CN101887904B

CN101887904B - 集成触摸屏的有机发光二极管显示器

Info

Publication number: CN101887904B
Application number: CN 200910057267
Authority: CN
Inventors: 凌严; 王丽花; 邱承彬
Original assignee: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2009-05-15
Filing date: 2009-05-15
Publication date: 2013-02-06
Anticipated expiration: 2029-05-15
Also published as: CN101887904A

Abstract

本发明涉及一种集成触摸屏的有机发光二极管显示器。该有机发光二极管显示器包括基板和设置在该基板一侧的发光二极管显示阵列，该发光二极管显示阵列包括薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括依次设置的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层，该发光二极管显示器还包括触控阵列，该触控阵列设置于该基板上且与该发光二极管显示阵列同侧，该触控阵列包括探测层，该探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层的其中一层形成。本发明的集成触摸屏在不增加制造成本的情况下提高了有机发光二极管显示器的显示效果。

Description

集成触摸屏的有机发光二极管显示器

技术领域

本发明涉及一种集成触摸屏的有机发光二极管显示器。

背景技术

平板显示技术因其体积小、便于携带等优点而得到广泛的应用。有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示技术做为未来平板显示的最大可能技术，与液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)技术相比，有机发光二极管显示器采用各像素自主发光模式取代统一背光模式，所以有机发光二极管显示器的可视角明显增大，功耗减小，对比度提高，屏幕厚度减薄。

做为现代输入方式的触摸屏功能已经成为输入方式的主要形式之一，在手机，相机，电子书等便携式电子产品中，已经逐渐替代传统的机械按键输入方式，最终实现全触摸无按键的输入模式。触摸屏技术发展也经历了发展的各个阶段，主要有电阻式，电容式，光感应式等。其中，光感应式使用的比较少，电阻式是现在的主流，主要有四线电阻式，五线电阻式，七线电阻式，八线电阻式等。电容式主要自电容式触摸屏，表面自电容式触摸屏，透射互感电容式触摸屏等结构形式。

为了提高可靠度，降低成本，实现更好的透光率，减薄整个屏幕的厚度和重量等，触摸屏技术由外挂式逐渐转向嵌入式。嵌入式触摸屏就是在生产平板显示的过程中，制造出触摸屏功能，达到功能、效果和成本的最大优化。液晶显示器中的嵌入式触摸屏一般集成在彩色滤光片玻璃基底上。不同于液晶显示技术，有机发光二极管显示技术由于不需要背光，是通过自主发光的控制来实现显示，所以可以在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基底玻璃上集成触摸屏功能。

请参阅图1，美国专利US20070242055公开了一种集成触控功能的采用顶部发光模式的有机发光二极管显示器。该有机发光二极管显示器10包括一基板11和一与该基板11相对平行设置的封装玻璃13，该基板11与该封装玻璃13之间通过支撑壁15连接，有机发光二极管阵列17设置在该基板11的内表面，电容式触控阵列19设置于该封装玻璃13的内表面。

该有机发光二极管显示器10将该电容式触控阵列19叠加在该有机发光二极管显示器10的光路中。相比没有引入该电容式触控阵列19的有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器10的厚度增加。该有机发光二极管阵列17发出的光，由于经过该电容式触控阵列19会产生吸收、反射、折射、干涉等现象，从而使该有机发光二极管显示器10的显示效果变差。

在有机发光二极管显示技术中，由于使用的有机发光膜不能承受太高温度，所以有机发光膜之上的公共电极层在低温溅射之后，不能够做退火步骤。因此有机发光二极管显示器一般采用底部发光模式，此时，有机膜上面的公共电极可以低温溅射Al或Ag等金属，不需要退火步骤也能实现很好的导电特性。如果采用顶部发光，则有机发光膜上面的公共电极只能低温溅射透明电极，而现有技术沉积的透明电极不经过退火步骤，电阻会很大，电学特性也不够好。所以现有技术下，一般采用底部发光模式来实现有机发光二极管显示器的功能。

请参阅图2，美国专利US20020171610公开了一种集成触控功能的采用底部发光模式的有机发光二极管显示器。该有机发光二极管显示器20包括基板21，有机发光二极管阵列23设置在该基板21的一侧表面，电容式触控阵列25设置于该基板21的另一侧表面。

虽然该有机发光二极管显示器20采用底部发光模式，同样，由于该电容式触控阵列25设置于该有机发光二极管阵列23的光路中，该有机发光二极管阵列23发出的光，由于经过该电容式触控阵列25会产生吸收、反射、折射、干涉等现象，从而使该有机发光二极管显示器20的显示效果变差。

发明内容

为了解决现有技术中的有机发光二极管显示器由于引入电容式触控阵列而使显示效果变差的技术问题，有必要提供一种提高显示效果的集成触摸屏的有机发光二极管显示器。

一种集成触摸屏的有机发光二极管显示器，包括一基板和设置在该基板一侧的发光二极管显示阵列，该发光二极管显示阵列包括薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层，该发光二极管显示器还包括触控阵列，该触控阵列设置于该基板上且与该发光二极管显示阵列同侧，该触控阵列包括探测层，该探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层的其中一层形成。

其中，该触控阵列还包括驱动层，该驱动层由该薄膜晶体管层中的该栅极导电层、该源极/漏极导电层、该像素电极层中的其中一层形成。

该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层形成，该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成。

该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层形成，该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的像素电极层形成。

该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成，该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的像素电极层形成。

一种集成触摸屏的有机发光二极管显示器，包括一基板和设置在该基板一侧的发光二极管显示阵列，该发光二极管显示阵列包括薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层，该发光二极管显示器还包括触控阵列，该触控阵列包括一探测层、一覆盖该探测层的保护层、一驱动层和一覆盖该驱动层的保护层，该探测层和覆盖该探测层的保护层设置于该基板与该发光二极管显示阵列相背的一侧，该驱动层和该覆盖该驱动层的保护层设置于该基板的该发光二极管显示阵列一侧，该驱动层由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层的其中一层形成。

与现有技术相比，本发明的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的触控阵列设置于该基板上且与该发光二极管显示阵列同侧，该有机发光二极管显示器的有机发光二极管阵列发出的光，由于不经过该触控阵列，因此，不会发生光的吸收、反射、折射、干涉等现象，从而提高了该有机发光二极管显示器的显示效果。本发明的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的触控阵列的探测层和驱动层分别由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层、栅极导电层、像素电极层形成，因此，在形成该有机发光二极管显示器的发光二极管显示阵列时，只需改变光罩图形，即可形成该触控阵列，从而使该有机发光二极管显示器集成触摸屏的功能，并不会增加该有机发光二极管显示器的厚度、制作成本和工艺步骤。

与现有技术相比，本发明的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的触控阵列仅该探测层与该保护层设置在该基板背离该发光二极管显示阵列的一侧，该发光二极管显示阵列发出的光线仅仅过该探测层与该保护层，从而减少了光的吸收、反射、折射、干涉等现象，提高了该有机发光二极管显示器的显示效果。同时，由于该绝缘层可以由该薄膜晶体管层的栅极绝缘层或者钝化层形成，该驱动层可以由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层中的一层形成，因此，可以简化该触控阵列的制作成本和工艺步骤，从而减少该有机发光二极管显示器的制作成本和工艺步骤。

附图说明

图1是一种现有技术的集成触控屏的采用顶部发光模式的有机发光二极管显示器的结构示意图。

图2是一种现有技术的集成触控屏的采用底部发光模式的有机发光二极管显示器的结构示意图。

图3是本发明第一实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的示意图。

图4是图3所示的有机发光二极管显示器的触控阵列的结构示意图。

图5是图4所示的有机发光二极管显示器的触控阵列的触控感应单元的结构示意图。

图6是图5所示的有机发光二极管显示器的触控阵列的触控感应单元的VI部分的立体放大示意图。

图7是本发明第二实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的触控感应单元的示意图。

图8是图7所示的有机发光二极管显示器的触控感应单元的VIII部分的立体放大示意图。

图9是本发明第三实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的触控阵列的示意图。

图10是本发明第四实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的结构示意图。

图11是本发明第五实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。

请参阅图3，图3是本发明的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的第一实施方式的示意图。该有机发光二极管显示器30采用透射互感电容式触控结构，包括基板31、设置在该基板31一侧的发光二极管显示阵列32、设置于该基板31上且与该发光二极管显示阵列32同侧的触控阵列34。该发光二极管显示阵列32用于使该有机发光二极管显示器30显示图像，该触控阵列34用于感测外界对该有机发光二极管显示器30的触控动作。

该发光二极管显示阵列32包括形成于该基板31上的薄膜晶体管层35、依次设置于该薄膜晶体管层35上的有机半导体层37和公共背电极39。该有机半导体层37设置于该公共背电极39与该薄膜晶体管层35之间。该公共背电极39是不透明的金属层，不需要做图形光刻，该公共背电极39在该有机发光二极管显示器30的整个显示屏区域是一整块导电体。

该薄膜晶体管层35包括依次设置的栅极导电层351、栅极绝缘层352、源极/漏极导电层353、钝化层354和像素电极层355。该源极/漏极导电层353和该像素电极层355通过接触孔电连接。当该源极/漏极导电层353使用低电阻不透明的金属制作时，该像素电极层355采用透明材料制作。

该触控阵列34包括依次设置于该基板31表面的探测层341、绝缘层343、驱动层345和保护层347。该探测层341由该薄膜晶体管层35的栅极导电层351形成，该绝缘层343由该薄膜晶体管层35的栅极绝缘层352形成，该驱动层345由该薄膜晶体管层35的源极/漏极导电层353形成。

请参阅图4，图4是图3所示的触控阵列34的结构示意图。该探测层341包括多条相互平行的探测线348、该驱动层345包括多条相互平行且与该探测线348绝缘并垂直相交的驱动线349。该探测线348与该驱动线349结构相似，实现的功能可以互换，即该探测线348也可以实现该驱动线349的功能，该驱动线349也可以实现该探测线348的功能。该探测线348与该驱动线349的功能取决于连接的驱动芯片。

相邻两条驱动线349与相邻两条探测线348相交处形成一触控感应单元。每一触控感应单元包括互感电容344，该互感电容344形成于每条驱动线349与每条探测线348的交叉处，即该互感电容344由该驱动线349和探测线348的交叠部分形成。优选地，在每条驱动线349和每条探测线348的交叉处，增宽该驱动线349和该探测线348以增大改互感电容344的交叠部分的面积。优选地，在该探测线348形成第一触控垫(touch pad)342，该第一触控垫342的宽度大于该探测线348的宽度。通过该第一触控垫342感应手指触摸，从而提高检测触控的精度。优选地，在该驱动线349形成第二触控垫346，该第二触控垫346的宽度大于该驱动线349的宽度。通过该触控垫感应手指触摸，可以提高检测触控的精度。

请一并参阅图4、图5、图6，图5是图4所示的触控感应单元的结构示意图，图6是图5所示的触控感应单元的VI部分的立体放大示意图。该发光二极管显示阵列32的每一个RGB像素单元形成于相邻的两条数据线356与相邻的两条扫描线357的交叉处。该数据线356由该薄膜晶体管层35的源极/漏极导电层353形成，该扫描线357由该薄膜晶体管层35的栅极导电层351形成。该触控阵列34的触控感应单元与该发光二极管显示阵列32的RGB像素单元一一对应。该探测线348与该薄膜晶体管层35的源极/漏极导电层353中的数据线356平行设置，该驱动线349与该薄膜晶体管层35的栅极导电层351中的扫描线357平行设置。该探测线348由该薄膜晶体管层35的栅极导电层351形成，该驱动线349由该薄膜晶体管层35的源极/漏极导电层353形成。

该互感电容344的两个电极分别连接该探测线348和该驱动线349，该互感电容344的两个电极分别由该薄膜晶体管层35的源极/漏极导电层353、栅极导电层351形成。该互感电容344的两个电极的面积大小相等，宽度大于该探测线348和驱动线349的宽度。该互感电容344的两个电极之间设置有该绝缘层343。

当外界对该有机发光二极管显示器30进行触控时，例如，当手指靠近该探测线348的第一触控垫342或者该驱动线349的第二触控垫346时，根据电容耦合效应，由该驱动线349和探测线348交叠形成的该互感电容344的有效电容发生变化，通过检测该互感电容344的有效电容发生的变化，来确定手指触摸的位置，从而实现该有机发光二极管显示器30触摸屏输入功能。

与现有技术相比，本发明的集成触摸屏的有机发光二极管显示器30的触控阵列34设置于该基板31上且与该发光二极管显示阵列32同侧，该有机发光二极管显示器30的有机发光二极管阵列32发出的光，由于不经过该触控阵列34，因此，不会发生光的吸收、反射、折射、干涉等现象，从而提高了该有机发光二极管显示器30的显示效果。

与现有技术相比，本发明的集成触摸屏的有机发光二极管显示器30的触控阵列34的探测层341和驱动层345分别由该薄膜晶体管层35的栅极导电层351、源极/漏极导电层353形成，因此，在形成该有机发光二极管显示器30的发光二极管显示阵列32时，只需改变光罩图形，即可形成该触控阵列34，从而使该有机发光二极管显示器30集成触摸屏的功能，并不会增加该有机发光二极管显示器30的厚度、制作成本和工艺步骤。

在本实施方式中，该触控阵列34的探测层341和驱动层345分别由该薄膜晶体管层35的栅极导电层351、源极/漏极导电层353形成，但并不限于该实施方式所述。当该薄膜晶体管层35的源极/漏极导电层353使用低电阻不透明的金属制作时，该像素电极层355采用透明材料制作。因此，该触控阵列34的探测层341还可以由该薄膜晶体管层35的源极/漏极导电层353形成，该驱动层345由该像素电极层355形成，该绝缘层343由该薄膜晶体管层35的该钝化层354形成。更进一步，该触控阵列34的探测层341还可以由该薄膜晶体管层35的栅极导电层351形成，该驱动层345由该像素电极层355形成。由于该触控阵列34的探测层341和驱动层345的功能可以互换，因此，该触控阵列34的探测层341和驱动层345可以由该薄膜晶体管层35的栅极导电层351、源极/漏极导电层353、像素电极层355的其中两层形成，对应的由该探测线348和驱动线349交叉形成的该互感电容344的两个电极也可以由该薄膜晶体管层35的栅极导电层351、源极/漏极导电层353、像素电极层355的其中两层形成。该探测线348和该驱动线349加宽而形成该第一、第二接触垫342、346，该探测线348和该驱动线349也可以不加宽而直接利用该探测线348和该驱动线349进行探测。

请参阅图7，图7是本发明第二实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的触控感应单元的示意图。本实施方式的有机发光二极管显示器的结构与第一实施方式的有机发光二极管显示器30的结构相似，区别在于：该有机发光二极管显示器的触控阵列的探测层和驱动层均由该发光二极管显示阵列的薄膜晶体管层的栅极导电层757形成。在每一触控感应单元中，该探测层中的探测线748形成第一触控垫742，该驱动层中的驱动线749形成第二触控垫746。该第一、第二触控垫742、746在同一平面。

请参阅图8，图8是图7所示的触控感应单元的VIII部分的立体放大示意图。该探测线748和该驱动线749的交叉处形成一互感电容744。该探测线748和该驱动线749由该薄膜晶体管层的栅极导电层757形成。该互感电容744连接该探测线748的电极由该薄膜晶体管层的栅极导电层757形成，该互感电容744的另一电极由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层756形成，由该源极/漏极导电层756形成的该互感电容744的电极由于与该驱动线749不在同一平面，因此，由该源极/漏极导电层756形成的该互感电容744的电极通过接触孔与该驱动线749相连。

与现有技术相比，本发明的集成触摸屏的有机发光二极管显示器具有第一实施方式的有机发光二极管显示器30的全部优点，且由于该第一、第二触控垫742、746在同一平面，因此，该第一、第二触控垫742、746到触摸手指之间的距离相等，对应的介质层厚度和电学参数也相等，本实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器对外界触控的感应更加准确。

在本实施方式中，该有机发光二极管显示器的触控阵列的探测层和驱动层均由该发光二极管显示阵列的薄膜晶体管层的栅极导电层757形成，但并不限于上述实施方式所述。该有机发光二极管显示器的触控阵列的探测层和驱动层还可以由该发光二极管显示阵列的薄膜晶体管层的源极/漏极导电层756形成。当该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层756使用低电阻不透明的金属制作时，与该薄膜晶体管层的像素电极层采用透明材料制作。因此，该有机发光二极管显示器的触控阵列的探测层和驱动层进一步还可以由该发光二极管显示阵列的薄膜晶体管层的像素电极层形成。由该探测线748和驱动线749交叉形成的该互感电容744的两个电极通过接触孔的方式即可实现分别与该探测线748和该驱动线749连接。

为了解决由于探测线、驱动线的触控垫不在同一平面而导致的探测线、驱动线的触控垫和触摸手指间的电学特性不一致的问题，除了将探测线、驱动线的触控垫设置在同一平面外，也可以改变互感电容两个电极的面积大小从而调整感应电阻，进而达到统一电学特性的目的。

请参阅图9，图9是本发明第三实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的触控阵列的示意图。本实施方式的有机发光二极管显示器的结构与第一实施方式的有机发光二极管显示器30的结构相似，区别在于：每两条相邻的探测线948和每两条相邻的驱动线949交叉处形成一触控感应单元，每条探测线948和每条驱动线949的交叉处形成一互感电容944。每一触控感应单元包括该有机发光二极管显示阵列的多个RGB像素单元。每一触控感应单元内，该探测线948形成多个第一触控垫942，该驱动线949形成多个第二触控垫946。

由于触摸屏的实际有效作用像素数比有机发光二极管显示器的显示像素少的多，因此，本实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的触控阵列的每一触控感应单元对应发光二极管显示阵列的多个RGB像素单元，本实施方式的有机发光二极管显示器的结构更加简单。

请参阅图10，图10是本发明第四实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的结构示意图。上述第一、第二、第三实施方式的有机发光二极管显示器采用透射互感电容式触控结构，因此，该第一、第二、第三实施方式的有机发光二极管显示器的触控阵列包括驱动层和探测层两个导电层。本实施方式的有机发光二极管显示器采用自电容式触摸结构或者表面自电容式触摸结构。本实施方式的有机发光二极管显示器的有机发光二极管显示阵列101与上述第一、第二、第三实施方式的有机发光二极管显示器的有机发光二极管显示阵列101的结构相同。触控阵列102设置于该基板104上且与该有机发光二极管显示阵列101同侧。该触控阵列102包括依次设置的绝缘层106、探测层103和保护层107。该探测层103可以由该有机发光二极管显示阵列101的薄膜晶体管层105的源极/漏极导电层、栅极导电层、像素电极层的其中一层形成。

请参阅图11，图11是本发明第五实施方式的集成触摸屏的有机发光二极管显示器的结构示意图。该有机发光二极管显示器与第一实施方式的发光二极管显示器的结构相似，区别在于：本实施方式的有机发光二极管显示器包括一基板116、一发光二极管显示阵列111和一触控整列112。该发光二极管显示阵列111包括依次设置在该基板116上的薄膜晶体管层115，有机半导体层和公共背电极。该薄膜晶体管层115包括依次设置的栅极导电层、栅极绝缘层、源极/漏极导电层、钝化层和像素电极层。

该触控阵列112包括一探测层118、一覆盖该探测层的保护层119、一驱动层113和一覆盖该驱动层113的保护层117，该探测层118和覆盖该探测层118的保护层119设置于该基板116与该发光二极管显示阵列111相背的一侧，该驱动层113和该覆盖该驱动层的保护层117设置于该基板116的该发光二极管显示阵列111一侧，该驱动层113由该薄膜晶体管层115的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层中的一层形成。该探测层118和该驱动层113交叠的部分形成互感电容，用于探测外界对该机发光二极管显示器的触控。

与现有技术相比，本实施方式的有机发光二极管显示器的触控阵列112仅该探测层118与该保护层119设置在该基板116背离该发光二极管显示阵列111的一侧，该发光二极管显示阵列111发出的光线仅仅过该探测层118与该保护层119，从而减少了光的吸收、反射、折射、干涉等现象，提高了该有机发光二极管显示器的显示效果。该驱动层113可以由该薄膜晶体管层115的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层中的一层形成，因此，可以简化该触控阵列112的制作成本和工艺步骤，从而减少该有机发光二极管显示器的制作成本和工艺步骤。

本发明的集成触摸屏的有机发光二极管显示器，不仅可以应用在各种底部发光的有机发光二极管显示器结构中，还可以应用在白有机发光二极管发光+RGB滤色片模式的显示器、RGB三色独立有机发光二极管发光模式的显示器、蓝色模式发光+RGB滤色片模式的显示器。集成触摸屏的结构和工艺步骤和上述实施方式一致，只是有机发光二极管部分的结构和工艺不同。

在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实施例。

Claims

1.一种集成触摸屏的有机发光二极管显示器，包括一基板和设置在该基板一侧的发光二极管显示阵列，该发光二极管显示阵列包括薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层，其特征在于：该发光二极管显示器还包括触控阵列，该触控阵列设置于该基板的薄膜晶体管层一侧，该触控阵列包括探测层，该探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层的其中一层形成。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列还包括驱动层，该驱动层由该薄膜晶体管层中的该栅极导电层、该源极/漏极导电层、该像素电极层中的其中一层形成。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层形成、该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成。

4.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层形成、该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的像素电极层形成。

5.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成、该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的像素电极层形成。

6.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层和驱动层由该薄膜晶体管层的栅极导电层形成。

7.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层和驱动层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成。

8.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该探测层包括多条相互平行的探测线，该驱动层包括多条相互平行且分别与该探测线绝缘相交的驱动线，相邻两条驱动线与相邻两条探测线相交处形成一触控感应单元。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：每一触控感应单元包括互感电容，该互感电容形成于每条驱动线与每条探测线的交叉处，该互感电容的两个电极分别连接该探测线和该驱动线，该互感电容的两个电极分别由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层中的两层形成。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该互感电容的两个电极分别由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层形成。

11.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层和驱动层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成，该互感电容的其中一个电极通过接触孔与该驱动线连接，另一个电极直接与该探测线连接。

12.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：每一触控感应单元与该发光二极管显示器的RGB像素单元一一对应。

13.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：每一触控感应单元包括该发光二极管显示器的至少一个RGB像素单元。

14.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该探测线形成至少一触控垫，该探测线的触控垫的宽度大于该探测线的宽度。

15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该驱动线形成至少一触控垫，该驱动线的触控垫的宽度大于该驱动线的宽度。

16.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该探测线和该驱动线的触控垫在同一平面。

17.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列还包括一绝缘层和一保护层，该探测层、绝缘层、驱动层和保护层依次设置于该基板，该绝缘层设置于该探测层和驱动层之间。

18.一种集成触摸屏的有机发光二极管显示器，包括一基板和设置在该基板一侧的发光二极管显示阵列，该发光二极管显示阵列包括薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层，其特征在于：该发光二极管显示器还包括触控阵列，该触控阵列包括一探测层、一覆盖该探测层的保护层、一驱动层和一覆盖该驱动层的保护层，该探测层和覆盖该探测层的保护层设置于该基板与该发光二极管显示阵列相背的一侧，该驱动层和该覆盖该驱动层的保护层设置于该基板的该发光二极管显示阵列一侧，该驱动层由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层的其中一层形成。