CN101971712B - 用于宽传导套件的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于控制等离子体处理室内的气流传导的设备，该等离子体处理室被配置有面对下电极设置的上电极，该下电极适于支撑衬底。该设备包括被配置为包括形成于其中的第一组径向狭槽的接地环。该设备还包括包括至少第一组可折叠约束环和第二组可折叠约束环的约束环装置，该第二组可折叠约束环被配置为可移动地耦合于该第一组可折叠约束环。该设备进一步包括被配置为至少折叠和展开该第一组可折叠约束环和该第二组可折叠约束环以控制穿过该第一组径向狭槽的气流传导在以下两种状态之间的机构：(a)不受阻碍其流，ON状态，以及(b)受阻碍气流，OFF状态。

Description

用于宽传导套件的方法和设备
背景技术
等离子体处理的进步促进了半导体工业的增长。半导体工业是一个高度竞争的市场。芯片制造公司能够在不同处理条件下处理衬底的能力赋予了该制造公司对竞争者的优势。因此，制造公司有专门的时间和资源来认定用于改善衬底处理的方法和/或设备。
可被用于执行衬底处理的一种典型处理系统是电容耦合等离子体(CCP)处理系统。该等离子体处理系统可被构造为能够以多个工艺参数进行处理，其中每个都有很宽的范围。然而，近年来，可被处理的器件的类型已经变的更加复杂并且需要更多的工艺控制。例如，现在处理的器件变得更小，具有更细微的特征，并且需要对比如等离子体密度和跨越该衬底的均匀性等等离子参数的更精确的控制以获得更好的成品率。跨越该衬底的气流是影响蚀刻轮廓和蚀刻速率均匀性的工艺参数的一个示例。
为了便于讨论，图1显示了一种现有技术等离子体处理室的简图。等离子体处理系统100可以是单频、双频、三频或多频电容放电系统。例如，射频(RF)可包括但不限于2、27和60兆赫(MHz)。它还可以是电感耦合系统(ICP)或CCP-ICP混合式的。
在图1的实施例中，下电极总成(assembly)可以被配置为至少有聚焦环102和卡盘104以在等离子体处理过程中将衬底(未示以简化说明)保持在适当的位置。卡盘104可以是例如静电卡盘(ESC)，并且可以由RF电力供应(未示以简化说明)提供RF电力。接地延伸环110(可以是由铝制成的)可以通过RF隔离环108与聚焦环102隔开。接地延伸环110可以由覆盖环112覆盖(覆盖环112可以是由石英制成的)以在等离子体处理过程中保护铝制接地延伸环110免受等离子体损伤。
如图1的实施例中所示的，上电极总成可以被配置为至少有上电极114，其可以被构造为类似喷淋头(shower head)。上电极114可以接地(未示以简化说明)。
在等离子体处理过程中，气流可以是通过导管(未示)供应的并且可以穿过气体分布集管116。该气体可在室内间隙118中被电气激励为等离子体。等离子体可是由一组约束环(120a、120b、120c和120d)约束的。中性气体物质可以穿过一组约束环间隙(122a、122b、122c和122d)(其配置于该组约束环(120a、120b、120c和120d)之间)，并且可以穿过壁中的阀由真空泵(未示)从该室排出。
在图1的实施例中，等离子体处理的压强可以通过提供该气流的气体传导(即，该组约束环间隙(122a-d))限定。从该气体分布集管到该排气口的气流路径的总气流传导依赖于一些因素，包括但不限于，约束环的数量和这些约束环之间的间隙的尺寸。例如，在具有很小的室内间隙118的约束等离子体反应器中，一组约束环中的约束环的数量是被该很小的室内间隙118的空间约束所限制的。该组约束环间隙(122a-d)中的每个约束环间隙都能够通过轴124调节。间隙可以通过轴124的前进而控制。当轴124向下移动时，约束环120会落在接地延伸环112的外部肩部上而间隙122会被挤塌，顺序是122c、122b和122a。
考虑这种情况，例如，其中前沿工艺应用需要极端的气体停留时间，其中该工艺的一个或多个步骤可能需要超出该间隙控制的最大容量的气流传导水平。在这样一种工艺中，该衬底(未示)可能需要从等离子体处理室100卸载，并且在能够提供所需的气流传导的另一个室中处理。
从上文可以看出，更短的气体停留时间可能需要穿过该处理室跨越该衬底的气体传导的增加。然而，该气体传导可能受硬件特征的限制，例如，一组约束环中约束环的数量和/或一组约束环之间的间隙的尺寸，以将等离子体约束在具有非常小的室内间隙的处理室中。出于在半导体工业内保持竞争力的需要，增强电容耦合等离子体处理系统的能力是极为需要的。
发明内容
在一个实施方式中，本发明涉及一种用于控制等离子体处理室内的气流传导的设备。该等离子体处理室包括被配置有面对下电极设置的上电极，该下电极适于支撑衬底。该设备包括被配置为同心围绕该下电极的接地环。该接地环包括形成于其中的第一组径向狭槽。该设备还包括约束环装置。该约束环装置包括至少第一组可折叠约束环和第二组可折叠约束环，该第二组可折叠约束环被配置为可移动地耦合于该第一组可折叠约束环。该设备进一步包括被配置为至少折叠和展开该第一组可折叠约束环和该第二组可折叠约束环以控制穿过该第一组径向狭槽的气流传导在以下两种状态之间的机构：(a)ON状态，其中穿过该第一组径向狭槽的气流不被该第二组可折叠约束环阻碍，以及(b)OFF状态，其中穿过该第一组径向狭槽的该气流被该第二组可折叠环阻碍。
上述摘要只涉及此处披露的本发明的许多实施方式之一，而不是为了限制本发明的范围，该范围在权利要求中阐明。下面在本发明的实施方式部分，结合附图，对本发明的这些及其他特征进行更详细的描述。
附图说明
本发明是以附图中各图中的实施例的方式进行描绘的，而不是通过限制的方式，其中类似的参考标号指示类似的元件，其中：
图1显示了一种现有技术等离子体处理室的简图。
图2显示了一种现有技术等离子体处理系统的简图，其被配置为提供展开的、气流传导范围，同时具有可旋转阻塞环以调节展开的气流，可旋转阻塞环没有显示。
图3A显示了，依照本发明的一个实施方式，一种等离子体处理系统的简图，其被配置有展开的、气流传导总成和修改的、约束环总成，其中一组下约束环在折叠的、OFF位置。
图3B显示了，依照本发明的一个实施方式，一种等离子体处理系统的简图，其被配置有展开的、气流传导总成和修改的、约束环总成，其中一组下约束环在展开的、ON位置。
具体实施方式
现在将参考如附图中所示的本发明的一些实施方式详细地描述本发明。在下面的描述中，阐明了许多具体细节以提供对本发明的彻底理解。然而，显然，对于本领域的技术人员来说，本发明没有这些具体细节中的一些或全部仍可以实现。在其它情况下，没有对熟知的工艺步骤和/或结构进行详细描述，以免不必要地模糊本发明。
由于半导体工业的竞争促进，等离子体处理中的大量前沿工艺应用可能需要有极短工艺气体停留时间的处理步骤。更短的停留时间会需要增加的气体传导范围，增加的气体传导范围与用于约束等离子体的硬件特征之间有一个平衡。为了增加非常小的室内间隙中的气体传导，现有技术可使用固定的旁路气流路径来传导远离约束环排出的工艺气体的重要组分。然而，可能需要可旋转的石英阻塞环来调节(即，开启或关闭)穿过旁路气流路径的增加的气流传导。
通过使用阻塞环调节气流，可能需要额外的硬件和/或软件来控制可旋转阻塞环的移动。此处发明人意识到，现有的约束环总成可以被修改以调节更多的气流穿过展开的气流传导总成，同时控制该处理室中的压强。
依照本发明的实施方式，提供用于配置等离子体处理系统以提高对等离子体处理参数的控制的方法和设备。本发明的实施方式包括使用修改过的约束环总成，该修改过的约束环总成具有多个约束环组以控制该展开的气流传导和等离子体处理室中的压强。通过对等离子体处理参数的更精细的控制，比如调节展开的气流和/或控制压强，该等离子体处理方式可以被展开，同时仍然保持等离子体约束的控制以获得处理器件的高成品率。
在一个实施方式中，该等离子体处理系统可以配置有修改过的约束环总成以包括至少多个可折叠的约束环组。在一个实施方式中，与当前的约束环总成不同，该多个约束环组可包括至少一个上约束环(UCR)组和/或下约束环(LCR)组。通常，当前的约束环总成配置有一组约束环以约束等离子体。
在一个实施方式中，该上约束环组可由上约束环间隙控制总成组成。在一个实施方式中，该UCR间隙控制总成可由上约束环轴组成。该上约束环轴可以耦合于上约束环活塞，该上约束环活塞被配置有至少一个O形环。该上约束环活塞可以位于上约束环室内部。对应于上约束环轴的移动，该上约束环活塞可以在上约束环室内部上升和/或下降，提供控制上约束环组的间隙的机构。
在一个实施方式中，该下约束环组可由下约束环间隙控制组件组成。在一个实施方式中，该LCR间隙控制总成可由下约束环活塞组成，该下约束环活塞被配置有至少一个O形环。该下约束环活塞可以耦合于该上约束环组的最低的环。该下约束环活塞可以位于下约束环室内部。对应于上约束环组的该最低的环的移动，该下约束环活塞可以在下约束环室内部上升和/或下降，提供控制下约束环组的间隙的机构。
在一个实施方式中，在OFF位置，该修改过的约束环总成可以被配置有处于折叠状态的下约束环组。在一个实施方式中，该折叠的下约束环组可以停在石英覆盖的接地环的肩部上，从而切断旁路气流狭槽。来自该室的气体物质可以被迫使流动穿过该上约束环的间隙。在一个实施方式中，该上约束环的间隙可以由该上约束间隙控制总成控制。在OFF位置，该修改过的约束环总成可以为该室提供高压强和/或低气体流速。因此，使用该修改过的约束环总成而无需可旋转的旁路阻塞环，通过该LCR组的折叠配置可以切断穿过展开的气流传导路径的气流，同时通过调整该UCR组的间隙的高度可以控制穿过该处理室的压强。
在ON位置，该修改过的约束环总成可以被配置为其中该上约束环组可以从该气流路径中拉出而该下约束环组可以被置于该气流路径中，在一个实施方式中，当打开该展开的气流传导路径时打开该气流旁路。在ON位置，室内压强可以通过沿着该室内间隙的高调整下约束环组的位置而控制。在ON位置，修改过的约束环总成可以为该室提供很低的压强和/或很高的气体流速。因此，通过将该LCR移动到该旁路的排气口上方可以打开该展开的气流传导路径，同时通过使用该修改过的约束环总成而无需可旋转旁路阻塞环也可以调整该LCR组的竖直位置。
通过使用修改过的约束环总成，现有技术中需要用来调节气流的该可旋转旁路阻塞环可以从该展开的气流传导总成中省略。因此，控制该昂贵的可旋转旁路阻塞环的致动器、I/O口和/或软件可以省略。
参考后面的附图和讨论(同时对比现有技术机构和本发明的实施方式)，可以更好的理解本发明的特征和优点。
图2显示了一种现有技术等离子体处理系统的简图，其被配置为提供展开的、气流传导范围，同时具有可旋转阻塞环以调节展开的气流，可旋转阻塞环没有显示。等离子体处理系统200可以是单频、双频或三频或多频电容放电系统。例如，射频可包括但不限于2、27和60MHz。
在图2的实施例中，等离子体处理系统200可以被配置有上电极总成和下电极总成。该下电极总成可以被配置有在等离子体处理过程中将衬底(未示以简化说明)保持在适当的位置的卡盘204。该上电极总成和下电极总成可以通过室内间隙218彼此隔开。该上电极总成可包括上电极214，该上电极214可以被构造为类似喷淋头。该上电极214可以接地(未示以简化说明)。
图2的上电极总成可以被配置有气体分布集管216，处理过的气体(未示)可以穿过气体分布集管216被供应到室内间隙218中。被供应到室内间隙218中的处理过的气体可以通过被供应到该下或上电极总成的RF电力激励为等离子态。室内间隙218中的等离子体可以由约束环总成220约束，约束环总成220可被配置有至少一组约束环(220a、220b、220c和220d)。约束环(220a-d)之间的间隙可以通过轴224的前进而控制。室内间隙218中的中性气体物质可以穿过该组约束环(220a-d)之间的约束环间隙(222a、222b、222c和222d)。中性气体物质可以由真空泵(未示以简化说明)从该室排出。
如图2中所示，来自气体分布集管216的跨越衬底(未示)的气流的流速可以影响室内间隙218中的压强。从气体分布集管216到排气口的气流路径的总气流传导可依赖于一些因素，包括但不限于，约束环的数量和该组约束环之间的间隙的尺寸。
如上所述，许多前沿工艺应用需要很短的气体停留时间，其中该工艺的一个或多个步骤可能需要超出该间隙控制的最大容量的气流传导水平。考虑到这种问题，可以通过使用与从气体分布集管216穿过该组约束环间隙(222a-d)的气流路径并行的额外的气流传导来增加气体流速。该展开的气流传导路径可以被配置于气流旁路/传导总成260中，如图2中所示。气流旁路/传导总成260可以被配置有至少一个铝制接地延伸环210，一个可旋转阻塞环230和一个石英覆盖环212。
在图2的实施例中，展开的气流旁路/传导总成260可以被配置有展开的气流传导路径以增加穿过室内间隙218的气体流速。展开的气流传导路径可以作为一组径向狭槽被配置于铝制接地延伸环210中。铝制接地延伸环210可以通过隔离环208与聚焦环202隔开。铝制接地延伸环210可以被配置有作为气流传导路径的第一组旁路狭槽(210a、210b、210c、210d和210e)。该第一组旁路狭槽(210a-e)可以是在该接地延伸环210中径向上延伸的径向狭槽。
如图2中所示，铝制接地延伸环210可以由石英覆盖环212保护免受等离子体损伤。石英覆盖环212可以被配置有第二组径向旁路狭槽(212a、212b、212c、212d和212e)。该石英覆盖环的第二组旁路径向狭槽(212a-e)可以与接地延伸环的第一组旁路狭槽(210a-e)对准(有直接视线通路)以允许更多的气流穿过该展开的气流传导路径。
为了调节穿过展开的气流传导路径的气流，气流旁路/传导总成260还可被配置有可旋转阻塞环230。可旋转阻塞环230可安装在接地延伸环210和覆盖环212中形成的环形沟道内。可旋转阻塞环230可以被配置有第三组径向旁路狭槽(230a、230b、230c、230d和230e)。可旋转旁路阻塞环230可以是由电介质材料，比如石英或碳化硅(silicone carbide)，制成的。可旋转旁路阻塞环230可以相对于固定的铝制接地环210和固定的石英覆盖环212旋转以控制穿过多组对准的旁路狭槽(210a-e、212a-e和230a-e)的气流。
在ON状态中，具有第三组旁路狭槽(230a-e)的可旋转阻塞环230可以与铝制接地延伸环210的第一组径向狭槽(210a-d)和石英覆盖环212的第二组径向狭槽(212a-d)对准以在第一组狭槽(210a-d)和第二组狭槽(212a-d)之间提供流体通道，从而创建多个气流传导路径。来自室内间隙218的气体可以穿过该第一和第二组狭槽流动。因此，在ON状态中，允许气流穿过展开的气流路径以提供更高的气体传导范围。
在OFF状态中，可旋转阻塞环230可以旋转到一个位置以使得第一组狭槽(210a-e)的对准与第二组狭槽(212a-e)没有直接的视线通路。第一组狭槽(210a-e)可以被可旋转阻塞环230阻挡从而在第一组狭槽(210a-e)与第二组狭槽(212a-e)之间没有流体通道。因此，该多个气流传导路径可以被可旋转阻塞环230阻挡。来自室内间隙218的气体不能够穿过这些被阻挡了的传导路径。
从上文可以看出，该展开的可变气流传导总成可以提供多个气流传导路径以增加跨越该衬底的气流传导范围。通过增加等离子体处理室中的气流传导，可以快速而准确地控制等离子体状态。通过使用可旋转阻塞环230，该多个气流传导路径可以被开启和/或关闭。
通常，需要额外的硬件和软件(未示)来控制可旋转旁路阻塞环230。例如，额外的机械控制硬件可能需要至少一个致动器来提供阻塞环230的运动控制。额外的电气控制硬件可能需要至少输入/输出通道来发送电信号。另外，可能需要软件算法以获得用户输入(例如，预定流速)和/或以控制机械和电气系统。因此，额外的控制硬件和/或软件会增加系统的成本和复杂度。
本领域的技术人员可以看出，由石英制成的具有旁路狭槽的阻塞环可能制造起来很昂贵。另外，气流路径中的移动部件(例如可旋转阻塞环)可能产生非故意的污染物，污染物可能导致不可控的工艺变化，这可能减少制造的成品率。
尽管可旋转石英阻塞环可提供用于调节穿过展开的气流传导总成的增加的气流的机构，然而使用可旋转阻塞环所增加的成本和复杂度可能需要调节穿过展开的气流传导总成的增加的气流的替代解决方案。
因此，此处发明人意识到，现有的约束环总成可以被修改以调节穿过展开的气流传导总成的增加的气流，同时又能控制处理室中的压强。
共同讨论图3A和3B以描绘调节增加的气流的替代设备和方法。图3A显示了，依照本发明的一个实施方式，一种等离子体处理系统的简图，其被配置有展开的气流传导总成和修改过的约束环总成(其中一组下约束环在折叠的OFF位置)。在OFF位置，该旁路也被切断。图3B显示了，依照本发明的一个实施方式，一种等离子体处理系统的简图，其被配置有展开的气流传导总成和修改过的约束环总成(其中一组下约束环在展开的ON位置)。在ON位置，该旁路现在被打开。
参考图3A，等离子体处理系统300可以是电容耦合等离子体(CCP)处理系统和/或电感耦合系统(ICP)。在一个实施例中，等离子体处理系统300可以是单频、双频或三频或多频电容放电系统。例如，射频(RF)可包括但不限于2、27和60兆赫(MHz)。
例如，等离子体处理系统300可以被配置有至少一个上电极总成和一个下电极总成，在该上电极总成和该下电极总成之间有室内间隙318。
该下电极总成可包括至少一个聚焦环302和一个静电卡盘304。在图3A的实现方式中，可以使用静电卡盘304来将衬底(未示)在等离子体处理过程中保持在适当的位置。而且，该下电极总成可以被配置有展开的气流旁路/传导总成360。
如图3A中所示，展开的气流旁路/传导总成360可以被配置有铝制接地延伸环310和电介质、石英覆盖环312。铝制接地延伸环310可以通过隔离环308与聚焦环302隔开。在图3A的实现方式中，铝制接地延伸环310可以被配置为同心围绕该下电极。在一个实施方式中，铝制接地延伸环310可以被配置为包括多个径向狭槽(310a、310b和310c)，这些径向狭槽可被用于提供增加的气流。
尽管联系图3A只讨论了三个径向狭槽(310a、310b和310c)，然而在一个实施方式中，铝制接地延伸环310可包括多个径向狭槽作为提供展开的气流传导路径的旁路狭槽。在一个实施例中，旁路狭槽的数量通常是几十个狭槽。在图3A的实现方式中，该狭槽可以有任何合适的形状，例如，在一个实施方式中，具有长方形或梯形形状。
铝制接地延伸环310可以通过电介质、石英覆盖环312保护免受等离子体损伤，覆盖环312可以置于接地延伸环310上方。石英覆盖环312可被配置为包括多个径向狭槽(312a、312b和312c)，该多个径向狭槽可用于展开的气流。从上文可以看出，石英覆盖环312可包括多个径向狭槽作为用于展开的气流传导路径的旁路狭槽。因此，展开的气流旁路/传导总成360可被配置有形成于其中的多组狭槽(310a-c和312a-c)以提供增加的气体流速。
与图2中的展开的气流旁路/传导总成260不同，从展开的气流旁路/传导总成360中可以省略可旋转阻塞环。穿过展开的气流旁路/传导总成360的增加的气流可以通过修改过的约束环总成320调节。
在图3A的实现方式中，该上电极总成可包括至少一个上电极314，上电极314可被构造为类似于喷淋头。在等离子体处理过程中上电极314可以接地(未示以简化说明)。处理过的气体穿过气体分布集管316被施加到室内间隙318中。该气体可以通过该下电极总成由来自RF发生器(未示以简化说明)的RF电力电气激励为等离子体。
在一个实施方式中，等离子体处理系统300可以被配置有修改过的约束环总成320以调节穿过该接地延伸中展开的气流旁路/传导总成360的气流。在一个实施方式中，该修改过的约束环总成320可被配置为包括至少两组可折叠的约束环，即，一组上约束环(UCR)322和一组下约束环(LCR)342。在一个实施方式中，该组LCR342可被配置为耦合于该组UCR322。在图3A和3B的实现方式中，在一个实施方式中，该约束环可以是由与该等离子体工艺兼容的材料形成的。在一个实施方式中，用于约束环的兼容材料可包括但不限于石英。
考虑这种情况，例如，其中在等离子体处理过程中，在一个或多个处理步骤中需要很低的气流和很高的压强。可将UCR轴324压低以使LCR组342的约束环(342a、342b和342c)折叠到OFF位置，从而阻挡穿过展开的气流旁路/传导总成360的气流。下面详细讨论用于折叠和/或展开约束环的机构。
在OFF位置，该组折叠的LCR342可被置于铝制接地延伸环310的肩部310g上。在下约束环组342的折叠位置，LCR组342的顶部约束环342a的上表面与石英覆盖312的表面对正齐平。在一个实施方式中，当LCR组342的约束环(342a-c)位于折叠位置时，LCR组342的侧面可完全阻挡旁路狭槽(310a-c)的输出端。从而切断穿过该展开的可变气流旁路/传导总成360的多个旁路狭槽的气流。
在图3A的实现方式的OFF位置时，室内间隙318中的中性气体物质可主要穿过UCR(322a-d)的该组约束环间隙(334a、334b、334c和334d)流动。在一个实施方式中，该气流传导，即，该室中的压强，可以通过调整UCR间隙(334a-d)控制。穿过该组约束环间隙(334a-d)的气流传导可与该间隙的高度的平方成比例。
在图3A的实现方式中，在一个实施方式中，UCR间隙(334a-d)可以通过连续地折叠该组UCR间隙(334a-d)而调整。例如，UCR轴324可相下移动，迫使UCR活塞326(配置有O形环328)在UCR室330中向下移动，提供破裂UCR间隙的机构。从上文可以看出，这些环的折叠可以被这些环的重量驱动。该活塞可以充当在竖直方向上移动的悬挂点，其可以由该轴驱动。当UCR活塞326向下移动到UCR室330中时，最低的UCR间隙334d会首先折叠。在一个实施方式中，这些UCR间隙会从最低间隙334d，到次低间隙334c、然后是再次低间隙334b连续折叠，最终折叠顶部间隙334a。
因此，该间隙可以连续地折叠，其中最低的间隙最先折叠，然后是次低间隙，然后是接下来的间隙，最后是最高的顶部间隙。在图3A的实现方式中，在一个实施方式中，LCR组342可通过最低UCR322d和LRC活塞346耦合于UCR组322。LCR室350的空匣可被配置为足够深以致于LCR活塞346(配置有O形环348)可能不会向下撞在LCR组(342a-d)上。
如同上文指出的，在一个实施方式中，来自室内间隙318的气体流速可以通过改变位于OFF位置的该组UCR间隙(334a-d)的高度来控制。该组UCR间隙(334a-d)会连续地折叠和/或展开，以控制间隙尺寸而不升高该组LCR342，这会为展开的气流打开该旁路狭槽。
在一个实施方式中，在OFF位置，UCR组322可以在该气流区域中而LCR组342坐落于铝制接地延伸环310的肩部310g上。LCR组342可被配置为切断该组旁路狭槽以阻止展开的气流。UCR组322间隙可被配置为能够调节以控制压强。该压强可以通过连续地折叠和/或打开UCR334的该组间隙(334a-d)以控制间隙尺寸来改变，而无需升高该下约束环组。然而，气体流速可以受限于UCR间隙(334a-d)的高度。通常，间隙高度可受限于等离子体的鞘层厚度的大约两倍以阻止等离子体的非约束。
考虑这种情况，例如，其中该工艺的一个或多个步骤需要超出该UCR间隙(334a-d)的最大容量的气流传导水平。在一个实施方式中，可以通过在展开的气流旁路/传导总成360中使用额外的气流传导路径来增加气体流速。依照本发明的一个实施方式，LCR组342可以被向上拉，在ON的位置，以打开穿过该展开的气流旁路/传导总成360的气流。
参考图3B，依照本发明的一个实施方式，可以驱动UCR轴324将耦合于UCR轴324的UCR活塞326向上拉，从而由于这些环的重量而带来UCR间隙的展开。在一个实施方式中，UCR活塞324可在UCR室330中对着UCR肩部法兰332向上拉，将UCR组322移出该气流路径。在一个实施方式中，可以使用O形环328将UCR活塞324与UCR肩部法兰332隔开。在一个实施例中，该O形环可用于保护石英材料免于被金属活塞压碎。依照本发明的一个实施方式，在ON位置，UCR组322(已经从气流路径中移出)不再在气流规则中起作用。
如图3B中所示，在一个实施方式中，LCR活塞346(配置有O形环348)可耦合于UCR组322的最低环322d。在一个实施方式中，当324被驱使向上移动时，可以使用LCR活塞346(在耦合于UCR组322的最低环322d的情况下)将LCR组342向上拉，从而提供用于展开LCR间隙的机构。LCR组342可以被移动到该气流路径中并打开展开的气流旁路/传导总成360的旁路狭槽(310a-c)的输出端。因此，在ON位置，LCR组342被向上拉以不阻挡旁路狭槽(310a-c)的情况下，在一个实施方式中，通过使气体物质穿过该展开的气流旁路/传导总成360的多个旁路狭槽流动，可以增加气体流速。
依照本发明的一个实施方式，如图3B中所示，来自室内间隙318的中性气体物质可以穿过展开的气流旁路/传导总成360和/或穿过LCR342a-c的该组约束环间隙354a和354b流动。在一个实施方式中，该气流传导，即该室内的压强，可以通过沿着该气流路径的高调整LCR组342的LCR间隙354a-b的位置来控制。
在图3B的实现方式中，LCR组342可配置有间隙354a(LCR组上的上间隙)和间隙354b(LCR组上的下间隙)。该上间隙354a可被配置为与LRC组342上的下间隙354b具有不同的高度。通过UCR轴332移动LCR活塞348以将LCR间隙354a-b定位于气流路径中，可以调整该室内的压强。根据气流路径中LCR间隙(354a-b)的竖直位置，在一个实施方式中，该室内的压强可以通过LCR间隙(354a-b)控制。
如上所述，该间隙高度可以与气流传导相关联。通常，例如，穿过间隙的气体传导可以等于该间隙的高度的平方。在一个实施例中，如图3B中所示，下约束环间隙354a和354b可被配置为具有不同的高度。间隙354b与间隙354a的间隙高度的比是约2∶1。穿过该间隙产生的气流传导可以是约4∶1。本领域的技术人员可以看出，在一个实施方式中，约束环的数量、间隙和间隙高度可以被改变以实现气体流速的期望工艺范围。然而，在一个实施方式中，该间隙可受限于等离子体鞘层厚度的约两倍(2X)的最大高度，以阻止等离子体未约束。
考虑这种情况，例如，其中LCR间隙354a-b可在该室气流路径的最大高度以实现最大气流。在一个实施方式中，LCR组342的最低约束环342c的厚度可被配置有预定厚度以提供与铝制接地延伸环310的竖直外部侧壁的足够多的重叠。依照本发明的一个实施方式，通过提供足够多的重叠，间隙362(即，下约束环342c和铝制接地延伸环侧壁310之间的间隙)可小于该鞘层厚度的约两倍(2X)以阻止等离子体未约束。
在OFF位置，约束环总成320可提供很低的气流和很高的压强，其中LCR组342可被用于折叠状态以阻挡掉穿过该展开的气流旁路/传导总成360的气流。通过调整UCR间隙(322a-d)的每个间隙的高度，通过UCR组322可以控制该室中的压强。
在ON位置，约束环总成320可提供很高的气流和很低的压强，其中LCR组342可被向上拉以不阻挡旁路狭槽(310a-c)。在旁路狭槽(310a-c)不阻挡的情况下，通过使气体物质穿过展开的气流旁路/传导总成360的多个旁路狭槽流动，可以增加气体流速。UCR组322可被从通路中拉出并且在气流控制中不发挥作用。通过沿着该气流路径的高度调整LCR组342的LCR间隙(354a-b)的竖直位置，可以控制该室中的压强。
从上文可以看出，该修改过的约束环总成可被用于调节展开的气体流速和/或控制压强。因此，可旋转旁路阻塞环可以从展开的气流旁路/传导总成中省略。因此，可不需要额外的致动器、I/O口和/或控制软件算法。因为可以省略石英阻塞环，所以在等离子体工艺中产生微粒的危险可被最小化。因为有更少的移动部件，微粒污染物的概率可被减少，因此增加了该应用的成品率。因此，使用该修改过的约束环总成可减少等离子体处理系统的成本和复杂度。
而且，配置有具有多组约束环的修改过的约束环总成的等离子体处理系统可允许衬底在同一个系统中在低气体流速和高压强和/或高气体流速和低压强两种方式下进行处理。因此，器件制造商不需要购买几个等离子体处理系统以适应在很宽范围的气体流速和/或压强方式下处理衬底的需要。
尽管本发明是使用几个实施方式的方法进行描述的，然而，存在变更、置换和各种等同，这些均落入本发明的范围。还应当注意，有许多实现本发明的方法和设备的替代方式。而且，本发明的各实施方式在其它应用中也可使用。此处为了方便而提供了摘要部分，由于字数限制，该摘要部分是为了阅读方便而写的，不应当被用于限制权利要求的范围。因此，意图是所附权利要求被解释为包括所有这些变更、置换和等同均落入本发明的真实精神和范围。

Claims (24)

1.一种用于控制等离子体处理室内的气流传导的设备，所述等离子体处理室被配置有面对下电极设置的上电极，该下电极适于支撑衬底，所述设备包含：
被配置为同心围绕所述下电极的接地环，所述接地环包括形成于其中的第一组径向狭槽；
约束环装置，所述约束环装置包括至少第一可折叠约束环组和第二可折叠约束环组，其中所述第一可折叠约束环组的第一环包括第一室，该第一室内部设置有第一活塞，并且所述第二可折叠约束环组的第一环包括第二室，该第二室内部设置有第二活塞，所述第二可折叠约束环组被配置为可移动地耦合于所述第一可折叠约束环组；以及
被配置为至少折叠或展开所述第一可折叠约束环组和所述第二可折叠约束环组以控制穿过所述第一组径向狭槽的气流传导在以下两种状态之间的机构：
（a）ON状态，其中穿过所述第一组径向狭槽的气流不被所述第二可折叠约束环组阻挡，以及
（b）OFF状态，其中穿过所述第一组径向狭槽的所述气流被所述第二可折叠约束环组完全阻挡。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述接地环是由导电材料形成的。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述导电材料是铝。
4.根据权利要求1所述的设备，进一步包含置于所述接地环上方的覆盖环，所述覆盖环包括形成于其中的第二组径向狭槽。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述覆盖环是由石英形成的。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一可折叠约束环组和所述第二可折叠约束环组中的至少一组是由石英形成的。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一可折叠约束环组包括至少一个约束环。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一可折叠约束环组是能够在垂直于所述接地环的平面的方向上移动的以控制穿过所述第一可折叠约束环组之间的第一组间隙的气流。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二可折叠约束环组包括至少一个约束环。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二可折叠约束环组是能够在垂直于所述接地环的平面的方向上移动的以控制穿过所述第一可折叠约束环组之间的第二组间隙的气流。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一可折叠约束环组之间的所述第二组间隙中的所述每个间隙被配置为具有不同的间隙高度。
12.根据权利要求1所述的设备，其中所述机构至少包括：
耦合于所述第一活塞的轴；
其中所述第二活塞耦合于所述第一可折叠约束环组的第二环，以及
其中所述第一可折叠约束环组和所述第二可折叠约束环组中的至少一组
（i）当所述轴在垂直于所述接地环的平面的方向上向上移动时展开，或
（ii）当所述轴在垂直于所述接地环的平面的方向上向下移动时折叠。
13.一种控制等离子体处理室中的气流传导的方法，所述方法包括：
在所述等离子体处理室中支撑衬底，其中所述等离子体处理室配置有与下电极相对设置的上电极，所述等离子体处理室包含一个设备，该设备至少包括：
被配置为同心围绕所述下电极的接地环，所述接地环包括形成于其中的第一组径向狭槽，
约束环装置，所述约束环装置包括至少第一可折叠约束环组和第二可折叠约束环组，其中所述第一可折叠约束环组的第一环包括第一室，该第一室内部设置有第一活塞，并且所述第二可折叠约束环组的第一环包括第二室，该第二室内部设置有第二活塞，所述第二可折叠约束环组被配置为可移动地耦合于所述第一可折叠约束环组，以及
被配置为至少折叠或展开所述第一可折叠约束环组和所述第二可折叠约束环组以控制穿过所述第一组径向狭槽的气流传导在以下两种状态之间的机构：
（a）ON状态，其中穿过所述第一组径向狭槽的气流不被所述第二可折叠约束环组阻挡，以及
（b）OFF状态，其中穿过所述第一组径向狭槽的所述气流被所述第二可折叠约束环组完全阻挡；
将气体激励为等离子体；以及
操作所述机构以控制穿过所述第一组径向狭槽的所述气流传导。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述接地环是由导电材料形成的。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电材料是铝。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述设备进一步包括至少一个置于所述接地环上方的覆盖环，所述覆盖环包括第二组形成于其中的径向狭槽。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述覆盖环是由石英形成的。
18.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一可折叠约束环组和所述第二可折叠约束环组中的至少一组是由石英形成的。
19.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一可折叠约束环组包括至少一个约束环。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一可折叠约束环组是能够在垂直于所述接地环的平面的方向上移动的以控制穿过所述第一可折叠约束环组之间的第一组间隙的气流。
21.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二可折叠约束环组包括至少一个约束环。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述第二可折叠约束环组是能够在垂直于所述接地环的平面的方向上移动的以控制穿过所述第一可折叠约束环组之间的第二组间隙的气流。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述第一可折叠约束环组之间的所述第二组间隙中的所述每个间隙被配置为具有不同的间隙高度。
24.根据权利要求13所述的方法，其中所述机构包括至少∶
耦合于所述第一活塞的轴；
其中所述第二活塞耦合于所述第一可折叠约束环组的第二环，以及
其中所述第一可折叠约束环组和所述第二可折叠约束环组中的至少一组
（i）当所述轴在垂直于所述接地环的平面的方向上向上移动时展开，或
（ii）当所述轴在垂直于所述接地环的平面的方向上向下移动时折叠。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI516175B (zh) * 2008-02-08 2016-01-01 蘭姆研究公司 在電漿處理腔室中穩定壓力的方法及其程式儲存媒體
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
EP2567392A1 (en) * 2010-05-06 2013-03-13 Oerlikon Solar AG, Trübbach Plasma reactor
US8485128B2 (en) * 2010-06-30 2013-07-16 Lam Research Corporation Movable ground ring for a plasma processing chamber
US8920564B2 (en) * 2010-07-02 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability
WO2013078420A2 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Lam Research Corporation Symmetric rf return path liner
US9490149B2 (en) * 2013-07-03 2016-11-08 Lam Research Corporation Chemical deposition apparatus having conductance control
US10077497B2 (en) 2014-05-30 2018-09-18 Lam Research Corporation Hollow cathode discharge (HCD) suppressing capacitively coupled plasma electrode and gas distribution faceplate
US10435784B2 (en) * 2016-08-10 2019-10-08 Applied Materials, Inc. Thermally optimized rings
US11875970B2 (en) * 2018-12-17 2024-01-16 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China Radio frequency electrode assembly for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
CN112928007B (zh) * 2019-12-06 2023-09-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备及用于等离子体处理设备的下电极组件
US20230197495A1 (en) * 2021-12-16 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Substrate support gap pumping to prevent glow discharge and light-up

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1478291A (zh) * 2000-09-28 2004-02-25 ��ķ�о����޹�˾ 用来限制等离子体的室构造
CN1479936A (zh) * 2000-10-04 2004-03-03 ��ķ�о����޹�˾ 用于等离子体限定的晶片区域压力控制
US6716762B1 (en) * 2001-04-30 2004-04-06 Lam Research Corporation Plasma confinement by use of preferred RF return path
CN1550027A (zh) * 2001-06-29 2004-11-24 ��ķ�о����޹�˾ 可控制等离子体容积的蚀刻室
CN1726584A (zh) * 2002-12-20 2006-01-25 朗姆研究公司 使用可调耦合接地电路控制等离子体的装置及方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61216435A (ja) 1985-03-22 1986-09-26 Fujitsu Ltd プラズマｃｖｄ装置
US6406590B1 (en) 1998-09-08 2002-06-18 Sharp Kaubushiki Kaisha Method and apparatus for surface treatment using plasma
US6178919B1 (en) * 1998-12-28 2001-01-30 Lam Research Corporation Perforated plasma confinement ring in plasma reactors
US6206976B1 (en) * 1999-08-27 2001-03-27 Lucent Technologies Inc. Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion
JP2001085414A (ja) 1999-09-17 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6926803B2 (en) * 2002-04-17 2005-08-09 Lam Research Corporation Confinement ring support assembly
KR20060005560A (ko) * 2004-07-13 2006-01-18 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용하는 반도체 소자 제조 장비
KR100790392B1 (ko) * 2004-11-12 2008-01-02 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US7364623B2 (en) * 2005-01-27 2008-04-29 Lam Research Corporation Confinement ring drive
US7837825B2 (en) * 2005-06-13 2010-11-23 Lam Research Corporation Confined plasma with adjustable electrode area ratio
TWI294145B (en) * 2006-01-23 2008-03-01 United Microelectronics Corp Dry etching apparatus capable of monitoring motion of wap ring thereof
US8043430B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1478291A (zh) * 2000-09-28 2004-02-25 ��ķ�о����޹�˾ 用来限制等离子体的室构造
CN1479936A (zh) * 2000-10-04 2004-03-03 ��ķ�о����޹�˾ 用于等离子体限定的晶片区域压力控制
US6716762B1 (en) * 2001-04-30 2004-04-06 Lam Research Corporation Plasma confinement by use of preferred RF return path
CN1550027A (zh) * 2001-06-29 2004-11-24 ��ķ�о����޹�˾ 可控制等离子体容积的蚀刻室
CN1726584A (zh) * 2002-12-20 2006-01-25 朗姆研究公司 使用可调耦合接地电路控制等离子体的装置及方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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