CN102024670A - 一种晶圆检验方法及其装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种半导体晶圆的检验方法，其中，包括：在检验装置中对检验到的晶圆上的杂质进行清洁，再进行第二次检验。具体的，可以通过使用氮气枪喷吹，清洗槽清洗等多种方法对上述杂质进行清洁。本发明还同时提供了可用于实施上述方法的目检装置。本发明能够有效地提高目检效率，从而降低半导体晶圆生产中对晶圆的误宰，提高良品率。

Description

一种晶圆检验方法及其装置

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体晶圆表面缺陷的检验方法及其装置。

背景技术

在当今社会生活中，电子产品已经渗透到了社会生活的每个角落。随着芯片需求量的日益增加，如何通过提高成品率来控制半导体晶圆的生产成本也成为一个越来越受到关注的问题。

晶圆的生产制造需要经过多个站点，光学检验就是其中一个重要环节。光学检验可以辨认半导体晶圆的表面缺陷。可以理解，即使是刚刚通过电性能测试的晶圆，仍旧可能在晶圆表面存有缺陷，而上述缺陷可能会在以后的产品生命周期能出现问题，影响晶圆的可靠性。进一步的，很多电性能测试都是通过探针接触晶圆进行测试，探针本身的移动也可能在晶圆表面引入新的刮痕，例如集中焊垫，刮掉金属层而导致产品短路等等。上述光学检验可能通过机器自动完成，也可以通过人工目检，或者两者的结合完成。现有的检验仪器主要有KLA，Compass，Camtek等等。

晶圆的整个制造过程往往包括多次光学检验，例如，上文提及的，在电性能测试之后检验是否有电性能测试引入的新的表面缺陷；例如，在电性能测试之前检验晶圆表面是否有影响电性能测试的表面缺陷；例如，在包装出货之前检验晶圆表面是否有可能影响可靠性的缺陷。

具体而言，光学检验的表面缺陷可能是刮痕、缺口这样的永久性缺陷，也可能是浮灰杂物等可以去除的杂质。永久性缺陷极有可能影响晶圆的质量和可靠性，而可去除杂质往往对此不造成负面影响。值得注意的是，现有的半导体晶圆表面检验仪器都不对半导体晶圆表面执行清洁步骤。换而言之，仅凭仪器判断，或者是肉眼观测都难以高效的判断出杂质的具体类型，因此很容易将可以去除的表面杂质误认作不可去除的永久性缺陷，而将该晶圆作为次品剔除(overkill)，从而降低了晶圆的成品率(yield)。如果将该包含杂质区域的晶圆取出检验仪器进行清洁，则必须重新将其载入检验仪器重新检验。本领域技术人员理解，反复的载入和取出晶圆很容易对晶圆表面造成损伤，提高次品率。并且增加相关操作步骤会导致产品制造流程周期加长，并影响其他机台产能。

而对于如何有效地解决上述问题，目前尚无成熟可行的方案。

发明内容

本发明为了解决现有技术的上述缺陷，提供了一种半导体晶圆的检验方法及其装置，可非常有效的区分可去除杂质和不可去除杂质，提高光学检验的效率，从而提高成品率。

本发明的第一方面，提供了一种半导体晶圆的检验方法，其中，包括以下步骤：

a.将所述半导体晶圆载入检验装置；

b.清洁所述半导体晶圆表面的杂质。

优选的，步骤b还包括以下步骤：确定半导体晶圆表面的杂质区域，以及对所述杂质区域进行清洁。进一步优选的，可以使用气枪对所述杂质区域进行喷吹。气枪中的气体可以为惰性气体，例如氮气。优选的，气枪与晶圆表面之间的夹角大于0度小于90度，可以是45度。

优选的，可以在步骤b后对杂质区域进行检验，如果杂质区域仍有杂质，则认为晶圆为次品。

优选的，在对上述杂质区域进行操作之后，还可以进一步确认半导体晶圆表面是否有其它未清洁的杂质区域，如有，则定位一个新的杂质区域，继续对该杂质区域进行清洁和确定。

上述晶圆表面的清洁也可以通过将单片晶圆放入清洗槽中清洗完成。

本发明的第二方面，提供了一种半导体晶圆的检验装置，其中，包括：

载入装置，用于将所述半导体晶圆载入检验装置；

清洁装置，用于清洁所述半导体晶圆表面的杂质。

优选的，清洁装置还包括杂质区域确定装置，用于确定半导体晶圆表面的杂质区域；杂质区域清洁装置，用于对杂质区域进行清洁。进一步优选的，杂质区域清洁装置包括气枪，气枪用于对所述杂质区域进行喷吹。气枪中的气体可以为惰性气体，例如，氮气。优选的，气枪与所述晶圆表面之间的夹角大于0度小于90度，可以为45度。

优选的，杂质区域确定装置还用于对杂质区域清洁装置清洁过的杂质区域进行再次检验，如果杂质区域仍有杂质，则认为晶圆为次品。

优选的，清洁装置为清洗槽，清洗槽用于对单片半导体晶圆进行清洗。

采用本发明提供的半导体晶圆检验方法及其装置，能够有效地确定晶圆表面杂质，继而去除晶圆表面的可去除杂质。同时，将晶圆表面杂质定位和清洁很好的结合在一起，降低了晶圆生产中的损伤可能，提高了生产效率，也有效的降低了半导体生产成本。

附图说明

通过阅读以下参照附图所作的对非限制性实施例的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1是根据本发明的一个具体实施例的半导体晶圆的检验方法的步骤流程图；

图2是根据本发明的另一个具体实施例的半导体晶圆的检验方法的步骤流程图；

图3是根据本发明的一个具体实施例的气枪位置示意图；

图4是根据本发明的一个变化例的半导体晶圆的检验方法的步骤流程图；

图5是根据本发明的一个具体实施例的半导体晶圆的检验装置的框图；

图6是根据本发明的一个变化例的半导体晶圆的检验装置的框图；

附图中，相同或者相似的附图标识代表相同或者相似的部件。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细描述。

图1示出了本发明的半导体晶圆的检验方法的步骤流程图。如图1所示，本发明的第一方面提供了一种半导体晶圆的检验方法，其包括如下步骤：

首先，在步骤S1中，将待检晶圆载入检验装置。可以使用现有技术中的任何方法将待检晶圆载入检验装置，可以是机器自动载入或手工载入。具体而言，可以根据后续步骤需要将待检晶圆放置于检验装置的特定位置。如果下一个步骤为对待检晶圆进行清洁，则将待检晶圆载入清洁装置。如果下一个步骤为进行晶圆表面杂质区域定位，则可将该晶圆直接载入检验台。具体的晶圆载入手段可参照现有技术，此处不再赘述。

在步骤S2中，对半导体晶圆表面杂质进行清洁。本领域技术人员理解，现有技术中去除晶圆表面污物的方法包括：供给去离子水或其他液体至晶圆表面，再对晶圆表面进行刷洗(brush)；使用气枪喷吹晶圆表面(blow)；将晶圆放入超纯水中旋转冲洗甩干(rinse)；属于干式清洗法的脉动喷气式清除方法(pulse-jet)；等等。上述示例仅仅是对晶圆表面清洁方法的示例，其可以适用于本发明的具体实施例中，但并不构成对本发明保护范围的限定。本领域技术人员应该理解，现有技术中所有清洁半导体晶圆表面杂质的方法都应该涵盖在本发明的保护范围之中。

此外，需要注意的是，步骤S1和步骤S2之间还可以包括其它操作步骤。比如，可以在步骤S2之前对晶圆表面进行检验以确定是否有杂质区域存在。如果没有在晶圆表面发现杂质区域，则认为该晶圆通过测试。如果晶圆表面具有杂质区域，则进入步骤S2进行清洁，以确认该杂质区域是否可以去除，为进一步确定该晶圆的质量或可靠性做好准备。

在步骤S2之后，可以执行步骤S3对步骤S2中完成清洁的杂质区域进行检验，再根据检验结果判断该晶圆的质量和可靠性。需要注意的是，本发明中的检验可以指由仪器完成，也可以由人工完成，或者同时包含机器检验和人工目检。

下面对本发明的优选实施例作进一步详细描述。图2是根据本发明的一个具体实施例的半导体晶圆的清洁的步骤流程图。以下结合图2对该具体实施方式进行详细描述。

首先，在步骤S1中将半导体晶圆载入检验台。在本实施例中，检验台在清洁和检验步骤中承载半导体晶圆。

接着，在步骤S21中，对通过步骤S1传送至检验装置中的半导体晶圆进行表面检验，以寻找半导体晶圆表面的杂质区域。一般来说，可以通过光学定位确定杂质区域所处的位置。可以理解，光学定位是使用对获取的光学图像进行相应计算的方法来寻找杂质区域的。换而言之，通过光学定位找到的杂质区域可以被理解为在光学上与正常区域具有不同功函数变化量的区域。因此，光学定位很难区分可去除的杂质和不可去除的缺陷。进一步的，可以理解人工目检也难对上述两种缺陷进行区分。因此，步骤S21的作用就在于确定杂质区域，而无需判断该杂质区域对晶圆质量和可靠性的影响。

继而，在步骤S22中，使用气枪对杂质区域进行清洁，即使用气枪喷吹步骤S21中找到的晶圆表面的杂质区域。该步骤可以去除晶圆表面浮尘、水痕等类型的杂质。气枪可以为机械自动控制，或人工控制。举例来说，如果步骤S21’包括操作工通过肉眼进行复检的步骤，则可以由操作工控制气枪喷吹杂质区域。图3给出了气枪安装位置的一个示例。如图3所示，A为用于确定杂质区域的确定装置，例如，目镜；B为气枪；C为被检验的晶圆。其中，在检验和清洁过程中，确定装置A与气枪B之间的相对位置保持不变，气枪中气体的喷出位置与确定装置扫描的晶圆位置重叠。这样设计的好处在于当确定装置找到杂质区域后，可以马上使用气枪对该杂质区域进行喷吹，无须为喷吹进行二次定位，提高了检验效率。本领域技术人员理解，气枪和确定装置也可以相互独立，上述示例并不构成对本发明保护范围的限定。

优选的，可以选择惰性气体，例如氮气、氪气、氩气进行喷吹。使用惰性气体的好处在于不容易与晶圆表面的材料形成化学反应，不会影响元件的效能。

优选的，气枪与晶圆表面的夹角应当在0度至90度之间。本领域技术人员可以理解，如果喷气方向与晶圆表面平行，则难以控制气流与晶圆表面的接触点；如果喷漆方向与晶圆表面垂直，则可能无法将灰尘等附着杂质从晶圆表面去除。因此，应该使气枪与晶圆表面具有特定夹角，例如，45度。此外，气枪口的直径以不超过1cm为宜。本领域技术人员可以理解，气枪口的表面积对喷出气流的压强有影响，较小的枪口一般对应较大的喷出气流压强比较容易将杂质去除，同时也便于精确地定位杂质区域。

在步骤S3中，对经过气枪喷吹的杂质区域进行检验。

如果在本次检验中没有发现被喷吹过的杂质区域有杂质存在，则继续检验晶圆表面的其他区域，寻找是否有新的杂质区域存在。如果有新的杂质区域存在，则重复执行步骤S22和S3，使用气枪对新的杂质区域进行喷吹，并对喷吹后的区域进行再检验。如此循环上述步骤，直到整个晶圆表面的检验完成。如果直到完成整个晶圆表面的扫描都没有发现新的杂质区域，则认为没有检出晶圆质量和可靠性的问题。

如果在本次检验中，发现被喷吹过的杂质区域仍有杂质存在，则将该晶圆作为可能存在质量或可靠性问题的晶圆检出。检出后的晶圆可能被认为是次品或废品，其后续操作与现有技术相同，此处不再赘述。

图4示出了本发明一个变化例的半导体晶圆的检验方法的步骤流程。以下结合图4对该变化例进行详细描述。本变化例主要针对晶圆上有多个杂质区域的情况。

首先，在步骤S1中将半导体晶圆载入检验台。在本变化例中，步骤S1与上文实施例中的步骤S1和步骤S21相同，此处不再赘述。

接着，在步骤S21’中，对通过步骤S1传送至检验装置中的半导体晶圆进行表面检验，以寻找半导体晶圆表面的杂质区域。在检验到杂质区域后，记录该杂质区域的位置。然后继续扫描寻找其他杂质区域，并逐个记录杂质区域的位置，直到完成整个晶圆表面的检验。

在步骤S22’中，使用气枪对逐个对步骤S21’中确定的多个杂质区域分别进行喷吹。气枪可以为机械自动控制，或人工控制。举例来说，如果步骤S21’包括操作工通过肉眼进行复检的步骤，则可以由操作工控制气枪喷吹杂质区域。

优选的，可以选择惰性气体，例如氮气、氪气、氩气进行喷吹。优选的，气枪与晶圆表面的夹角应当在0度至90度之间例如，45度。此外，气枪口的直径以不超过1cm为宜。

在步骤S3’中，对经过气枪喷吹的多个杂质区域分别进行检验。如果所有的杂质区域都不再有杂质/缺陷存在，则认为没有检出晶圆质量和可靠性的问题。如果多个杂质区域中的一个或多个仍有杂质存在，则将该晶圆作为可能存在质量或可靠性问题的晶圆检出，完成检验。

本领域技术人员可以理解，对于具有多个表面具有多个杂质区域的晶圆，可以先确定晶圆表面的所有杂质区域，然后集中对所有杂质区域进行清洁，清洁后进行检验；也可以确定一个杂质区域后，马上对其进行清洁和检验，再根据该杂质区域的检验结果确定是否还要继续检验晶圆表面的为检验区域；也可以一边扫描确定杂质区域，一边对已确定的杂质区域进行清洁。具体选用何种方法，应视半导体晶圆生产和检验的要求而定。

图5示出了本发明的半导体晶圆的检验装置的框图。如图5所示，本发明的第二方面提供了一种半导体晶圆的检验装置1，其包括载入装置11和清洁装置12：

载入装置11，用于将待检晶圆载入检验装置1。载入装置11可以使用现有技术中的任何方法将待检晶圆载入检验装置1，可以是机器自动载入或通过手工控制载入装置11载入。具体而言，载入装置11可以根据后续步骤需要将待检晶圆放置于检验装置1的特定位置。如果下一个步骤为对待检晶圆进行清洁，则载入装置11将待检晶圆放置于清洁装置12中。如果下一个步骤为进行晶圆表面杂质区域定位，则载入装置1可将该晶圆直接载入检验台。具体的晶圆载入手段可参照现有技术，此处不再赘述。

清洁装置12用于对半导体晶圆表面杂质进行清洁。本领域技术人员理解，清洁装置12使用现有技术中去除晶圆表面污物的技术手段，其包括：供给去离子水或其他液体至晶圆表面，再对晶圆表面进行刷洗(brush)；使用气枪喷吹晶圆表面(blow)；将晶圆放入超纯水中旋转冲洗甩干(rinse)；属于干式清洗法的脉动喷气式清除方法(pulse-jet)；等等。上述示例仅仅是为清洁装置12对晶圆表面清洁方法的示例，其可以适用于本发明的具体实施例中，但并不构成对本发明保护范围的限定。本领域技术人员应该理解，现有技术中所有清洁半导体晶圆表面杂质的方法都应该涵盖在本发明的保护范围之中，并可用于本发明具体实施例检验装置的清洁装置12中。

此外，需要注意的是，清洁装置12可以直接从载入装置11获取晶圆，也可以从检验装置1的其他子装置获取晶圆。比如，可以在晶圆表面清洁之前需要先对晶圆表面进行检验以确定是否有杂质区域存在，如果没有在晶圆表面发现杂质区域，则认为该晶圆通过测试，无需对其进行清洁。如果晶圆表面具有杂质区域，则将该晶圆放入清洁装置12进行清洁，以确认该杂质区域是否可以去除，为进一步确定该晶圆的质量或可靠性做好准备。对于这种情况，载入装置11首先将晶圆送入检验子装置进行检验，如果需要，清洁装置12再从检验子装置获取该晶圆进行清洁。接着，检验子装置对在清洁装置12中完成清洁的杂质区域进行检验，再根据检验结果对该晶圆的质量和可靠性做出判断。需要注意的是，本发明中的检验可以完全由检验子装置或检验装置自动完成，也可以通过人工控制检验子装置或检验装置完成。

下面对本发明的优选实施例作进一步详细描述。图6是根据本发明的一个具体实施例的半导体晶圆检验装置的框图。以下结合图6对该具体实施方式进行详细描述。检验装置1，包括载入装置11和清洁装置12，其中，清洁装置12还包括杂质区域确定装置121和杂质区域清洁装置122。

首先，载入装置11将半导体晶圆载入杂质区域确定装置121。

接着，杂质区域确定装置121对载入装置11传送的半导体晶圆进行表面检验，以寻找半导体晶圆表面的杂质区域。一般来说，可以通过光学定位确定杂质区域所处的位置。可以理解，光学定位是使用对获取的光学图像进行相应计算的方法来寻找杂质区域的。换而言之，通过光学定位找到的杂质区域可以被理解为在光学上与正常区域具有不同功函数变化量的区域。因此，光学定位很难区分可去除的杂质和不可去除的缺陷。进一步的，可以理解人工目检也难对上述两种缺陷进行区分。因此，杂质区域确定装置121的作用就在于确定杂质区域，并不必须包括判断该杂质区域对晶圆质量和可靠性有无影响。

继而，杂质区域清洁装置122使用气枪对杂质区域进行清洁，即使用气枪喷吹杂质区域确定装置121找到的晶圆表面的杂质区域，以去除晶圆表面浮尘、水痕等类型的杂质。杂质区域清洁装置122可以为机械自动控制，也可以由人工控制。举例来说，如果操作工通过控制杂质区域确定装置121确定杂质区域，则可以由操作工控制杂质区域清洁装置122喷吹杂质区域。图3给出了气枪安装位置的一个示例。如图3所示，A为用于确定杂质区域的杂质区域确定装置121，例如，目镜；B为杂质区域清洁装置122，例如，气枪；C为被检验的晶圆。其中，在检验和清洁过程中，杂质区域确定装置121与杂质区域清洁装置122(气枪B)之间的相对位置保持不变，气枪B中气体的喷出位置与杂质区域确定装置121扫描的晶圆位置重叠。这样设计的好处在于当杂质区域确定装置121找到杂质区域后，可以马上使用气枪B对该杂质区域进行喷吹，无须为喷吹进行二次定位，提高了检验效率。本领域技术人员理解，气枪B和杂质区域确定装置121也可以相互独立，本领域技术人员可以理解上述示例并不构成对本发明保护范围的限定。

优选的，可以选择惰性气体，例如氮气、氪气、氩气进行喷吹。使用惰性气体的好处在于不容易与晶圆表面的材料形成化学反应，不会影响元件的效能。

优选的，气枪B与晶圆表面的夹角应当在0度至90度之间。本领域技术人员可以理解，如果喷气方向与晶圆表面平行，则难以控制气流与晶圆表面的接触点；如果喷漆方向与晶圆表面垂直，则可能无法将灰尘等附着杂质从晶圆表面去除。因此，应该使气枪B与晶圆表面具有特定夹角，例如，45度。此外，气枪口的直径以不超过1cm为宜。本领域技术人员可以理解，气枪口的表面积对喷出气流的压强有影响，较小的枪口一般对应较大的喷出气流压强比较容易将杂质去除，同时也便于精确地定位杂质区域。

杂质区域确定装置121，对经过气枪B喷吹的杂质区域再进行检验。如果在本次检验中没有发现被喷吹过的杂质区域有杂质存在，则继续检验晶圆表面的其他区域，寻找是否有新的杂质区域存在。如果有新的杂质区域存在，则杂质区域清洁装置122继续对新的杂质区域进行清洁，杂质区域确定装置121再对清洁过的新的杂质区域进行再次检验。如此循环上述步骤，直到整个晶圆表面的检验完成。如果直到完成整个晶圆表面的扫描都没有发现新的杂质区域，则认为没有检出晶圆质量和可靠性的问题。

如果在本次检验中，发现被喷吹过的杂质区域仍有杂质存在，则将该晶圆作为可能存在质量或可靠性问题的晶圆检出。检出后的晶圆可能被认为是次品或废品，其后续操作与现有技术相同，此处不再赘述。

图7示出了本发明一个变化例的半导体晶圆的检验装置的框图。以下结合图7对该变化例进行详细描述。本变化例主要针对晶圆上有多个杂质区域的情况。

首先，在步骤载入装置11中将半导体晶圆载入杂质区域确定装置121。在本变化例中，具体操作与上文实施例中相同，此处不再赘述。

杂质区域确定装置121对载入装置11传送的半导体晶圆进行表面检验，以寻找半导体晶圆表面的杂质区域。在检验到杂质区域后，记录该杂质区域的位置。然后继续扫描寻找其他杂质区域，并逐个记录杂质区域的位置，直到完成整个晶圆表面的检验。

接着，杂质区域清洁装置122(气枪B)逐个对杂质区域确定装置121确定的多个杂质区域分别进行喷吹。图3给出了气枪B安装位置的一个示例。如图3所示，A为用于确定杂质区域的杂质区域确定装置121，例如，目镜；B为杂质区域清洁装置122，例如，气枪；C为被检验的晶圆。其具体位置关系以及连接方式与上文实施例相同，此处不再赘述。气枪B可以为机械自动控制，或人工控制。如果杂质区域确定装置121由操作工控制，优选的，杂质区域清洁装置122也可以由操作工控制来喷吹杂质区域。

优选的，可以选择惰性气体，例如氮气、氪气、氩气进行喷吹。优选的，气枪B与晶圆表面的夹角应当在0度至90度之间例如，45度。此外，气枪口的直径以不超过1cm为宜。

杂质区域确定装置121对经过气枪B喷吹的多个杂质区域分别进行检验。如果所有的杂质区域都不再有杂质/缺陷存在，则认为没有检出晶圆质量和可靠性的问题。如果多个杂质区域中的一个或多个仍有杂质存在，则将该晶圆作为可能存在质量或可靠性问题的晶圆检出，完成检验。

本领域技术人员可以理解，对于具有多个表面具有多个杂质区域的晶圆，可以先由杂质区域确定装置121确定晶圆表面的所有杂质区域，然后杂质区域清洁装置122集中对所有杂质区域进行清洁，杂质区域确定装置121再对清洁后杂质区域进行检验；也可以由杂质区域确定装置121确定一个杂质区域后，马上由杂质区域清洁装置122对其进行清洁，杂质区域确定装置121对其进行再检验，再根据该杂质区域的检验结果确定是否还要继续检验晶圆表面的为检验区域；也可以一边扫描确定杂质区域，一边对已确定的杂质区域进行清洁。具体选用何种方法，应视半导体晶圆生产和检验的要求而定。

以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在所附权利要求的范围内做出各种变形或修改。

Claims (19)

1.一种半导体晶圆的检验方法，其中，包括以下步骤：

a.将所述半导体晶圆载入检验装置；

b.清洁所述半导体晶圆表面的杂质。

2.根据权利要求1所述的检验方法，其特征在于，所述步骤b还包括以下步骤：

b1.确定所述半导体晶圆表面的杂质区域；

b2.对所述杂质区域进行清洁。

3.根据权利要求2所述的检验方法，其特征在于，所述步骤b2还包括以下步骤：

-使用气枪对所述杂质区域进行喷吹。

4.根据权利要求3所述的检验方法，其特征在于，所述气枪中的气体为惰性气体。

5.根据权利要求4所述的检验方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气。

6.根据权利要求3所述的检验方法，其特征在于，所述气枪与所述晶圆表面之间的夹角大于0度小于90度。

7.根据权利要求6所述的检验方法，其特征在于，所述气枪与所述晶圆表面之间的夹角为45度。

8.根据权利要求2-7中任一项所述的检验方法，其特征在于，所述步骤b后还包括步骤c：

c.对所述杂质区域进行检验，如果所述杂质区域仍有杂质，则认为所述晶圆为次品。

9.根据权利要求8所述的检验方法，其特征在于，所述步骤c后还包括：

-确认所述半导体晶圆表面是否有其它未清洁的杂质区域，如有，则重复所述步骤b2。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b包括：

-将所述半导体晶圆放入所述检验装置的清洗槽中进行清洗；

所述步骤b之后还包括步骤c，

c.对清洗过的所述半导体晶圆进行检验。

11.一种半导体晶圆的检验装置，其中，包括：

载入装置，用于将所述半导体晶圆载入检验装置；

清洁装置，用于清洁所述半导体晶圆表面的杂质。

12.根据权利要求11所述的检验装置，其特征在于，所述清洁装置还包括：

杂质区域确定装置，用于确定所述半导体晶圆表面的杂质区域；

杂质区域清洁装置，用于对所述杂质区域进行清洁。

13.根据权利要求12所述的检验装置，其特征在于，所述杂质区域清洁装置包括气枪，所述气枪用于对所述杂质区域进行喷吹。

14.根据权利要求13所述的检验装置，其特征在于，所述气枪中的气体为惰性气体。

15.根据权利要求14所述的检验装置，其特征在于，所述惰性气体为氮气。

16.根据权利要求13所述的检验装置，其特征在于，所述气枪与所述晶圆表面之间的夹角大于0度小于90度。

17.根据权利要求16所述的检验装置，其特征在于，所述气枪与所述晶圆表面之间的夹角为45度。

18.根据权利要求12-17中任一项所述的检验装置，其特征在于，所述杂质区域确定装置还用于对所述杂质区域清洁装置清洁过的杂质区域进行检验，如果所述杂质区域清洁装置清洁过的杂质区域仍有杂质，则认为所述晶圆为次品。

19.根据权利要求11所述的检验装置，其特征在于，所述清洁装置为清洗槽，所述清洗槽用于对单片半导体晶圆进行清洗。

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