CN101924121B - 一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法 - Google Patents
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 abstract description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种微晶硅和多晶硅共用的显示面板及其制造方法。本发明技术方案通过制作微晶硅层和局域激光结晶化的方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的多晶硅开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的微晶硅驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
背景技术
对于应用于有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)的薄膜晶体管(TFT)阵列基板来说，像素电路中的TFT按照功能可以分为用于驱动有机发光器件(OLED)的驱动TFT和起到开关作用的开关TFT两大类，其中驱动TFT因为要给OLED器件提供稳定的电流所以需要有很好的一致性，而开关TFT对一致性要求不高但需要有大的开关电流比，亦即高载流子迁移率。目前在TFT阵列基板方面应用较多的是低温多晶硅(LTPS)技术，该技术通常先在玻璃基板上沉积非晶硅层(a-Si)，然后通过热处理使非晶硅结晶以形成具有较平滑及较大晶粒的多晶硅(p-Si)薄膜，接下来利用多晶硅薄膜来制作TFT阵列。采用LTPS技术尤其是主流的准分子激光退火(ELA)技术获得的多晶硅TFT通常具有迁移率高的特点，但一致性相对较差；在另一方面，采用PECVD等方法制作的微晶硅TFT可以获得很好的一致性，但载流子迁移率通常相对较低。因此，单独采用多晶硅TFT或微晶硅TFT技术很难同时获得具有高载流子迁移率的开关TFT和很好一致性的驱动TFT，无法完全满足AMOLED的应用需求。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法。
本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的：
本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器，包括一基板；配置于该基板上的多个像素，并呈矩阵排列；平行配置于像素之间的多条数据线；平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线。上述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，上述开关区域内具有开关薄膜晶体管，上述驱动区域内具有驱动薄 膜晶体管，且开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。
上述有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
在基板上采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)的方法设置一微晶硅层，其中包含所述开关区域和所述驱动区域；
利用激光束通过掩模板对开关区域的微晶硅层进行处理，以形成多晶硅层；
在上述开关区域的多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在上述驱动区域的微晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。
本发明提供的有源矩阵有机发光显示器，像素内开关区域中的多晶硅开关TFT具有高载流子迁移率，驱动区域中的微晶硅驱动TFT具有良好的一致性，从而可以实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提升。
附图说明
图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图；
图2为图1中像素12的放大结构示意图；
图3A为本发明形成微晶硅层的示意图；
图3B为本发明形成多晶硅层的示意图；
图4为图3B中所用掩膜板的结构示意图。
附图标记说明如下：
玻璃基板11 像素12
数据线13 扫描线14
开关区域21 驱动区域22
开关薄膜晶体管23 驱动薄膜晶体管24
存储电容25 有机发光器件26
玻璃基板31 缓冲层32
微晶硅层33 多晶硅层34
掩膜板35，41 通孔42
具体实施方式
为让本发明的上述内容更明显易懂，下文特举较佳实施例，并结合附图作详细说明如下。
实施例
图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图，如图所示，该阵列基板包括玻璃基板11，配置于该基板上的多个像素12，并呈矩阵排列，平行配置于像素之间的多条数据线13，平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线14。图2为图1中像素12的放大结构示意图，如图所示，所述像素12的像素区域内具有一开关区域21和一驱动区域22，所述开关区域21内具有开关薄膜晶体管23，所述驱动区域22内具有驱动薄膜晶体管24，还包括存储电容25和有机发光器件26。所述驱动薄膜晶体管的载流子迁移率约为3cm2/Vs，所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率约为80cm2/Vs。
图3A和3B为本发明实施例所述显示器制造方法的各工艺步骤图示，所示图2中AA’截面区域的工艺图示。如图3A所示，先在玻璃基板31上沉积一层SiOx或SiNx/SiOx缓冲层32，再通过PECVD的方法，在缓冲层32上形成一层微晶硅层33，其中包含图2中的开关区域21和驱动区域22；如图3B所示，利用激光结晶化的方法，如ELA等方法，通过掩膜板35对上一步形成的微晶硅层33进行局域处理，将对应开关区域21的微晶硅层33转变为多晶硅层34。完成微晶硅层和多晶硅层的制作后，在驱动区域22对应的微晶硅层上制作驱动薄膜晶体管24，在开关区域21对应的多晶硅层上制作开关薄膜晶体管23，继而完成后续工艺步骤。
图4为图3B所示步骤中所用掩膜板35的结构示意图，如图所示，该掩模板41仅在对应各像素中开关区域的位置处设置通孔42，以使在激光结晶化步骤中激光束能够通过通孔42对开关区域的微晶硅层进行局域处理使其转变为多晶硅层。
通过本发明技术方案制造的AMOLED显示器，可以满足AMOLED应用对像素内不同薄膜晶体管特性的不同需求，具体来讲，即开关区域的开关TFT具有高载流子迁移率，驱动区域的驱动TFT具有良好的一致性，从而实现AMOLED显示器整体性能的提高。
虽然本发明已以比较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此，本发明的保护范围当以申请的专利范围所界定为准。
Claims (7)
1.一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述有源矩阵有机发光显示器包括：
一基板；
以及配置在该基板上的
多个像素，呈矩阵排列；
多条数据线，平行配置于像素之间；
多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直；
所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，
所述开关区域内具有开关薄膜晶体管，所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，
所述制造方法包括以下步骤：
在所述基板上设置一微晶硅层，其中包含所述开关区域和驱动区域；
将所述开关区域的所述微晶硅层进行再处理，形成多晶硅层；
在所述开关区域的所述多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在所述驱动区域的所述微晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，
采用等离子增强化学气相沉积的方法设置一微晶硅层。
3.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，
采用准分子激光退火的方法将所述开关区域的所述微晶硅层转变为多晶硅层。
4.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，
所述多晶硅层上制作的开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述微晶硅层上制作的驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。
5.如权利要求4所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，
其中所述驱动区域的微晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率为3cm2/Vs。
6.如权利要求4所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，
其中所述开关区域的多晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率为80cm2/Vs。
7.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，通过掩模板方式形成多晶硅层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101777442A CN101924121B (zh) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | 一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101777442A CN101924121B (zh) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | 一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101924121A CN101924121A (zh) | 2010-12-22 |
| CN101924121B true CN101924121B (zh) | 2012-08-01 |
Family
ID=43338909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101777442A Active CN101924121B (zh) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | 一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101924121B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107146855A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6169013B1 (en) * | 1997-03-07 | 2001-01-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of optimizing crystal grain size in polycrystalline silicon films |
| KR101277606B1 (ko) * | 2006-03-22 | 2013-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN101521201B (zh) * | 2008-02-25 | 2012-02-08 | 奇美电子股份有限公司 | 具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构、方法及装置 |
| CN101924070A (zh) * | 2010-05-20 | 2010-12-22 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法 |
| CN101924071B (zh) * | 2010-05-20 | 2012-10-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法 |
-
2010
- 2010-05-20 CN CN2010101777442A patent/CN101924121B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101924121A (zh) | 2010-12-22 |
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Legal Events
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| C06 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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