CN101941790B - 一种延长pdp浮法玻璃窑炉碹顶寿命的方法 - Google Patents
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Abstract
一种延长PDP浮法玻璃窑炉碹顶寿命的方法，解决在PDP浮法玻璃生产中延长窑炉碹顶寿命的技术难题，采用的技术方案是，以上方法应用于PDP等离子液晶玻璃制造工艺的生产线中，通过对窑炉碹顶硅砖的温度进行监控，根据窑炉内的侵蚀情况进行及时维护、延长窑炉碹顶的寿命，关键是：在窑炉入口端的窑炉前脸吊墙以及窑炉内的各个小炉的截面中心线位置分别设置电偶砖和热电偶、形成横向至少三个测温点，测温点的测温模式为：热电偶A穿透碹顶硅砖或热电偶B嵌入碹顶硅砖中、或者热电偶A穿透碹顶硅砖和热电偶B嵌入碹顶硅砖中。
Description
技术领域
本发明属于等离子玻璃制造工艺技术领域，涉及到一种可以延长浮法玻璃窑炉碹顶寿命的方法，特别是涉及通过精确形位测量及控制碹顶硅砖的温度实施有效的监控措施进而延长碹顶寿命的措施。
背景技术
在普通浮法玻璃生产现线中，窑炉碹顶一般采用优质硅砖砌筑以保证质量和使用寿命。在正常使用下的最高温度为1610℃，这与硅砖的最高使用温度1680℃相差70℃，因此在普通浮法生产工艺中，使用优质硅砖砌筑碹顶比较安全，其使用周期也比较长，最高达到15年；而在PDP等离子浮法玻璃生产过程中，其碹顶也采用优质硅砖，但是其正常使用的最高温度达到1660℃，与硅砖的最高使用温度1680℃相差仅20℃。在1660℃温度下，硅砖被高温侵蚀的速度也比普通浮法玻璃的最高使用温度1610℃快3倍，因此要保证熔窑安全正常运行、延长PDP玻璃窑炉使用寿命，必须要对PDP浮法硅质熔窑碹顶进行处理。因为PDP窑炉采用了和普通浮法生产工艺中同样的硅质砖作为碹顶砖，而PDP窑炉的使用温度比普通浮法温度要高60℃，达到1660℃，此温度已经接近硅砖的使用温度极限。所以，对硅砖内部温度的掌控非常重要。因此在PDP浮法工艺中如何延长碹顶寿命则成为了值得研究的难题。
发明内容
本发明的目的是为了解决在PDP浮法玻璃生产中延长窑炉碹顶寿命的技术难题，通过长时间的试验摸索设计出了一种延长PDP浮法玻璃窑炉碹顶寿命的方法，借助精确测量碹顶的温度、以及对测量出碹顶的温度进行在线监控，进而得到快速有效的控制措施使得准确维持硅质砖处在极限温度之内，延长了碹顶寿命。
本发明为实现发明目的采用的技术方案是，一种延长PDP浮法玻璃窑炉碹顶寿命的方法，以上方法应用于PDP等离子液晶玻璃制造工艺的生产线中，包括对窑炉碹顶硅砖的温度进行在线监控，根据窑炉内的侵蚀程度的数据进行的维护、修补措施，对窑炉碹顶硅砖的温度进行监测与控制的方法是：在窑炉入口端的窑炉前脸吊墙以及窑炉内的各个小炉的截面中心线位置分别设置电偶砖和热电偶、形成横向至少三个测温点，测温点的测温模式为：热电偶A穿透碹顶硅砖或热电偶B嵌入碹顶硅砖中、或者热电偶A穿透碹顶硅砖和热电偶B嵌入碹顶硅砖中。
本发明考虑到：因为窑炉整体温度很高，需要对窑炉整体温度有一个比较详细的了解；所以测量碹顶硅砖的测量点比普通浮法要多，布点的原则是：在高温区域既要注重中心部位的温度，最高温度区在中心，所以中心部位采用了“穿透”、“半穿透”管理，“穿透”即热电偶A穿透碹顶硅砖的结构，“半穿透”即热电偶B嵌入碹顶硅砖中的结构；也要注意边部温度，边部温度靠近喷火口，距离火焰比较近，所以在窑炉的高温区的小炉附近，也采用了“穿透”、“半穿透”管理；在前脸吊墙中心线的位置，也采用了横向三点测温，主要是通过观察其与高温区小炉中心线处各测点温度差来判断熔窑内玻璃液可能的对流情况。
本发明对窑炉碹顶的温度测量采用多测量点布局测温，以及采用了穿透与半穿透的混合测量，通过监控两者测量的温度差范围，进而采取相应措施进行防护，另外也对碹顶硅砖的结构、加工精度、尺寸进行改进，很好的延长了PDP浮法玻璃窑炉碹顶的寿命，进一步降低了生产成本；延长PDP浮法玻璃窑炉的使用周期，显著提高了生产效益。
下面结合附图对本发明进行详细说明。
附图说明
图1是对碹顶硅砖进行测温的测温点的布局示意图。
图2是窑炉碹顶截面的结构示意图。
图3和图4分别是本发明中热电偶和碹顶硅砖的两种位置关系。
附图中，1是窑炉入口端的窑炉前脸吊墙的中心线位置，2是窑炉内的各个小炉的中心线位置，3是碹顶硅砖，4是热电偶A，5是热电偶B，6是外保温层，7是内保温层。
具体实施方式
一种延长PDP浮法玻璃窑炉碹顶寿命的方法，以上方法应用于PDP等离子液晶玻璃制造工艺的生产线中，包括对窑炉碹顶硅砖的温度进行在线监控，根据窑炉内的侵蚀程度的数据进行的维护、修补措施，对窑炉碹顶硅砖的温度进行监测与控制的方法是：在窑炉入口端的窑炉前脸吊墙以及窑炉内的各个小炉的截面中心线位置分别设置电偶砖和热电偶、形成横向至少三个测温点，测温点的测温模式为：热电偶A4穿透碹顶硅砖3或热电偶B5嵌入碹顶硅砖3中、或者热电偶A4穿透碹顶硅砖3和热电偶B5嵌入碹顶硅砖3中。
上述的方法还包括对窑炉碹顶结构进行改进：碹顶硅砖3层的厚度增加50～70mm。
上述的碹顶硅砖3的加工精度是±0.1～0.3mm。
在碹顶硅砖3上设置厚度为80～100mm的双层保温层。
上述的双层保温层的保温材料是轻质硅钙板。
将窑炉碹顶分为三个区域，小于1500℃区域，1500℃～1600℃区域，大于1600℃区域，从低温度到高温度区域，双层保温层的厚度依次减薄20mm。
在某200吨/天PDP浮法玻璃生产线上，其熔窑采用利用硅质进行了碹顶，其体积约为15660cm3，采用了硅质承重硅砖，其体积比普通浮法玻璃碹顶的体积大约增加了1倍左右；重量至少达到15公斤。该承重硅质材料的表面的加工精度在0～0.5mm；其熔窑碹顶硅砖3整体厚度比普通浮法线增加了50mm；其所用的熔窑碹顶保温材料轻质硅质保温材料和硅钙板的密度要比普通浮法小；由于PDP浮法玻璃生产线熔窑碹顶整体温度要比普通浮法生产线熔窑整体温度高80℃左右，在碹顶纵向采用了比普通浮法多的测量点，参看图1，图中圆圈代表测量点的位置，在窑炉入口端的窑炉前脸吊墙的中心线位置1横向设置三个测量点，在窑炉内的各个小炉的中心线位置2也设置有一个或三个测量点，而在碹顶横向重要区域均采用了三测量点布局的模式；在碹顶硅砖3最高温度点所在区域，在同一块测量砖上设置了两个测量点，一个采用穿透模式，另一个采用2/3穿透模式，根据二者所测量的温度差，来对碹顶硅砖3的侵蚀情况进行判断，并采取相应的处理措施，其措施具体如下：当温度差大于20℃时，保持现状；当温度差15℃～20℃时，将碹顶整个热端区域的外保温材料拆除；当温度差10℃～15℃时，将碹顶整个热端区域的内保温材料拆除；当温度差5℃～10℃时，对碹顶整个热端区域进行适当的风冷；当温度差低于5℃时，说明碹顶侵蚀将近1/3，需要用内窥式观察镜进行确认熔窑内侵蚀情况，同时考虑生产线的冷修。
通过采取了科学具体管理方式和处理措施，最大程度的保证了生产线的安全正常运行，延长PDP浮法玻璃窑炉的使用周期，显著提高了生产效益。
Claims (1)
1.一种延长PDP浮法玻璃窑炉碹顶寿命的方法，以上方法应用于PDP等离子液晶玻璃制造工艺的生产线中，包括对窑炉碹顶硅砖的温度进行在线监控，根据窑炉内的侵蚀程度的数据进行的维护、修补措施，其特征在于：对窑炉碹顶硅砖的温度进行监测与控制的方法是：在窑炉入口端的窑炉前脸吊墙以及窑炉内的各个小炉的截面中心线位置分别设置电偶砖和热电偶、形成横向至少三个测温点，测温点的测温模式为：热电偶A(4)穿透碹顶硅砖(3)或/和热电偶B(5)嵌入碹顶硅砖(3)中，所述的方法还包括对窑炉碹顶结构进行改进：碹顶硅砖(3)层的厚度增加50～70mm，所述的碹顶硅砖(3)的加工精度是±0.1～0.3mm，在碹顶硅砖(3)上设置厚度为80～100mm的双层保温层，所述的双层保温层的保温材料是轻质硅钙板，将窑炉碹顶分为三个区域，小于1500℃区域，1500℃～1600℃区域，大于1600℃区域。
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