CN112355886A - 一种化学机械研磨机台及方法、缺陷检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种化学机械研磨机台及方法、缺陷检测方法，包括：研磨装置，用于对晶圆进行研磨；清洗装置，用于对研磨后的晶圆进行清洗；缺陷扫描装置，用于对清洗后的晶圆进行检测；晶圆传输装置，用于晶圆在研磨装置和清洗装置之间以及清洗装置和缺陷扫描装置之间的传输。利用机台中的缺陷扫描装置直接对清洗后的晶圆进行检测，缺陷扫描装置检测不合格的晶圆不需要经过光学特征尺寸测量、晶圆的最大厚度与最小厚度的绝对差值测量以及弯曲度测量等，以及后续良率提升阶段的检测，缩短晶圆的循环时间。并且由于利用缺陷扫描装置能够有效检测晶圆表面的缺陷，减少进入良率提升阶段缺陷晶圆的数量，从而能够缩短晶圆的检测时间，提高晶圆的检测效率。

Description

一种化学机械研磨机台及方法、缺陷检测方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种化学机械研磨机台及方法、缺陷检测方法。

背景技术

化学机械研磨(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是半导体制造过程中，对晶圆表面进行平坦化的工艺。但是，在化学机械研磨过程中可能会在晶圆表面造成缺陷，例如：表面划痕(scratch)、表面残留物(residue)，而晶圆表面的缺陷可能会导致半导体产品在使用时发生漏电、断电的情况，影响产品的良率(yield)。通过对晶圆表面进行缺陷检测能够及时改进工艺并避免不必要的后续流程所造成的浪费，提高产品良率。

目前对于晶圆表面进行缺陷检测通常是通过良率改善阶段(yield enhancementstage)检测晶圆表面的缺陷，但是良率改善阶段对晶圆检测需要耗费较长的时间，影响晶圆表面缺陷的检测效率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种化学机械研磨机台、方法及缺陷检测方法，缩短晶圆的检测时间，提高晶圆的检测效率。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种化学机械研磨机台，包括：

研磨装置，所述研磨装置用于对晶圆进行研磨；

清洗装置，所述清洗装置用于对研磨后的晶圆进行清洗；

缺陷扫描装置，所述缺陷扫描装置用于对清洗后的晶圆进行检测；

晶圆传输装置，所述晶圆传输装置用于晶圆在所述研磨装置和清洗装置之间以及清洗装置和所述缺陷扫描装置之间的传输。

可选的，所述缺陷扫描装置具体用于检测所述清洗后的晶圆的表面是否存在划痕和/或残留物。

可选的，还包括：

警报装置，所述警报装置用于，当所述缺陷扫描装置检测到所述清洗后的晶圆的表面存在残留物的数量大于预设值和/或划痕时启动警报。

可选的，所述研磨装置具体用于，当所述缺陷扫描装置检测到所述清洗后的晶圆的表面存在残留物且所述残留物的数量小于预设值时，对所述清洗后的晶圆进行研磨。

可选的，所述机台连接至中央处理器，所述中央处理器保存所述缺陷扫描装置对清洗后的晶圆进行检测后获得的检测数据，并对清洗后的晶圆表面的划痕和/或残留物进行分析，将分析结果反馈给所述研磨装置和所述清洗装置。

可选的，利用上述所述的化学机械研磨机台，包括：

研磨晶圆；

对研磨后的晶圆进行清洗；

对清洗后的晶圆进行检测。

可选的，所述对清洗后的晶圆进行检测，包括：

检测所述清洗后的晶圆表面是否存在划痕和/或残留物。

可选的，还包括：

当检测到所述清洗后的晶圆的表面存在残留物的数量大于预设值和/或划痕时启动警报。

可选的，还包括：

当检测到所述清洗后的晶圆的表面存在残留物且所述残留物的数量小于预设数量时，对所述清洗后的晶圆进行研磨。

一种缺陷检测方法，包括：

利用上述所述的化学机械研磨机台检测晶圆；

利用缺陷检测设备对所述化学机械研磨机台检测合格的晶圆进行检测。

本发明实施例提供的一种化学机械研磨机台，包括：研磨装置，用于对晶圆进行研磨；清洗装置，用于对研磨后的晶圆进行清洗；缺陷扫描装置，用于对清洗后的晶圆进行检测；以及晶圆传输装置，用于晶圆在研磨装置和清洗装置之间以及清洗装置和缺陷扫描装置之间的传输。利用机台中的缺陷扫描装置直接对清洗后的晶圆进行检测，缺陷扫描装置检测不合格的晶圆不需要经过光学特征尺寸测量、晶圆的最大厚度与最小厚度的绝对差值测量以及弯曲度测量等，以及后续良率提升阶段的检测，缩短晶圆的循环时间。并且由于利用缺陷扫描装置能够有效检测晶圆表面的缺陷，减少进入良率提升阶段缺陷晶圆的数量，从而能够缩短晶圆的检测时间，提高晶圆的检测效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1示出了根据本发明实施例一种化学机械研磨机台的结构示意图；

图2示出了根据本发明实施例一种化学机械研磨方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术的描述，目前对于晶圆表面进行缺陷检测通常是通过良率改善阶段(yield enhancement stage)检测晶圆表面的缺陷，但是良率改善阶段对晶圆检测需要耗费较长的时间，影响晶圆表面缺陷的检测效率。

为此，本申请实施例提供一种化学机械研磨机台，参考图1所示，包括：

研磨装置10，所述研磨装置10用于对晶圆进行研磨；

清洗装置20，所述清洗装置20用于对研磨后的晶圆进行清洗；

缺陷扫描装置30，所述缺陷扫描装置30用于对清洗后的晶圆进行检测。

晶圆传送装置40，所述晶圆传送装置40用于晶圆在所述研磨装置10和所述清洗装置20之间以及所述清洗装置20和所述缺陷扫描装置30之间的传输。

本申请实施例中，研磨装置10用于对晶圆进行研磨。在半导体制作工艺中，多个制作工艺都需要采用化学机械研磨设备的研磨装置10对晶圆表面做平坦化处理。例如，在互连线制作中，用于化学机械研磨金属铜。

研磨装置10可以包括底座、研磨头以及研磨液供给装置。底座为用于承载研磨头施加压力的部件，底座上设置有研磨转盘，还设置有研磨垫，研磨垫为可更换的部件，研磨垫水平设置于研磨转盘的正上方且与研磨转盘连接在一起，从而使得研磨转盘能够带动研磨垫转动。研磨垫的大小可以与研磨转盘一致且大于待研磨晶圆的形状。研磨头用于吸附晶圆，通过向研磨头施加下压力，使得晶圆的待研磨面与研磨垫接触，由于研磨垫在研磨转盘的带动下转动，使得晶圆被研磨。研磨头也可以在外力作用下旋转，使得晶圆与研磨垫做相对运动，提高晶圆的研磨速度。研磨液供给装置用于提供研磨液，研磨液供给装置例如可以为伸向底座的研磨液臂，从研磨液臂输出研磨液，

在具体的应用中，一个研磨装置10可以包括多个研磨头，例如可以为4个，从而实现多个晶圆的同时研磨，以提高研磨效率，缩短研磨周期。

本申请实施例中，清洗装置20用于对研磨后的晶圆进行清洗。化学机械研磨工艺所使用的研磨液一般包含有化学腐蚀剂和研磨颗粒，通过化学腐蚀剂和晶圆研磨表面的化学反应生成较软的容易被去除的材料，然后通过机械摩擦将这些较软的物质从被研磨晶片的表面去掉，达到全局平坦化的效果。但是研磨后，研磨液中的化学腐蚀剂和晶圆研磨表面反应生成的反应物以及研磨颗粒易附着在晶圆表面形成残留物，该残留物对器件的电学性能及工艺制造均会造成影响，因而需要尽可能的减少或去除该残留物。

本实施例中，清洗装置20可以包括晶圆承载单元，晶圆承载单元用于承载晶圆，清洗装置还可以包括喷射单元，喷射单元用于向晶圆的表面喷射清洗液，以去除晶圆表面的残留物，清洗液可以为去离子水或化学液。具体的，可以在晶圆放置于晶圆承载单元上之后，启动喷射单元。首先利用喷射单元向晶圆表面喷射去离子水，利用去离子水的流动性去除晶圆表面残留的研磨液以及部分研磨颗粒。而后利用喷射单元向晶圆表面喷射化学液，该化学液能够与反应物反应，从而去除晶圆表面残留的反应物，该反应物为研磨液中的化学腐蚀剂和晶圆研磨表面反应产生的反应物。随后再次利用喷射单元向晶圆表面喷射去离子水，以去除晶圆表面的化学液。在具体的应用中，还可以向晶圆表面喷射惰性气体，以去除晶圆表面的水痕。

本申请实施例中，缺陷扫描装置30用于对清洗后的晶圆进行检测。在化学机械研磨过程中可能会在晶圆表面造成缺陷，例如：表面划痕、表面残留物，表面残留物通常包括研磨液中的化学腐蚀剂和晶圆研磨表面反应生成的反应物以及研磨颗粒。晶圆表面的缺陷可能会导致半导体产品在使用时发生漏电、断电的情况，影响产品的良率。因此，在半导体制造领域中，及时、准确地发现晶圆表面存在的缺陷以改进工艺并避免不必要的后续流程所造成的浪费，对良率提升(yield enhancement，YE)和节省成本十分重要。

目前检测晶圆表面缺陷的方法主要是在良率提升阶段(yield enhancementstage)，良率提升主要是针对工艺中产生的缺陷的成因进行追踪、数据收集与分析、改善评估等。良率提升阶段对晶圆进行检测的流程较为复杂，通常是利用缺陷检测机台(defectinspection tool)扫描晶圆表面，缺陷检测机台通过图像比对的方式找出晶圆表面存在的缺陷，而后将缺陷数据传至良率提升系统(yield enhancement system，YES)，良率提升系统判断缺陷数量是否超出规格，若超出规格将晶圆传送至评估机台(review station)进行评估，以确定缺陷种类等，评估机台例如可以为电子扫描显微镜。显然，良率提升阶段对晶圆进行检测需要花费较长的时间。

并且，通常在进入良率提升阶段之前，还需要对晶圆进行光学特征尺寸(opticalcritical dimension，OCD)测量、晶圆的最大厚度与最小厚度的绝对差值(totalthickness variation，TTV)测量以及弯曲度(bow)测量等。由于晶圆表面存在划痕或较多残留物时，预示该晶圆无法用于后续的产品制造，即该晶圆报废。如果报废的晶圆继续进行光学特征尺寸测量、晶圆的最大厚度与最小厚度的绝对差值测量以及弯曲度测量等，以及良率提升阶段的检测，会造成资源以及时间的浪费。

因此，本申请实施例提供的化学机械研磨机台中设置有缺陷扫描装置30，缺陷扫描装置30对经过研磨、清洗后的晶圆直接进行检测，可以理解的是，通过缺陷扫描装置30进行检测之后，能够筛选出部分不合格的晶圆，这部分不合格的晶圆不需要经过光学特征尺寸测量、晶圆的最大厚度与最小厚度的绝对差值测量以及弯曲度测量等，以及后续的缺陷检测机台进行检测，可以直接送至评估机台进行评估。由于缺陷扫描装置30检测到不合格的晶圆不需要经过光学特征尺寸测量、晶圆的最大厚度与最小厚度的绝对差值测量以及弯曲度测量等，在一定程度上缩短了晶圆的循环周期，提高晶圆的产出效率。而且由于利用缺陷扫描装置30能够有效检测晶圆表面的缺陷，只有缺陷扫描装置30检测合格的晶圆才可以进入良率提升阶段，从而减少进入良率提升阶段缺陷晶圆的数量，缩短晶圆的检测时间，提高晶圆的检测效率。

在具体的应用中，对于同一批次的晶圆，缺陷扫描装置30可以选择性的进行检测，例如可以选择一半的晶圆进行检测，当然也可以对同一批次的全部晶圆进行检测。

本实施例中，缺陷扫描装置30用于检测清洗后的晶圆的表面是否存在划痕和/或残留物。残留物可以包括研磨液中的化学腐蚀剂和晶圆研磨表面反应生成的反应物以及研磨颗粒。由于晶圆表面的缺陷可能会导致半导体产品在使用时发生漏电、断电的情况，影响产品的良率。因此，对于晶圆表面的缺陷检测尤为重要。

本实施例中，当缺陷扫描装置30检测到清洗后的晶圆表面存在残留物的数量大于预设值和/或划痕时，警报装置启动警报。具体的，缺陷扫描装置30检测到清洗后的晶圆表面存在划痕时，警报装置启动警报；缺陷扫描装置30检测到清洗后的晶圆表面的残留物的数量大于预设值时，启动警报。残留物的数量可以是对晶圆进行扫描之后，晶圆扫描图像中残留物的图像数量，残留物的预设值可以根据实际情况确定，例如可以为50ea。警报装置启动警报，表示该机台存在问题，需要对该机台进行检查，以便机台在研磨晶圆的过程中对晶圆造成缺陷，引起晶圆的浪费。

本实施例中，当缺陷扫描装置30检测到清洗后的晶圆表面存在残留物且残留物的数量小于预设值时，表明晶圆表面的残留物对晶圆的影响较小，该晶圆仍然可以用于后续的产品制造等，可以将清洗后的晶圆传输至研磨装置10，以使研磨装置10对清洗后的晶圆进行研磨，从而去除晶圆表面的残留物。此时也可以利用警报装置触发警报，以便对机台进行检查。

本申请实施例中，晶圆传输装置40用于将晶圆在各个装置之间传输，以使得晶圆经过多个工艺流程处理。例如将待研磨的晶圆传送至研磨装置10，以便研磨装置10对晶圆进行研磨，在晶圆研磨完成后，晶圆传输装置40可以用于将研磨后的晶圆传输至清洗装置20，以便清洗装置20对研磨后的晶圆进行清洗，在晶圆清洗完成后，晶圆传输装置40还可以用于将清洗后的晶圆传输至缺陷扫描装置30，以便缺陷扫描装置30对清洗后的晶圆进行检测。

本实施例中，晶圆传输装置40可以包括机械手臂和移动单元，机械手臂安装于移动单元上，并随移动单元移动。在研磨时，机械手臂从晶圆盒中抓取待研磨的晶圆，将晶圆放置于移动单元上，移动单元将晶圆传输至研磨装置附近，利用机械手臂将晶圆放置于研磨装置10上。在晶圆研磨完成后，机械手臂将晶圆从研磨装置10上转移至移动单元上，移动单元将研磨后的晶圆传输至清洗单元附近，利用机械手臂将晶圆放置于清洗装置20上。在晶圆清洗完成后，机械手臂将晶圆从清洗装置20上转移至移动单元上，移动单元将清洗后的晶圆转移至缺陷扫描装置30附近，而后利用机械手臂将清洗后的晶圆放置于缺陷扫描装置30上，以便缺陷扫描装置30对清洗后的晶圆进行检测。

在具体的应用中，机台连接至中央处理器，中央处理器能够保存缺陷扫描装置对清洗后的晶圆进行检测后获得的检测数据，并对清洗后的晶圆表面的划痕和/或残留物进行分析，将分析结果反馈给研磨装置10和清洗装置20。具体的，缺陷扫描装置30检测到晶圆表面存在划痕时，中央处理器对检测到划痕进行分析，分析造成该划痕的原因、出现划痕概率较大的位置以及减小划痕的方法等，例如分析后发现晶圆在某一部分出现划痕的概率较大，可以将分析结果反馈给研磨装置10和清洗装置20，并调整研磨装置10在该部位的研磨方向和力度。缺陷扫描装置30检测到晶圆表面存在残留物时，中央处理器对检测到的残留物进行分析，例如分析后发现晶圆在某一部分出现残留物的概率较大，可以将分析结果反馈给研磨装置10和清洗装置20，并调整清洗装置20，使其在清洗该部位时增加清洗时长等。这样，通过对晶圆表面的划痕和/或残留物进行分析，能够发现研磨装置10和清洗装置20的漏洞并及时调整，从而避免大规模出现某一普遍性缺陷的情况。

本实施例中，中央处理器中的残留物缺陷自动控制系统(residue defect autorework advanced process control)能够控制机台中的研磨装置10、清洗装置20、缺陷扫描装置30以及警报装置等对晶圆进行处理。例如，当缺陷扫描装置30检测到晶圆表面存在残留物的数量大于预设值和/或划痕时，控制警报装置启动警报。

以上对本申请实施例提供的一种化学机械研磨机台进行了详细的说明，包括：研磨装置，用于对晶圆进行研磨；清洗装置，用于对研磨后的晶圆进行清洗；缺陷扫描装置，用于对清洗后的晶圆进行检测；以及晶圆传输装置，用于晶圆在研磨装置和清洗装置之间以及清洗装置和缺陷扫描装置之间的传输。利用机台中的缺陷扫描装置直接对清洗后的晶圆进行检测，缺陷扫描装置检测不合格的晶圆不需要经过光学特征尺寸测量、晶圆的最大厚度与最小厚度的绝对差值测量以及弯曲度测量等，以及后续良率提升阶段的检测，缩短晶圆的循环时间。并且由于利用缺陷扫描装置能够有效检测晶圆表面的缺陷，减少进入良率提升阶段缺陷晶圆的数量，从而能够缩短晶圆的检测时间，提高晶圆的检测效率。

本申请实施例还提供一种化学机械研磨方法，利用上述所述的化学机械研磨机台，参考图2所示，包括：

201：研磨晶圆；

202：对研磨后的晶圆进行清洗；

203：对清洗后的晶圆进行检测。

本申请实施例中，利用上述所述的化学机械研磨机台中的研磨装置研磨晶圆，研磨完成后，利用化学机械研磨机台中的清洗装置对研磨后的晶圆进行清洗，清洗完成后，利用化学机械研磨机台中的缺陷扫描装置对清洗后的晶圆进行检测。利用化学机械研磨机台中的缺陷扫描装置能够有效检测晶圆表面的缺陷，减少进入良率提升阶段缺陷晶圆的数量，从而能够缩短晶圆的检测时间，提高晶圆的检测效率。

本实施例中，对清洗后的晶圆进行检测，可以是检测清洗后的晶圆表面是否存在划痕和/或残留物。当检测到清洗后的晶圆存在残留物的数量大于预设值和/或划痕时启动警报。当检测到清洗后的晶圆表面存在残留物且残留物的数量小于预设值时，可以对清洗后的晶圆进行研磨，以去除晶圆表面的残留物。

本申请实施例还提供一种缺陷检测方法，包括：

利用上述所述的化学机械研磨机台检测晶圆；

利用缺陷检测机台对化学机械研磨机台检测合格的晶圆进行检测。

本实施例中，化学机械研磨机台检测晶圆合格后，利用缺陷检测设备在良率提升阶段继续对化学机械研磨机台检测合格的晶圆进行检测。可以理解的是，经过化学机械研磨机台检测不合格的晶圆在良率提升阶段必然无法通过缺陷检测机台的检测，即该晶圆已报废无法用于后续的产品制造，但是经过化学机械研磨机台检测合格的晶圆，在良率提升阶段也可能无法通过缺陷检测机台的检测。因此，利用化学机械研磨机台能够筛除部分不合格的晶圆，减少进入良率提升阶段缺陷晶圆的数量，从而能够缩短晶圆的检测时间，提高晶圆的检测效率。并且由于化学机械研磨机台已经筛除部分不合格的晶圆，使得在良率提升阶段检测到表面存在缺陷的数量减少，降低良率提升阶段晶圆的缺陷比例(sampleratio)，提高晶圆的出货效率。

本实施例中，缺陷检测机台主要是通过拍摄以及对比晶圆照片，确定晶圆表面是否存在缺陷。缺陷检测机台例如可以为亮场扫描机台，将被检晶圆传送至机台内的检测台后，在晶圆的正上方射入可见光或深紫外光，光源达到晶圆表面后发生反射，反射光由透镜传至光电转换器，光电转换器将图像转化成电信号，然后由数字信号处理系统进行成像处理，并保存图片。而后，将晶圆成像图像与标准图像进行对比，判断是否有缺陷存在，从而完成光学明场缺陷检测(bright field inspect defect)。

在具体的应用中，对于同一批次的晶圆，可以利用化学机械研磨机台选择性检测该批次晶圆中的部分晶圆，将该部分晶圆中检测合格的晶圆记为第一合格晶圆，而后可以从第一合格晶圆中选择部分晶圆利用缺陷检测机台进行检测，缺陷检测机台检测合格的晶圆可以记为第二合格晶圆。对于同一批次的晶圆，可以先利用化学机械研磨机台进行检测，获得检测合格的晶圆，记为第一合格晶圆，而后可以利用缺陷检测机台检测第一合格晶圆，也可以从第一合格晶圆中选择部分晶圆利用缺陷检测机台进行检测。晶圆在经过缺陷检测机台检测合格后，可以在晶圆表面涂覆氧化物层(oxide)，而后对晶圆进行后续工艺处理。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于装置实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种化学机械研磨机台，其特征在于，包括：

研磨装置，所述研磨装置用于对晶圆进行研磨；

清洗装置，所述清洗装置用于对研磨后的晶圆进行清洗；

缺陷扫描装置，所述缺陷扫描装置用于对清洗后的晶圆进行检测；

晶圆传输装置，所述晶圆传输装置用于晶圆在所述研磨装置和清洗装置之间以及清洗装置和所述缺陷扫描装置之间的传输。

2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述缺陷扫描装置具体用于检测所述清洗后的晶圆的表面是否存在划痕和/或残留物。

3.根据权利要求2所述的机台，其特征在于，还包括：

警报装置，所述警报装置用于，当所述缺陷扫描装置检测到所述清洗后的晶圆的表面存在残留物的数量大于预设值和/或划痕时启动警报。

4.根据权利要求2所述的机台，其特征在于，所述研磨装置具体用于，当所述缺陷扫描装置检测到所述清洗后的晶圆的表面存在残留物且所述残留物的数量小于预设值时，对所述清洗后的晶圆进行研磨。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的机台，其特征在于，所述机台连接至中央处理器，所述中央处理器保存所述缺陷扫描装置对清洗后的晶圆进行检测后获得的检测数据，并对清洗后的晶圆表面的划痕和/或残留物进行分析，将分析结果反馈给所述研磨装置和所述清洗装置。

6.一种化学机械研磨方法，其特征在于，利用权利要求1-5任意一项所述的化学机械研磨机台，包括：

研磨晶圆；

对研磨后的晶圆进行清洗；

对清洗后的晶圆进行检测。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对清洗后的晶圆进行检测，包括：

检测所述清洗后的晶圆的表面是否存在划痕和/或残留物。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

当检测到所述清洗后的晶圆的表面存在残留物的数量大于预设值和/或划痕时启动警报。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

当检测到所述清洗后的晶圆的表面存在残留物且所述残留物的数量小于预设数量时，对所述清洗后的晶圆进行研磨。

10.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：

利用权利要求1-5任意一项所述的化学机械研磨机台检测晶圆；

利用缺陷检测设备对所述化学机械研磨机台检测合格的晶圆进行检测。

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