CN101946182A - 用于测试集成电路的改进探针卡 - Google Patents

Abstract

一种适合于测试集成在半导体材料晶片的相应的至少一个管芯(145)上的至少一个集成电路的探针卡(105)，所述探针卡包括适合于耦合到测试器装置的板(125’)和耦合到所述板的多个探针(225)，其中，所述探针卡包括多个可替换基本单元(135’)，每个包括用于接触受测试的集成电路(145)的外部可接近端子的至少一个所述探针，所述多个可替换基本单元被布置为对应于包含要测试的集成电路的半导体材料晶片上的至少一个管芯的布置。

Description

用于测试集成电路的改进探针卡

技术领域

本发明的实施例涉及用于测试集成电路(IC)的系统，特别地，其涉及用于测试IC的探针卡。

背景技术

通常在半导体材料晶片上以管芯的形式一次制造许多IC。制造之后，将半导体晶片分割，以便获得多个IC芯片。

在被封装且运送到客户处并安装在各种电子系统中之前，对IC进行测试以便评估其功能，特别是保证其不是有缺陷的。特别地，在测试期间，(例如通过检查由每个受测试管芯上的IC生成的一个或多个输出信号的波形)可以检测到关于全局或局部物理故障(诸如不期望的短路的存在和击穿事件)和更一般的每个受测试管芯上的IC的操作的信息，以便只有满足预定要求的管芯继续至后续制造阶段(诸如引线接合、封装和最后测试)。

根据已知测试技术，在将半导体晶片切割成个体芯片之前测试IC管芯。对晶片级执行的测试称为“芯片分选(wafer sort)”，或者，实际上有时称为EWS(电晶片分选的缩写)

例如，在非易失性半导体存储器设备(诸如闪速存储器)的情况下，对其中形成有存储器设备的每个管芯执行EWS，以便检验其正确操作。

为了执行测试，使用测试装置，包括测试器，其借助于探针卡耦合到包含要测试的管芯的半导体晶片，所述探针卡用于将半导体晶片对接到测试器。

测试器适合于管理用于执行测试的信号。在下文中，将此类信号称为测试信号且其意图包括由测试器生成且由探针卡发送到每个要测试的管芯的测试激励(例如，命令、存储单元的地址、要写入存储器设备的数据)和由集成在受测试的每个管芯中的IC响应于接收到的测试激励生成的测试响应信号。该测试响应信号由集成在每个受测试管芯中的IC发送到测试器，测试器对其进行处理以导出受测试管芯中的IC的适当或不适当操作的指示。

采用探针进行实现测试信号交换所需的探针卡通过物理接触与要测试的管芯的电耦合。为此，探针卡由连接到机械探针的PCB(印刷电路板)组成，该机械探针适合于在物理上接触要测试的每个管芯的输入/输出接触垫。

特别地，每个输入/输出接触垫由被钝化层围绕且部分地重叠的放大金属化区域组成。

在测试期间，通过探针尖端的机械摩擦动作来摩擦金属接触垫。这样，可以实现测试器与要测试的管芯之间的测试信号的交换。

多个探针卡参数有助于改善测试装置的性能。在相关探针卡参数中，平面性扮演重要角色。更详细地，平面性是探针卡的最高与最低探针尖端之间的垂直距离(即，沿着图1所指示的Z轴的距离)。该平面性影响探针尖端与接触垫之间的对准，因此，例如，不足的平面性导致摩擦标记长度和深度与期望的不同；这久而久之可能改变由图1中的X轴和Y轴限定的平面中的位置。另一重要参数是探针对准准确度，亦即相对于垫的中心，摩擦标记在由X轴和Y轴限定的平面中的中心位置。更详细地，在垫边缘附近与垫接触的太长摩擦标记或探针尖端可能导致钝化层破裂，同时过深的摩擦标记可能损坏垫金属化区域，以致于垫随后不可用于测试以及IC的正常操作。对输入/输出接触垫的损坏还可能导致管芯的封装阶段中的问题，因为用于测试的输入/输出接触垫也用于将管芯接合到封装。

探针卡参数根据探针卡的类型而变。

悬臂式探针卡通常包括环形物(例如由铝、特种合金、或陶瓷材料制成)，环氧树脂保持器被附着于该环形物。此类环氧树脂保持器适合于保持弹性探针形式的多个测试元件，其由具有良好电气和机械性质的合金制成。特别地，每个悬臂式探针包括仅在其末端之一处附着于环氧树脂保持器的梁，并且在另一端处，梁包括在使用中意图抵靠具有要测试IC的管芯的接触垫的尖端。

这些探针卡的缺点是其某些探针卡参数不令人满意，因此，例如，可能发生探针的尖端与接触垫(亦即，晶片与探针卡之间)的对准误差(诸如X轴误差、和/或Y轴误差和/或旋转误差)，具有钝化层破损的后果问题和对质量的负面影响。

更详细地说，X轴误差和Y轴误差表示探针分别沿着X和Y方向与要接触的接触垫的错位。由于X轴和Y轴误差，接触垫上的摩擦标记沿着X方向和/或Y方向是偏离中心的。

特别地，在每个管芯的测试期间，探针尖端常常接触放置在管芯的相对侧的成排接触垫。在X轴和Y轴误差的情况下，所有探针沿着同一方向(X或Y)错位，导致摩擦标记沿着X或Y方向的移位。

当管芯的一侧的接触垫的摩擦标记朝着外管芯边缘移位时，而管芯的另一侧的接触垫的摩擦标记朝着管芯的内部移位时，存在旋转误差。

此类误差由于通常基于机械技术来制造悬臂式探针、因此探针相互不同这一事实而加重。此类差异还可能削弱探针卡机械参数的值。

另外，此类探针卡具有其它限制；例如，其具有降低的并行检测能力；实际上，当必须同时检测多个管芯时，机械探针的数目显著增加，并且可能发生的是接触垫与探针之间的电接触不良且可能发生电气不连续性。

此外，当接触垫位于相互接近的位置时，可能很难保证机械探针与垫的良好的物理接触。此类问题在垫的尺寸小和/或在每个管芯上存在大量垫时加重。

另外，即使只有一个探针损坏，可能也必须替换整个环氧树脂保持器，并且这不利地促进测试装置的总成本的增加，并最终促进IC的总成本的增加。

作为悬臂式探针卡的替换，其它已知探针卡包括由通过在探针卡头中形成的各个孔的导线组成的多个垂直(或伪垂直)探针。详细地说，所述探针卡头包括堆叠在底部导板上的顶部导板，其被气隙适当地分开。每个探针具有尖端，其从底部导板突出并适合于电接触要测试的管芯的相应接触垫。称为“空间变换器”的接触接口(亦即可能的接触接口类型之一)连接到顶部导板并适合于将探针电耦合到PCB(借助于相应导线)，以便可以实现测试器与受测试管芯之间的测试信号的交换。

这些探针卡的缺点在于其对接触垫具有弱摩擦作用，这可能导致电收益率(electric yield)降低。换言之，该探针可能不能充分地摩擦在接触垫金属化区域上具有金属氧化层(有时和扩散残留物)的接触垫表面；结果得到的探针摩擦标记可能不能保证探针与垫之间的良好电接触，并且如果发生这种情况，则可能削弱IC功能的测试。

此外，同样在这种情况下，当接触垫相互接近时，可能难以保证探针与垫的良好物理接触。此类问题在垫的尺寸小和/或在每个管芯上存在大量垫时加重。

另一缺点类似于悬臂式探针卡，当探针损坏时，必须替换整个探针头，从而增加测试装置的总成本。

此外，同样在这种情况下，通常基于机械技术来制造探针，因此，探针相互不同。此类差异还可以削弱探针卡平面性。

还已知包括微机电系统(MEMS)探针的探针卡。

具有MEMS探针的探针卡由多层陶瓷头组成，MEMS探针被耦合到该多层陶瓷头。每个MEMS探针包括具有适合于接触垫的接触特征(诸如尖端)的底座和仅在其一端处被附着于多层陶瓷头且具有连接到底座的另一端的梁。

借助于光刻技术来获得每个MEMS探针，特别是向其中形成牺牲衬底(例如借助于蚀刻工艺)并随后填充导电材料(例如，金)以便获得适合于接触所述接触垫的MEMS探针的底座的沟槽。然后在牺牲衬底的一部分上沉积导电材料以便获得MEMS探针的梁。然后，借助于引线接合或其它技术来将MEMS探针接合到多层陶瓷头并去除牺牲衬底(例如，通过蚀刻工艺)。最后，将所述多层陶瓷头连接到PCB。

MEMS探针卡的缺点是即使只有一个MEMS探针损坏，也必须替换整个多层陶瓷头且这是非常昂贵的。

还已知其它不同类型的悬臂式、垂直和MEMS探针卡。

发明内容

探针卡的实施例克服了已知探针卡的这些及其它问题。

探针卡的实施例包括一组可替换基本探针卡单元，其包括一个或多个MEMS探针。

详细地说，根据本发明的实施例，提供了适合于测试集成在半导体材料晶片的相应的至少一个管芯上的至少一个集成电路的探针卡。该探针卡包括适合于耦合到测试器装置的板，和耦合到所述板的多个探针。该探针卡包括多个可替换基本单元，每一个包括用于接触集成电路的所述探针中的至少一个。所述多个的可替换基本单元被布置为对应于要测试的晶片上的至少一个管芯的布置。

附图说明

仅仅通过以非限制性示例的方式提供的本发明的实施例的以下详细说明，本发明的这些及其它特征和优点将变得显而易见，将参照附图进行该说明，在附图中：

图1示意性地示出其中使用根据本发明的实施例的测试装置的测试设备的横截面图；

图2示意性地示出根据本发明的实施例的探针卡；

图3示意性地示出根据本发明的另一实施例的探针卡；

图4示意性地示出根据本发明的另一实施例的卡；以及

图5示意性地示出根据本发明的另一实施例的探针卡。

图6是根据本发明的实施例的探针卡的示意性系统级视图。

图7～11是根据本发明的不同实施例的图6的探针卡的一部分的横截面图。

具体实施方式

在以下说明中，自始至终用相同的参考标号来表示图中相同或类似的元件。

参照图1，示意性地示出测试设备100的横截面图，其中，可看见根据本发明的实施例的探针卡105和要测试的半导体晶片110的示例性结构和定位。

将要测试的半导体晶片110放置在卡盘115上，其能够沿图中示意性地指示的三个正交方向“x”、“y”和“z”移动。还可以使卡盘115旋转和倾斜，并且其还能够进行其它移动，因此一旦将半导体晶片110放置在卡盘115上，则后者移动，以便使要测试的晶片110的管芯145接近于探针卡105，以实现与其的通信。

在正在讨论的示例中，在探针卡105的实施例之一中，其包括形成用于伪硅晶片130(在本文中也称为测试硅晶片)的支撑板的PCB125，伪硅晶片130由多个伪管芯135构成，每一个形成基本探针单元。

PCB 125包括用于测试器(图中未示出)与受测试晶片110之间的通信的所有电路。例如，PCB 125包括数据/信号处理电路，其控制探针卡105的总体操作，并且其可以在存储在存储单元(例如，也包括在PCB 125中的一个或多个存储器)中的软件的控制下进行操作。

图中还示出探针卡105(包括测试硅晶片130)和半导体晶片110的顶视图。

可以在PCB 125上或在测试晶片130上提供基准标记140，以便允许探针卡105与半导体晶片110之间的正确对准。

如所示，在测试硅晶片130中布置基本探针单元135以便形成二维布置，其对应于受测试半导体晶片110上的管芯的布置。特别地，测试硅晶片130包括基本探针单元135的阵列，其复制要测试的晶片110的形状。在本发明的实施例中，属于探针卡105的测试晶片130的每个基本探针单元135适合于借助于许多MEMS探针来建立与要测试的半导体晶片110的相应管芯的一对一通信关系，所述MEMS探针适合于接触IC的垫。

特别地，如下文更好地描述的那样，从硅管芯开始形成每个基本探针单元135，个体地分割并最后与其它基本探针单元135组装，以便形成具有对应于要测试的半导体晶片110的形状的测试硅晶片130。

参照图2，其示出探针卡105的一部分。特别地，图2示出根据本发明的实施例的基本探针单元135。基本探针单元135包括例如通过倒装芯片技术连接到PCB 125的硅管芯205。特别地，提供接触凸块210以便将硅管芯205的顶面215连接到PCB 125。提供穿过硅管芯205的硅通孔(TSV)220以便将顶面215连接到硅管芯205的底面221。将多个(例如，如图所示的两个)机械元件形成探针225(特别是MEMS型)连接到硅管芯205的底面221。特别地，TSV 220适合于借助于还可以包括一层或多层TSV、通孔和金属条的导电通路将MEMS探针225电连接到硅管芯205的顶面215并因此连接到PCB125。

特别地，为了电接触要测试的管芯的输入/输出接触垫并在输入/输出接触垫与测试器(图中未示出)之间交换测试信号，PCB 125提供将测试器电耦合到硅管芯205并因此电耦合到探针225的相应导电通路230。特别地，为了测试管芯以便评估集成在其中的IC的功能，测试器适合于生成将被馈送到集成在属于半导体晶片110的管芯上的IC的测试信号；测试器借助于PCB 125耦合到基本探针单元135，每个基本探针单元135适合于由测试器通过导电通路230向其馈送测试信号及其操作所需的功率供应。

换言之，MEMS探针225、TSV 220、凸块210和导电通路230适合于建立测试器与受测试半导体晶片110的每个管芯(或管芯组)之间的双线链路。探针卡105从测试器接收测试输入信号并通过使用MEMS探针225将其发送至要测试的管芯。然后使用测试信号来测试集成在属于半导体晶片110的管芯上的IC；响应于该测试输入信号来生成测试响应信号。该测试响应信号被发送到探针卡105、然后发送到测试器，测试器对其进行处理以评估集成在受测试管芯上的IC的功能。

参照图3，示出了根据本发明的另一实施例的基本探针单元135(在这种情况下也耦合到PCB 125)。

基本探针单元135包括借助于树脂层或粘性层305附着于PCB125的硅管芯205。提供引线接合310以便将硅管芯205电连接到在PCB上形成的导电通路230。

参照图4，示出了根据本发明的另一实施例的基本探针单元135。

在本实施例中，在PCB 125与硅管芯205之间插入多层陶瓷材料405。采用多层陶瓷材料405以便改善探针卡105在经受高温时的性能。例如，多层陶瓷材料405允许防止PCB 125在探针卡105暴露于高温期间的热膨胀。

提供分别穿过硅晶片205和多层陶瓷材料405的通孔410和415。还可以用多层陶瓷材料415和硅管芯205内部的更复杂的导电通路方案来替换通孔410和415。凸块210将通孔410连接到相应的通孔415，以便在PCB 125与MEMS探针225之间形成导电通路。

最终，参照图5，示出了根据本发明的另一实施例的基本探针单元135。在这种情况下，在PCB 125与硅管芯205之间插入多层陶瓷材料505。提供引线接合510以便将硅管芯205连接到多层陶瓷505。特别地，引线接合510连接到穿过多层陶瓷505的通孔515。还可以用多层陶瓷内部的更复杂的导电通路方案来替换通孔515。这样，形成由引线接合510、通孔515和通路230形成的导电通路，以便可以借助于根据本发明的实施例的探针卡105在测试器与要测试的硅晶片之间交换测试信号。

应注意的是根据本发明的实施例，可以通过以不同的方式连接一个或多个硅管芯205来形成探针卡105。特别地，根据要测试的晶片的形状，可以将每个基本探针单元135布置为形成具有与受测试晶片类似的形状的测试硅晶片130。

特别地，根据本发明的实施例，由多个基本和可替换基本单元(基本探针单元135)形成探针卡105以便获得无论集成在其中的IC的类型如何都很容易用于要测试的任何半导体晶片的模块化和灵活结构。换言之，根据要测试的半导体晶片，可以以不同的方式和形状来布置基本探针单元135。这样，探针卡105具有高灵活性，并且结果适合于要测试的任何晶片，并且显著地降低了测试多个不同晶片的总成本。

此外，此类模块化和灵活结构在基本探针单元135之一损坏的情况下允许在不改变整个测试硅晶片130的情况下将其替换。

另外，使用硅管芯来制造基本探针单元135还允许进一步降低在测试装置中采用的每个探针的总成本。

换言之，根据本发明的所述实施例的测试系统与使用传统探针卡的那些相比明显价格比较低廉，因为基本探针单元是从硅晶片开始通过光刻技术制造的。

据指出，在本发明的某些实施例中，测试硅晶片130可以包括比要测试的半导体晶片110的管芯的数目少的数目的基本探针单元135(在这种情况下，并行地测试晶片的管芯组)，或者基本探针单元135的数目甚至可以大于受测试特定晶片110的管芯105的数目(在这种情况下，仅采用基本探针单元135的子集来测试整个晶片)。

此外，本发明的实施例允许同时测试整个半导体晶片110，或至少晶片110上的管芯组145。这样，在生产率提高的情况下获得测试时间的显著减少。

参照图6，示出了根据本发明的实施例的探针卡105′的系统级视图。探针卡105′包括测试晶片130′，其包括一组探针单元135′，每个探针单元135′包括共享同一衬底610的各组硅管芯205′。每个硅管芯205′提供有适合于与要测试的半导体晶片110中的至少一个管芯145上的垫相互作用的探针225′(特别是MEMS型)。

由PCB 125′来支撑测试晶片130′，其包括用于测试器与受测试晶片110之间的通信的所有电路。以关于先前实施例的PCB 125相同的方式，PCB 125′可以包括数据/信号处理电路，其控制探针卡105′的整体操作且其能够在存储在存储单元(例如，同样包括在PCB 125′中的一个或多个存储器)中的软件的控制下进行操作。

探针单元的衬底610的主要目的是容纳所述探针单元135′的硅管芯205′，以便提供坚固的机械支撑并同时使每个硅管芯205′与其它的电绝缘。因此，可以用诸如树脂或聚合物的适当绝缘材料来形成衬底610。

图7是图6所述的探针卡105′的一部分的横截面图。特别地，图7示出根据本发明的示例性实施例的探针单元135′。探针单元135′包括具有面对PCB 125′(图7中未示出)的顶面615和底面620的衬底610。探针单元135′还包括一组硅管芯205′(在正在讨论的示例中为两个)，每个具有被衬底610覆盖的顶面215′和暴露的底面221′。MEMS探针225′连接到硅管芯205′的底面221′，以便电接触要测试的半导体晶片110上的一个或多个管芯145的输入/输出接触垫。每个硅管芯205′适合于电连接到PCB 125′。为此，衬底610包括将顶面615与底面620相连的通孔220′；通孔220′在顶面615处与适合于又连接到PCB125′的接触凸块625相连。此外，在衬底610的底面620上提供金属线630以便将每个通孔220′电连接到相应硅管芯205′的底面221′。这样，可以通过MEMS探针225′、金属线630、通孔220′和凸块625来建立测试器与半导体晶片上的每个芯片145之间的双向链路。

因为单个探针单元135′由于衬底610的存在可以包括多于一个的硅管芯205′，所以可以通过使用较小的硅管芯205′来降低全局成本，其还可以用于测试不同的设备。此外，这种解决方案允许更好地利用探针单元135′的面积。

根据本发明的替换实施例，可以为硅管芯205′提供每个与穿过衬底610的各通孔220′电耦合的硅通孔。

图8是图6所示的探针卡105′的一部分的横截面图，其示出根据本发明的另一示例性实施例的探针单元135′。特别地，包括在探针单元135′中的该组硅管芯适合于电接触要测试的半导体晶片110上的多个管芯145的输入/输出接触垫。对正在讨论的示例进行参考，第一硅管芯205’(1)提供有用于电接触半导体晶片110中的第一管芯145(1)的输入/输出接触垫的MEMS探针225″；第二硅管芯205′(2)提供有用于电接触第一管芯145(1)的输入/输出接触垫的第一MEMS探针225′和用于电接触半导体晶片110中的第二管芯145(2)的输入/输出接触垫的第二MEMS探针225′；最后，第三硅管芯205′(3)提供有用于电接触第二管芯145(2)的输入/输出接触垫的MEMS探针225′。换言之，由于提出的解决方案，可以实现复杂的结构，其中，可以在相邻的硅管芯205′之间的可用区域中设置穿过衬底610的通孔220′，并且可以由多于一个的硅管芯205′的MEMS探针225′来接触半导体晶片110中的管芯145。

根据本发明的另一实施例，每个探针单元135′可以提供有相应的本地PCB，其适合于用于增大相邻通孔220′之间的节距，以便简化各种探针单元135′到探针卡105′的组装。例如，如图9所示，衬底610的顶面615可以直接连接到本地PCB 910，对于每个穿过衬底610的通孔220′，本地PCB 910提供有导电通路920。特别地，每个通孔220′电连接到本地PCB 910中的相应导电通路920；每个导电通路920以适合于连接到PCB 125的接触凸块940终止于本地PCB 910的顶面930上。这样，作为使用连接到通孔220′的顶端的接触凸块将探针单元135′直接连接到PCB 125′-并因此相互非常接近-的替代，可以通过更大间距的接触凸块940将图9的探针单元135′连接到PCB 125。

如果用陶瓷层或用等效手段来替换本地PCB 910，则适用相同的考虑因素。

根据本发明的另一实施例，包括在探针单元135′中的硅管芯205′可以包括适合于在半导体晶片110上的管芯145的测试期间使用的集成电路(在图6中用参考IC识别)。例如，所述集成电路IC可以包括适合于感测/生成从被测试管芯145等接收/向其提供的功率非常低的信号或预处理信号的电路。

此外，可以有利地利用探针单元135′的衬底610来容纳对探针卡105′的操作有用的其它电子器件。例如，图10是探针卡105′的一部分的横截面图，其示出其中其衬底610容纳电源滤波电容器1000的探针单元135′。

根据本发明的另一实施例，探针单元135′的衬底610可以容纳集成了适合于管理由探针单元135′执行的操作并控制由连接到MEMS探针225′的硅管芯205′生成/向其提供的信号业务的电路的专用控制芯片(在图6中用参考ICM识别)。此外，控制芯片ICM可以用于集成将在探针单元135′的硅管芯205′之间共享的附加电路。例如，控制芯片ICM可以集成可以被探针单元135′的多于一个的硅管芯205′共享的数字模拟转换器。图11是探针卡105′的一部分的横截面图，其示出了探针单元105′，其中其衬底610容纳借助于金属线630连接到通孔220′-并因此连接到硅管芯205′-的控制芯片ICM。

当然，为了满足本地和特定要求，本领域的技术人员可以对上述实施例应用许多修改和变更。特别地，虽然已描述了本发明的实施例，但应理解的是可以有形式和细节及其它实施例方面的各种省略、替换和修改；此外，明确意图是可以在任何其它实施例中并入结合本发明的任何公开实施例描述的特定元件和/或方法步骤作为设计选择的一般内容。

例如，虽然在先前的说明中已对仅具有一个陶瓷层的基本单元进行了参考，但可以具有在不同硅管芯之间共用的陶瓷层。

此外，虽然在先前的说明中已对彼此相同的基本单元进行了参考，但在诸如用不同材料制造或具有不同结构的基本单元135彼此不同的情况下也可以应用本发明的实施例。

可以以硅管芯205可以仅测试半导体晶片110的管芯145的一部分的方式来应用根据本发明的实施例。

可以使用例如一层或多层TSV、通孔和金属条部分地在测试管芯135中和/或部分地在多层陶瓷材料中和/或部分地在PCB中实现导电通路布线。

此外，可以使用不同的技术在多层陶瓷上和/或在PCB上组装硅管芯135。

并且，可以使用不同的技术来在PCB上组装多层陶瓷。

根据前述内容，应认识到虽然在本文中已出于说明的目的描述了本发明的特定实施例，但在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以进行各种修改。

Claims (16)

1.一种适合于在集成在半导体材料晶片的相应的至少一个管芯上的至少一个集成电路的测试中使用的探针卡，该探针卡包括适合于耦合到测试器装置的板，和耦合到所述板的多个探针，

其中，所述探针卡包括多个可替换基本单元，每一个包括用于接触集成电路的外部可接近端子的至少一个所述探针，所述多个可替换基本单元被布置为对应于晶片上的至少一个管芯的布置。

2.如权利要求1所述的探针卡，其中，所述多个可替换基本单元中的每一个在使用中适合于与相应的管芯成一对一关系。

3.如权利要求1所述的探针卡，其中，所述多个可替换基本单元中的每一个在使用中适合于与半导体晶片中的至少两个管芯成一对至少两个的关系。

4.如权利要求1所述的探针卡，其中，所述可替换基本单元中的至少两个被布置为对应于要测试的晶片的一个管芯。

5.如前述权利要求中的任一项所述的探针卡，其中，每个可替换基本单元包括适合于将所述至少一个探针耦合到印刷电路板的至少一个另外的半导体材料管芯，在所述印刷电路板中提供有导电通路。

6.如权利要求5所述的探针卡，其中，所述至少一个另外的半导体材料包括适合于在测试集成在相应的至少一个管芯上的至少一个集成电路期间使用的集成电路。

7.如权利要求5或6所述的探针卡，其中，所述至少一个探针包括微机电系统探针。

8.如权利要求5、6或7所述的探针卡，其中，所述至少一个另外的半导体材料管芯借助于包括穿过所述另外的半导体材料管芯的至少一个通孔的导电通路和借助于倒装芯片技术电耦合到所述板。

9.如权利要求5、6或7所述的探针卡，其中，所述至少一个另外的半导体材料管芯借助于树脂层或粘性层耦合到所述板且所述至少一个探针借助于相应的引线接合耦合到相应的导电通路。

10.如权利要求8所述的探针卡，还包括至少一个陶瓷材料层，所述陶瓷材料层被布置在所述至少一个另外的半导体材料管芯与所述板之间，所述导电通路包括穿过所述陶瓷材料层的至少一个另外的通孔且适合于将探针耦合到相应的导电通路。

11.如权利要求9所述的探针卡，还包括至少一个陶瓷材料层，所述陶瓷材料层被布置在所述至少一个另外的半导体材料管芯与所述板之间，所述导电通路包括穿过所述陶瓷材料层的至少一个另外的通孔且至少一个引线接合适合于将所述至少一个另外的半导体材料管芯耦合到相应的另外的通孔。

12.如权利要求5所述的探针卡，其中，所述至少一个另外的半导体材料管芯被容纳在衬底中并借助于包括穿过衬底的至少一个通孔的导电通路电耦合到所述板。

13.如权利要求12所述的探针卡，其中，所述衬底适合于容纳至少一个控制芯片，其集成了适合于在测试集成在相应的至少一个管芯上的至少一个集成电路期间使用的至少一个电路。

14.如权利要求12或13所述的探针卡，其中，所述至少一个另外的半导体材料管芯包括多个另外的半导体材料管芯，每一个借助于包括穿过衬底的至少一个各自的通孔的各导电补片电耦合到所述板。

15.一种用于测试集成在半导体材料晶片的至少相应的至少一个管芯上的集成电路的方法，该方法包括步骤：

提供包括适合于耦合到测试器装置的板的探针卡，

提供耦合到所述板的多个探针，

提供多个可替换基本单元，每个可替换基本单元包括用于接触集成电路的至少一个探针，

与晶片上的所述至少一个半导体材料管芯相对应地布置所述多个可替换基本单元，

使集成电路与各探针接触，

在测试装置处，生成至少一个第一测试信号，

通过各探针向集成电路提供所述至少一个第一测试信号，以及

根据接收到的至少一个第一测试信号将由集成电路生成的至少一个第二测试信号提供给测试装置。

16.一种用于测试集成在半导体材料晶片的至少一个管芯上的至少一个集成电路的测试装置，所述装置包括：

探针卡，其适合于充当测试器与半导体材料晶片的至少一个管芯之间的通信链路，根据权利要求1至14中的任何一项实现所述探针卡。

Images