CN102023447B - 电极基板及液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电极基板及液晶显示面板。液晶显示面板包含该主动阵列基板、该电极基板以及一液晶层。该主动阵列基板包含一基底、多条扫描线、多条数据线、多个像素电极及多个主动元件。所述的扫描线与所述的数据线设置于该基底上且互相垂直。各该主动元件分别与相对应的该扫描线、该数据线及该像素电极电性连接以界定一像素区以及一非显示区。该电极基板包含一基底以及一位于该基底上的共通电极。该液晶层设置于该主动阵列基板以及该电极基板之间。该液晶层包含多个液晶分子及多个离子。所述的液晶分子具有一起始电压以及一饱和电压。所述的离子的一定比例位于该非显示区内。

Description

电极基板及液晶显示面板

本申请是申请号为200810081825.5，申请日为2008年4月8日，发明创造名称为“主动阵列基板、电极基板及液晶显示面板”的原申请的分案申请。

技术领域

本发明是关于一种电极基板及液晶显示面板，特别是关于一种可将液晶层中的杂质和离子限制在特定区域的电极基板以及液晶显示面板。

背景技术

液晶显示器因为具有轻薄、短小以及低辐射的特性，目前已被广泛应用。但在液晶显示器的液晶显示面板的制程中，在将液晶灌注、滴入制程执行的前、执行中或是执行后，液晶层中会具有一些杂质或离子等污染物或干扰物。当液晶显示面板在后续使用，在长时间驱动下，液晶的移动、转动或倾斜会改变这些杂质或离子在液晶层内的分布状况。这些杂质或离子会影响液晶层中趋使液晶活动的电场大小，故当液晶显示面板在显示画面时，亮度、灰阶或影像质量均会受到不良的影响。

2006年11月16日公开的美国第20060256245A1号专利申请案揭示一种横向离子抽移装置，设置于液晶显示面板中，寻址区域(addressable area)以外的区域，横向离子抽移装置用以将离子抽移至寻址区域以外的区域。由实验结果可知，经由横向离子抽移装置的作用，寻址区域中像素内的离子浓度会逐渐减少。然而，像素中无可避免的还是存在有离子，故画面质量无法有效的提升。再者，横向离子抽移的操作时间必须拉长，也为横向离子抽移装置的一大缺点。

综上所述，如何使液晶显示面板中的杂质或离子在液晶层内被适当的控制，且不影响液晶显示面板的画面质量及工作效能，仍是所属技术领域急待解决的课题。

发明内容

本发明之的一目的在于提供一种主动数组阵列基板，为解决液晶显示面板之的画面不均的问题。为达此目的该主动数组阵列基板包含一基底、多条扫描线、多条数据线、多个像素电极、多个主动元件及至少一辅助电极。所述的扫描线设置于该基底上。所述的数据线与所述的扫描线垂直。各该主动元件对应至所述的扫描线其中之一、所述的数据线其中之一及所述的像素电极其中之一。各该主动元件分别与相对应之的该扫描线、该数据线及该像素电极电性连接以界定一像素区以及一非显示区。该至少一辅助电极设置于该基底上，并位于该非显示区内。该至少一辅助电极用以接收一辅助电压，其中该辅助电压介于为-30伏特至30伏特之间。

该主动阵列基板还可包含一电容电极，设置于该基底上，该电容电极与该至少一辅助电极电性连接。该主动阵列基板也可包含一电容电极，设置于该基底上，其中该电容电极与该辅助电极彼此绝缘且设置于同一层。该主动阵列基板的该至少一辅助电极与所述的扫描线的其中之一电性连接。

本发明的另一目的在于提供一种电极基板，为解决液晶显示面板的画面不均的问题。为达此目的，该电极基板包含一基底、一共通电极以及多个遮蔽结构。该共通电极设置于该基底上。所述的遮蔽结构设置于该基底上，并分隔该共通电极为多个区块，其中所述的遮蔽结构的电压为-30伏特至30伏特。

本发明的另一目的在于提供一种电极基板，为解决液晶显示面板的画面不均的问题。为达此目的，该电极基板包含一基底以及一共通电极。该基底具有多个像素区域，且各该像素区域具有一像素宽度。该共通电极设置于该基底上。该共通电极具有多个狭缝，其中各该狭缝的一宽度为该像素宽度的1/20倍至1/5倍。

本发明的又一目的在于提供一种液晶显示面板，其包含上述主动阵列基板或上述电极基板其中之一。

通过上述配置，本发明之的液晶显示面板，可以限制液晶层中的粒子移动，避免液晶层中的粒子分配不均匀或是位于像素区中，导致画面不均的残影问题的产生。此外，本发明之的液晶显示面板，可以将液晶层中的粒子限制在特定区域，例如非显示区，避免像素区有过多的粒子，影响液晶层中位于像素区的液晶分子的光学特性，藉此达到避免画面不均或残影问题的目的。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。在参阅后，所属技术领域具有通常知识者便可了解本发明的其他目的，以及本发明的技术手段及实施态样。

附图说明

图1描绘本发明的液晶显示面板的爆炸图；

图2a为描绘图1的剖面线I-I’的剖面图；

图2b为描绘图1的剖面线II-II’的剖面图；

图3a为描绘图1的剖面线I-I’的另一剖面图；

图3b为描绘图1的剖面线II-II’的另一剖面图；

图4为描绘图1的区域B的局部放大上视图；

图5a为描绘第一实施例的主动阵列基板的上视图；

图5b为描绘第一实施例的液晶显示面板的上视图；

图5c为描绘第一实施例的液晶显示面板的剖面图；

图6a为描绘第二实施例的主动阵列基板的上视图；

图6b为描绘第二实施例的液晶显示面板的上视图；

图6c为描绘第二实施例的液晶显示面板的剖面图；

图7a为描绘第三实施例的主动阵列基板的上视图；

图7b为描绘第三实施例的液晶显示面板的上视图；

图7c为描绘第三实施例的液晶显示面板的剖面图；

图8a为描绘第四实施例的电极基板的上视图；

图8b为描绘第四实施例的液晶显示面板的上视图；

图8c为描绘第四实施例的液晶显示面板的剖面图；

图9a为描绘第五实施例的电极基板的上视图；

图9b为描绘第五实施例的液晶显示面板的上视图；

图9c为描绘第五实施例的液晶显示面板的剖面图；

图10a为描绘第六实施例的主动阵列基板的上视图；

图10b为描绘第六实施例的液晶显示面板的上视图；

图10c为描绘第六实施例的液晶显示面板的剖面图；

图11a为描绘第七实施例的主动阵列基板的上视图；

图11b为描绘第七实施例的液晶显示面板的上视图；

图11c为描绘第七实施例的液晶显示面板的剖面图；

图12a为描绘第八实施例的主动阵列基板的上视图；

图12b为描绘第八实施例的液晶显示面板的上视图；以及

图12c为描绘第八实施例的液晶显示面板的剖面图。

附图标号：

1、2、3、4、5、6、7、8、9                    液晶显示面板

10、20、30、40、50、60、70、80、90           主动阵列基板

101、201、301、401、501、601、701、801、     数据线

901

102、202、302、402、402’、502、602、702、   扫描线

802、902、902a、902b

103、203、303、403、403’、503、603、703、   主动元件(薄膜晶体管)

803、903

104、204、304、404、504、604、704、804、     像素电极

904

11、21、31、41、51、61、71、81、91           电极基板

12、22、32、42、52、62、72、82、92           液晶层

120离子

121a、121b                                   液晶分子

200、300、400、500、600、700、800、900       基底

2011、3011、4011、5011、6011、7011、8011、   上电容电极

9011

2021、3021、4021、5021、6021、7021、8021、   下电容电极

9021

2022、3022、4022、7040、8040、9040           辅助电极

2022a                                        主体部

2022b                                        分支

203C、303C、403C、503C、603C、703C、         通道层

803C、903C

203D、303D、403D、503D、603D、703D、         漏极

803D、903D

203G、303G、403G、503G、603G、703G、         栅极

803G、903G

203S、303S、403S、503S、603S、703S、803S、   源极

903S

205、305、405、505、605、705、805、905      绝缘层

206、306、406、506、606、706、806、906      介电层

210、310、410、510、610、710、810、910      基底

211、311、411、511、611、711、811、911      彩色滤光层

212、312、412、512、612、612a、612b 712、   遮蔽结构

812、912

213、313、413、513、613、713、813、913      保护层

214、314、414、514、614、714、814、914      共通电极

5140、6140                                  狭缝

6020                                        遮蔽电压连接垫

620                                         连接件

7020                                        辅助电压连接垫

A                                           像素区

NA                                          非显示区

H1、H3、H’                                 接触洞

具体实施方式

由于现有的像素区存在有离子的问题。以下将以数个实施例来说明本发明的主动阵列基板、电极基板以及液晶显示面板。

在说明各实施例前，请先参照图1至图4。图1为本发明的液晶显示面板爆炸图，概要地呈现本发明的液晶显示面板的结构。液晶显示面板1包含一主动阵列基板10、一电极基板11以及设置于主动阵列基板10和电极基板11之间的一液晶层12。液晶层12包含多个液晶分子以及多个粒子，其中粒子可为离子、有机物质、无机物质、杂质或上述组合或其他污染物。

主动阵列基板10和电极基板11可分别为以薄膜晶体管为主动元件构成的阵列基板和彩色滤光片基板。主动阵列基板10也可为以薄膜晶体管为主动元件和彩色滤光层共同构成的阵列基板，例如彩色滤光层在阵列上基板(color filter on array，COA)。电极基板11也可为共通电极位在底板上一起构成的电极基板。

根据本发明所设置的液晶显示面板1，其液晶层12会以两种不同的方式呈现。第一种呈现方式请参看图2a及图2b，其分别为对应图1的剖面线I-I’以及剖面线II-II’而绘成的剖面图。液晶层12被划分为像素区A及非显示区NA，通过控制液晶层12中像素区A及非显示区NA的电场不同，例如是像素区A和非显示区NA具有不同的电压差值，使对应在像素区A和非显示区NA内的液晶分子121a和121b有不同的倾倒方向。具体而言，位在非显示区NA内的液晶分子121b为水平排列，如此一来，离子120会被限制在非显示区NA内，即非显示区NA内离子120浓度比显示区A内离子浓度大。举例而言，非显示区NA内离子120浓度约为显示区A内离子浓度的数倍至数百倍，较佳为2倍至900倍，故画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

第二种呈现方式，请参看图3a至图3b，其分别对应图1的剖面线I-I’以及剖面线II-II’而绘成的剖面图。液晶层12被划分为像素区A及非显示区NA，通过控制液晶层12中像素区A和非显示区NA的电场不一，例如是像素区A和非显示区NA具有不同的电压差值，而导致对应在像素区A和非显示区NA内的液晶分子121a和121b有不同的倾倒方向。具体而言，位在非显示区NA内的液晶分子121b为垂直排列，如此一来，离子120会被限制在非显示区NA内，即非显示区NA内离子120浓度比显示区A内离子浓度大，举例而言，非显示区NA内离子120浓度约为显示区A内离子浓度的数倍至数百倍，较佳为2倍至900倍，故画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

换句话说，为了达到图2a、图2b或/及图3a、图3b的效果，本发明的液晶显示面板1包含主动阵列基板10、电极基板11及液晶层12。更进一步，主动阵列基板10包含一基底、多条扫描线、多个条数据线、多个像素电极及多个主动元件。扫描线及数据线设置于基底上，且数据线与扫描线垂直。各该主动元件对应至扫描线其中之一、数据线其中之一及像素电极其中之一。各该主动元件分别与相对应的扫描线、数据线及像素电极电性连接以界定像素区A以及非显示区NA。电极基板11包含一基底及一共通电极，其中共通电极设置于该基底上。液晶层12设置于主动阵列基板10及电极基板11之间，液晶层12包含液晶分子121a、121b及离子120。液晶分子121a、121b具有一起始电压(threshold voltage)以及一饱和电压(saturation voltage)，而离子的一预定比例位于该非显示区NA内。

液晶显示面板1可进一步包含至少一辅助电极，其中辅助电极设置于主动阵列基板10的基底上，并未于非显示区NA内。此辅助电极用以接收一辅助电压，且共通电极用以接收一共通电压，其中辅助电压与共通电压的差值的绝对值小于液晶分子121a、121b的起始电压。此外，当液晶分子为垂直配向型(Vertical alignment，VA)液晶、扭转向列型(TwistedNematic，TN)液晶或/及电控复折射型(Electrical Control Birefringence，ECB)液晶时，辅助电压与共通电压的差值的绝对值大于液晶分子121a、121b的饱和电压。当液晶分子121a、121b包含垂直配向型液晶、扭转向列型液晶或/及电控复折射型液晶时，辅助电压与共通电压的差值的绝对值大于液晶分子121a、121b的饱和电压。

图4描绘图1的液晶显示面板1的主动阵列基板10的区域B的局部放大上视图。为方便理解，图4仅描绘四个完整的像素，所属技术领域具有通常知识者可由此清楚了解主动阵列基板10的全部区域的像素设置方式。主动阵列基板10包含基底(未标示)、多条扫描线102、与扫描线102垂直的多个数据线101、多个像素电极104以及多个薄膜晶体管103。各薄膜晶体管103分别连接至相对应的像素电极104、数据线101以及扫描线102。此外，主动阵列基板10还包含至少一辅助电极(未绘示)及/或电容电极(未绘示)。数据线101、扫描线102及像素电极104界定出像素区A及非显示区NA。图4清楚显示四个像素区A的范围，其为用于显示画面的区域，而在像素区A以外的区域为非显示区NA，也就是数据线101、扫描线102、薄膜晶体管103、辅助电极及电容电极被设置的区域，非显示区NA无法显示画面。

请同时参照图2a-图3b及图4，当离子120被限制在非显示区NA时，也就是离子120的一预定比例(也即大部分的离子120)位于非显示区NA或是所谓的线路区时，像素区A内的液晶分子121a便不易受到离子120的影响，而减少导致非正确旋转或倾斜、残影、亮度削减或对比不准确等等问题。

图1的液晶显示面板1、主动阵列基板10以及电极基板11的各实施例详细结构在下述说明。

第一实施例

图5a、图5b、图5c分别为本发明的第一实施例的主动阵列基板20的上视图、液晶显示面板2的上视图以及液晶显示面板2的剖面图。更具体而言，图5c描绘沿着图5b的剖面线V-V’的剖面图。此外，为方便说明，图5a及图5b仅清楚显示一个像素结构。

主动阵列基板20包含一基底200、多条扫描线202、辅助电极2022、下电容电极2021、绝缘层205、多条数据线201、主动元件203、上电容电极2011、介电层206以及多个像素电极204。扫描线202、辅助电极2022以及下电容电极2021皆形成于基底200上。绝缘层205整体覆盖基底200、扫描线202、辅助电极2022以及下电容电极2021。数据线201形成于绝缘层205上。

主动元件203形成于基底200上，且各主动元件203对应至扫描线202其中之一、数据线201其中之一并与对应的扫描线202和数据线201电性连接。具体而言，主动元件203具有栅极203G与扫描线202连接、源极203S与数据线201连接、漏极203D以及通道层203C位于栅极203G和源极203S/漏极203D之间。本实施例的主动元件203以底栅极非晶硅薄膜晶体管为例，当然，所属技术领域中具有通常知识者也可使用顶栅极多晶硅薄膜晶体管并适当改变主动元件中结构与本实施例中其他元件的相对位置关系。也即，主动元件的结构并非用来限制本发明的权利范围。

上电容电极2011与漏极203D连接并与下电容电极2021形成储存电容。介电层206大体全面覆盖上述元件并具有一接触洞H暴露出漏极203D。像素电极204设置于介电层206上，并通过接触洞H与漏极203D电性连接。

辅助电极2022与扫描线202及下电容电极2021同时先形成一预先导电层，再图案化而成。辅助电极2022与扫描线202及下电容电极2021彼此绝缘且设置于同一层。辅助电极2022设置于非显示区NA内。如图5a所示，辅助电极2022具有主体部2022a以及分支2022b。本实施例的位于两像素间的分支2022b数目为二个，但可视设计及需求，改变分支2022b的数目为一个或大于二个。同样地，可选择性将辅助电极2022设计成仅有主体部2022a或分支2022b而构成条状，或是类似环状结构。换言之，可用以达成本发明的目的的辅助电极的形状均可使用，例如，辅助电极2022的形状可为一环状、一条状、一U字状及一ㄇ字状其中之一。辅助电极2022用以接收一辅助电压，其中辅助电压为-30伏特至30伏特，较佳则为-10伏特至25伏特。

请参照图5c，液晶显示面板2包含如图5a所示的主动阵列基板20、电极基板21以及设置于其间的液晶层22。

液晶层22包含多个液晶分子及多个离子，其中，液晶分子具有一起始电压以及一饱和电压，而离子的一预定比例位于非显示区NA内。

电极基板21包含基底210、遮蔽结构212、彩色滤光层211、保护层213以及共通电极214。其中，遮蔽结构212及彩色滤光层211皆设置于基底210上。彩色滤光层211设置于基底210及共通电极214之间，且被遮蔽结构212分隔。另一方面，彩色滤光层211之的边缘可利用遮蔽结构212遮光，以避免液晶显示面板2在显示画面时，产生漏光的问题。共通电极214用以接收一共通电压，其中，辅助电压与共通电压之的差值之的绝对值小于液晶分子之的起始电压。举例而言，辅助电压与共通电压之的差值之的绝对值可小于或等于1伏特，也可为3伏特至20伏特。

通过主动阵列基板20的辅助电极2022，可使得液晶层22内，对应至像素区A和非显示区NA的液晶分子具有不同的倾倒方向，故离子120会被限制在非显示区NA内，所以画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

第二实施例

图6a、图6b、图6c分别为本发明的第二实施例的主动阵列基板30的上视图、液晶显示面板3的上视图以及液晶显示面板3的剖面图。更具体而言，图6c描绘沿着图6b的剖面线VI-VI’的剖面图。此外，为方便说明，图6a及图6b仅清楚显示一个像素结构。

主动阵列基板30包含一基底300、多条扫描线302、辅助电极3022、下电容电极3021、绝缘层305、多条数据线301、主动元件303、上电容电极3011、介电层306以及多个像素电极304。

扫描线302、辅助电极3022以及下电容电极3021皆形成于基底300上。绝缘层305整体覆盖基底300、扫描线302、辅助电极3022以及下电容电极3021。数据线301形成于绝缘层305上。

主动元件303形成于基底300上，且各主动元件203对应至扫描线202其中之一、数据线201其中之一，并与对应的扫描线302和数据线301电性连接。具体而言，主动元件303具有栅极303G与扫描线302连接、源极303S与数据线301连接、漏极303D以及通道层303C位于栅极303G和源极303S/漏极303D之间。本实施例之的主动元件303以底栅极非晶硅薄膜晶体管为例，当然，所属技术领域中具有通常知识者也可使用顶栅极多晶硅薄膜晶体管并适当改变主动元件中结构与本实施例中其他元件的相对位置关系。也即，主动元件之的结构并非用来限制本发明之的权利范围。

上电容电极3011位于绝缘层305上并对应下电容电极3021。介电层306大体全面覆盖上述元件，并具有接触洞H1暴露出漏极303D，以及具有接触洞H2暴露出上电容电极3011。像素电极304设置于介电层306上，并通过该接触洞H1与该漏极303D电性连接，且通过该接触洞H2与该上电容电极3011电性连接。

第二实施例与第一实施例之的不同处在于，辅助电极3022与扫描线302和下电容电极3021同时先形成一预先导电层，再图案化而成，如图6a所示。辅助电极3022与下电容电极3021电性连接的，故辅助电极3022与下电容电极3021的电位为相同的。位于两像素间之的辅助电极3022之的形状为H字状。于其他实施例中，辅助电极之的形状可为条状、H字状以及其组合其中之一，换言之，可用以达成本发明之的目的之的辅助电极结构均可使用，其形状并非用以限制本发明的权利范围。辅助电极3022以及下电容电极3021用以接收一电容电压，其中，电容电压为-30伏特至30伏特，较佳则为-10伏特至25伏特。

请参照图6c，液晶显示面板3包含如图6a所示的主动阵列基板30、电极基板31以及设置于其间的液晶层32。

液晶层32包含多个液晶分子及多个离子，其中，液晶分子具有一起始电压以及一饱和电压，而离子的一预定比例位于非显示区NA内。

电极基板31的结构与第一实施例中的电极基板21相同，在此不再赘述。共通电极314用以接收一共通电压。辅助电压与共通电压的差值的绝对值液晶分子的起始电压。举例而言，辅助电压与共通电压的差值的绝对值可小于或等于1伏特，也可为3伏特至20伏特。

通过主动阵列基板30的辅助电极3022，可使得液晶层32内对应至像素区A和非显示区NA的液晶分子具有不同的倾倒方向，故离子120会被限制在非显示区NA内，所以画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

第三实施例

图7a、图7b、图7c分别为本发明的第三实施例的主动阵列基板40的上视图、液晶显示面板4的上视图以及液晶显示面板4的剖面图。更具体而言，图7c描绘沿着图7b的剖面线VII-VII’的剖面图。此外，为方便说明，图7a及图7b仅清楚显示一个像素结构。

主动阵列基板40包含一基底400、多条扫描线402、402’、辅助电极4022、下电容电极4021、绝缘层405、多条数据线401、主动元件403、403’、上电容电极4011、介电层406以及多个像素电极404。扫描线402、402’、辅助电极4022以及下电容电极4021皆形成于基底400上。绝缘层405整体覆盖基底400、扫描线402、402’、辅助电极4022以及下电容电极4021。数据线401形成于绝缘层405上。

主动元件403、403’形成于基底400上，且各主动元件403对应至扫描线402、402’其中之一、数据线401其中之一，并与对应的扫描线402、402’和数据线401电性连接。具体而言，主动元件403具有栅极403G与扫描线402连接、源极403S与数据线401连接、漏极403D以及通道层403C位于栅极403G和源极403S/漏极403D之间。本实施例的主动元件403以底栅极非晶硅薄膜晶体管为例，当然，所属技术领域中具有通常知识者也可使用顶栅极多晶硅薄膜晶体管并适当改变主动元件中结构与本实施例中其他元件的相对位置关系。也即，主动元件的结构并非用来限制本发明的权利范围。

上电容电极4011与漏极403D连接并与下电容电极4021形成储存电容。介电层406大体全面覆盖上述元件并具有一接触洞H暴露出漏极403D。像素电极404设置于介电层406上并通过接触洞H与漏极403D电性连接。

第三实施例与第一实施例之的不同处在于，辅助电极4022与扫描线402、402’和下电容电极4021同时先形成一预先导电层，再图案化而成。需特别注意的是，对应此像素之的辅助电极4022与扫描线402’电性连接而不与扫描线402电性连接，也就是说，辅助电极4022可为(上一级)扫描线402’之的延伸结构，故辅助电极4022与扫描线402’的电位为相同的。举例而言，扫描线402’接收一扫描电压，扫描电压为-10伏特至30伏特，较佳则为-8伏特至28伏特，故辅助电极4022接收之的辅助电压便为-10伏特至30伏特，较佳则为-8伏特至28伏特。

位于两像素间之的辅助电极4022之的形状为一H字状，其他实施例之的辅助电极之的形状也可为一条状及一H字状其中之一或其组合。换言之，可视设计及需求改变辅助电极之的形状，可用以达成本发明之的目的之的辅助电极结构均可使用，并不局限。

请参照图7c，液晶显示面板4包括如图7a所示的主动阵列基板40、电极基板41以及设置于其间的液晶层42。

液晶层42包含多个液晶分子及多个离子，其中，液晶分子具有一起始电压以及一饱和电压，而离子的一预定比例位于非显示区NA内。

电极基板41的结构大致与第一实施例中的电极基板21相同，在此不再赘述。共通电极414接收一共通电压，其中，辅助电压与共通电压的差值的绝对值小于液晶分子的起始电压。举例而言，辅助电压与共通电压的差值的绝对值小于或等于1伏特，也可为3伏特至20伏特。

通过主动阵列基板40的辅助电极4022，可使得液晶层42内，对应像素区A和非显示区NA内的液晶分子具有不同的倾倒方向，故离子120会被限制在非显示区NA内，所以画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

第四实施例

图8a、图8b、图8c分别为本发明的第四实施例的电极基板51的上视图、液晶显示面板5的上视图以及液晶显示面板5的剖面图。更具体而言，图8c描绘沿着图8b的剖面线VIII-VIII’的剖面图。此外，为方便说明，图8a及图8b仅清楚显示一个像素结构。

主动阵列基板50包含一基底500、多条扫描线502、下电容电极5021、绝缘层505、多条数据线501、主动元件503、上电容电极5011、介电层506以及多个像素电极504。扫描线502及下电容电极5021皆形成于基底500上。绝缘层505整体覆盖基底500、扫描线502以及下电容电极5021。数据线501形成于绝缘层505上。

主动元件503形成于基底500上，且各主动元件203对应至扫描线202其中之一、数据线201其中之一，并与对应的扫描线502和数据线501电性连接。具体而言，主动元件503具有栅极503G与扫描线502连接、源极503S与数据线501连接、漏极503D以及通道层503C位于栅极503G和源极503S/漏极503D之间。本实施例的主动元件503以底栅极非晶硅薄膜晶体管为例，当然，所属技术领域中具有通常知识者也可使用顶栅极多晶硅薄膜晶体管并适当改变主动元件中结构与本实施例中其他元件的相对位置关系。主动元件的结构并非用来限制本发明的权利范围。

上电容电极5011设置于绝缘层505上，并对应下电容电极5021。上电容电极5011与漏极503D连接并与下电容电极5021形成储存电容。介电层506大体全面覆盖上述元件并具有接触洞H暴露出漏极503D。像素电极504设置于介电层506上，并通过接触洞H与漏极503D电性连接。

电极基板51包含基底510、遮蔽结构512、彩色滤光层511、保护层513以及共通电极514。遮蔽结构512设置于基底510上。彩色滤光层511设置于基底210及共通电极214之间，且被遮蔽结构512分隔。另一方面，彩色滤光层511的边缘可利用遮蔽结构512遮光，以避免液晶显示面板5在显示画面时，产生漏光的问题。此外，电极基板51的基底510具有多个像素区域，各像素区域具有一像素宽度及一像素长度。

须特别注意的是，共通电极514在对应遮蔽结构512或是数据线501的位置具有狭缝5140，其中各狭缝5140的宽度d为像素宽度的1/20倍至1/5倍，较佳则为1/10倍至1/8倍。狭缝5140的宽度d可以等于或大于数据线501的宽度。狭缝5140的长度L可以等于、小于或大于像素长度。

换言之，对应于非显示区NA内，只要共通电极514具有狭缝或挖空结构，便会影响到液晶层52对应像素区A和非显示区NA内液晶分子的倾倒方向。狭缝5140的形状可为一环状、一条状、一U字状及一ㄇ字状其中之一或其组合。狭缝5140的位置也可对应于扫描线502上方，换句话说，狭缝5140的位置只要对应或部份对应至非显示区NA即位于本发明的权利范围内。此外，共通电极514接收一共通电压，此共通电压为0伏特至12伏特，较佳则为3伏特至9伏特。

通过对应于非显示区NA的狭缝5140，可使得液晶层52对应像素区A和非显示区NA内的液晶分子具有不同的倾倒方向，故离子120会被限制在非显示区NA内，所以画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

第五实施例

图9a、图9b、图9c分别为本发明的第五实施例的电极基板61的上视图、液晶显示面板6的上视图以及液晶显示面板6的剖面图。具体而言，图9c描绘沿着图9b的剖面线IX-IX’的剖面图。为方便说明，图9a及图9b仅清楚显示一个像素结构。

主动阵列基板60包含一基底600、多条扫描线602、下电容电极6021、绝缘层605、多条数据线601、主动元件603、上电容电极6011、介电层606以及多个像素电极604。扫描线602及电容电极6021皆形成于基底600上。绝缘层605整体覆盖基底600、扫描线602、下电容电极6021以及遮蔽电压连接垫6020。数据线601形成于绝缘层605上。

主动元件603形成于基底600上，且各主动元件203对应至扫描线202其中之一、数据线201其中之一，并与对应的扫描线602和数据线601电性连接。具体而言，主动元件603具有栅极603G与扫描线602连接、源极603S与数据线601连接、漏极603D以及通道层603C位于栅极603G和源极603S/漏极603D之间。本实施例的主动元件603以底栅极非晶硅薄膜晶体管为例，当然，所属技术领域中具有通常知识者也可使用顶栅极多晶硅薄膜晶体管并适当改变主动元件中结构与本实施例中其他元件的相对位置关系。也即，主动元件的结构并非用来限制本发明的权利范围。

上电容电极6011位于绝缘层605上并对应下电容电极6021，上电容电极6011与漏极603D连接并与下电容电极6021形成储存电容。介电层606大体全面覆盖上述元件并具有接触洞H暴露出漏极603D。像素电极604位于该介电层606上并通过接触洞H与漏极603D电性连接。

电极基板61包括基底610、遮蔽结构612a、612b、保护层613以及共通电极614。遮蔽结构612a、612b设置于基底610上。彩色滤光层611设置于基底610及共通电极614之间，且被遮蔽结构612a、612b分隔。另一方面，彩色滤光层611的边缘可利用遮蔽结构612a、612b遮光，以避免液晶显示面板6在显示画面时，产生漏光的问题。此外，电极基板61的基底610具有多个像素区域，各像素区域具有一像素宽度及一像素长度。

须特别注意的是，如图9c所示，对应到遮蔽结构612b的共通电极614具有狭缝6140将遮蔽结构612b暴露出来。遮蔽结构分隔共通电极614为多个区块。遮蔽电压连接垫6020接收外部电压，将外部电压经由位于主动阵列基板60以及电极基板61之间的连接件620传送到遮蔽结构612a以及612b，使得这些遮蔽结构之的电压为-30伏特至30伏特。由图9c可清楚了解，遮蔽电压连接垫6020、连接件620以及遮蔽结构612a为电性连接。

然而，提供电压给遮蔽结构612a、612b的方式并不局限于本实施例所述，也可以仅利用在电极基板61上设置电压连接垫或是电压源提供电压给遮蔽结构612a、612b，故便不需设置连接件620。这些遮蔽结构612a、612b的材料包含金属及其他不透明导电材料其中之一或其组合，而金属包含铬、铬合金及其他不透明导电金属其中之一或其组合。

这些遮蔽结构612a、612b之的长度为像素长度之的1/20倍至1倍、宽度为像素宽度之的1/20倍至1倍以及厚度为0.01微米至5微米。此外，举例而言，共通电极614之的电压与遮蔽结构612a、612b之的电压之的差值之的绝对值为2伏特及20伏特。

通过对应于非显示区NA的遮蔽结构612a、612b，因遮蔽结构612a、612b具有电压，故液晶层62对应像素区A和非显示区NA内有不同的压差，对应像素区A和非显示区NA内的液晶分子具有不同的倾倒方向，故离子120会被限制在非显示区NA内，所以画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

第六实施例

图10a、图10b、图10c分别为本发明的第六实施例的主动阵列基板70的上视图、液晶显示面板7的上视图以及液晶显示面板7的剖面图。具体而言，图10c描绘沿着图10b的剖面线X-X’的剖面图。为方便说明，图10a及图10b仅清楚显示一个像素结构。

主动阵列基板70包括一基底700、多条扫描线702、辅助电极7040、下电容电极7021、绝缘层705、多条数据线701、主动元件703、上电容电极7011、介电层706、多个像素电极704以及辅助电压连接垫7020。扫描线702、辅助电极7040以及下电容电极7021皆形成于基底700上。辅助电极7040与像素电极704同时图案化。绝缘层705整体覆盖基底700、扫描线702以及下电容电极7021。数据线701形成于绝缘层705上。

主动元件703形成于基底700上，且各主动元件203对应至扫描线202其中之一、数据线201其中之一，并与对应的扫描线702和数据线701电性连接。主动元件703具有栅极703G与扫描线702连接、源极703S与数据线701连接、漏极703D以及通道层703C位于栅极703G和源极703S/漏极703D之间。主动元件703以底栅极非晶硅薄膜晶体管为例，当然，所属技术领域中具有通常知识者也可使用顶栅极多晶硅薄膜晶体管并适当改变主动元件中结构与本实施例中其他元件的相对位置关系。也即，主动元件之的结构并非用来限制本发明之的权利范围。

上电容电极7011与漏极703D连接并与下电容电极7021形成储存电容。介电层706大体全面覆盖上述元件并具有一接触洞H暴露出漏极703D。像素电极704位于介电层706上并通过接触洞H与漏极703D电性连接。辅助电压连接垫7020可以与扫描线702、栅极703G及/或下电容电极7021为同一层图案化而成，辅助电压连接垫7020接收外部提供的一辅助电压。

电极基板71的结构大致与第一实施例中的电极基板21相同，在此不再赘述。共通电极714接收一共通电压，举例而言，辅助电压与共通电压的差值的绝对值可小于或等于1伏特，也可为3伏特至20伏特。

请再次参照图10a，辅助电极7040的形状为一环状，但其他实施例也可将辅助电极设计为U字状及ㄇ字状其中之一，基本上对应非显示区NA。须特别注意的是，辅助电极7040通过接触洞H’与辅助电压连接垫7020电性连接，故辅助电极7040接收辅助电压，其中辅助电压为-30伏特至30伏特，较佳则为-10伏特至25伏特。

通过主动阵列基板70的辅助电极7022，可使得液晶层72对应像素区A和非显示区NA内的液晶分子具有不同的倾倒方向，故离子120会被限制在非显示区NA内，所以画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

第七实施例

图11a至图11c分别为本发明的第七实施例的主动阵列基板80的上视图、液晶显示面板8的上视图以及液晶显示面板8的剖面图。具体而言，图11c描绘沿着图11b的剖面线XI-XI’的剖面图。为方便说明，图11a及图11b仅清楚显示一个像素结构。

主动阵列基板80包含一基底800、多条扫描线802、辅助电极8040、下电容电极8021、绝缘层805、多条数据线801、主动元件803、上电容电极8011、介电层806以及多个像素电极804。扫描线802、辅助电极8040及下电容电极8021皆形成于基底800上。辅助电极8040与像素电极804同时图案化且为同一层。绝缘层805整体覆盖基底800、扫描线802以及下电容电极8021。数据线801形成于绝缘层805上。

主动元件803形成于基底800上，且各主动元件203对应至扫描线202其中之一、数据线201其中之一，并与对应的扫描线802和数据线801电性连接。主动元件803具有栅极803G与扫描线802连接、源极803S与数据线801连接、漏极803D以及通道层803C位于栅极803G和源极803S/漏极803D之间。本实施例的主动元件803以底栅极非晶硅薄膜晶体管为例，当然，所属技术领域中具有通常知识者也可使用顶栅极多晶硅薄膜晶体管并适当改变主动元件中结构与本实施例中其他元件的相对位置关系。也即，主动元件的结构并非用来限制本发明的权利范围。

上电容电极8011与漏极803D连接并与下电容电极8021形成储存电容。介电层806大体全面覆盖上述元件并具有一接触洞H暴露出漏极803D。像素电极804位于介电层806上并通过接触洞H与漏极703D电性连接。

电极基板81的结构大致与第一实施例中的电极基板21相同，在此不再赘述。共通电极814接收一共通电压，举例而言，该辅助电压与该共通电压的差值的绝对值可小于或等于1伏特，也可为3伏特至20伏特。

请再次参照图11a，辅助电极8040之的形状为一环状，但其他实施例可将辅助电极设计为U字状及ㄇ字状其中之一，基本上对应非显示区NA。须特别注意的是，与第六实施例不同，辅助电极8040通过接触洞H’与下电容电极8021电性连接，故辅助电极7040接收下电容电极8021之的电容电压以作为为辅助电极7040之的辅助电压，其中电容电压为-30伏特至30伏特，故辅助电压为-30伏特至30伏特。

通过主动阵列基板80的辅助电极8022，可使得液晶层82对应像素区A和非显示区NA的液晶分子具有不同的倾倒方向，故离子120会被限制在非显示区NA内，所以画面显示的画面不均或残影问题便会被改善。

第八实施例

图12a、图12b、图12c分别为本发明的第八实施例的主动阵列基板90的上视图、液晶显示面板9的上视图以及液晶显示面板9的剖面图。具体而言，图12c描绘沿着图12b的剖面线XII-XII’的剖面图。为方便说明，图12a及图12b仅清楚显示一个像素结构。

主动阵列基板90包含基底900、多条扫描线902a、902b、辅助电极9040、下电容电极9021、绝缘层905、多条数据线901、主动元件903、上电容电极9011、介电层906以及多个像素电极904。扫描线902a、902b形成于基底800上，且同为扫描线902a之的上一级扫描线。辅助电极9040与像素电极904同时图案化且为同一层，且形成于基底900上。下电容电极9021形成于基底900上。绝缘层905整体覆盖基底900、扫描线902a、扫描线902b以及下电容电极9021。数据线901形成于绝缘层905上。

主动元件903形成于基底900上，且各主动元件203对应至扫描线202其中之一、数据线201其中之一，并与对应的扫描线902a和数据线901电性连接。主动元件903具有栅极903G与扫描线902连接、源极903S与数据线901连接、漏极903D以及通道层903C位于栅极903G和源极903S/漏极903D之间。本实施例之的主动元件903以底栅极非晶硅薄膜晶体管为例，当然，所属技术领域中具有通常知识者也可使用顶栅极多晶硅薄膜晶体管并适当改变主动元件中结构与本实施例中其他元件的相对位置关系。也即，主动元件之的结构并非用来限制本发明之的权利范围。

上电容电极9011与漏极903D连接并与下电容电极9021形成储存电容。介电层906大体全面覆盖上述元件并具有一接触洞H暴露出漏极903D。像素电极904位于该介电层906上并通过该接触洞H与该漏极903D电性连接。

电极基板91的结构大致与第一实施例中的电极基板21相同，在此不再赘述。共通电极914接收一共通电压，举例而言，该辅助电压与该共通电压的差值的绝对值可小于或等于1伏特，也可为3伏特至20伏特。

请再次参照图12a，辅助电极9040之的形状为一ㄇ字状，但其他实施例可视设计及需求将辅助电极设计为U字状及环状其中之一，基本上对应非显示区NA。须特别注意的是，与第七实施例不同，辅助电极9040通过接触洞H’与扫描线902b电性连接，故辅助电极9040接收扫描线902b之的扫描电压以作为为辅助电极9040之的辅助电压，其中，扫描电压为-10伏特至30伏特，故辅助电压为-10伏特至30伏特。扫描线902b为扫描线902a之的上一级扫描线，故因为时间差之的关系，辅助电极9040与扫描线902a接受到的电压，在相同时间点并不会相同，故通过对应于非显示区NA之的辅助电极9040，因辅助电极9040具有辅助电压，故液晶层92对应像素区A和非显示区NA内有不同的压差，对应像素区A和非显示区NA之的液晶分子具有不同的倾倒方向，故离子120会被限制在非显示区NA内，所以画面显示之的画面不均或残影问题便会被改善。

综上所述，本发明主要在提供一种主动阵列基板、电极基板及液晶显示面板，用以控制液晶层中的液晶分子的排列方式，使得液晶层中的粒子被限制在特定区域，例如非显示区，避免像素区有过多的粒子，影响液晶层中位于像素区的液晶分子的光学特性，以达到避免画面不均或残影问题的目的。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (8)

1.一种电极基板，其特征在于，该电极基板包含：

一基底，具有多个像素区域及非显示区；

一共通电极，设置于所述的基底上，该共通电极具有多个狭缝；以及

多个遮蔽结构，设置于所述的基底上，对应于所述的非显示区，并分隔所述的共通电极为多个区块，其中所述的遮蔽结构的一电压为-30伏特至30伏特，所述的狭缝对应到所述的遮蔽结构以将所述的遮蔽结构暴露出来。

2.如权利要求1所述的电极基板，其特征在于，该电极基板还包含：

多个彩色滤光层，设置于所述的基底以及所述的共通电极之间。

3.如权利要求1所述的电极基板，其特征在于，所述的遮蔽结构的材料包含金属及不透明导电材料其中之一或其组合，其中所述的金属包含铬、铬合金其中之一或其组合，其中所述的基底具有多个像素区域，各所述的像素区域具有一像素长度及一像素宽度，各所述的遮蔽结构的一长度为所述的像素长度的1/20倍至1倍、各所述的遮蔽结构的一宽度为所述的像素宽度的1/20倍至1倍，以及各遮蔽结构的一厚度为0.01微米至5微米，其中所述的共通电极用以接收一共通电压，所述的遮蔽结构的所述的电压与所述的共通电压的一差值的绝对值为2伏特与20伏特。

4.一种液晶显示面板，其特征在于，该液晶显示面板包含：

一主动阵列基板，包含：

一基底；

多条扫描线，设置于所述的基底上；

多条数据线，且与所述的扫描线垂直；

多个像素电极；以及

多个主动元件，各所述的主动元件对应至所述的扫描线其中之一、所述的数据线其中之一及所述的像素电极其中之一，各所述的主动元件分别与相对应的所述的扫描线、所述的数据线及所述的像素电极电性连接以界定一像素区以及一非显示区；

一电极基板，包含：

一基底，具有多个像素区域及非显示区；

一共通电极，设置于所述的电极基板的所述的基底上，所述的共通电极具有多个狭缝；以及

多个遮蔽结构，设置于所述的电极基板的基底上，对应于所述的非显示区，并分隔所述的共通电极为多个区块，所述的遮蔽结构的一电压为-30伏特至30伏特，所述的狭缝对应到所述的遮蔽结构以将所述的遮蔽结构暴露出来；以及

一液晶层，设置于所述的主动阵列基板以及所述的电极基板之间，包含：

多个液晶分子，具有一起始电压以及一饱和电压；以及

多个离子，一预定比例的所述离子位于所述的非显示区内。

5.如权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述的离子为阳离子、阴离子以及带电离子团其中之一。

6.如权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述的电极基板的所述的基底具有多个像素区域，各所述的像素区域具有一像素宽度，其中所述的电极基板还包含多个彩色滤光层，设置于所述的电极基板的所述的基底以及所述的共通电极之间，所述的狭缝的形状为一环状、一条状、一U字状及一ㄇ字状其中之一。

7.如权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述的电极基板还包含：

多个彩色滤光层，设置于所述的基底以及所述的共通电极之间，其中所述的遮蔽结构的材料包含金属或不透明导电材料其中之一或其组合，其中所述的金属包含铬、铬合金其中之一或其组合，其中所述的电极基板的所述的基底具有多个像素区域，各所述的像素区域具有一像素长度及一像素宽度，各所述的遮蔽结构的一长度为所述的像素长度的1/20倍至1倍、各所述的遮蔽结构的一宽度为所述的像素宽度的1/20倍至1倍，以及各所述的遮蔽结构的一厚度为0.01微米至5微米。

8.如权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述的主动阵列基板还包括一遮蔽电压连接垫，所述的遮蔽结构与所述的遮蔽电压连接垫电性连接，所述的液晶显示面板，还包含一连接件，设置于所述的主动阵列基板以及所述的电极基板之间，用以连接所述的遮蔽结构以及所述的遮蔽电压连接垫。

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