CN102073210A - 二维设计图形曝光后形变效应补偿方法 - Google Patents

二维设计图形曝光后形变效应补偿方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102073210A
CN102073210A CN2009101097785A CN200910109778A CN102073210A CN 102073210 A CN102073210 A CN 102073210A CN 2009101097785 A CN2009101097785 A CN 2009101097785A CN 200910109778 A CN200910109778 A CN 200910109778A CN 102073210 A CN102073210 A CN 102073210A
Authority
CN
China
Prior art keywords
edge placement
placement error
dimensional design
sampled point
deformation effect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009101097785A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102073210B (zh
Inventor
黄旭鑫
王瑾恒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUXI DISI MICROELECTRONIC CO., LTD.
Original Assignee
CSMC Technologies Corp
Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CSMC Technologies Corp, Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd filed Critical CSMC Technologies Corp
Priority to CN200910109778A priority Critical patent/CN102073210B/zh
Publication of CN102073210A publication Critical patent/CN102073210A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102073210B publication Critical patent/CN102073210B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及一种二维设计图形曝光后形变效应补偿方法，建立二维设计图形，设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差；在设计图形上先取一个点作为第一采样点，然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割；用光学接近修正术去做修正和仿真，得出这些点的边缘放置误差；建立标准光学接近修正模型，选取所采点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的点作为补偿边缘放置误差的计算点。本发明省去了设计规划检查程式的修复，大大减少了时间消耗，缩短了修正周期，降低了工作量，而且提高了准确性。

Description

二维设计图形曝光后形变效应补偿方法
【技术领域】
本发明涉及一种半导体光刻工艺的补偿方法，尤其涉及一种半导体光刻工艺中二维设计图形曝光后形变效应的补偿方法。
【背景技术】
在传统的0.13节点的光刻工艺制成中，二维设计图形(layout)的头与头(headto head)直线末端紧缩(line-end short)效应非常严重，单边的紧缩(short)可能达到了25nm～30nm。而且不同形状的二维设计图形的直线末端紧缩也不一样。
图1是二维设计图形的典型的直线末端紧缩效应的示意图。图1中的上图中外框11、12是芯片设计图形，区域13、14为设计图形在硅片上曝光后的图形。图1中的下图是上图的部分放大图。设计图形的关键尺寸15为0.169um，曝光后图形的关键尺寸16为0.226um，曝光后图形的关键尺寸边缘放置误差17为0.028um。二维图形这么严重的线端缺失效应在0.13节点以下的技术中会严重地影响电性。
通常，采用光学接近修正术(OPC)对二维设计图形的直线末端紧缩效应进行补偿。建立标准光学接近修正模型，将设计图形多边形的中心作为标准光学接近修正模型补偿边缘放置误差的计算点进行初步修复，再通过写光学近接修正设计规划检查程式(OPC Tag DRC)进行多次修复。
图2是传统直线末端紧缩效应补偿方法的示意图。计算点22为设计图形多边形的中心。标准光学接近修正模型24是以设计图形多边形的中心作为第一采样点每隔30nm取采样点建立的。设计图形需要补偿的关键尺寸边缘放置误差21(在建立设计图形时根据设计要求设定)为0.030um。标准光学接近修正模型24可以识别到的边缘放置误差23为0.015um。
用设计图形的多边形中心作为标准光学接近修正模型的计算点，标准光学接近修正模型24只识别到了0.015um的边缘放置误差23，只能自动补偿15nm的边缘放置误差，而需要补偿的关键尺寸边缘放置误差21是0.030um，剩余的15nm边缘放置误差还要由光学近接修正设计规划检查程式来修正。
图3是光学近接修正设计规划检查程式最终修正后效果示意图。曝光后图形的关键尺寸边缘放置误差31为0.006um，芯片的关键尺寸32为0.181um。
传统光学接近修正模型能够补偿的关键尺寸边缘放置误差有限，还要通过光学近接修正设计规划检查程式修正二维设计图形。设计图形中有多少种不同的二维图形就要写多少个光学近接修正设计规划检查程式，而且需要来回反复地修改设计规划检查程式，这样就大大增加了修正的周期，耗费大量的时间，增加工作量；且修正后还有较大误差，准确性不高；同时也很容易忽略掉一些二维图形。
一种主动光学修正法，申请(专利)号：02131931.6，涉及一种直线末端紧缩效应的光学修正方法，提供了一种检测并通过两次光学修正避免直线末端紧缩效应的方法。虽然可以减弱线末端紧缩效应，但是效果不明显，且操作过程复杂。
【发明内容】
有鉴于此，有必要针对上述修复直线末端紧缩效应过程复杂、用时多、准确性差的问题，提供一种二维设计图形曝光后形变效应的补偿方法。
一种二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法，包括如下步骤：
建立二维设计图形，设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差；
在设计图形上先取一个点作为第一采样点，然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割；
用光学接近修正术进行修正和仿真，得出所述采样点的边缘放置误差；
建立标准光学接近修正模型，选取所述采样点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的采样点作为补偿边缘放置误差的计算点。
优选的，所述第一采样点为设计图形边的中心。
优选的，所述预定间隔为30nm。
优选的，所述选取的计算点位于设计图形边的1/4处。
优选的，所述二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法应用在0.13节点的光刻工艺中。
上述二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法通过改变标准光学接近修正模型的计算点，使标准光学接近修正模型可以识别并最大限度的自动补偿边缘放置误差，省去了设计规划检查程式的修复，大大减少了时间消耗，缩短了修正周期，降低了工作量，而且提高了准确性。
【附图说明】
图1是二维设计图形的典型的直线末端紧缩效应示意图。
图2是传统直线末端紧缩效应补偿方法的示意图。
图3是光学近接修正设计规划检查程式最终修正曝光后效果示意图。
图4是本发明一较佳实施例的补偿方法示意图。
图5是使用本发明一较佳实施例的补偿方法修正曝光后效果示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法，包括如下步骤：
建立二维设计图形，设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差；
在设计图形上先选取一个点(通常为设计图形边的中心)作为第一采样点，然后以第一采样点每隔预定间隔(优选的为30nm)取采样点对设计图形进行分割；
用光学接近修正术去做修正和仿真，得出所有采样点的边缘放置误差；
建立标准光学接近修正模型，选取所取采样点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的采样点作为补偿边缘放置误差的计算点。
上述方法建立的标准光学接近修正模型曝光时可以识别并最大限度的自动补偿需要补偿的关键尺寸边缘放置误差，不需要再用光学接近修正设计规划检查程式进行修复。
以下举例说明上述二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法。
图4是直线末端紧缩效应补偿方法的示意图。需要补偿的关键尺寸边缘放置误差44为0.030um，以旧计算点42为第一采样点，间隔30nm取采样点，计算边缘放置误差后得出设计图形边的1/4处点的边缘放置误差43为0.030um，与关键尺寸边缘放置误差44相同，建立标准光学接近修正模型，将1/4处点作为新计算点41。
图5是使用图4方法曝光后的效果示意图。曝光后硅片上芯片的关键尺寸边缘放置误差51为0.002um，芯片的关键尺寸52为0.173um。
修正后的边缘放置误差大大减小，可以不用设计规划检查程式再进行修复，从而提高准确度，大大减少了时间消耗，缩短了修正周期，降低了工作量。
上述二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法通过改变标准光学接近修正模型的计算点，使标准光学接近修正模型可以识别并最大限度的自动补偿边缘放置误差，省去了设计规划检查程式的修复，大大减少了时间消耗，缩短了修正周期，降低了工作量，而且提高了准确性。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法，包括如下步骤：
建立二维设计图形，设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差；
在设计图形上先取一个点作为第一采样点，然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割；
用光学接近修正术进行修正和仿真，得出所述采样点的边缘放置误差；
建立标准光学接近修正模型，选取所述采样点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的采样点作为补偿边缘放置误差的计算点。
2.根据权利要求1所述的二维设计图形曝光后形变效应补偿方法，其特征在于：所述第一采样点为设计图形边的中心。
3.根据权利要求1所述的二维设计图形曝光后形变效应补偿方法，其特征在于：所述预定间隔为30nm。
4.根据权利要求1所述的二维设计图形曝光后形变效应补偿方法，其特征在于：所述选取的计算点位于设计图形边的1/4处。
5.根据权利要求1所述的二维设计图形曝光后形变效应补偿方法，其特征在于：所述二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法应用在0.13节点的光刻工艺中。
CN200910109778A 2009-11-20 2009-11-20 二维设计图形曝光后形变效应补偿方法 Active CN102073210B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910109778A CN102073210B (zh) 2009-11-20 2009-11-20 二维设计图形曝光后形变效应补偿方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910109778A CN102073210B (zh) 2009-11-20 2009-11-20 二维设计图形曝光后形变效应补偿方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102073210A true CN102073210A (zh) 2011-05-25
CN102073210B CN102073210B (zh) 2012-10-10

Family

ID=44031807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910109778A Active CN102073210B (zh) 2009-11-20 2009-11-20 二维设计图形曝光后形变效应补偿方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102073210B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103105727A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 无锡华润上华科技有限公司 形成光掩膜版的方法及光掩膜版
CN103777458B (zh) * 2012-10-25 2017-02-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种opc方法以及制备掩膜版的方法
CN107450266A (zh) * 2016-05-31 2017-12-08 无锡华润上华科技有限公司 光学临近效应的修正方法及系统
CN109212889A (zh) * 2017-07-03 2019-01-15 无锡华润上华科技有限公司 光学临近效应的修正方法及系统
CN110501870A (zh) * 2019-08-27 2019-11-26 德淮半导体有限公司 一种光学邻近效应修正方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030051224A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-13 I-Hsiung Huang Aggressive optical proximity correction method
US6749972B2 (en) * 2002-01-15 2004-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Optical proximity correction common process window maximization over varying feature pitch
CN101086623B (zh) * 2006-06-08 2011-06-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 使基于模型的光学近似修正更精确的方法
CN101349863B (zh) * 2008-08-19 2010-08-25 浙江大学 用轮廓采样的多边形边动态切分的光学临近效应校正方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103105727A (zh) * 2011-11-15 2013-05-15 无锡华润上华科技有限公司 形成光掩膜版的方法及光掩膜版
CN103105727B (zh) * 2011-11-15 2014-06-04 无锡华润上华科技有限公司 形成光掩膜版的方法及光掩膜版
CN103777458B (zh) * 2012-10-25 2017-02-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种opc方法以及制备掩膜版的方法
CN107450266A (zh) * 2016-05-31 2017-12-08 无锡华润上华科技有限公司 光学临近效应的修正方法及系统
CN107450266B (zh) * 2016-05-31 2019-12-10 无锡华润上华科技有限公司 光学临近效应的修正方法及系统
CN109212889A (zh) * 2017-07-03 2019-01-15 无锡华润上华科技有限公司 光学临近效应的修正方法及系统
CN110501870A (zh) * 2019-08-27 2019-11-26 德淮半导体有限公司 一种光学邻近效应修正方法
CN110501870B (zh) * 2019-08-27 2024-03-15 淮安西德工业设计有限公司 一种光学邻近效应修正方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102073210B (zh) 2012-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102073210B (zh) 二维设计图形曝光后形变效应补偿方法
CN106095620B (zh) 一种嵌入式Linux存储分区的开发方法
CN102033814B (zh) 存取一闪存的方法以及相关的记忆装置
CN102591997B (zh) 多电压芯片设计的版图和原理图一致性比较方法
CN102682166A (zh) Smt设备快速制程系统及方法
CN108170956A (zh) 一种保持时间的时序签核方法及装置
CN101699402A (zh) 一种多模式启动的嵌入式系统
CN114861578B (zh) 保持时间违例修复方法、装置、设备及存储介质
EP1465206A3 (en) Method and arrangement for developing core loading patterns in nuclear reactors
CN100495333C (zh) 一种可视化卫星测试设计平台
CN100489868C (zh) 验证drc配置文件的方法
US10394983B2 (en) Method to automatically generate and promote timing constraints in a Synopsys Design Constraint format
CN102759862B (zh) 光学邻近修正的方法
US20110066987A1 (en) Layout method, layout device, and non-transitory computer readable medium storing layout program
CN104750887A (zh) 一种模板化产生参数化单元的方法
CN103310037A (zh) 版图设计规则检测文件验证图形库及其建立方法
CN116681011B (zh) 时间违例修复方法、装置、计算机设备及存储介质
CN102629212A (zh) 一种基于j-link间接烧写程序到nandflash的方法
CN101719181B (zh) 一种多电源域集成电路的动态验证装置及方法
CN113806153B (zh) 一种芯片验证方法
CN101980179B (zh) 一种用于片上系统在线串行数据读写的方法
CN102567369A (zh) 用于ic装备的i/o配置工具参数的配置方法
CN108038312B (zh) 集成电路半定制后端设计时序预算方法
CN103077162A (zh) Word文档中参考文献编排装置
CN100446638C (zh) 一种生成单板b面和t面清单的方法及其系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171011

Address after: 214028 Xinzhou Road, Wuxi national hi tech Industrial Development Zone, Jiangsu, China, No. 8

Patentee after: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd.

Address before: 214000 No. 5 Hanjiang Road, national hi tech Industrial Development Zone, Wuxi, Jiangsu, China

Co-patentee before: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd.

Patentee before: Wuxi CSMC Semiconductor Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180625

Address after: 214135 -6, Linghu Road, Taihu international science and Technology Park, Wuxi, Jiangsu, 180

Patentee after: WUXI DISI MICROELECTRONIC CO., LTD.

Address before: 214028 No. 8 Xinzhou Road, national hi tech Industrial Development Zone, Wuxi, Jiangsu

Patentee before: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd.