CN101893729B - 一种中红外带通滤光片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种中红外带通滤光片，同时还公开了该滤光片的制备方法，滤光片膜系结构为MLH2LHLHLH2LHL｜Sub｜(LH)6 L，其中，Sub为基底，(LH)6 L为长波通滤光膜系，MLH2LHLHLH2LHL为带通滤光膜系，H为Ge膜层，L为SiO膜层，M为TiO2膜层。采用本发明的制备方法和膜系结构制得的中红外带通滤光片在3.0~5.0μm波段，在中心波长3.80±0.01μm、4.00±0.01μm、4.50±0.01μm和4.70±0.01μm的主峰处，峰值透射率T≥90%，除中心波长的主峰外，其余波长完全截止。本发明的中红外带通滤光片的膜层环境与可靠性均满足光学薄膜国家军用标准。
Description
技术领域
本发明涉及光学零件薄膜制造技术领域，具体涉及一种中红外带通滤光片及其制备方法。
背景技术
从光学薄膜角度来看，带通滤光片是对某一波段具有高的透射率，同时对其两侧波段高度截止。中红外带通滤光片是在中红外波段范围内，在中心波长处具有高的透射率，在其余波段高度截止。中红外带通滤光片主要应用于红外多光谱探测系统，具有滤除背景杂波作用，对提高红外光学系统信噪比，改善产品性能具有重要的意义。中红外带通滤光片对各膜层厚度、膜层的牢固度、光学特性都有极高的要求，但目前可供选择的红外膜料品种很少，同时还存在制备难度大的问题。中红外带通滤光片的膜系结构和镀制方法是目前红外光学薄膜研究的重点。
发明内容
本发明的目的是提供一种中红外带通滤光片。
同时，本发明的目的还在于提供一种中红外带通滤光片的制备方法。
为了实现以上目的，本发明所采用的技术方案是：一种中红外带通滤光片，该滤光片的膜系结构为：
MLH2LHLHLH2LHL｜Sub｜(LH)6 L
其中，Sub为基底，(LH)6 L为长波通滤光膜系，MLH2LHLHLH2LHL为带通滤光膜系，H为Ge膜层，L为SiO膜层，M为TiO2膜层。
优选地，所述基底为Si基底。
再进一步地，在长波通滤光膜系(LH)6 L中，与基底相邻的膜层为第1层，最外层为第13层，第1～13层的几何厚度值为：第1层324.6～401.5nm，第2层101.1～125.0nm，第3层364.5～450.8nm，第4层179.4～221.8nm，第5层376.3～465.4nm，第6层152.9～189.1nm，第7层335.7～415.2nm，第8层164.1～202.9nm，第9层380.8～470.9nm，第10层166.7～206.2nm，第11层325.1～402.1nm，第12层133.8～165.4nm，第13层779.4～964.0nm。
一种中红外带通滤光片的制备方法，包括以下步骤：
（1）在基底上单面镀制带通滤光膜系
a.清洁基底，并用离子源轰击5～8分钟；
b.烘烤基底，将基底放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm～2089nm；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm～2089nm；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～11层膜层，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm～2089nm；
f.镀制第12层膜层，TiO2膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强1.8×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm～2089nm；
g.真空室冷却至室温后取出单面镀制好带通滤光膜系的光学零件，该光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub膜系的光学零件，其中Sub代表基底；
（2）在基底另一面镀制长波通滤光膜系
a.清洁基底的未镀膜的一面，并用离子源轰击5～8分钟；
b.烘烤基底，将基底放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为324.6～401.5nm；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为101.1～125.0nm；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～13层膜层，膜层厚度采用晶振法监控，其中各层的几何厚度值分别为：第3层364.5～450.8nm，第4层179.4～221.8nm，第5层376.3～465.4nm，第6层152.9～189.1nm，第7层335.7～415.2nm，第8层164.1～202.9nm，第9层380.8～470.9nm，第10层166.7～206.2nm，第11层325.1～402.1nm，第12层133.8～165.4nm，第13层779.4～964.0nm；
f.真空室冷却至室温后取出双面均镀制好的光学零件，得到的光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub｜(LH)6 L膜系的光学零件，其中Sub代表基底。
优选地，所述基底为Si基底。
采用本发明的制备方法和膜系结构制得的中红外带通滤光片在3.0~5.0μm波段内，在中心波长3.80±0.01μm、4.00±0.01μm、4.50±0.01μm和4.70±0.01μm 的主峰处，峰值透射率T≥90%，除中心波长的主峰外，其余波长完全截止。本发明的中红外带通滤光片的带通宽度为△λ0.9≥105nm，△λ0.5≥165nm，△λ0.1≤365nm。本发明的中红外带通滤光片的膜层环境与可靠性均满足光学薄膜国家军用标准。
具体实施方式
实施例1
一种中红外带通滤光片，该滤光片的膜系结构为：
MLH2LHLHLH2LHL｜Si｜(LH)6 L
其中，(LH)6 L为长波通滤光膜系，MLH2LHLHLH2LHL为带通滤光膜系，H为Ge膜层，L为SiO膜层，M为TiO2膜层。长波通滤光膜系(LH)6 L中，与Si基底相邻的膜层为第1层，最外层为第13层，第1～13层的几何厚度值为：第1层324.6nm，第2层101.1nm，第3层364.5nm，第4层179.4nm，第5层376.3nm，第6层152.9nm，第7层335.7nm，第8层164.1nm，第9层380.8nm，第10层166.7nm，第11层325.1nm，第12层133.8nm，第13层779.4nm。
该中红外带通滤光片的制备方法，包括以下步骤：
（1）在Si基底上单面镀制带通滤光膜系
a.清洁Si基底，先用丙酮擦洗Si基底表面，以去除抛光过程中遗留下来的杂物、油污和辅料等，然后用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉花擦洗，镀前用离子源轰击基底5分钟，离子源参数见表1；
b.烘烤Si基底，将Si基底夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至150℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm，过2个峰值后在比例为18%处停镀；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm，更换一新监控片，过2个峰值后在比例为33.2%处停镀；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～11层膜层，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm，光比例监控参数见表2；
f.镀制第12层膜层，TiO2膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.8×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm，更换一新监控片，过2个峰值后在比例为28.9%处停镀；
g.真空室冷却至室温后取出单面镀制好带通滤光膜系的光学零件，该光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub膜系的光学零件，Sub代表Si基底；
（2）在Si基底另一面镀制长波通滤光膜系
a.清洁Si基底的未镀膜的一面，先用丙酮擦洗Si基底表面，以去除抛光过程中遗留下来的杂物、油污和辅料等，然后用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉花擦洗，镀前用离子源轰击基底5分钟，离子源参数见表1；
b.烘烤Si基底，将Si基底夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至150℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为324.6nm；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为101.1nm；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～13层膜层，膜层厚度采用晶振法监控，其中各层的几何厚度值分别为：第3层364.5nm，第4层179.4nm，第5层376.3nm，第6层152.9nm，第7层335.7nm，第8层164.1nm，第9层380.8nm，第10层166.7nm，第11层325.1nm，第12层133.8nm，第13层779.4nm；
f.真空室冷却至室温后取出双面均镀制好的光学零件，得到的光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub｜(LH)6 L膜系的光学零件，Sub代表Si基底。
实施例2
一种中红外带通滤光片，该滤光片的膜系结构为：
MLH2LHLHLH2LHL｜Si｜(LH)6 L
其中，(LH)6 L为长波通滤光膜系，MLH2LHLHLH2LHL为带通滤光膜系，H为Ge膜层，L为SiO膜层，M为TiO2膜层。长波通滤光膜系(LH)6 L中，与Si基底相邻的膜层为第1层，最外层为第13层，第1～13层的几何厚度值为：第1层341nm，第2层106nm，第3层383nm，第4层189nm，第5层396nm，第6层161nm，第7层353nm，第8层173nm，第9层401nm，第10层175nm，第11层342nm，第12层141nm，第13层820nm。
该中红外带通滤光片的制备方法，包括以下步骤：
（1）在Si基底上单面镀制带通滤光膜系
a.清洁Si基底：先用丙酮擦洗Si基底表面，以去除抛光过程中遗留下来的杂物、油污和辅料等，然后用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉花擦洗，镀前用离子源轰击基底5分钟，离子源参数见表1；
b.烘烤Si基底，将Si基底夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热Si基底至150℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1778nm，过2个峰值后在比例为18%处停镀；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1778nm，更换一新监控片，过2个峰值后在比例为33.2%处停镀；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～11层膜层，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1778nm，光比例监控参数见表2；
f.镀制第12层膜层，TiO2膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.8×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1778nm，更换一新监控片，过2个峰值后在比例为28.9%处停镀；
g.真空室冷却至室温后取出单面镀制好带通滤光膜系的光学零件，该光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub膜系的光学零件，Sub代表Si基底；
（2）在Si基底另一面镀制长波通滤光膜系
a.清洁Si基底的未镀膜的一面，先用丙酮擦洗Si基底表面，以去除抛光过程中遗留下来的杂物、油污和辅料等，然后用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉花擦洗，镀前用离子源轰击基底5分钟，离子源参数见表1；
b.烘烤Si基底，将Si基底夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热Si基底至150℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为341nm；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为106nm；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～13层膜层，膜层厚度采用晶振法监控，其中各层的几何厚度值分别为：第3层383nm，第4层189nm，第5层396nm，第6层161nm，第7层353nm，第8层173nm，第9层401nm，第10层175nm，第11层342nm，第12层141nm，第13层820nm；
f.真空室冷却至室温后取出双面均镀制好的光学零件，得到的光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub｜(LH)6 L膜系的光学零件，Sub代表Si基底。
实施例3
一种中红外带通滤光片，该滤光片的膜系结构为：
MLH2LHLHLH2LHL｜Si｜(LH)6 L
其中，(LH)6 L为长波通滤光膜系，MLH2LHLHLH2LHL为带通滤光膜系，H为Ge膜层，L为SiO膜层，M为TiO2膜层。长波通滤光膜系(LH)6 L中，与Si基底相邻的膜层为第1层，最外层为第13层，第1～13层的几何厚度值为：第1层385nm，第2层120nm，第3层433nm，第4层213nm，第5层447nm，第6层181nm，第7层400nm，第8层195nm，第9层453nm，第10层197nm，第11层387nm，第12层158nm，第13层925nm。
该中红外带通滤光片的制备方法，包括以下步骤：
（1）在Si基底上单面镀制带通滤光膜系
a.清洁Si基底：先用丙酮擦洗Si基底表面，以去除抛光过程中遗留下来的杂物、油污和辅料等，然后用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉花擦洗，镀前用离子源轰击基底5分钟，离子源参数见表1；
b.烘烤Si基底，将Si基底夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热Si基底至150℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为2000nm，过2个峰值后在比例为18%处停镀；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为2000nm，更换一新监控片，过2个峰值后在比例为33.2%处停镀；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～11层膜层，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为2000nm，光比例监控参数见表2；
f.镀制第12层膜层，TiO2膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.8×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为2000nm，更换一新监控片，过2个峰值后在比例为28.9%处停镀；
g.真空室冷却至室温后取出单面镀制好带通滤光膜系的光学零件，该光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub膜系的光学零件，Sub代表Si基底；
（2）在Si基底另一面镀制长波通滤光膜系
a.清洁Si基底的未镀膜的一面，先用丙酮擦洗Si基底表面，以去除抛光过程中遗留下来的杂物、油污和辅料等，然后用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉花擦洗，镀前用离子源轰击基底5分钟，离子源参数见表1；
b.烘烤Si基底，将Si基底夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热Si基底至150℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为385nm；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为120nm；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～13层膜层，膜层厚度采用晶振法监控，其中各层的几何厚度值分别为：第3层433nm，第4层213nm，第5层447nm，第6层181nm，第7层400nm，第8层195nm，第9层453nm，第10层197nm，第11层387nm，第12层158nm，第13层925nm；
f.真空室冷却至室温后取出双面均镀制好的光学零件，得到的光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub｜(LH)6 L膜系的光学零件，Sub代表Si基底。
实施例4
一种中红外带通滤光片，该滤光片的膜系结构为：
MLH2LHLHLH2LHL｜Si｜(LH)6 L
其中，(LH)6 L为长波通滤光膜系，MLH2LHLHLH2LHL为带通滤光膜系，H为Ge膜层，L为SiO膜层，M为TiO2膜层。长波通滤光膜系(LH)6 L中，与Si基底相邻的膜层为第1层，最外层为第13层，第1～13层的几何厚度值为：第1层401.5nm，第2层125.0nm，第3层450.8nm，第4层221.8nm，第5层465.4nm，第6层189.1nm，第7层415.2nm，第8层202.9nm，第9层470.9nm，第10层206.2nm，第11层402.1nm，第12层165.4nm，第13层964.0nm。
该中红外带通滤光片的制备方法，包括以下步骤：
（1）在Si基底上单面镀制带通滤光膜系
a.清洁Si基底，先用丙酮擦洗Si基底表面，以去除抛光过程中遗留下来的杂物、油污和辅料等，然后用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉花擦洗，镀前用离子源轰击基底5分钟，离子源参数见表1；
b.烘烤Si基底，将Si基底夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至150℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为2089nm，过2个峰值后在比例为18%处停镀；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为2089nm，更换一新监控片，过2个峰值后在比例为33.2%处停镀；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～11层膜层，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为2089nm，光比例监控参数见表2；
f.镀制第12层膜层，TiO2膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.8×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为2089nm，更换一新监控片，过2个峰值后在比例为28.9%处停镀；
g.真空室冷却至室温后取出单面镀制好带通滤光膜系的光学零件，该光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub膜系的光学零件，Sub代表Si基底；
（2）在Si基底另一面镀制长波通滤光膜系
a.清洁Si基底的未镀膜的一面，先用丙酮擦洗Si基底表面，以去除抛光过程中遗留下来的杂物、油污和辅料等，然后用酒精和乙醚的混合液浸湿脱脂棉花擦洗，镀前用离子源轰击基底5分钟，离子源参数见表1；
b.烘烤Si基底，将Si基底夹持在夹具上放入高真空镀膜设备中，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至150℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，SiO膜料放入热电阻蒸发舟内蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为401.5nm；
d.镀制第2层膜层，Ge膜料采用电子枪蒸镀，并采用离子源辅助淀积，离子源参数见表1，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为125nm；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～13层膜层，膜层厚度采用晶振法监控，其中各层的几何厚度值分别为：第3层450.8nm，第4层221.8nm，第5层465.4nm，第6层189.1nm，第7层415.2nm，第8层202.9nm，第9层470.9nm，第10层206.2nm，第11层402.1nm，第12层165.4nm，第13层964.0nm；
f.真空室冷却至室温后取出双面均镀制好的光学零件，得到的光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL｜Sub｜(LH)6 L膜系的光学零件，Sub代表Si基底。
对实施例1、实施例2、实施例3、实施例4制得的四种中红外带通滤光片进行光谱测试，在中心波长3.80±0.01μm、4.00±0.01μm、4.50±0.01μm 和4.70±0.01μm 的主峰处，峰值透射率为T≥90%；带通宽度为△λ0.9≥105nm，△λ0.5≥165nm，△λ0.1≤365nm；在3.0~5.0μm波段内，除中心波长处的主峰外，其余波长完全截止；膜层的环境与可靠性试验满足光学薄膜国家军用标准。
Claims (4)
1.一种中红外带通滤光片，其特征在于：该滤光片的膜系结构为：
MLH2LHLHLH2LHL|Sub|(LH)6L，
其中，Sub为基底，(LH)6L为长波通滤光膜系，MLH2LHLHLH2LHL为带通滤光膜系，H为Ge膜层，L为SiO膜层，M为TiO2膜层；所述长波通滤光膜系(LH)6L中，与基底相邻的膜层为第1层，最外层为第13层，第1～13层的几何厚度值为：第1层324.6～401.5nm，第2层101.1～125.0nm，第3层364.5～450.8nm，第4层179.4～221.8nm，第5层376.3～465.4nm，第6层152.9～189.1nm，第7层335.7～415.2nm，第8层164.1～202.9nm，第9层380.8～470.9nm，第10层166.7～206.2nm，第11层325.1～402.1nm，第12层133.8～165.4nm，第13层779.4～964.0nm；所述中红外带通滤光片在3.0～5.0μm波段内，在中心波长3.80±0.01μm、4.00±0.01μm、4.50±0.01μm和4.70±0.01μm的主峰处，峰值透射率T≥90％，除该中心波长的主峰外，其余波长完全截止。
2.根据权利要求1所述的中红外带通滤光片，其特征在于：所述基底为Si基底。
3.一种权利要求1所述的中红外带通滤光片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)在基底上单面镀制带通滤光膜系
a.清洁基底，并用离子源轰击5～8分钟；
b.烘烤基底，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，用SiO膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm～2089nm；
d.镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm～2089nm；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～11层膜层，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm～2089nm；
f.镀制第12层膜层，用TiO2膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强1.8×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用光比例法监控，监控波长为1689nm～2089nm；
g.真空室冷却至室温后取出单面镀制好带通滤光膜系的光学零件，该光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL|Sub膜系的光学零件，其中Sub代表基底；
(2)在基底另一面镀制长波通滤光膜系
a.清洁基底的未镀膜的一面，并用离子源轰击5～8分钟；
b.烘烤基底，抽真空至1×10-2Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；
c.镀制第1层膜层，用SiO膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为1.5×10-2Pa，蒸发速率为2.0nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为324.6～401.5nm；
d.镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强1.5×10-2Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，几何厚度值为101.1～125.0nm；
e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～13层膜层，膜层厚度采用晶振法监控，其中各层的几何厚度值分别为：第3层364.5～450.8nm，第4层179.4～221.8nm，第5层376.3～465.4nm，第6层152.9～189.1nm，第7层335.7～415.2nm，第8层164.1～202.9nm，第9层380.8～470.9nm，第10层166.7～206.2nm，第11层325.1～402.1nm，第12层133.8～165.4nm，第13层779.4～964.0nm；
f.真空室冷却至室温后取出双面均镀制好的光学零件，得到的光学零件为具有MLH2LHLHLH2LHL|Sub|(LH)6L膜系的光学零件，其中Sub代表基底。
4.根据权利要求3所述的中红外带通滤光片的制备方法，其特征在于：所述基底为Si基底。
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