一种高功率因数的无光耦两级式LED驱动器电路
技术领域
本发明属于开关电源技术领域,涉及一种高功率因数的无光耦两级式LED驱动器电路。
背景技术
出于安全的考虑,很多的LED灯具均要求LED驱动器具备隔离功能,即实现输出与电网输入的电气隔离。另外为了减轻LED驱动器对公用电网的电力污染危害程度,大功率的LED驱动器需采用功率因数校正(Power Factor Correction,简称PFC)技术。一种大功率的LED驱动器常采用的两级结构如图1所示,前级采用隔离型的功率因数校正电路,本质上是一个稳压电路,即通过光耦反馈输出电压来控制前级变换器的输出电压稳定,并实现交流进线的高功率因数;后级变换器采用恒流控制的直流-直流(DC/DC)变换电路,实现LED恒流输出。两级电路最大的缺点是电路元器件多,成本高,此外前级电路输出电压隔离反馈采用的光耦存在老化问题,影响电路的稳定性,同时弱化了电气隔离的强度。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足,提供了一种高功率因数的无光耦两级式LED驱动器电路。
本发明解决技术问题所采取的技术方案为:
本发明包括无光耦隔离型反激式PFC电路和恒流型直流-直流LED驱动器。
无光耦隔离型反激式PFC电路的正端输出与恒流型直流-直流LED驱动器的正端输入相连,无光耦隔离型反激式PFC电路的负端输出与恒流型直流-直流LED驱动器的负端输入相连;恒流型直流-直流LED驱动器的正端输出与LED负载的阳极相连,恒流型直流-直流LED驱动器的负端输出与LED负载的阴极相连。
所述的无光耦隔离型反激式PFC电路包括反激式拓扑主电路、采样电路、分压电路和PFC控制电路。该无光耦隔离型反激式PFC电路采用以下两种技术方案。
技术方案一:采样电路的输入端与反激式拓扑主电路中变压器T的辅助绕组的异名端连接,采样电路的输出端接分压电路的输入端,分压电路的输出端接PFC控制电路的输入端,PFC控制电路的输出端接反激式拓扑主电路中开关管的门极。
所述的反激式拓扑主电路包括输入整流桥B1、输入电容C1、隔离变压器T、输出整流器Do、输出电容Cbus和开关管M1。输入整流桥B1的两个输入端分别接交流输入两端,整流桥B1的正端输出接隔离变压器T的原边绕组同名端,整流桥B1的负端输出接地;输入电容C1的一端与整流桥B1的正端输出连接,另一端与整流桥B1的负端输出连接;隔离变压器T的原边绕组异名端接开关管M1的漏极,开关管M1的源极接地,开关管M1的门极接PFC控制电路的输出,隔离变压器T的副边绕组异名端接输出整流器Do的阳极;输出整流器Do的阴极、输出电容Cbus的正极与恒流型直流-直流LED驱动器的正端输入连接,隔离变压器T的副边绕组同名端、输出电容Cbus的负极与恒流型直流-直流LED驱动器的负端输入连接,隔离变压器T的辅助绕组Taux的同名端接地。
所述的分压电路包括电阻R1、电阻R2和电阻Rf1,电阻R1的一端与采样电路的输出端连接,电阻R1的另一端、电阻R2的一端与电阻Rf1的一端连接,电阻R2的另一端接地;电阻Rf1的另一端接PFC控制电路的输入端。
进一步来说,采样电路包括稳压管Zc、电阻Rc1、三极管Qc、开关Sc1、开关Sc2、电容Cc1、电容Cc2、开关Sc4、比较器Uc1、电阻Rc2、反相器Uc2、或非门Uc3、开关Sc5和电容Cc4。
稳压管Zc的阴极、电阻Rc1的一端与直流电压Vcc连接,电阻Rc1另一端接三极管Qc的集电极,稳压管Zc的阳极接三极管Qc的门极;三极管Qc的射极接开关Sc1的一端,开关Sc1的另一端与开关Sc2的一端、电容Cc1的一端和开关Sc3的一端与比较器Uc1的正端相连;开关Sc2的另一端与电容Cc1的另一端相连之后接地,开关Sc3的另一端、电容Cc2的一端和开关Sc4的一端与比较器Uc1的负端相连;电容Cc2的另一端和开关Sc4的另一端相连之后接地;比较器Uc1的输出端与电阻Rc2的一端以及或非门Uc3的一个输入端相连,电阻Rc2的另一端和Cc3的一端与反相器Uc2的输入端相连,反相器Uc2的输出端与或非门Uc3的另一个输入端相连;或非门Uc3的输出端接开关Sc5和Sc4的门极,用来控制开关Sc5和开关Sc4的通断(高电平导通);开关Sc5的一端接辅助绕组Taux的异名端,开关Sc5的另一端接电容Cc4的一端作为电压采样电路的输出端,Cc4的另一端接地;其中,开关Sc1、开关Sc2和开关Sc3可以是金属氧化物半导体场效应管、绝缘栅双极晶体管、双极晶体管或其它等效的开关电路。
进一步来说,采样电路也可以由二极管D1和电容C2组成,二极管D1的阳极作为采样电路输入端与反激式拓扑主电路中变压器的辅助绕组的异名端连接,二极管D1的阴极与电容C2的一端连接后作为采样电路输出端,电容C2的另一端接地。
技术方案二:采样电路的输入端与反激式拓扑主电路中变压器T的原边绕组异名端连接,采样电路的输出端接分压电路的输入端,分压电路的输出端接PFC控制电路的输入端,PFC控制电路的输出端接反激式拓扑主电路中开关管的门极。
所述的反激式拓扑主电路包括输入整流桥B1、输入电容C1、隔离变压器T、输出整流器Do、输出电容Cbus和开关管M1。输入整流桥B1的两个输入端分别接交流输入两端,整流桥B1的正端输出接隔离变压器T的原边绕组同名端,整流桥B1的负端输出接地;输入电容C1的一端与整流桥B1的正端输出连接,另一端与整流桥B1的负端输出连接;隔离变压器T的原边绕组异名端接开关管M1的漏极与采样电路的输入端,开关管M1的源极接地,开关管M1的门极接PFC控制电路的输出;隔离变压器T的副边绕组异名端接输出整流器Do的阳极;输出整流器Do的阴极、输出电容Cbus的正极与恒流型直流-直流LED驱动器的正端输入连接,隔离变压器T的副边绕组同名端、输出电容Cbus的负极与恒流型直流-直流LED驱动器的负端输入连接。
所述的分压电路包括电阻R1、电阻R2和电阻Rf1,电阻R1的一端与采样电路的输出端连接,电阻R1的另一端、电阻R2的一端与电阻Rf1的一端连接,电阻R2的另一端接地;电阻Rf1的另一端接PFC控制电路的输入端。
所述的采样电路包括电容Cb、电阻Rb、二极管Db和电容Cc,电容Cb的一端作为采样电路的输入端接开关管M1的漏极,电容Cb的另一端与电阻Rb的一端、二极管Db的阳极相连,电阻Rb的另一端接地,二极管Db的阴极接电容Cc的一端并作为采样电路的输出端接电阻R1的一端,电容Cc的另一端接地。
无光耦隔离型反激式PFC电路为本发明提出的高功率因数的无光耦两级式LED驱动器电路的前级,主电路拓扑采取反激式拓扑,包括传统的单管反激拓扑、双管反激拓扑或其它反激拓扑的变结构;无光耦隔离型反激式PFC电路输入为交流电压,即50Hz的市电,通过对前级隔离型反激式PFC电路中的开关管的控制,实现高功率因数;其中,控制模式不限,可以是峰值电流模式控制、恒导通时间控制、平均电流模式控制或单周控制等。此外,为了获得后级恒流型直流-直流LED驱动器的高效率,需要对无光耦隔离型反激式PFC电路的输出电压进行恒压控制。由于反激式电路的变压器辅助绕组的电压可以大致反映出输出电压,因此本发明的无光耦隔离型反激PFC电路的输出电压控制可通过检测变压器辅助绕组电压实现,从而省去了光耦元件,如前文技术方案一所述。由于反激式电路原边开关管两端的电压也可以大致反映出输出电压,因此另一种对输出电压的控制可以通过检测反激式电路开关管两端的电压实现,如前文技术方案二所述。
恒流型直流-直流LED驱动器主电路为输出恒流控制的非隔离型直流-直流变换电路,控制上采用恒流控制方式以实现LED负载的恒流输出;主电路拓扑可以为buck、boost、buck-boost、cuk、zeta或sepic等六种常规非隔离型拓扑中任意一种或其它变结构。
本发明的原理:通过检测前级隔离型反激式PFC电路的辅助绕组电压或者原边开关管两端电压间接检测出前级PFC电路的输出电压,然后经原边负反馈控制电路控制开关管占空比使前级PFC电路的输出一个稳定的电压,从而省去光耦元件;然后通过后级恒流型直流-直流LED驱动器实现LED负载的恒流输出。
本发明的有益效果在于:省去了前级PFC电路的光耦元件和副边电压采样电路等,使得两级式LED驱动器的元件数量大大减少,降低了电路成本,增加了两级式LED驱动器的稳定性和可靠性。
附图说明
图1为传统的带功率因数校正和恒流控制两级结构的LED驱动器原理图;
图2为本发明框图;
图3为本发明技术方案一框图;
图4为本发明技术方案二框图;
图5为本发明的第一具体实施例示意图;
图6为图5实施例的工作原理波形图;
图7为电压采样电路的一个具体实施例;
图8为电压采样电路的工作原理波形图;
图9为本发明的第二具体实施例示意图;
图10为本发明的第三具体实施例示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明内容进行详细说明。
参照图2,一种高功率因数的无光耦两级式LED驱动器电路包括无光耦隔离型反激式PFC电路和恒流型直流-直流LED驱动器。
无光耦隔离型反激式PFC电路的两个输入端接交流电源,正端输出接恒流型直流-直流LED驱动器正端输入,负端输出接恒流型直流-直流LED驱动器的负端输入;无光耦隔离型反激式PFC电路的作用主要是实现整个LED驱动器高功率因数,并且将波动的交流输入电压变换为稳定的直流输出电压。恒流型直流-直流LED驱动器的正端输出与LED负载的阳极相连,恒流型直流-直流LED驱动器的负端输出与LED负载的阴极相连;恒流型直流-直流LED驱动器作用是实现对LED负载的恒流控制。
图3为本发明技术方案一框图:采样电路10的输入端与反激式拓扑主电路中变压器T的辅助绕组的异名端连接,采样电路10的输出端接分压电路20的输入端,分压电路的输出端接PFC控制电路30的输入端,PFC控制电路30的输出端接反激式拓扑主电路中开关管的门极。
图4为本发明技术方案二框图:采样电路10的输入端与反激式拓扑主电路中变压器T的原边绕组异名端连接,采样电路10的输出端接分压电路20的输入端,分压电路的输出端接PFC控制电路30的输入端,PFC控制电路30的输出端接反激式拓扑主电路中开关管的门极。图5为本发明的第一具体实施例,采用的是图3所示的技术方案一。其中,无光耦隔离型反激式PFC电路包括整流桥B1、输入电容C1、带辅助绕组的隔离变压器T、输出整流器Do、输出电容Cbus、电压采样电路10、电阻R1、电阻R2、电阻Rf1和PFC控制电路30;恒流型直流-直流LED驱动器的具体实施方式不限;整流桥B1的两个输入端分别接交流输入两端,整流桥B1的正端输出接隔离变压器T的原边绕组同名端,整流桥B1的负端输出接地,输入电容C1与整流桥B1并联,隔离变压器T的原边绕组异名端接开关管M1的漏极,开关管M1的源极接地,开关管M1的漏极接PFC控制电路30的输出,隔离变压器T的副边绕组异名端接输出整流器Do的阳极,输出整流器Do的阴极与输出电容Cbus的正极相连之后接到恒流型直流-直流LED驱动器的正端输入,隔离变压器T的副边绕组同名端与输出电容Cbus的负极相连之后接到恒流型直流-直流LED驱动器的负端输入,隔离变压器T的辅助绕组Taux的同名端接地,异名端接电压采样电路10的输入端,电压采样电路10的输出接电阻R1的一端,电阻R1的另一端与电阻R2的一端、电阻Rf1的一端相连,电阻R2的另一端接地,电阻Rf1的另一端接PFC控制电路30的输入端。
其中,开关管M1可以是金属氧化物半导体场效应管,绝缘栅双极晶体管或双极晶体管。
其中,PFC控制电路30可以是任意临界导通模式、平均电流模式或单周控制模式的PFC控制电路。上述PFC控制电路都内置一个带直流电压基准的电压误差放大器,如图5所示的电压误差放大器Uf1和直流电压基准Vref。图5中所示的PFC控制电路在实际应用中还需接外围电路,如输入交流波形采样电路、电流采样电路和芯片供电电路等,此外相对应的PFC主电路中需加电流采样电路等;由于本发明的重点不在于具体的PFC功能实现上,上述外围电路存在与否,不会影响对发明精神实质的理解,因此在图5以及后面附图中都省去了上述外围电路。
参照图6对图5实施例的工作原理进行说明:图6中,Vaux是隔离变压器T的辅助绕组Taux两端的电压波形,Vgsample是电压采样电路10中的采样开关信号波形,Vsample是电压采样电路的输出波形;忽略隔离型PFC主电路的变压器漏感的影响,Vaux的正的平台电压可以完全反映输出直流母线电压Vbus;通过采样Vaux的正的平台电压,由电阻R1、电阻R2分压后经电阻Rf1送到PFC控制电路30中的电压误差放大器Uf1负输入端,加以反馈控制,即可实现对输出直流母线电压Vbus的负反馈控制;例如当外界因素导致输出直流母线电压Vbus升高,则Vaux的正的平台电压随之升高;经过电压采样以及误差放大器Uf1的误差放大、调制之后,使得开关管M1的门极脉冲变窄,从而使输出直流母线电压Vbus降低,回到设定的稳态值;反之,当输出直流母线电压Vbus降低时,经过同样的负反馈控制可以使得出直流母线电压Vbus稳定。考虑到PFC主电路的变压器漏感引起的谐振会使得Vaux波形在正的平台初始段有谐振波头,如图6所示,为了使采样的电压值能真实地反映输出直流母线电压,需将电压采样开关信号Vgsample设置在Vaux正电平的中间段进行电压采样。
图7给出了图6中电压采样电路10的一个具体实施例:Vcc是直流电压,可以是芯片供电电压或其它构造出来的直流电压;稳压管Zc的阴极与电阻Rc1的一端相连,接到Vcc,电阻Rc1另一端接三极管Qc的集电极,稳压管Zc的阳极接三极管Qc的门极,三极管Qc的射极接开关Sc1的一端,开关Sc1的另一端与开关Sc2的一端、电容Cc1的一端、开关Sc3的一端和比较器Uc1的正端相连,开关Sc2的另一端与电容Cc1的另一端相连之后接地,开关Sc3的另一端、电容Cc2的一端、开关Sc4的一端和比较器Uc1的负端相连,电容Cc2的另一端和开关Sc4的另一端相连之后接地,比较器Uc1的输出端与电阻Rc2以及或非门Uc3的一个输入端相连,Rc2的另一端与Cc3的一端以及反相器Uc2的输入端相连,反相器Uc2的输出端与或非门Uc3的另一个输入端相连,或非门Uc3的输出端接开关Sc5和Sc4的门极和用来控制开关Sc5和开关Sc4的通断(高电平导通)、开关Sc5的一端接辅助绕组Taux的异名端,开关Sc5的另一端接电容Cc4的一端作为电压采样电路10的输出端,电容Cc4的另一端接地;其中稳压管Zc、电阻Rc1和三极管Qc构成恒流源电路;开关Sc1、开关Sc2、开关Sc3的门极控制信号逻辑分别如图8中Vgsc1、Vgsc2和Vgsc3波形所示。结合图8波形对电压采样电路10的工作原理进行说明:Vaux是辅助绕组两端的电压波形,V(A)、V(B)和V(C)分别是图7中A、B和C各点波形,Vsample是电压采样电路10的输出波形;假设初始时Vaux为正间,开关Sc1导通,稳压管Zc、电阻Rc1和三极管Qc构成的恒流源给电容Cc1线性充电;当Vaux为零,开关Sc1关断,电容Cc1的端电压V(A)保持高电平,在Vaux等于零或者小于零的区间里某个时间,开关Sc3导通一小段区间,电容Cc1部分能量转移到电容Cc2,使电容Cc2的端电压V(B)为高电平并保持;开关Sc2在开关Sc3导通之后且Vaux等于零或者小于零的区间里导通一小段区间,将电容Cc1端电压V(A)清零;当Vaux重新为正瞬间,开关Sc1导通,恒流源重新给电容Cc1线性充电;当电容Cc1端电压V(A)上升的到大于电容Cc2的端电压V(B)时,比较器Uc1输出高电平;比较器Uc1输出的宽脉冲经电阻Rc2、电容Cc3、反相器Uc2和或非门Uc3构成的信号处理单元转换为窄脉冲Vgsamle,Vgsamle一方面接到开关Sc4的门极,将电容Cc2的端电压V(B)进行清零,另一方面接到开关Sc5的门极,对辅助绕组Taux的正电平进行采样;通过调节电容Cc1和Cc2的容值比,可以调整电容Cc2端电压V(B)的高电平幅值,进而调整对辅助绕组Taux的正电平采样的时间。
其中,开关Sc1、Sc2和Sc3可以是金属氧化物半导体场效应管,绝缘栅双极晶体管、双极晶体管或其它等效的开关电路构成。
图7中电压采样电路10的具体实施例的目的是为了获得在Vaux正电平的中间段的电压采样开关信号Vgsample以对Vaux正电平进行采样。本领域的技术人员将认识到采样电路10可以有多种实施方式。
图9是本发明的第二具体实施例。其中主电路结构与图5所示实施例相同,主要区别在于本实施例中的电压采样电路10是由二极管D1和电容C2组成。二极管D1和电容C2组成电压采样电路可以获取隔离变压器辅助绕组的正的峰值电压,由于隔离变压器漏感的存在,该正的峰值电压与辅助绕组的正的平台电压之间会存在一定偏差,从而导致电压采样的误差。
图10是本发明的第三具体实施例,采用的是图3所示的技术方案二。其中,主电路结构基本与图5和图9的实施例相同,不同之处在于图10所示实施例中的电压采样不是来自于辅助绕组,而是直接从开关管M1的漏极-源极电压得到。参照图10,电压采样电路10由电容Cb、电阻Rb、二极管Db,电容Cc组成,其中,电容Cb的一端接开关管M1的漏极,电容Cb的另一端与电阻Rb的一端、二极管Db的阳极相连,电阻Rb的另一端接原边地,二极管Db的阴极接电容Cc的一端并作为电压采样电路10的输出端接电阻R1的一端,电容Cc的另一端接地。其中电容Cb主要起到隔直作用,使得电阻Rb两端电压为一交变量,该交变量正向电压幅值与输出电压成比例;通过二极管Db和电容Cc获得电阻Rb两端电压峰值,经电阻R1和R2分压之后送与控制芯片中进行反馈调制。
无论上文说明如何详细,还有可以有许多方式实施本发明,说明书中所述的只是本发明的若干具体实施例子。凡根据本发明精神实质所做的等效变换或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
本发明实施例的上述详细说明并不是穷举的或者用于将本发明限制在上述明确的形式上。在上述以示意性目的说明本发明的特定实施例和实例的同时,本领域技术人员将认识到可以在本发明的范围内进行各种等同修改。
本发明这里所提供的启示并不是必须或仅限于应用到LED驱动器,还可以应用到其它系统中。可将上述各种实施例的元件和作用相结合以提供更多的实施例。可以根据上述详细说明对本发明进行修改,在上述说明描述了本发明的特定实施例并且描述了预期最佳模式的同时,无论在上文中出现了如何详细的说明,也可以许多方式实施本发明。上述电路结构及其控制方式的细节在其执行细节中可以进行相当多的变化,然而其仍然包含在这里所公开的本发明中。如上述一样应当注意,在说明本发明的某些特征或者方案时所使用的特殊术语不应当用于表示在这里重新定义该术语以限制与该术语相关的本发明的某些特定特点、特征或者方案。总之,不应当将在随附的权利要求书中使用的术语解释为将本发明限定在说明书中公开的特定实施例,除非上述详细说明部分明确地限定了这些术语。因此,本发明的实际范围不仅包括所公开的实施例,还包括在权利要求书之下实施或者执行本发明的所有等效方案。