CN101905448A - 一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法 - Google Patents
一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101905448A CN101905448A CN 201010217079 CN201010217079A CN101905448A CN 101905448 A CN101905448 A CN 101905448A CN 201010217079 CN201010217079 CN 201010217079 CN 201010217079 A CN201010217079 A CN 201010217079A CN 101905448 A CN101905448 A CN 101905448A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing pad
- mechanical planarization
- chemical
- base layer
- flexible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000013305 flexible fiber Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 3
- -1 Merlon Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 229920001688 coating polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 8
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001269238 Data Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005594 polymer fiber Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
本发明公开了属于化学机械平坦化工艺技术领域中的一种可用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法。本发明抛光垫包括一基体层,所述基体层上设有一柔性纳米刷层。首先制备模板,再将聚合物溶液涂在基体层上,然后将模板上的纳米结构转移到基体层上,得到本发明的纳米刷抛光垫。本发明所述抛光垫与现有技术相比最突出的优势是具有柔性纤维结构,和被抛光表面在柔性接触下,实现材料去除,能最大程度上解决现有化学机械平坦化技术中遇到的应力问题,适用于超低压力下的CMP。此外还可以解决较硬抛光垫出现的划痕、过抛、蝶形和侵蚀等缺陷问题,获得更高质量的被抛光表面。本发明所述的抛光垫制作方法简单,工艺过程可控性好,抛光性能稳定。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域中的化学机械平坦化工艺,尤其是一种可用于化学机械平坦化的抛光垫,更具体而言,本发明涉及一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法。
背景技术
化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization/Polishing,简称CMP),被认为是目前实现全局平面化的最有效方法。CMP作为一种古老的工艺最初被用来抛光玻璃,20世纪80年代,IBM首次将CMP应用到微电子制造工艺中SiO2的抛光,自那时起便得到了非常迅速的发展,目前CMP的应用已经扩展到金属(如Al、Cu、Ti、Ta、W等)、电介质(如SiO2、Si3N4、各种Low-k材料等)、多晶硅、陶瓷、磁盘、磁头以及MEMS等。
图1为一种典型的化学机械平坦化示意图。如图1所示,在传统的化学机械平坦化工艺中,抛光头1提供负载,携带晶圆4压在抛光垫6上,含有磨料和化学剂的抛光液9被供应到抛光垫6表面。晶圆4和抛光垫6之间通过自身的旋转和抛光头的横向移动,利用晶圆4的被抛光表面与抛光垫6和抛光液9中磨料之间的机械作用,以及与抛光液9之间的化学作用,实现晶圆4表面材料的去除和平坦化。现有技术中的典型抛光垫是多孔聚氨酯型抛光垫,采用复杂的发泡工艺制作而成,如Rohm & Haas的IC1000TM抛光垫,且可以包括可压缩的衬垫,如Rohm & Haas的SUBATMⅣ。
化学机械平坦化技术的目的一般有两个,其一是使被抛光表面在较高速度下实现材料去除,其二是获得较高质量的表面。但是使用现有技术中的化学机械抛光垫通常会使被抛光表面出现过抛、划痕、蝶形凹陷和侵蚀等问题。
随着集成电路线宽特征尺寸的不断降低和集成度的不断提高,对化学机械平坦化技术提出了更高的要求。特征尺寸的不断减小,由尺寸效应引起阻容迟滞(RC delay)成指数关系快速上升,这意味着芯片的速度随集成度的提高而变缓,为了解决这一问题,学者们提出用铜金属作为导线材料以减小电阻,用Low-k材料做电介质以降低导线间电容,但铜导线与Low-k材料的弹性模量之比高达15~60∶1,传统CMP技术中使用硬度较大的抛光垫,势必会破坏铜导线和Low-k电介质,因此需要研制新型的柔性抛光垫,在超低应力下实现材料去除。
中国专利200680003086.7公开了一种用于低压研磨的研磨垫(即抛光垫),通过调节抛光垫研磨层和背衬层的厚度和硬度,使研磨表面在小于等于1.5psi的压力下偏斜,且使偏斜程度大于研磨层厚度的不均匀度,以此获得高质量的表面,但这种研磨垫与传统的抛光垫没有本质上区别,不能克服传统抛光垫的固有缺陷。中国专利200680012730.7公开了一种依据抛光规范如被抛光材料、芯片结构等而定制的抛光垫,但这种抛光垫制作过程复杂,且需要大量的经验数据才有可能投入应用。
发明内容
本发明针对现有化学机械平坦化技术中会出现的划痕、过抛、蝶形和侵蚀等缺陷尤其是应力问题以及抛光垫制作过程复杂等问题,提出了一种新型的柔性纳米刷抛光垫及其制造方法。该抛光垫制作工艺简单,抛光性能稳定,抛光后被加工表面质量高。
一种用于化学机械平坦化的抛光垫,其特征在于:所述抛光垫包括一基体层,所述基体层上设有一柔性纳米刷层,所述柔性纳米刷层工作表面具有如下特征的柔性纤维:
直径:1nm~10μm;
间距:1nm~10μm;
长度:100nm~1000μm;
长径比:1∶10~10000∶1。
所述的柔性纳米刷层中的柔性纤维轴向与工作表面间夹角在20°~160°之间。优选柔性纤维轴向与工作表面间夹角为90°或趋于90°。
所述的柔性纤维具有较大的柔性。
所述的柔性纤维具有线状、带状或管状结构。
所述的抛光垫根据需要可在基体层底部附上弹性衬底层。即本发明的纳米刷抛光垫至少包括柔性纳米刷层和基体层,必要时还可以在基体层底部附上弹性衬底层。
所述的抛光垫工作表面根据需要加工有适于抛光液流动的沟槽或孔洞。
所述的柔性纳米刷层由热塑性或热固性聚合物制成,所述的热塑性聚合物材料选自聚烯烃、聚酰胺、聚酯、热塑性聚氨酯、聚氯乙烯和聚醚中的一种或几种的混合物,所述的热固性聚合物材料选自酚醛树脂、尿醛树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、不饱和聚酯、热固性聚氨酯和有机硅中的一种或几种的混合物,优选聚氨酯。
一种用于化学机械平坦化的抛光垫的制造方法,其特征在于包含以下步骤:
(1)制作用于形成柔性纳米刷的模板,所述的用于形成柔性纳米刷的模板,具有如下特征的孔洞:
直径:1nm~10μm;
间距:1nm~10μm;
深度:100nm~1000μm;
深宽比:1∶10~10000∶1;
孔洞轴向与模板表面间夹角在20°~160°之间;优选孔洞轴向垂直于或趋于垂直于模板表面;
(2)准备刚性聚合物基体作为基体层;
(3)准备用来制作柔性纳米刷的聚合物混合液,可将聚合物原料和固化剂或溶剂以及其它助剂按比例混合均匀;
(4)将准备好的聚合物混合液涂在刚性聚合物基体上,采用现有技术中的纳米结构成型方法将模板上的纳米结构转移到刚性聚合物基体表面;
(5)去除或分离模板,在基体层上形成具有柔性纤维的柔性纳米刷层,得到柔性纳米刷抛光垫。
所述的刚性聚合物基体为市售的厚度和均匀性良好的聚合物板材,优选其硬度在40~80邵氏D之间。
必要时在基体层底部粘贴上一层弹性衬底层。所述的弹性衬底层为市售的低密度多孔泡沫或聚合物纤维毡,其硬度低于基体层硬度,优选在30~80邵氏A之间。
必要时在步骤(2)准备的基体层上预先加工出沟槽或孔洞,或在步骤(5)抛光垫成型后再加工出沟槽或孔洞。所述的沟槽或孔洞可采用现有技术加工而成,如切削、激光加工、热压、滚花或压印等,优选为切削加工。
所述的模板材料为硅、氧化铝、金属材料(包括铝、铜、钢等)或有机材料(包括醋酸纤维素、聚碳酸酯、芳香族聚酰胺、聚醚砜、聚偏氟乙烯等),采用现有技术中的刻蚀、阳极氧化、径迹蚀刻或激光微加工等方法加工而成。所述的模板去除或剥离方法是现有技术中的剥离脱模、加热熔化、溶解或腐蚀等。
所述用来制作柔性纳米刷的聚合物为热塑性或热固性聚合物,所述的热塑性聚合物材料选自聚烯烃、聚酰胺、聚酯、热塑性聚氨酯、聚氯乙烯和聚醚中的一种或几种的混合物,所述的热固性聚合物材料选自酚醛树脂、尿醛树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、不饱和聚酯、热固性聚氨酯和有机硅中的一种或几种的混合物,优选为聚氨酯。
本发明的有益效果为:本发明所述抛光垫与现有技术相比最突出的优势是具有柔性纤维结构,和被抛光表面在柔性接触下,实现材料去除,能最大程度上解决现有化学机械平坦化技术中遇到的应力问题,适用于超低压力下的CMP。此外还可以解决较硬抛光垫出现的划痕、过抛、蝶形和侵蚀等缺陷问题,获得更高质量的被抛光表面。本发明所述的抛光垫制作方法简单,工艺过程可控性好,抛光性能稳定。
附图说明
图1为一种典型的化学机械平坦化示意图;
图2为本发明柔性纳米刷抛光垫无沟槽实施例的示意图;
图3为本发明柔性纤维与抛光垫工作表面间夹角示意图;
图4为本发明实施例2中的沟槽参数图;
图5为本发明柔性纳米刷抛光垫有沟槽实施例的示意图(主视图);
图6为图4对应的俯视图;
图7为本发明实施例1中柔性纳米刷抛光垫表面SEM照片。
图中标号:
1-抛光头,2-背膜,3-保持环,4-晶圆,5-抛光盘,6-抛光垫,7-修整器,8-抛光液传输装置,9-抛光液,10-柔性纤维,11-柔性纳米刷层,12-基体层,13-弹性衬底层,14-柔性纤维轴向与抛光垫工作表面夹角范围,15-抛光垫工作表面,16-沟槽,a-沟槽宽度,b-沟槽深度,c-沟槽间距。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明,但本发明的范围并不限于这些实施例。
实施例1
如图2所示,一种柔性纳米刷抛光垫,表面无沟槽和孔洞,由柔性纳米刷层11、基体层12和弹性衬底层13组成,柔性纳米刷层11工作表面具有如下特征的柔性纤维:
直径:≈200nm;
间距(指纤维根部轴线中心距):≈270nm;
长度:≈20μm;
长径比:≈100∶1。
所述的柔性纳米刷层中的柔性纤维轴向与工作表面间夹角趋于90°。
其制备方法包括以下步骤:
(1)采用阳极氧化的方法制作平均孔径为200nm,深度为60μm,孔中心距≈270nm的氧化铝模板;孔洞轴向与模板表面间夹角为90°,即孔洞轴向垂直于模板表面;孔洞轴向与模板表面间夹角在一定程度上决定了柔性纤维与抛光垫工作表面间夹角,但后续处理和纤维自身的柔性均可以改变柔性纤维与抛光垫工作表面间的夹角;实际的纤维轴向与抛光垫工作表面间夹角如图3所示;
(2)准备一块经处理过的干净并且平整光滑的聚氨酯板(邵氏硬度:65D)作为基体层12;
(3)将一定量的热塑性聚氨酯颗粒溶解在N,N-二甲基甲酰胺中配成质量浓度为10%的溶液;
(4)将步骤(3)中准备好的聚合物溶液涂在步骤(2)中准备好的刚性聚合物基体上,放上步骤(1)中所制作的模板,溶液进入模板孔洞,溶剂挥发后聚氨酯固化;
(5)用10%的氢氧化钠溶液除去1/3厚度的氧化铝模板,露出长度~20μm的柔性纤维;
(6)在基体层12底部粘贴上一层聚氨酯浸渍纤维毡(邵氏硬度:70A)13即可得到本发明所述的柔性纳米刷抛光垫,如图2所示。
必要时在图2所示的柔性纳米刷抛光垫工作表面上加工出沟槽或孔洞,效果如图5所示。
图7为本发明实施例1中制作的柔性纳米刷抛光垫表面的扫描电子显微镜(SEM)照片。
实施例2
一种柔性纳米刷抛光垫,由柔性纳米刷层11、基体层12和弹性衬底层13组成,纳米刷抛光垫表面有沟槽,柔性纳米刷层11工作表面具有如下特征的柔性纤维:
直径:≈80nm;
间距(指纤维根部轴线中心距):≈120nm;
长度:≈160nm;
长径比:≈2∶1。
所述的柔性纳米刷层中的柔性纤维轴向与工作表面间夹角趋于90°。
制作上述具有沟槽的柔性纳米刷抛光垫的方法,包括以下步骤:
(1)采用阳极氧化的方法制作平均孔径为80nm,深度为10μm,孔中心距~120nm的氧化铝模板,模板尺寸10mm×10mm,孔洞轴向与模板表面间夹角为90°,即孔洞轴向垂直于模板表面;
(2)准备一块经处理过的干净并且平整光滑的聚氨酯板(邵氏硬度:65D)作为基体层12,如图4所示,在基体层12上通过铣削的方式加工出宽度a为2mm、深度b为1.2mm、间距c为10mm的沟槽;
(4)将步骤(3)中准备好的聚合物混合液涂在步骤(2)中准备好的刚性聚合物基体的10mm×10mm方格上,形成一层均匀的液膜,用纳米压印机将步骤(1)中所制作的模板的纳米结构转移到PDMS薄膜上,固化后分离模板和PDMS,形成纳米纤维结构;
(5)依次重复步骤(4),将刚性聚合物基体上所有的10mm×10mm的方格均压印出纳米纤维结构;
(6)在基体层12底部粘贴上一层聚氨酯浸渍纤维毡(邵氏硬度:70A)13即可得到本发明所述的柔性纳米刷抛光垫,如图5和图6所示。
实施例3
一种柔性纳米刷抛光垫,表面无沟槽和孔洞,由柔性纳米刷层11、基体层12组成,柔性纳米刷层11工作表面具有如下特征的柔性纤维:
直径:10μm;
间距:10μm;
长度:20μm;
长径比:2∶1。
所述的柔性纳米刷层中的柔性纤维轴向与工作表面间夹角为60°。
其制备方法包括以下步骤:
(1)采用等离子体干法刻蚀方法DRIE在硅片表面加工出平均孔径为10μm,间距10μm,深度为20μm的多孔硅模板;孔洞轴向与模板表面间夹角为60°;
(2)准备一块经处理过的干净并且平整光滑的聚氨酯板(邵氏硬度:65D)作为基体层12;
(3)将一定量的热塑性聚氨酯颗粒溶解在N,N-二甲基甲酰胺中配成质量浓度为5%的溶液;
(4)将步骤(3)中准备好的聚合物溶液涂在步骤(2)中准备好的刚性聚合物基体上,放上步骤(1)中所制作的模板,溶液进入模板孔洞,溶剂挥发后聚氨酯固化;
(5)用HNA腐蚀液(HF(49%)∶HNO3(65%)∶CH3COOH(99%)=1∶3∶8)完全除去多孔硅模板,即可得到本发明所述的柔性纳米刷抛光垫。
必要时在柔性纳米刷抛光垫工作表面上加工出沟槽或孔洞。
本发明未涉及部分均与现有技术相同或可以通过现有技术实现。
Claims (10)
1.一种用于化学机械平坦化的抛光垫,其特征在于:所述抛光垫包括一基体层(12),所述基体层(12)上设有一柔性纳米刷层(11),所述柔性纳米刷层(11)工作表面具有如下特征的柔性纤维(10):
直径:1nm~10μm;
间距:1nm~10μm;
长度:100nm~1000μm;
长径比:1∶10~10000∶1。
2.根据权利要求1所述的一种用于化学机械平坦化的抛光垫,其特征在于:所述的柔性纳米刷层(11)中的柔性纤维轴向与工作表面间夹角在20°~160°之间。
3.根据权利要求1所述的一种用于化学机械平坦化的抛光垫,其特征在于:所述的柔性纤维(10)具有线状、带状或管状结构。
4.根据权利要求1所述的一种用于化学机械平坦化的抛光垫,其特征在于:所述的抛光垫在基体层(12)底部附上弹性衬底层(13)。
5.根据权利要求1所述的一种用于化学机械平坦化的抛光垫,其特征在于:所述的抛光垫工作表面加工有适于抛光液流动的沟槽或孔洞(16)。
6.根据权利要求1所述的一种用于化学机械平坦化的抛光垫,其特征在于:所述的柔性纳米刷层(11)由热塑性或热固性聚合物制成,所述的热塑性聚合物材料选自聚烯烃、聚酰胺、聚酯、热塑性聚氨酯、聚氯乙烯和聚醚中的一种或几种的混合物,所述的热固性聚合物材料选自酚醛树脂、尿醛树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、不饱和聚酯、热固性聚氨酯和有机硅中的一种或几种的混合物。
7.一种用于化学机械平坦化的抛光垫的制造方法,其特征在于包含以下步骤:
(1)制作用于形成柔性纳米刷的模板,所述的用于形成柔性纳米刷的模板,具有如下特征的孔洞:
直径:1nm~10μm;
间距:1nm~10μm;
深度:100nm~1000μm;
深宽比:1∶10~10000∶1;
孔洞轴向与模板表面间夹角在20°~160°之间;
(2)准备刚性聚合物基体作为基体层(12);
(3)准备用来制作柔性纳米刷的聚合物混合液;
(4)将准备好的聚合物混合液涂在刚性聚合物基体上,再将模板上的纳米结构转移到刚性聚合物基体表面;
(5)去除或分离模板,在基体层(12)上形成具有柔性纤维的柔性纳米刷层(13),得到柔性纳米刷抛光垫。
8.根据权利要求7所述的一种用于化学机械平坦化的抛光垫的制造方法,其特征在于:在基体层(12)底部粘贴上一层弹性衬底层(13)。
9.根据权利要求7所述的一种用于化学机械平坦化的抛光垫的制造方法,其特征在于:在步骤(2)准备的基体层(12)上预先加工出沟槽或孔洞,或在步骤(5)抛光垫成型后再加工出沟槽或孔洞。
10.根据权利要求7所述的一种用于化学机械平坦化的抛光垫的制造方法,其特征在于:所述的模板材料为硅、氧化铝、金属或有机材料,所述金属包括铝、铜、钢,所述有机材料包括醋酸纤维素、聚碳酸酯、芳香族聚酰胺、聚醚砜、聚偏氟乙烯。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010217079 CN101905448B (zh) | 2010-06-23 | 2010-06-23 | 一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201010217079 CN101905448B (zh) | 2010-06-23 | 2010-06-23 | 一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101905448A true CN101905448A (zh) | 2010-12-08 |
CN101905448B CN101905448B (zh) | 2013-05-22 |
Family
ID=43261111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201010217079 Expired - Fee Related CN101905448B (zh) | 2010-06-23 | 2010-06-23 | 一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101905448B (zh) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102601727A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-07-25 | 清华大学 | 化学机械抛光垫及化学机械抛光方法 |
CN104379304A (zh) * | 2012-07-24 | 2015-02-25 | 东洋橡胶工业株式会社 | 层叠抛光垫及其制造方法 |
CN104520068A (zh) * | 2012-06-04 | 2015-04-15 | 内克斯普拉纳公司 | 具有位于透明基层上方的包括孔口或开口的抛光表面层的抛光垫 |
CN105773400A (zh) * | 2011-11-29 | 2016-07-20 | 内克斯普拉纳公司 | 具有基层和抛光表面层的抛光垫 |
CN106826600A (zh) * | 2017-01-26 | 2017-06-13 | 福建自贸试验区厦门片区展瑞精芯集成电路有限公司 | 组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法 |
CN108068009A (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 富士纺控股株式会社 | 研磨垫及其制造方法、以及研磨物的制造方法 |
CN108188933A (zh) * | 2017-12-24 | 2018-06-22 | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 | 一种化学机械抛光垫的修整设备的结构及其制造方法 |
CN108698194A (zh) * | 2016-03-28 | 2018-10-23 | 福吉米株式会社 | 抛光垫及抛光方法 |
CN109075189A (zh) * | 2015-12-02 | 2018-12-21 | 于利奇研究中心有限公司 | 用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法 |
CN112749732A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-05-04 | 华南理工大学 | 一种用于结构光焊缝定位的多模板夹角分辨率计算方法 |
CN112873071A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-06-01 | 金联春 | 一种环保软质抛光盘及其加工工艺 |
CN113276017A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-08-20 | 广东工业大学 | 一种防静电抛光层、抛光垫及其制备方法和应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1565048A (zh) * | 2001-10-09 | 2005-01-12 | 日立化成工业株式会社 | Cmp用研磨垫片、使用它的基板的研磨方法及cmp用研磨垫片的制造方法 |
US20050060829A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-24 | Silvers Gary M. | Polishing and buffing pad |
US20050107018A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Alain Balmelle | Polishing product element, particularly for finishing optical lenses |
US20060116059A1 (en) * | 2000-06-23 | 2006-06-01 | International Business Machines Corporation | Fiber embedded polishing pad |
-
2010
- 2010-06-23 CN CN 201010217079 patent/CN101905448B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060116059A1 (en) * | 2000-06-23 | 2006-06-01 | International Business Machines Corporation | Fiber embedded polishing pad |
CN1565048A (zh) * | 2001-10-09 | 2005-01-12 | 日立化成工业株式会社 | Cmp用研磨垫片、使用它的基板的研磨方法及cmp用研磨垫片的制造方法 |
US20050060829A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-24 | Silvers Gary M. | Polishing and buffing pad |
US20050107018A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Alain Balmelle | Polishing product element, particularly for finishing optical lenses |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
《石化技术与应用》 20050531 尚秀丽等 氧化铝模板合成聚苯乙烯纳米纤维 第223-224页 第23卷, 第3期 2 * |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105773400A (zh) * | 2011-11-29 | 2016-07-20 | 内克斯普拉纳公司 | 具有基层和抛光表面层的抛光垫 |
CN102601727A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-07-25 | 清华大学 | 化学机械抛光垫及化学机械抛光方法 |
CN102601727B (zh) * | 2012-03-26 | 2015-02-18 | 清华大学 | 化学机械抛光垫及化学机械抛光方法 |
CN104520068A (zh) * | 2012-06-04 | 2015-04-15 | 内克斯普拉纳公司 | 具有位于透明基层上方的包括孔口或开口的抛光表面层的抛光垫 |
CN104379304A (zh) * | 2012-07-24 | 2015-02-25 | 东洋橡胶工业株式会社 | 层叠抛光垫及其制造方法 |
CN109075189B (zh) * | 2015-12-02 | 2022-03-25 | 于利奇研究中心有限公司 | 用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法 |
CN109075189A (zh) * | 2015-12-02 | 2018-12-21 | 于利奇研究中心有限公司 | 用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法 |
CN108698194A (zh) * | 2016-03-28 | 2018-10-23 | 福吉米株式会社 | 抛光垫及抛光方法 |
EP3437798A4 (en) * | 2016-03-28 | 2019-03-06 | Fujimi Incorporated | POLISHING CUSHIONS AND POLISHING PROCESSES |
CN108068009A (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 富士纺控股株式会社 | 研磨垫及其制造方法、以及研磨物的制造方法 |
CN106826600A (zh) * | 2017-01-26 | 2017-06-13 | 福建自贸试验区厦门片区展瑞精芯集成电路有限公司 | 组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法 |
CN108188933A (zh) * | 2017-12-24 | 2018-06-22 | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 | 一种化学机械抛光垫的修整设备的结构及其制造方法 |
CN112749732A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-05-04 | 华南理工大学 | 一种用于结构光焊缝定位的多模板夹角分辨率计算方法 |
CN112749732B (zh) * | 2020-12-15 | 2023-08-22 | 华南理工大学 | 一种用于结构光焊缝定位的多模板夹角分辨率计算方法 |
CN112873071A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-06-01 | 金联春 | 一种环保软质抛光盘及其加工工艺 |
CN113276017A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-08-20 | 广东工业大学 | 一种防静电抛光层、抛光垫及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101905448B (zh) | 2013-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101905448B (zh) | 一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法 | |
KR102350350B1 (ko) | 폴리싱 패드 및 시스템과 이의 제조 및 사용 방법 | |
US9162341B2 (en) | Chemical-mechanical planarization pad including patterned structural domains | |
CN102601727B (zh) | 化学机械抛光垫及化学机械抛光方法 | |
US11938584B2 (en) | Chemical mechanical planarization pads with constant groove volume | |
WO2015120430A1 (en) | 3d-printed polishing pad for chemical-mechanical planarization (cmp) | |
TW201726316A (zh) | 拋光墊與系統及其製造與使用方法 | |
TWI530998B (zh) | 硏磨元件及其製造方法 | |
KR20130138841A (ko) | 분리된 돌출부들을 그 위에 가지는 균일체를 가진 연마 패드 | |
CN1583842A (zh) | 多孔聚氨基甲酸乙酯抛光片 | |
CN101376232B (zh) | 一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法 | |
KR20090091302A (ko) | 나노미립자 충전재를 갖는 연마 용품 및 그 제조 및 사용 방법 | |
US20120190276A1 (en) | Polishing pad and methods for manufacturing and using the same | |
KR102362022B1 (ko) | 연마체 및 그 제조 방법 | |
KR20170039221A (ko) | 폴리싱 용액 및 그의 사용 방법 | |
US20030217927A1 (en) | Long-life workpiece surface influencing device structure and manufacturing method | |
Li et al. | Fixed abrasive lapping and polishing of hard brittle materials | |
CN114502324B (zh) | 抛光垫的增材制造 | |
JPH11285961A (ja) | 研磨パッド及び研磨方法 | |
KR20050107760A (ko) | 웨이퍼 연마 및 패드 컨디셔닝 방법 | |
US20200246937A1 (en) | Pads for chemical mechanical planarization tools, chemical mechanical planarization tools, and related methods | |
CN114986384B (zh) | 多晶硅环的化学机械抛光方法 | |
CN100341667C (zh) | 研磨构件 | |
CN106078516B (zh) | 一种cmp抛光垫修整器 | |
TW202400362A (zh) | 具有改善的平面化效率的拋光墊 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130522 Termination date: 20210623 |