CN101924071B - 一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。本发明技术方案采用先通过金属诱导结晶化或金属横向诱导结晶化，再固相结晶化的双重结晶化方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板及其制造方法。
背景技术
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)已经普遍地应用在平面显示器上，例如，有源矩阵液晶显示器(AMLCD)、有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)等。该类型显示器一般是先在玻璃基板上沉积非晶硅层(a-Si)，然后通过热处理使非晶硅结晶以形成具有较平滑及较大晶粒的多晶硅膜(p-Si)，接下来利用多晶硅膜来制作薄膜晶体管(TFT)阵列。目前对于LTPS结晶化技术来说，金属诱导结晶化(MIC)、金属诱导横向结晶化(MILC)、固相结晶化(SPC)等都属于主流技术。其中采用MIC或MILC技术获得的TFT通常具有载流子迁移率高的特点，但一致性相对较差；而采用SPC技术获得的TFT通常一致性很好，但载流子迁移率相对较低。在AMLCD应用中，像素电路中的TFT只起到开关作用。而对于AMOLED应用来说，像素电路中的TFT按照功能可以分为用于驱动有机发光器件(OLED)的驱动TFT和起到开关作用的开关TFT两大类，其中驱动TFT因为要给OLED器件提供稳定的电流所以需要有很好的一致性，而开关TFT对一致性要求不高但需要有大的开关电流比，亦即高载流子迁移率。因此，单独采用MIC/MILC或SPC技术很难同时获得具有高载流子迁移率的开关TFT和很好一致性的驱动TFT，无法完全满足AMOLED的应用需求。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法。
本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的：
本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器，包括一基板；配置于该基板上的多个像素，并呈矩阵排列；平行配置于像素之间的多条数据线；平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线。上述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，上述开关区域内具有开关薄膜晶体管，上述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，且开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。
上述有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
在基板上设置一非晶硅层；
通过金属诱导结晶化或金属诱导横向结晶化方法，将所述开关区域的所述非晶硅层转变为第一多晶硅层；
再利用固相结晶化方法对所述驱动区域的所述非晶硅层进行结晶化处理，以形成第二多晶硅层；
在上述开关区域的第一多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在上述驱动区域的第二多晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。
本发明提供的有源矩阵有机发光显示器，像素内开关区域中的开关TFT具有高载流子迁移率，驱动区域中的驱动TFT具有良好的一致性，从而可以实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提升。
附图说明
图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图；
图2为图1中像素12的放大结构示意图；
图3A为本发明形成非晶硅层的示意图；
图3B为本发明形成第一多晶硅层的示意图；
图3C为本发明形成第二多晶硅层的示意图。
附图标记说明如下：
玻璃基板11 像素12
数据线13 扫描线14
开关区域21 驱动区域22
开关薄膜晶体管23 驱动薄膜晶体管24
存储电容25 有机发光器件26
玻璃基板31 缓冲层32
非晶硅层33 第一多晶硅层34
第二多晶硅层35
具体实施方式
为让本发明的上述内容更明显易懂，下文特举较佳实施例，并结合附图作详细说明如下。
实施例1
图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图，如图所示，该阵列基板包括玻璃基板11，配置于该基板上的多个像素12，并呈矩阵排列，平行配置于像素之间的多条数据线13，平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线14。图2为图1中像素12的放大结构示意图，如图所示，所述像素12的像素区域内具有一开关区域21和一驱动区域22，所述开关区域21内具有开关薄膜晶体管23，所述驱动区域22内具有驱动薄膜晶体管24，还包括存储电容25和有机发光器件26。所述驱动薄膜晶体管24的载流子迁移率约为30cm2/Vs，所述开关薄膜晶体管23的载流子迁移率约为60cm2/Vs。
图3A～3C为本发明实施例所述显示器制造方法的各工艺步骤图示，所示图2中AA’截面区域的工艺图示。如图3A所示，先在玻璃基板31上沉积一层非晶硅层33，在沉积非晶硅层33之前还可以先在玻璃基板31上沉积一层SiOx或SiNx/SiOx缓冲层32；如图3B所示，通过MIC方法，将对应图2中开关区域21的非晶硅层33转变为第一多晶硅层34；如图3C所示，利用SPC方法，对整个基板进行处理，将开关区域21以外的非晶硅层33转变为第二多晶硅层35。完成第一多晶硅层34和第二多晶硅层35的制作后，在开关区域21对应的第一多晶硅层上制作开关薄膜晶体管23，在驱动区域22对应的第二多晶硅层上制作驱动薄膜晶体管24，继而完成后续工艺步骤。
通过本发明技术方案制造的AMOLED显示器，可以满足AMOLED应用对像素内不同薄膜晶体管特性的不同需求，具体来讲，即开关区域的开关TFT具有高载流子迁移率，驱动区域的驱动TFT具有良好的一致性，从而实现AMOLED显示器整体性能的提高。
实施例2
本发明实施例2之示意图如图1-5，与实施例1不同之处在于，如图3B中通过MILC方法，将对应图2中开关区域21的非晶硅层33转变为第一多晶硅层34，其他均同实施例1。
虽然本发明已以比较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此，本发明的保护范围当以申请的专利范围所界定为准。
Claims (8)
1.一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述有源矩阵有机发光显示器包括：
一基板；
以及配置在该基板上的
多个像素，呈矩阵排列；
多条数据线，平行配置于像素之间；
多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直；
所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，
所述开关区域内具有开关薄膜晶体管，所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，
所述制造方法包括以下步骤：
在所述基板上设置一非晶硅层；
通过金属诱导结晶化或金属诱导横向结晶化方法，将所述开关区域的所述非晶硅层转变为第一多晶硅层；
利用固相结晶化方法对所述驱动区域的所述非晶硅层进行结晶化处理，形成第二多晶硅层；
在所述开关区域的第一多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在所述驱动区域的第二多晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，其中所述第一多晶硅层上制作的开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述第二多晶硅层上制作的驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。
3.如权利要求2所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，其中所述开关区域的第一多晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率为40-120cm2/Vs。
4.如权利要求2所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，其中所述驱动区域的第二多晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率为10-40cm2/Vs。
5.一种有源矩阵有机发光显示器，包括：
一基板；
以及配置在该基板上的
多个像素，呈矩阵排列；
多条数据线，平行配置于像素之间；
多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直；
所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，
所述开关区域内具有开关薄膜晶体管，所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，
其特征在于，其中所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述驱动薄膜晶体管的载流子迁移率，
所述的有源矩阵有机发光显示器，其特征在于，其中所述驱动薄膜晶体管的载流子迁移率为10-40cm2/Vs，开关薄膜晶体管的载流子迁移率为40-120cm2/Vs。
6.一种移动通信设备，其特征在于，所述移动通讯设备包括如权利要求5所述的有源矩阵有机发光显示器。
7.一种视频播放设备，其特征在于，所述视频播放设备包括如权利要求5所述的有源矩阵有机发光显示器。
8.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括如权利要求5所述的有源矩阵有机发光显示器。
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| CN201010177755A CN101924071B (zh) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | 一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法 |
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