CN101960568A - 适合于用在衬底处理室中的气流均衡板 - Google Patents
适合于用在衬底处理室中的气流均衡板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101960568A CN101960568A CN2009801070210A CN200980107021A CN101960568A CN 101960568 A CN101960568 A CN 101960568A CN 2009801070210 A CN2009801070210 A CN 2009801070210A CN 200980107021 A CN200980107021 A CN 200980107021A CN 101960568 A CN101960568 A CN 101960568A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- air
- radial width
- main body
- balancing disk
- flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供了一种适合于用在衬底处理室中的气流均衡板。一种气流均衡板用于用在衬底处理室中。该气流均衡板具有环形形状,其具有气流阻碍内部区域,以及允许处理气体通过但是留住处理气体中的诸如离子和自由基的特定成分的穿孔外部区域。内部和外部区域具有变化的径向宽度,以在衬底的表面上平衡处理气体的流动。在特定实施例中,气流均衡板可以被用来校正由于排气口相对于衬底支撑件的中心线偏移而引起的、在处理容积与排气口之间的室流动不对称性。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体衬底处理系统的领域。更具体地,本发明涉及适合于用在衬底处理室中的气流均衡板(equalizer plate)。
背景技术
随着半导体器件的尺寸逐渐减小,对于维持高产量最重要的是跨越衬底(其上形成有半导体元件)的处理均匀性。实际上,与在半导体器件制造中应用的传统等离子蚀刻处理相关的问题是跨越经处理的衬底蚀刻速率的非均匀性,该问题部分是由于反应组分与被蚀刻的衬底之间的横向偏移(lateral offset)引起的。造成反应组分从衬底中心偏移的一个因素是室排气口的径向位置。因为气体更容易被从更接近排气口的室区域吸出,所以反应组分会被吸向排气口,因而变得相对于衬底中心偏移。此偏移会造成衬底表面上的蚀刻均匀性损失。
为了进一步说明以上问题,图1是示出了传统的衬底处理室100的简要截面图。处理室100耦合到气体分配盘(gas panel)102以及真空泵104。处理室100包括侧壁110和底部112,它们部分地限定上方由盖子116封闭的处理容积114。衬底支撑件120大致设置在衬底容积114的中央区域,以在处理过程中支撑衬底122。气体分配板组件130设置在盖子116内侧,以使得从气体分配盘104提供的处理气体流动并分配。处理气体从气体分配板组件130朝向衬底支撑件120流动,并且经由耦合到真空泵104的排气口132而排出。设置在排气口132附近的节流阀134与真空泵104结合使用来控制处理容积114中的压力。为了确保由处理气体形成的等离子体被限制在容积114中,在衬底支撑件120的周围设置等离子体遮蔽板140。等离子体遮蔽板140包括多个夹缝142,而这些狭缝142的尺寸经过设计以阻挡等离子体进入衬底支撑件120下方的室的区域,而允许气体通过而到达排气口132。
在操作过程中,在将处理气体从气体分配板组件1 30朝向设置在衬底支撑件120上方的衬底122供应时,真空泵104被操作以排出流动通过等离子体遮蔽板140而到达排气口132的处理气体。然而,由于排气口132偏向衬底支撑件120的一侧定位,所以在衬底支撑件120的与排气口132相对应的那一侧上处理气体的流动趋向于更快。因此,在气体分配板组件130与衬底支撑件120之间的处理气体的流动不是对称的。因此在衬底表面上方的处理均匀性受到不利的影响。
因此,需要一种可以增进处理过程器件关于衬底表面上方的处理气体流动的均匀性的设备。
发明内容
本发明的实施例提供了适合于用在衬底处理室中的气流均衡板。在一个实施例中,气流均衡板包括具有中央开口的板主体,其中包主体包括邻近地围绕中央开口的内部区域,以及围绕内部区域的穿孔外部区域。内部区域具有沿着板主体的周长变化的第一径向宽度,来阻碍进入到内部区域的处理气体流,并且穿孔外部区域具有沿着板主体的周长变化的第二径向宽度并允许气流从其穿过。
在另一个实施例中,提供了具有改善的气体流动均匀性的衬底处理室。该处理室包括:具有处理容积的室主体,该处理容积限定在设置在室主体中的衬底支撑件与室主体的顶壁之间;真空泵,其耦合到位于衬底支撑件的一个横向侧的排气口;以及围绕衬底支撑件安装的气流均衡板。该气流均衡板包括具有中央开口的环形板主体,该板主体包括邻近地围绕中央开口的内部区域以及围绕内部区域的穿孔外部区域。内部区域具有沿着板主体的周长变化的第一径向宽度,来阻碍进入到所述内部区域的处理气体的气流,并且穿孔外部区域具有沿着板主体的周长变化的第二径向宽度并允许气流从其穿过。
附图说明
为了使得本发明的上述特征更明显易懂,可配合参考实施例的说明,其部分如图所示。然而,附图仅示出了本发明的典型实施例并且因此不能被认为是其范围的限制,本发明可以允许其他等价有效实施例。
图1是传统衬底处理室的简要截面图;
图2A是气流均衡板的实施例的等角图;
图2B是图2A的气流均衡板的平面图;
图2C是设置在气流均衡板中的一个狭缝的一个实施例的简要截面图;
图3A是示出了使用气流均衡板的衬底处理室的一个实施例的截面图;
图3B是图3A的处理室的俯视平面图,其示出了气流均衡板是如何围绕衬底支撑件定向的。
为了便于了解,在可能的情况下,相同附图标记被用来表示对于附图共有的相同元件。可以预料到一个实施例的原件和特征不需要特别描述而可有利地结合到其他实施例。
然而,需注意的是因为本发明可以承认其他相等效果的实施例,所以附图仅示出了本发明的示例实施例并且因此不能认为是范围的限制。
具体实施方式
这里描述的实施例提供了适合于用在衬底处理室中的气流均衡板。衬底处理室包括衬底支撑件、气体分配器、限定在衬底支撑件与处理室的顶壁之间的处理容积以及耦合至排气口的真空泵,其中排气口定位在衬底支撑件的横向侧面。气流均衡板设置在衬底支撑件的周围而位于排气口的上方和气体分配器的下方。气流均衡板具有环形形状,其具有气流阻碍内部区域以及允许处理气体通过但是防止等离子体通过的穿孔外部区域。外部区域的开口面积在板的不同部分具有变化,因此在处理气体从处理容积流动到排气口时,可以使得沿着衬底边缘通过的处理气体流均衡(equalize)。由此可以改善衬底表面上方的处理的均匀性。
图2A和图2B是示出了气流均衡板202的一个实施例的简化图。气流均衡板202具有环形形状,其设置有与衬底支撑组件的配置相对应的中央开口204。在一个实施例中,气流均衡板202可以由碳化硅(SiC)制成。在其它实施例中,气流均衡板202可以由含有钇的材料制成,诸如氧化钇(Y2O3)。气流均衡板202一般围绕板而具有开口面积的不对称分布,使得可以调整流经板的气流以对衬底上方的流动不对称性进行校正。
在一个实施例中,气流均衡板202被划分为与中央开口204的边缘相邻的非气流穿透性内部区域206以及围绕内部区域206的穿孔外部区域208。内部区域206由实心材料(solid material)形成,具有沿着气流均衡板202的周长而在最小宽度Vmin与最大宽度Vmax之间变化的径向宽度V,以阻挡气体流动。孔210可以围绕中央开口204而设置在内部区域206中,来将气流均衡板202固定到处理室中。也可以预料到内部区域206可以是穿孔的而外部区域208是实心的。
外部区域208包括多个孔,这些孔设置以允许更多的气流穿过板202的一侧,以平衡穿过衬底表面的气流。孔可以具有适合于控制流经其中的气流并且限制等离子体通过的多种形状或形式。在一个实施例中,孔主要由设置在内部区域206周围的多个邻接狭缝212构成。在一个实施例中,各个狭缝212的宽度可以小于等离子鞘层的厚度或宽度,因此,等离子体中的中性粒子可以通过狭缝212,但是可以阻挡住离子和自由基。
狭缝212可以具有除了图2B中示出的径向朝向之外的朝向。图2C是一个狭缝212的一个实施例的简要截面图。在一个实施例中,每个狭缝212的宽度L可以在约3mm到约4mm之间并且每个狭缝212的高度H可以在约12mm到约15mm之间。
往回参照图2B,外部区域208具有沿着气流均衡板202的周长而在最小宽度Wmin与最大宽度Wmax之间变化的径向宽度W。在一个实施例中,内部区域206的最小宽度部分Vmin小于外部区域208的最小宽度部分Wmin,并且内部区域206的最大宽度部分Wmax小于外部区域208的最大宽度部分Wmax。在一个实施例中,内部区域206的径向宽度V以及外部区域208的径向宽度W可以沿着气流均衡板202的周长互补地变化,以在将气流均衡板202用在具有对于衬底支撑件的中央而偏移的抽气口的处理室中时,使得穿过气流均衡板202的处理气体的流动均衡。
围绕外部区域208的狭缝(或其他几何形式的孔)的宽度差异导致板202的一侧相对于板的另一侧具有较大的开口面积。这允许在具有最大开口面积的区域设置在距离排气口180度的区域的状态下,将板的、具有最小开口面积的那一侧设置在处理室的抽气口附近和/或上方,以平衡由于排气口的偏移位置而引起的抽气不对称。也可以预料到如果需要将处理室的传导性限制为所选择的,以产生期望的效应,那么最大与最小开口面积的区域在板202上不一定相距180度或如上所述相对于排气口而定位。
图3A是示出了使用气流均衡板202的处理室300的一个实施例的简要截面图。处理室300耦合至气体分配盘302以及真空泵304。处理室300具有包括侧壁306和底部308的室主体,其中侧壁306和底部308部分地限定上方由盖子312封闭的处理容积310。衬底支撑件314大致设置在衬底容积310的中央区域,以在处理过程中支撑衬底316。一个或多个气体分配器设置在室中并在衬底支撑件314上方,以将处理气体和其他气体提供到处理容积310中。气体分配器可以是形成在室盖中的一个或多个喷嘴或口。在图3示出的实施例中,气体分配器是设置在盖子312内侧上的气体分配板组件320,以使得从气体分配盘302提供的处理气体流动并分配。处理气体从气体分配板组件320朝向衬底支撑件314流动,并且经由真空泵304从朝向衬底支撑件314的侧面偏移地定位的排气口322排出。设置在排气口322附近的节流阀324与真空泵304结合使用来控制处理容积310中的压力。气流均衡板202设置在衬底支撑件314周围,例如固定在形成在衬底支撑件的外径上的突出部或阶梯部328上。
图3B是示出了气流均衡板202是如何围绕支撑件314定向设置的俯视平面图。在一个实施例中,气流均衡板202可以设置为使得内部区域206的最大宽度部分Vmax以及外部区域208的最小宽度部分Wmin位于排气口322的一侧,例如位于排气口322的正上方;并使得内部区域206的最小宽度部分Vmin以及外部区域的最大宽度部分Vmax位于排气口的那一侧的径向相反侧。在从气体分配板组件320供应处理气体并操作真空泵304以经由排气口322排出处理气体时,因此会在排气口的那一侧上提供最大的流动限制。因此,可以获得跨越设置在衬底支撑件314上的衬底表面的处理气体的对称流动。
也可以预料到,可选择排气口的位置和/或板202的倾斜相对于水平面的旋转偏置,来校准由排气口位置所引起的流动的不对称性。也可以预料到,如果期望的话,也可以期望使用板202来引起跨越衬底的不对称的流动。
虽然上述内容关于本发明的实施例,但是在不超出本发明的基本范围的情况下,可以设计出本发明的其他实施例,并且本发明的范围由以下权利要求来决定。
Claims (15)
1.一种气流均衡板,包括:
具有中央开口的环形板主体,其中,所述板主体包括邻近地围绕所述中央开口的内部区域,以及围绕所述内部区域的穿孔外部区域;
其中,所述内部区域具有沿着所述板主体的周长变化的第一径向宽度,来阻碍进入到所述内部区域的处理气体流;并且
其中,所述穿孔外部区域具有沿着所述板主体的周长变化的第二径向宽度并允许气流从其穿过。
2.根据权利要求1所述的气流均衡板,其中,所述第一径向宽度与所述第二径向宽度沿着所述板主体的周长相反地变化。
3.根据权利要求1所述的气流均衡板,其中,所述第一径向宽度的最小值小于所述第二径向宽度的最小值。
4.根据权利要求1所述的气流均衡板,其中,所述第一径向宽度的最大值小于所述第二径向宽度的最大值。
5.根据权利要求1所述的气流均衡板,其中,所述外部区域包括围绕所述内部区域分布的多个狭缝,并且所述狭缝构造为防止等离子体从其通过。
6.根据权利要求5所述的气流均衡板,其中,所述狭缝具有在约3mm到约4mm之间的宽度以及在约12mm到约15mm之间的高度。
7.一种处理室,包括:
具有处理容积的室主体,所述处理容积限定在设置在所述室主体中的衬底支撑件与所述室主体的顶壁之间;
真空泵,其耦合到位于所述衬底支撑件的一个横向侧面的排气口;
气流均衡板,其外接所述衬底支撑件,其中,所述气流均衡板包括:
具有中央开口的板主体,其中,所述板主体包括邻近地围绕所述中央开口的内部区域,以及围绕所述内部区域的穿孔外部区域;
其中,所述内部区域具有沿着所述板主体的周长变化的第一径向宽度,来阻碍进入到所述内部区域的气流;并且
其中,所述穿孔外部区域具有沿着所述板主体的周长变化的第二径向宽度并允许气流从其穿过。
8.根据权利要求7所述的处理室,其中,所述板主体的内部区域紧固至所述衬底支撑件而所述外部区域不紧固到任何结构。
9.根据权利要求7所述的处理室,其中,所述第一径向宽度与所述第二径向宽度沿着所述板主体的周长相反地变化。
10.根据权利要求7所述的处理室,其中,所述第一径向宽度的最小值小于所述第二径向宽度的最小值。
11.根据权利要求7所述的处理室,其中,所述第一径向宽度的最大值小于所述第二径向宽度的最大值。
12.根据权利要求7所述的处理室,其中,所述外部区域包围绕所述内部区域分布的多个狭缝,并且所述狭缝构造为防止等离子体从其通过。
13.根据权利要求12所述的处理室,其中,所述狭缝具有在约3mm到约4mm之间的宽度以及在约12mm到约15mm之间的高度。
14.根据权利要求7所述的处理室,其中,所述板主体确定方向为使得所述第一径向宽度的最大值与所述第二径向宽度的最小值位于所述排气口的所述横向侧面。
15.根据权利要求7所述的处理室,其中,所述第二径向宽度的最小值位于所述排气口的正上方。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/038,887 | 2008-02-28 | ||
US12/038,887 US8075728B2 (en) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | Gas flow equalizer plate suitable for use in a substrate process chamber |
PCT/US2009/034533 WO2009108568A2 (en) | 2008-02-28 | 2009-02-19 | Gas flow equalizer plate suitable for use in a substrate process chamber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101960568A true CN101960568A (zh) | 2011-01-26 |
CN101960568B CN101960568B (zh) | 2012-12-12 |
Family
ID=41012267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009801070210A Active CN101960568B (zh) | 2008-02-28 | 2009-02-19 | 适合于用在衬底处理室中的气流均衡板 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8075728B2 (zh) |
KR (2) | KR101295723B1 (zh) |
CN (1) | CN101960568B (zh) |
TW (1) | TWI382488B (zh) |
WO (1) | WO2009108568A2 (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103021778A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气流均衡板、腔室装置和基片处理设备 |
CN103646841A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种等离子体刻蚀设备 |
WO2015135350A1 (zh) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室以及等离子体加工设备 |
CN104977818A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种单排风口匀胶显影腔体 |
CN105185682A (zh) * | 2014-05-30 | 2015-12-23 | 朗姆研究公司 | 空心阴极放电抑制电容耦合等离子体电极和气体分配面板 |
WO2021197209A1 (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体设备及半导体结构的制备方法 |
CN113488415A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-10-08 | 华海清科股份有限公司 | 晶圆后处理设备及其应用的具有匀流功能的通风系统 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8647438B2 (en) | 2007-04-27 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Annular baffle |
KR100927375B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2009-11-19 | 주식회사 유진테크 | 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 |
JP5102706B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及び基板処理装置 |
US8398814B2 (en) * | 2009-07-08 | 2013-03-19 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas flow equalizer |
JP5597463B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US8869742B2 (en) * | 2010-08-04 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust |
US9184028B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control |
KR101963862B1 (ko) | 2011-05-31 | 2019-03-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들 |
CN103377979B (zh) * | 2012-04-30 | 2016-06-08 | 细美事有限公司 | 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置 |
US9490152B2 (en) * | 2012-05-29 | 2016-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Asymmetrical chamber configuration |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9852905B2 (en) * | 2014-01-16 | 2017-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Systems and methods for uniform gas flow in a deposition chamber |
JP5859583B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2016-02-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5897617B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2016-03-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US10269614B2 (en) | 2014-11-12 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Susceptor design to reduce edge thermal peak |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
JP6423706B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9963782B2 (en) * | 2015-02-12 | 2018-05-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP6574588B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-09-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US20170207078A1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and semiconductor process |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
JP6575641B1 (ja) * | 2018-06-28 | 2019-09-18 | 株式会社明電舎 | シャワーヘッドおよび処理装置 |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11415147B2 (en) * | 2019-05-28 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Pumping liner for improved flow uniformity |
US11032945B2 (en) * | 2019-07-12 | 2021-06-08 | Applied Materials, Inc. | Heat shield assembly for an epitaxy chamber |
US20210343508A1 (en) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | Applied Materials, Inc. | Metal oxide preclean chamber with improved selectivity and flow conductance |
KR102517977B1 (ko) * | 2022-01-28 | 2023-04-04 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 배플, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5639334A (en) * | 1995-03-07 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Uniform gas flow arrangements |
KR100238706B1 (ko) * | 1997-07-30 | 2000-01-15 | 윤종용 | 무선전화기의 수화 볼륨 조정 장치 및 방법 |
KR19990012742U (ko) * | 1997-09-12 | 1999-04-15 | 구본준 | 반도체 플라즈마 화학기상증착장비의 가스배출장치 |
JP4217299B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2009-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP4592856B2 (ja) | 1999-12-24 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及びガス処理装置 |
US6414835B1 (en) * | 2000-03-01 | 2002-07-02 | Medtronic, Inc. | Capacitive filtered feedthrough array for an implantable medical device |
US6716302B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US20020121241A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-05 | Nguyen Anh N. | Processing chamber and method of distributing process fluids therein to facilitate sequential deposition of films |
US6878206B2 (en) * | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
KR100431660B1 (ko) * | 2001-07-24 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조를 위한 건식 식각 장치 |
JP2005504885A (ja) * | 2001-07-25 | 2005-02-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成 |
US6936906B2 (en) * | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
US6797108B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-09-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for evenly flowing processing gas onto a semiconductor wafer |
US7780789B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
US20030116087A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Nguyen Anh N. | Chamber hardware design for titanium nitride atomic layer deposition |
AU2003238853A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
US6998014B2 (en) * | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
US20050121143A1 (en) * | 2002-05-23 | 2005-06-09 | Lam Research Corporation | Pump baffle and screen to improve etch uniformity |
US6963043B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-11-08 | Tokyo Electron Limited | Asymmetrical focus ring |
US20040069227A1 (en) | 2002-10-09 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber configured for uniform gas flow |
US6716287B1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Processing chamber with flow-restricting ring |
CN101448977B (zh) * | 2005-11-04 | 2010-12-15 | 应用材料股份有限公司 | 用于等离子体增强的原子层沉积的设备和工艺 |
US7416677B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Exhaust assembly for plasma processing system and method |
US20080099147A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nyi Oo Myo | Temperature controlled multi-gas distribution assembly |
US8821637B2 (en) * | 2007-01-29 | 2014-09-02 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition |
-
2008
- 2008-02-28 US US12/038,887 patent/US8075728B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-19 KR KR1020107021616A patent/KR101295723B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-19 KR KR1020137001299A patent/KR101522835B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-19 WO PCT/US2009/034533 patent/WO2009108568A2/en active Application Filing
- 2009-02-19 CN CN2009801070210A patent/CN101960568B/zh active Active
- 2009-02-26 TW TW098106196A patent/TWI382488B/zh active
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103021778A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气流均衡板、腔室装置和基片处理设备 |
CN103021778B (zh) * | 2011-09-21 | 2015-09-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气流均衡板、腔室装置和基片处理设备 |
CN103646841A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种等离子体刻蚀设备 |
CN103646841B (zh) * | 2013-11-22 | 2016-01-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种等离子体刻蚀设备 |
WO2015135350A1 (zh) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室以及等离子体加工设备 |
CN104977818A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-10-14 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种单排风口匀胶显影腔体 |
CN105185682A (zh) * | 2014-05-30 | 2015-12-23 | 朗姆研究公司 | 空心阴极放电抑制电容耦合等离子体电极和气体分配面板 |
CN105185682B (zh) * | 2014-05-30 | 2017-11-17 | 朗姆研究公司 | 空心阴极放电抑制电容耦合等离子体电极和气体分配面板 |
US10077497B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-09-18 | Lam Research Corporation | Hollow cathode discharge (HCD) suppressing capacitively coupled plasma electrode and gas distribution faceplate |
US10619245B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-04-14 | Lam Research Corporation | Hollow cathode discharge (HCD) suppressing capacitively coupled plasma electrode and gas distribution faceplate |
WO2021197209A1 (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体设备及半导体结构的制备方法 |
CN113488415A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-10-08 | 华海清科股份有限公司 | 晶圆后处理设备及其应用的具有匀流功能的通风系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI382488B (zh) | 2013-01-11 |
WO2009108568A2 (en) | 2009-09-03 |
WO2009108568A3 (en) | 2009-11-05 |
KR20100128312A (ko) | 2010-12-07 |
TW201001591A (en) | 2010-01-01 |
US8075728B2 (en) | 2011-12-13 |
US20090218043A1 (en) | 2009-09-03 |
KR20130021448A (ko) | 2013-03-05 |
KR101295723B1 (ko) | 2013-08-16 |
KR101522835B1 (ko) | 2015-05-27 |
CN101960568B (zh) | 2012-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101960568B (zh) | 适合于用在衬底处理室中的气流均衡板 | |
CN109594061B (zh) | 用于半导体处理的气体分配喷头 | |
US8869741B2 (en) | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber | |
US8652296B2 (en) | Side gas injector for plasma reaction chamber | |
US9909213B2 (en) | Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors | |
CN101355010B (zh) | 进气装置及反应腔室 | |
JP5589840B2 (ja) | 不均一性を最小化する統合ステアアビリティアレイ配置 | |
JP2013518989A (ja) | 設置面積を減少させた一様な薄膜堆積用の平行平板型反応容器 | |
US20190145002A1 (en) | Showerhead and substrate processing device including the same | |
US20200083025A1 (en) | Electrode assembly and etching apparatus | |
EP3041026B1 (en) | Gas intake device and magnetron sputtering apparatus therewith | |
CN115863212A (zh) | 用于气体分配的系统和设备 | |
KR20210057836A (ko) | 중공 음극 방전 억제를 위해 구성되는 플로우 애퍼처 (apaerture) 들을 갖는 샤워헤드 페이스 플레이트 | |
CN111599719A (zh) | 刻蚀气体导入机构和蚀刻机 | |
CN111128812A (zh) | 一种干法刻蚀装置 | |
TW202123284A (zh) | 等離子體處理設備及其氣體擋板結構、等離子體處理方法 | |
KR101218555B1 (ko) | 기판처리장치 | |
US11387071B2 (en) | Multi-source ion beam etch system | |
TWI437120B (zh) | 具有減小的工具足跡之用於均勻薄膜沉積的平行板反應器 | |
KR102215639B1 (ko) | 가스 분배 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
KR20020004623A (ko) | 반도체 플라즈마 식각 장비 | |
KR20230144962A (ko) | 샤워 플레이트 및 플라즈마 처리 장치 | |
KR20030019994A (ko) | 반도체 장치 제조 공정에 사용되는 가스를 제공하는 장치및 이를 갖는 가공장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |