部，下封装部件的至少一延伸部连接于散热件，发光二极管芯片所产生的热量经由上封装部件与下封装部件的至少一延伸部的导引而传递至散热件。

根据本发明的一特性可知，下封装部件一体成型于脚架。下封装部件于实质上具有一C型结构。

本发明的另一实施例提供了一种传导结构，此传导结构用以对于一发光二极管芯片进行散热。本发明的传导结构包括一上封装部件与一下封装部件。上封装部件用以将发光二极管芯片进行包覆。下封装部件邻接于上封装部件，发光二极管芯片，电性耦接于一脚架，发光二极管芯片所产生热量经由脚架传递至下封装部件。

根据本发明的一特性可知，本发明的传导结构更可包括一散热件，并且下封装部件包括至少一延伸部，下封装部件的至少一延伸部连接于散热件，发光二极管芯片所产生的热量经由上封装部件、下封装部件的至少一延伸部的导引而传递至散热件。

本发明的又一实施例提供了一种发光二极管封装结构的制作方法，本发明的制作方法包括以下步骤：提供一脚架，脚架包括一第一引脚与一第二引脚；提供一发光二极管芯片设置于脚架的第一引脚且电性耦接于脚架的第二引脚；利用一第一散热单元包覆于脚架的第一引脚与第二引脚，借此以固定脚架的第一引脚与第二引脚；以及利用一抗衰减单元将发光二极管芯片包覆于脚架且局部包覆于第一散热单元，发光二极管芯片所发出的光线可经由抗衰减单元而射出，发光二极管芯片所产生热量经由抗衰减单元而传递至第一散热单元。

根据本发明的一特性可知，本发明的发光二极管封装结构的制作方法更可包括提供一导线，导线电性耦接于设置在脚架的第一引脚的发光二极管芯片与脚架的第二引脚之间。

根据本发明的一特性可知，本发明的发光二极管封装结构的制作方法，更可包括提供一第二散热单元，并且第一散热单元更可包括至少一延伸部，第一散热单元的至少一延伸部连接于第二散热单元，发光二极管芯片所产生热量经由抗衰减单元与第一散热单元的导引而传递至第二散热单元。

本发明的又一实施例提供了一种发光二极管封装结构，此发光二极管封装结构包括一脚架、一发光二极管芯片、一下封装部件与一上封装部件。发光二极管芯片电性耦接于脚架。下封装部件设置于脚架，并且下封装部件包括一本体与至少一延伸部，此至少一延伸部连接于本体。上封装部件覆盖于发光二极管芯片且对于下封装部件的本体进行完全包覆、对于下封装部件的至少一延伸部进行局部包覆。

根据本发明的一特性可知，上封装部件包括一圆柱状部分、一锥柱状部分与一半圆球状部分，锥柱状部分位于圆柱状部分与半圆球状部分之间。上封装部件包括一圆柱状部分与一半圆球状部分，半圆球状部分的直径小于圆柱状部分的直径。上封装部件包括一第一圆柱状部分、一第二圆柱状部分与一半圆球状部分，第二圆柱状部分位于第一圆柱状部分与半圆球状部分之间。

基于上述说明可知，本发明在利用了下封装部件以邻接于上封装部件的方式而设置于脚架的作用下，除了可有效提高脚架的结构稳定性之外，也可降低公知技术中的硅胶封装的使用量，如此可大幅降低发光二极管封装结构所需的制作成本。

为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为表示根据本发明的一第一实施例的一发光二极管封装结构的立体图；

图2A～图2D为分别表示根据图1的本发明的第一实施例的发光二极管封装结构于制作过程中的各阶段的示意平面图，其中，图2A为一脚架的示意图，图2B为一下封装部件环设且固定脚架时的示意图，图2C为上封装部件对于发光二极管芯片进行包覆且上封装部件覆盖部分下封装部件的示意图；图2D为表示根据图1的发光二极管封装结构的剖面图；

图3A为表示根据本发明的一第二实施例的一发光二极管封装结构的立体图；

图3B为表示根据图3A的发光二极管封装结构的剖面图；

图4A为表示根据本发明的一第三实施例的一发光二极管封装结构的立体图；

图4B为表示根据图4A的发光二极管封装结构的剖面图；

图5为表示根据本发明的一第四实施例的一发光二极管封装结构的立体图；

图6A～图6C为分别表示根据本发明的第四实施例的发光二极管封装结构于制作过程中的各阶段的示意平面图；

图7为表示根据本发明的第四实施例的发光二极管封装结构的立体图；

图8为表示另一下封装部件的示意图；

图9为表示又一下封装部件的示意图；

图10A为表示根据本发明的一第五实施例的一发光二极管封装结构的立体图；

图10B为表示根据图10A的发光二极管封装结构的侧视图；

图10C为表示根据图10A的发光二极管封装结构的剖面图；

图11A为表示根据本发明的一第六实施例的一发光二极管封装结构的立体图；

图11B为表示根据图11A的发光二极管封装结构的侧视图；

图11C为表示根据图11A的发光二极管封装结构的剖面图；

图12A为表示根据本发明的一第七实施例的一发光二极管封装结构的立体图；

图12B为表示根据图12A的发光二极管封装结构的侧视图；以及

图12C为表示根据图12A的发光二极管封装结构的剖面图。

上述附图中的附图标记说明如下：

1～脚架

11～第一引脚

110～承载部

12～第二引脚

2～发光二极管芯片

3～上封装部件

30～侧边

40a～侧边

40b～侧边

41～延伸部

4a～下封装部件

4b～下封装部件

4c1～下封装部件

4c2～下封装部件

5～散热件

61a1、61a2～圆柱状部分

61b～圆柱状部分

61c1、61c2～第一圆柱状部分

62a1、62a2～锥柱状部分

62c1、62c2～第二圆柱状部分

63a1、63a2～半圆球状部分

63b～半圆球状部分

63c1、63c2～半圆球状部分

6a1、6a2、6b、6c1、6c2～上封装部件

7a1、7a2～下封装部件

70a1、70a2～圆柱状本体

700a2～侧边

70r～凹槽

71～延伸部

D1、D2、D3a1、D3a2、D4、D5c1、D5c2～传导结构

E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7～发光二极管封装结构

g1～导线

N1～既定方向

s1、s2～沟槽

具体实施方式

图1为表示根据本发明的一第一实施例的一发光二极管封装结构E1及其传导结构D1的立体图。

发光二极管封装结构E1包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件3、一下封装部件4a与一承载部110，其中，上封装部件3与下封装部件4a共同构成了传导结构D1。在本实施例中，脚架1由金属材料所制成。

请同时参阅图2A～图2D与图1。图2A～图2C分别表示图1的发光二极管封装结构E1于制作过程中的各阶段的示意平面图，其中，图2A为脚架1的示意图，图2B为下封装部件4a环设且固定脚架1时的示意图，图2C为上封装部件3对于发光二极管芯片2进行包覆且上封装部件3覆盖部分下封装部件4a的示意图，图2D表示根据图1的发光二极管封装结构E1的剖面图。

如图2A所示，脚架1包括了相互间隔的一第一引脚11与一第二引脚12，其中，第一引脚11与第二引脚12向下延伸且相对平行设置，第一引脚11的一端部以一银胶层固设于承载部110，发光二极管芯片2设置于脚架1的第一引脚11的承载部110上，并且经由一导线g1(例如：一金属线)而电性耦接于脚架1的第二引脚12的一端部。然而，发光二极管芯片2与脚架1的第二引脚12之间不限于利用导线g1而达到相互间的电气相接，利用共晶(eutectic reaction)也可达到发光二极管芯片2与脚架1的第二引脚12的端部之间的电气相接。

于程序上，在利用上封装部件3对于发光二极管芯片2进行包覆之前，下封装部件4a环设且固定脚架1，并且上封装部件3局部设置于下封装部件4a之上，也即，上封装部件3与下封装部件4a局部地相互重叠，或是下封装部件4a由上封装部件3延伸而出且上封装部件3覆盖部分下封装部件4a。

如图2B、图2D所示，下封装部件4a环设且固定脚架1的第一引脚11与第二引脚12之上，并且下封装部件4a包括一侧边40a。在下封装部件4a的包覆作用下可确保脚架1的第一引脚11与第二引脚12之间的相对位置关系及其结构上的稳定性。在本实施例中，下封装部件4a由一散热材料所制成，并且下封装部件4a以射出成型方式而一体成型于脚架1的第一引脚11与第二引脚12之上。在本实施例中，散热材料可选自下列群组：聚对苯二酰对苯二胺、耐高温尼龙、液晶树脂、聚醚醚酮、含硅树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、陶磁及其组合

如图2C、图2D所示，上封装部件3同时对于设置在脚架1的第一引脚11的发光二极管芯片2、脚架1的第二引脚12、电性耦接于脚架1的第二引脚12与发光二极管芯片2之间的导线g1同时进行包覆，或是上封装部件3将发光二极管芯片2包覆于脚架1，并且上封装部件3邻接于且局部包覆于下封装部件4a之上。经射出成型后的上封装部件3具有一圆顶型结构，并且上封装部件3包括一侧边30。发光二极管芯片2所发出的光线可经由上封装部件3而射出。在本实施例中，上封装部件3由一抗衰减材料或抗紫外光(UV)胶材(例如：硅胶)所制成，其中，抗衰减材料可选自下列群组：环氧树脂、甲基橡胶、甲基树脂、苯环橡胶、苯环树脂、有机变性硅胶及其组合

值得注意的是，在成型后的上封装部件3与下封装部件4a之间是不存在有任何空隙，也即，设置在脚架1的第一引脚11的发光二极管芯片2是受到上封装部件3的完全包覆。如此一来，发光二极管芯片2所产生的光线可经由上封装部件3而射出，并且发光二极管芯片2所产生热量自上封装部件3而传递至下封装部件4a，也即，发光二极管芯片2所产生热量沿着一既定方向N1，借此以达到散热的目的。图3A表示根据本发明的一第二实施例的一发光二极管封装结构E2的立体图，图3B表示沿着图3A的发光二极管封装结构E2的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。

如图3A、图3B所示，发光二极管封装结构E2包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件6a1与一下封装部件7a1，其中，上封装部件6a1与下封装部件7a1共同构成了一传导结构D3a1。脚架1、发光二极管芯片2与导线g1的结构及其相对位置完全相同于第一实施例，于此便不再赘述。

于程序上，下封装部件7a1先设置于脚架1，并且随后将上封装部件6a1覆盖于发光二极管芯片2及导线g1之上且对于下封装部件7a1进行完全包覆。

下封装部件7a1可经射出成型方式而环绕设置于脚架1的第一引脚11与第二引脚12之上，并且发光二极管芯片2外露于下封装部件7a1的一表面。下封装部件7a1包括一圆柱状本体70a1与一成对的两凹槽70r，其中，成对的两凹槽70r设置于圆柱状本体70a1且位于发光二极管芯片2的两侧。在下封装部件7a1的包覆作用下可确保脚架1的第一引脚11与第二引脚12之间的相对位置关系及其结构上的稳定性。

上封装部件6a1可经射出成型方式而覆盖于发光二极管芯片2及导线g1之上且对于下封装部件7a1的圆柱状本体70a1进行完全包覆。上封装部件6a1的外型由一圆柱状部分61a1、一锥柱状部分62a1与一半圆球状部分63a1所组成，其中，锥柱状部分62a1位于圆柱状部分61a1与半圆球状部分63a1之间。

值得注意的是，在成型后的上封装部件6a1与下封装部件7a1之间是不存在有任何空隙，也即，设置在脚架1的第一引脚11的发光二极管芯片2是受到上封装部件6a1与下封装部件7a1的完全包覆。因此，发光二极管芯片2所产生的光线可经由上封装部件6a1而射出，并且发光二极管芯片2所产生热量可经由脚架1传递至下封装部件7a1。

图4A为表示根据本发明的一第三实施例的一发光二极管封装结构E3的立体图，图4B为表示沿着图4A的发光二极管封装结构E3的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。

如图4A、图4B所示，发光二极管封装结构E3包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件6c1与一下封装部件7a1，其中，上封装部件6c1与下封装部件7a1共同构成了传导结构D5c1。脚架1、发光二极管芯片2、导线g1、下封装部件7a1的结构及其相对位置完全相同于第二实施例，于此便不再赘述。

与第二实施例的发光二极管封装结构E2的主要差别在于：第三实施例的上发光二极管封装结构E3的封装部件6c1的外型由一第一圆柱状部分61c1、一第二圆柱状部分62c1与一半圆球状部分63c1所组成，其中，第二圆柱状部分62c1位于第一圆柱状部分61c1与半圆球状部分63c1之间，并且第一圆柱状部分61c1的直径大于第二圆柱状部分62c1的直径。

请同时参阅图5、图6A～图6C、图7。图5为表示根据本发明的一第四实施例的一发光二极管封装结构E4的立体图，图6A～图6C分别表示根据发光二极管封装结构E4于制作过程中的各阶段的示意平面图，图7为表示发光二极管封装结构E4的另一立体图。

发光二极管封装结构E4包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件3、一下封装部件4b与一散热件5(如图7所示)，其中，上封装部件3、下封装部件4b与散热件5共同构成了传导结构D2。脚架1、发光二极管芯片2与上封装部件3的结构及其相对位置完全相同于第一实施例，于此便不再赘述。

与第一实施例的主要差别在于：第四实施例的发光二极管封装结构E4的下封装部件4b更包括两延伸部41(例如：销结构(pin)或片状结构(fin))，下封装部件4b的两延伸部41延伸自侧边40b且沿着既定方向N1进行延伸(或是背向于或远离于上封装部件3的方式而延伸)，此下封装部件4b的延伸部41延伸自侧边40b且连接于(例如：锁固方式)散热件5，发光二极管芯片2所产生热量经由上封装部件3与下封装部件4b的延伸部41的导引而传递至散热件5，进而快速地传递至一外部模具(未图示)。

以下配合图6A～图6C、图7提出发光二极管封装结构E4的制作方法。于以下说明中将以“抗衰减单元”取代“上封装部件3”、以“第一散热单元”取代“下封装部件4b”。

发光二极管封装结构E4的制作方法包括以下步骤：提供包括第一引脚11与第二引脚12的脚架1(图6A)；提供一发光二极管芯片2设置于脚架1的第一引脚11且电性耦接于脚架1的第二引脚12，并且提供一导线g1电性耦接于发光二极管芯片2与脚架1的第二引脚12之间，随后利用具有两延伸部41的第一散热单元4b包覆于脚架1的第一引脚11与第二引脚12，借此以固定脚架1的第一引脚11与第二引脚12(图6B)；利用抗衰减单元3将发光二极管芯片2、导线g1包覆于脚架1且局部包覆于第一散热单元4b，发光二极管芯片2所发出的光线可经由抗衰减单元3而射出(图6C)；将第一散热单元4b的两延伸部41连接于第二散热单元5，发光二极管芯片2所产生热量经由抗衰减单元3与第一散热单元4b的导引而传递至第二散热单元5，也即，发光二极管芯片2所产生热量经由抗衰减单元3而沿着的既定方向N1而传递至第一散热单元4b(图7)。

图8为表示另一下封装部件(散热单元)4c1的示意图。与图2B中的下封装部件4a不同之处在于：下封装部件4c1于实质上为具有一沟槽s1的一C型结构。同样地，利用具有C型结构的下封装部件4a可分离方式套接于脚架1的第一引脚11与第二引脚12，通过下封装部件4a对于脚架1的第一引脚11与第二引脚12进行定位。

图9为表示又一下封装部件(散热单元)4c2的示意图。与图6B中的下封装部件4b不同之处在于：下封装部件4c1于实质上为具有一沟槽s2的一C型结构。同样地，利用具有C型结构的下封装部件4b可分离方式套接于脚架1的第一引脚11与第二引脚12，通过下封装部件4b对于脚架1的第一引脚11与第二引脚12进行定位。

图10A为表示根据本发明的一第五实施例的一发光二极管封装结构E5的立体图，图10B为表示根据图10A的发光二极管封装结构E5的侧视图，图10C为表示沿着图10A的发光二极管封装结构E5的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。

如图10A、图10B、图10C所示，发光二极管封装结构E5包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件6a2与一下封装部件7a2，其中，上封装部件6a2、下封装部件7a2与散热件5共同构成了一传导结构D3a2。脚架1、发光二极管芯片2与导线g1的结构及其相对位置完全相同于第一实施例，于此便不再赘述。

于程序上，下封装部件7a2先设置于脚架1，并且随后将上封装部件6a2覆盖于发光二极管芯片2及导线g1之上且对于下封装部件7a2进行完全包覆。

下封装部件7a2可经射出成型方式而环绕设置于脚架1的第一引脚11与第二引脚12之上，并且发光二极管芯片2外露于下封装部件7a2的一表面。下封装部件7a2包括一圆柱状本体70a2、一成对的两凹槽70r与两延伸部71，其中，圆柱状本体70a2具有一侧边700a2，成对的两凹槽70r设置于圆柱状本体70a2且位于发光二极管芯片2的两侧，两延伸部71延伸自圆柱状本体的侧边700a2且沿着一既定方向N1进行延伸(或是背向于或远离于上封装部件6a2的方式而延伸)，并且下封装部件7a2的两延伸部71可连接于散热件5。在下封装部件7a2的包覆作用下可确保脚架1的第一引脚11与第二引脚12之间的相对位置关系及其结构上的稳定性。

上封装部件6a2可经射出成型方式而覆盖于发光二极管芯片2及导线g1之上且对于下封装部件7a2的圆柱状本体70a2进行完全包覆、但对于下封装部件7a2的两延伸部71进行局部包覆。上封装部件6a2的外型由一圆柱状部分61a2、一锥柱状部分62a2与一半圆球状部分63a2所组成，其中，锥柱状部分62a2位于圆柱状部分61a2与半圆球状部分63a2之间。

值得注意的是，在成型后的上封装部件6a2与下封装部件7a2之间是不存在有任何空隙，也即，设置在脚架1的第一引脚11的发光二极管芯片2是受到上封装部件6a2与下封装部件7a2的完全包覆。因此，发光二极管芯片2所产生的光线可经由上封装部件6a2而射出，并且发光二极管芯片2所产生热量可经由脚架1传递至下封装部件7a2且再经由下封装部件7a2的两延伸部71的导引而传递至散热件5。

图11A为表示根据本发明的一第六实施例的一发光二极管封装结构E6的立体图，图11B为表示根据图11A的发光二极管封装结构E6的侧视图，图11C为表示沿着图11A的发光二极管封装结构E6的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。

如图11A、图11B、图11C所示，发光二极管封装结构E6包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件6b与一下封装部件7a2，其中，上封装部件6b、下封装部件7a2与散热件5共同构成了一传导结构D4。脚架1、发光二极管芯片2、导线g1、下封装部件7a2的结构及其相对位置完全相同于第五实施例，于此便不再赘述。

与第五实施例的发光二极管封装结构E5的主要差别在于：第六实施例的发光二极管封装结构E6的上封装部件6b的外型由一圆柱状部分61b与一半圆球状部分63b所组成。半圆球状部分63b的直径小于圆柱状部分61b的直径，并且半圆球状部分63b对应于发光二极管芯片2。

图12A为表示根据本发明的一第七实施例的一发光二极管封装结构E7的立体图，图12B为表示根据图12A的发光二极管封装结构E7的侧视图，图12C为表示沿着图12A的发光二极管封装结构E7的一纵长方向(也即，沿着脚架1的方向)进行切割的剖面图。

如图12A、图12B、图12C所示，发光二极管封装结构E7包括一脚架1、一发光二极管芯片2、一上封装部件6c2与一下封装部件7a2，其中，上封装部件6c2、下封装部件7a2与散热件5共同构成了传导结构D5c2。脚架1、发光二极管芯片2、导线g1、下封装部件7a2的结构及其相对位置完全相同于第五实施例，于此便不再赘述。

与第五实施例的发光二极管封装结构E5的主要差别在于：第七实施例的发光二极管封装结构E7的上封装部件6c2的外型由一第一圆柱状部分61c2、一第二圆柱状部分62c2与一半圆球状部分63c2所组成，其中，第二圆柱状部分62c2位于第一圆柱状部分61c2与半圆球状部分63c2之间，并且第一圆柱状部分61c2的直径大于第二圆柱状部分62c2的直径。

基于上述说明可知，在利用了下封装部件以邻接于上封装部件的方式而设置于脚架1的作用下，除了可有效提高脚架1的结构稳定性之外，也可降低公知技术中的硅胶封装的使用量，如此可大幅降低发光二极管封装结构所需的制作成本。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然而其并非用以限制本发明，任何本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (30)

1.一种发光二极管封装结构，包括：

一脚架；

一发光二极管芯片，电性耦接于该脚架；

一上封装部件，包覆该发光二极管芯片，该发光二极管芯片发出的光线可经由该上封装部件而射出；以及

一下封装部件，环设且固定该脚架且邻接于该上封装部件，该上封装部件用以将该发光二极管芯片包覆于该脚架，其中该下封装部件由该上封装部件延伸而出且该上封装部件覆盖部分该下封装部件。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该脚架包括一第一引脚与一第二引脚，该发光二极管芯片设置于该脚架的该第一引脚且电性耦接于该脚架的该第二引脚，该上封装部件对于设置在该脚架的该第一引脚的该发光二极管芯片与该第二引脚进行包覆，该下封装部件固置于该脚架的该第一引脚与该第二引脚。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，还包含一承载部，该发光二极管芯片设置于该承载部上，且该承载部上设置在该第一引脚的一端部。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其中，该第一引脚的该端部以一银胶层固设于该承载部且该第二引脚，其一端部以一导线与该发光二极管芯片电气相接。

5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其中该第二引脚的端部以共晶的方式与该发光二极管芯片电气相接。

6.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其中，该第一引脚与该第二引脚向下延伸且相对平行设置。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该上封装部件与该下封装部件局部地相互重叠。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中该上封装部件包括一抗衰减材料，该下封装部件包括一散热材料。

9.如权利要求8所述的发光装置，其中该抗衰减材料选自下列群组：环氧树脂、甲基橡胶、甲基树脂、苯环橡胶、苯环树脂、有机变性硅胶及其组合。

10.如权利要求8所述的发光装置，其中该散热材料选自下列群组：聚对苯二酰对苯二胺、耐高温尼龙、液晶树脂、聚醚醚酮、含硅树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、陶磁及其组合。

11.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该下封装部件包括至少一延伸部，该下封装部件的该至少一延伸部以远离于该上封装部件的方向而延伸。

12.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，还包括一散热件，并且该下封装部件包括至少一延伸部，该下封装部件的该至少一延伸部连接于该散热件，该发光二极管芯片所产生的热量经由该上封装部件与该下封装部件的该至少一延伸部的导引而传递至该散热件。

13.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该下封装部件一体成型于该脚架。

14.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该下封装部件于实质上具有一C型结构。

15.一种传导结构，用以对于一发光二极管芯片进行散热，该传导结构包括：

一上封装部件，用以将该发光二极管芯片进行包覆；以及

一下封装部件，邻接于该上封装部件，该发光二极管芯片，电性耦接于一脚架，该发光二极管芯片所产生热量经由该脚架传递至该下封装部件。

16.如权利要求15所述的传导结构，其中，该上封装部件包括一抗衰减材料，该下封装部件包括一散热材料。

17.如权利要求15所述的传导结构，其中，该下封装部件包括至少一延伸部，该下封装部件的该至少一延伸部以远离于该上封装部件的方向而延伸。

18.如权利要求15所述的传导结构，还包括一散热件，并且该下封装部件包括至少一延伸部，该下封装部件的该至少一延伸部连接于该散热件，该发光二极管芯片所产生的热量经由该上封装部件、该下封装部件的该至少一延伸部的导引而传递至该散热件。

19.一种发光二极管封装结构的制作方法，该制作方法包括以下步骤：

提供一脚架，该脚架包括一第一引脚与一第二引脚；

提供一发光二极管芯片设置于该脚架的该第一引脚且电性耦接于该脚架的该第二引脚；

利用一第一散热单元包覆于该脚架的该第一引脚与该第二引脚，借此以固定该脚架的该第一引脚与该第二引脚；以及

利用一抗衰减单元将该发光二极管芯片包覆于该脚架且局部包覆于该第一散热单元，该发光二极管芯片所发出的光线可经由该抗衰减单元而射出，该发光二极管芯片所产生热量经由该抗衰减单元而传递至该第一散热单元。

20.如权利要求19所述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括提供一导线，该导线电性耦接于设置在该脚架的该第一引脚的该发光二极管芯片与该脚架的该第二引脚之间。

21.如权利要求19所述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括提供一第二散热单元，并且该第一散热单元还包括至少一延伸部，该第一散热单元的该至少一延伸部连接于该第二散热单元，该发光二极管芯片所产生该热量经由该抗衰减单元与该第一散热单元的导引而传递至该第二散热单元。

22.一种发光二极管封装结构，包括：

一脚架；

一发光二极管芯片，电性耦接于该脚架；

一下封装部件，设置于该脚架，该下封装部件包括一本体与至少一延伸部，该至少一延伸部连接于该本体；以及

一上封装部件，覆盖于发光二极管芯片且对于该下封装部件的该本体进行完全包覆、对于该下封装部件的该至少一延伸部进行局部包覆。

23.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该上封装部件包括一圆柱状部分、一锥柱状部分与一半圆球状部分，该锥柱状部分位于该圆柱状部分与该半圆球状部分之间。

24.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该上封装部件包括一圆柱状部分与一半圆球状部分，该半圆球状部分的直径小于该圆柱状部分的直径。

25.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该上封装部件包括一第一圆柱状部分、一第二圆柱状部分与一半圆球状部分，该第二圆柱状部分位于该第一圆柱状部分与该半圆球状部分之间。

26.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该脚架包括一第一引脚与一第二引脚，该发光二极管芯片设置于该脚架的该第一引脚且电性耦接于该脚架的该第二引脚，该下封装部件设置于该脚架的该第一引脚与该第二引脚。

27.如权利要求26所述的发光二极管封装结构，还包括一导线，该导线电性耦接于设置在该脚架的该第一引脚的该发光二极管芯片与该脚架的该第二引脚之间。

28.如权利要求27所述的发光二极管封装结构，其中，该导线包括一金属线。

29.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，其中，该上封装部件包括一抗衰减材料，该下封装部件包括一散热材料。

30.如权利要求22所述的发光二极管封装结构，还包括一散热件，该下封装部件的该至少一延伸部连接于该散热件。

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