CN101853822A - 新型散热器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种通过在磁控溅射和离子束技术，在金属基材上实现含金属铬的多层DLC涂层，从而实现高导热之性能。利用该高导热性DLC涂层制备的新型散热器件，包括与热源抵接的导热件以及与所述导热件固接的散热翅片，所述导热件由金属基材和沉积于所述金属基材之上的高导热性涂层组成。本发明的有益效果主要体现在：本发明类金刚石(DLC)涂层具有高导热性，用其制备的新型散热器导热、散热性能佳且不具有导热方向限制。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型散热器件，尤其涉及一种具有高导热性涂层的散热器件及其制造方法。
背景技术
现在广泛应用于街道、桥梁、广场等地方的LED路灯，在发光时其内部的发光芯片温度很高，当该发光芯片在55℃以下使用时，寿命可达20～30万小时；而在95℃以上使用时，由于冷光源的热度无法达到散热器上，发光芯片的温度过高会导致路灯寿命急剧衰竭。目前应用的热管技术，由于存在导热方向性，热量只能自下而上传导，所以不具备多向导热的功能。
目前一般的散热材料所使用的散热片基材(如民用高端电子器件、LED用芯片材料、工业装置用换热器等)几乎都是铝合金，但铝并不是导热系数最高的金属。金和银的导热性能比较好，但缺点就是价格太高。纯铜散热效果次之，但铜片除了造价高之外，重量大、不耐腐蚀等，当铜一旦发生氧化，其导热和散热性能将会大大下降，导致温度过高，增加了LED失效的可能性，造成LED光衰加剧、寿命缩短。
发明内容
本发明的目的在于解决上述的技术问题，提供一种导热、散热效果好且不具备导热方向限制缺点的新型散热器。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
一种新型散热器件，包括：与热源抵接的导热件以及与所述导热件固接的散热翅片，所述导热件由金属基材和沉积于所述金属基材之上的高导热性涂层组成，所述高导热性涂层包括两层类金刚石(DLC)涂层，所述第一层类金刚石涂层与金属基材之间设有起固附作用的第一铬涂层，所述两层类金刚石涂层之间设有用于热传导的第二铬涂层。
进一步地，所述最外层的第二层类金刚石涂层的成份为20％～60％的石墨相，以及80％～40％金刚石相。
再进一步地，所述第一铬涂层厚度为20～40纳米。所述第一层类金刚石涂层厚度为1.2～1.4微米。所述第二铬涂层厚度为10～20纳米。所述第二层类金刚石涂层厚度为1.0～1.2微米。
再进一步地，所述金属基材为紫铜、或铝合金、或不锈钢。
本发明还揭示了上述的新型散热器件的制造方法，包括如下步骤：
第一，将金属基材进行去除氧化层和超声波清洗，确保材质表面的清洁；
第二，将金属基材置于PVD涂层设备之中，进行抽气并抽至1*10-5Pa的本底真空；
第三，加热金属基材至150℃，并在整个涂层过程中保持此温度；
第四，向PVD涂层设备的真空室中通入氩气，保持镀膜真空室内压力为1.5～2.0Pa的压力，向金属基材上施加-100V偏压，用磁控溅射技术完成第一铬涂层；
第五，向PVD涂层设备的真空室中通入C2H2气体，保持镀膜真空室内压力为1.2*10-1～3.0-1Pa的压力，向金属基材上施加-200V偏压，用离子束技术完成第一层类金刚石涂层，沉积该层类金刚石涂层时，离子束上所施加的电压为1200V，电流为100～120mA；
第六，向PVD涂层设备的真空室中通入氩气，保持镀膜真空室内压力为1.5～2.0Pa的压力，向金属基材上施加-70V偏压，用磁控溅射技术完成第二Cr涂层；
第七，向PVD涂层设备的真空室中通入C2H2气体，保持镀膜真空室内压力为1.2*10-1～3.0-1Pa的压力，向金属基材上施加-500V偏压，用离子束技术完成第二层类金刚石涂层，沉积该层类金刚石涂层时，离子束上所施加的电压为2200V，电流为200～220mA。
本发明的有益效果主要体现在：本发明类金刚石(DLC)涂层具有高导热性，用其制备的新型散热器导热、散热性能佳且不具有导热方向限制，具有很好的市场推广价值。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
图1：本发明新型散热器件的结构示意图。
图2：本发明新型散热器件的导热件的结构示意图。
具体实施方式
有关本发明之前述及其它技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式之一较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。
参阅图1，本发明优选实施例的新型散热器件包括：与热源6抵接的导热件7以及与所述导热件7固接的散热翅片8，散热翅片8可以由其它的普通散热器件来代替，例如散热胶、散热管之类。
所述导热件7由金属基材1和沉积于所述金属基材之上的高导热性涂层组成，所述金属基材为紫铜、或铝合金、或不锈钢。
参阅图2，所述高导热性涂层包括两层类金刚石涂层，所述第一层类金刚石涂层3与金属基材1之间设有起固附作用的第一铬涂层2，使第一层类金刚石涂层3与金属基材1之间具有良好的结合力；
所述两层类金刚石涂层3、5之间设有用于热传导的第二铬涂层4，用于实现类金刚石涂层的内部应力释放以及各层之间的热传导。
所述第一铬涂层厚度为20～40纳米。所述第一层类金刚石涂层厚度为1.2～1.4微米。所述第二铬涂层厚度为10～20纳米。所述第二层类金刚石涂层厚度为1.0～1.2微米。
进一步地，本优选实施例的所述最外层的第二层类金刚石涂层的成份为20％～60％的石墨相，以及80％～40％金刚石相。具体选择原因后文详述。
本发明还揭示了上述的新型散热器件的制造方法，包括如下步骤：
第一，将金属基材进行去除氧化层和超声波清洗，确保材质表面的清洁；
第二，将金属基材置于PVD涂层设备之中，进行抽气并抽至1*10-5Pa的本底真空；
第三，加热金属基材至150℃，并在整个涂层过程中保持此温度；
第四，向PVD涂层设备的真空室中通入氩气，保持镀膜真空室内压力为1.5～2.0Pa的压力，向金属基材上施加-100V偏压，用磁控溅射技术完成第一铬涂层；
第五，向PVD涂层设备的真空室中通入C2H2气体，保持镀膜真空室内压力为1.2*10-1～3.0-1Pa的压力，向金属基材上施加-200V偏压，用离子束技术完成第一层类金刚石涂层，沉积该层类金刚石涂层时，离子束上所施加的电压为1200V，电流为100～120mA；
第六，向PVD涂层设备的真空室中通入氩气，保持镀膜真空室内压力为1.5～2.0Pa的压力，向金属基材上施加-70V偏压，用磁控溅射技术完成第二Cr涂层；
第七，向PVD涂层设备的真空室中通入C2H2气体，保持镀膜真空室内压力为1.2*10-1～3.0-1Pa的压力，向金属基材上施加-500V偏压，用离子束技术完成第二层类金刚石涂层，沉积该层类金刚石涂层时，离子束上所施加的电压为2200V，电流为200～220mA。
由上述工艺方法可以得到最外侧的类金刚石涂层的金刚石相(sp3)含量大幅增加的涂层，因此该涂层具有高导热性。
目前常用的PVD镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子束镀膜。本方法中PVD涂层设备、磁控溅射技术、离子束技术均使用现有技术。在此简单介绍离子束技术的工作原理。
在真空环境下(真空度为1*10-1Pa～5*10-1Pa)，被引入的气体在离子束的电磁场共同作用下被离化。被离化的离子在离子束和基片之间的电场作用下被加速，并以高能粒子的形式轰击或沉积在基片上。被引入的气体根据工艺的需要，可能为Ar，N2或C2H2等，从而完成离子刻蚀清洗和离子束沉积等工艺。工作时电压被施加在离子束上的阳极之上，采用的电源形式为直流电源。工作电压(放电电压)范围为400～3000V，工作电流为80mA～600mA。施加在基片上的电压为负电势，从而在离子束和基片之间形成一个电势差(电场)。该电磁场加速离子，使更多原子被离化，形成离子流。
对目前导热管体系和本发明高导热DLC涂层系统中热源进行导热性能测试，测试装置由热源，散热器和连接2个器件的导热材料组成，导热材料分别由热导管和涂敷以高导热DLC涂层的紫铜板组成。
测试结果如下表所示，由涂敷以高导热DLC涂层的紫铜板组成的散热系统散热效率明显好于由目前导热管技术组成的散热效率。
| 测试状态 | 热导管系统中热源的温度(℃) | 高导热DLC涂层系统中热源温度(℃) |
| 1 | 55 | 48 |
| 2 | 95 | 85 |
| 测试状态 | 热导管系统中热源的温度(℃) | 高导热DLC涂层系统中热源温度(℃) |
| 3 | 120 | 105 |
表1
进一步测试结果表明，当DLC涂层中的中金刚石相(sp3)所占比例以及厚度不同时，散热系统中的散热效果也有所不同，如表2所示。
| 试状态 | DLC 涂层中金刚石相(sp3)从底层开始始终保持在40％，热源的温度(℃) | DLC 涂层中金刚石相(sp3)从底层开始始终保持在70％，热源的温度(℃) | DLC涂层中金刚石相(sp3)从底层开始始终由40％逐步增加到70％，热源的温度(℃) | DLC涂层中金刚石相(sp3)从底层开始始终由40％逐步增加到80％，热源的温度(℃) |
| 54 | 50 | 48 | 48 | |
| 93 | 90 | 85 | 85 | |
| 117 | 110 | 105 | 105 |
表2
由此，本发明最外层的第二层类金刚石涂层的成份选择制为20％～60％的石墨相，以及80％～40％金刚石相。
另外实验表明，当涂层厚度为1微米时，同等条件下热源上的温度会上升5～7％；当涂层厚度大于3微米时，同等条件下热源上的温度会和2微米涂层所得到的结果一样。因此从节约成本的角度考虑，将本发明中DLC涂层的厚度控制在2微米以内。
尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。
Claims (8)
1.一种新型散热器件，包括：与热源抵接的导热件(7)以及与所述导热件(7)固接的散热翅片(8)，其特征在于：所述导热件(7)由金属基材和沉积于所述金属基材之上的高导热性涂层组成，所述高导热性涂层包括两层类金刚石涂层，所述第一层类金刚石涂层(3)与金属基材(1)之间设有起固附作用的第一铬涂层(2)，所述两层类金刚石涂层(3、5)之间设有用于热传导的第二铬涂层(4)。
2.根据权利要求1所述的新型散热器件，其特征在于：所述最外层的第二层类金刚石涂层(5)的成份为20％～60％的石墨相，以及80％～40％金刚石相。
3.根据权利要求1所述的新型散热器件，其特征在于：所述第一铬涂层(2)厚度为20～40内米。
4.根据权利要求1所述的新型散热器件，其特征在于：所述第一层类金刚石涂层(3)厚度为1.2～1.4微米。
5.根据权利要求1所述的新型散热器件，其特征在于：所述第二铬涂层(4)厚度为10～20纳米。
6.根据权利要求1所述的新型散热器件，其特征在于：所述第二层类金刚石涂层(5)厚度为1.0～1.2微米。
7.根据权利要求1所述的新型散热器件，其特征在于：所述金属基材(1)为紫铜、或铝合金、或不锈钢。
8.一种如权利要求1所述的新型散热器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤，
第一，将金属基材进行去除氧化层和超声波清洗，确保材质表面的清洁；
第二，将金属基材置于PVD涂层设备之中，进行抽气并抽至1*10-5Pa的本底真空；
第三，加热金属基材至150℃，并在整个涂层过程中保持此温度；
第四，向PVD涂层设备的真空室中通入氩气，保持镀膜真空室内压力为1.5～2.0Pa的压力，向金属基材上施加-100V偏压，用磁控溅射技术完成第一铬涂层；
第五，向PVD涂层设备的真空室中通入C2H2气体，保持镀膜真空室内压力为1.2*10-1～3.0-1Pa的压力，向金属基材上施加-200V偏压，用离子束技术完成第一层类金刚石涂层，沉积该层类金刚石涂层时，离子束上所施加的电压为1200V，电流为100～120mA；
第六，向PVD涂层设备的真空室中通入氩气，保持镀膜真空室内压力为1.5～2.0Pa的压力，向金属基材上施加-70V偏压，用磁控溅射技术完成第二Cr涂层；
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102179500A (zh) * | 2011-04-27 | 2011-09-14 | 陈俊峰 | 灯具导热管的铸接工艺 |
| CN102453932A (zh) * | 2010-10-25 | 2012-05-16 | 北京卫星环境工程研究所 | 锇膜的电镀制备方法 |
| CN102983124A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-03-20 | 深圳大学 | 具有散热装置的led光源 |
| CN103794443A (zh) * | 2011-12-31 | 2014-05-14 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 用于等离子屏电路散热的散热型材及其制备方法 |
| CN103972359A (zh) * | 2013-02-04 | 2014-08-06 | 宋健民 | 发光二极管及其芯片板上封装结构 |
| CN105023892A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-04 | 东莞市闻誉实业有限公司 | 芯片散热器 |
| CN111020573A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-04-17 | 沈阳工业大学 | 基于铜表面的导热防腐蚀的复合膜层及制备方法 |
| WO2020207478A1 (zh) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | 散热金属件及其制备方法、电子设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102740591A (zh) * | 2012-07-09 | 2012-10-17 | 苏州热驰光电科技有限公司 | 超高导热双面铝基线路板及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1703776A (zh) * | 2002-10-11 | 2005-11-30 | 宋简民 | 含碳散热器及相关方法 |
| US7531020B2 (en) * | 2004-04-29 | 2009-05-12 | Plansee Se | Heat sink made from diamond-copper composite material containing boron, and method of producing a heat sink |
| CN101606446A (zh) * | 2006-12-26 | 2009-12-16 | 株式会社捷太格特 | 多层电路基板和电动机驱动电路基板 |
| CN201725788U (zh) * | 2010-04-14 | 2011-01-26 | 星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司 | 新型散热器件 |
-
2010
- 2010-04-14 CN CN2010101532568A patent/CN101853822B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1703776A (zh) * | 2002-10-11 | 2005-11-30 | 宋简民 | 含碳散热器及相关方法 |
| US7531020B2 (en) * | 2004-04-29 | 2009-05-12 | Plansee Se | Heat sink made from diamond-copper composite material containing boron, and method of producing a heat sink |
| CN101606446A (zh) * | 2006-12-26 | 2009-12-16 | 株式会社捷太格特 | 多层电路基板和电动机驱动电路基板 |
| CN201725788U (zh) * | 2010-04-14 | 2011-01-26 | 星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司 | 新型散热器件 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 《Diamond-like carbon and ceramic materials》 20041231 Yibran Argenis Perera Mercado 《Diamond-like carbon and ceramic materials》 , 1 * |
| 《金刚石与磨料磨具工程》 20090630 黄帅，彭放，寇自力 《高导热金刚石/铝和金刚石/铜复合散热材料的研究进展》 第3卷, 第171期 2 * |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102453932A (zh) * | 2010-10-25 | 2012-05-16 | 北京卫星环境工程研究所 | 锇膜的电镀制备方法 |
| CN102179500A (zh) * | 2011-04-27 | 2011-09-14 | 陈俊峰 | 灯具导热管的铸接工艺 |
| CN102179500B (zh) * | 2011-04-27 | 2013-09-11 | 陈俊峰 | 灯具导热管的铸接工艺 |
| CN103794443A (zh) * | 2011-12-31 | 2014-05-14 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 用于等离子屏电路散热的散热型材及其制备方法 |
| CN102983124B (zh) * | 2012-11-14 | 2015-06-10 | 深圳大学 | 具有散热装置的led光源 |
| CN102983124A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-03-20 | 深圳大学 | 具有散热装置的led光源 |
| CN103972359A (zh) * | 2013-02-04 | 2014-08-06 | 宋健民 | 发光二极管及其芯片板上封装结构 |
| CN105023892A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-04 | 东莞市闻誉实业有限公司 | 芯片散热器 |
| CN105023892B (zh) * | 2015-06-17 | 2018-09-18 | 东莞市闻誉实业有限公司 | 芯片散热器 |
| WO2020207478A1 (zh) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | 散热金属件及其制备方法、电子设备 |
| CN111818755A (zh) * | 2019-04-11 | 2020-10-23 | Oppo广东移动通信有限公司 | 散热金属件及其制备方法、电子设备 |
| CN111020573A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-04-17 | 沈阳工业大学 | 基于铜表面的导热防腐蚀的复合膜层及制备方法 |
| CN111020573B (zh) * | 2019-12-05 | 2022-04-01 | 沈阳工业大学 | 基于铜表面的导热防腐蚀的复合膜层及制备方法 |
Also Published As
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