CN101847676A - 发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统 - Google Patents

Abstract

提供发光器件(LED)、LED封装和包括所述LED封装的照明系统。所述发光器件(LED)可包括发光结构、载流子注入层和电极层。所述发光结构可包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述载流子注入层可位于所述发光结构之上，并且所述电极层可以位于所述载流子注入层之上。

Description

发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明系统。

背景技术

发光器件(LED)是将电转化成光的半导体器件。商业化的红色LED和绿色LED已经用作电子设备如信息和通信设备的光源。

氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙，并且可以与其他元素如铟(In)和铝(Al)一起使用，用于制造能够发射绿色、蓝色和白色的光的半导体层，并且可以相对容易地调节氮化物半导体的发射波长。在基于氮化物的LED领域中，近来已经进行尝试以改善半导体生长结构或生长外延层工艺，从而开发具有高光提取效率的光学器件。

LED芯片的效率可以通过内部量子效率、光提取效率和电流注入效率来确定。电流注入效率涉及电阻和施加的电压，因此LED芯片的电阻减小可以提高电流注入效率。

发明内容

本发明的一方面涉及一种发光器件(LED)，包括：包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层的发光结构；具有欧姆层的电极层；和载流子注入层，其包括在所述发光结构和所述欧姆层之间的过渡金属氧化物层。

本发明的一方面涉及一种发光器件(LED)，包括：包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层的发光结构；欧姆层；和在所述发光结构和所述欧姆层之间的过渡金属氧化物，所述过渡金属氧化物具有比所述欧姆层的功函数大的功函数。

本发明的另一方面涉及一种LED封装，其包括本发明的LED，并且还包括容纳所述LED的封装体。

本发明的另一方面涉及一种照明系统，其包括发光模块，所述发光模块包括本发明的LED封装。

附图说明

下面将参照附图详细描述实施方案，附图中类似的附图标记指类似的元件，其中：

图1是根据如本文广义描述的一个实施方案的示例性发光器件LED的截面图。

图2A和2B示出图1中显示的示例性LED的功函数。

图3是根据如本文广义描述的另一实施方案的LED的截面图。

图4是根据如本文广义描述的另一实施方案的LED的截面图。

图5是根据如本文广义描述的一个实施方案的LED封装的截面图。

图6是根据如本文广义描述的一个实施方案的照明单元的立体图。

图7是根据如本文广义描述的一个实施方案的背光单元的分解立体图。

具体实施方式

现在将详细描述本文提出的实施方案，其实例在附图中示出。

在以下说明中，应当理解，当称层(或膜)在另一层或衬底之“上/上方”时，它可以直接在所述另一层或衬底之上/上方，或者也可以存在中间层。此外，应理解，当称层在另一层之“下/下方”时，它可以直接在所述另一层之下，并且也可以存在一个或更多个中间层。此外，还应理解，当称层在两层“之间”时，它可以是所述两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。

图1中显示的LED可包括含有第一导电半导体层10、有源层20和第二导电半导体层30的发光结构。载流子注入层35可设置在发光结构上，并且电极层40可设置在载流子注入层35上。

如图1所示，载流子注入层35可以设置在第二导电半导体层30和电极层40之间。然而，载流子注入层35不限于该布置。例如，在一个替代实施方案中，载流子注入层35可以设置在所述第一导电半导体层10和另一电极(图1中未显示)之间。然后，如果第二导电半导体层30是例如电子注入层，则N型欧姆层的功函数可以低于N型半导体层的功函数。此外，在图1中显示的实施方案中，第二导电半导体层30可以是P型半导体层。然而，在一个替代实施方案中，第二导电半导体层可以是例如N型半导体层。

图1中显示的LED可提高载流子注入效率和电流注入效率以提高LED芯片效率，并且可以改善制造LED的方法。

在LED的各种电阻分量中，P型半导体层和电极之间的接触电阻可以是确定芯片电流注入效率的主要因素。尽管可以在形成欧姆电极中期望高掺杂水平，但是由于P型半导体层的性质，P型半导体层通常不能掺杂到高的掺杂水平，从而产生相对大的接触电阻。

因此，在图1中显示的实施方案中，考虑到因这种接触电阻引起的空穴注入效率的降低，可以在P型半导体层和电极之间设置额外的空穴注入层以提高空穴注入效率和空穴-电子复合率。

然而，由于普通P型半导体层的掺杂水平可能相对低，所以如果使金属与半导体层接触，则在接触表面处可能形成势垒，因此不形成欧姆接触。为此，如果金属的功函数是ψm并且半导体层的功函数是ψs，则对于满足ψm＜ψs的N型半导体层和满足ψm＞ψs的P型半导体层不产生势垒。因此，对P型半导体层的接触表面可以选择ψm＞ψs，以通过提高空穴注入效率来控制载流子的势垒。

在该实施方案中，可以在P型半导体层和第二电极层如欧姆层之间插入具有临界厚度的空穴注入层，以提高空穴注入效率，由此提高电流注入效率。因插入空穴注入层引起的电流注入效率的增加可以在有源层中导致电子-空穴复合效率提高，并最终可以提高光量和量子效率。

图2A和2B示出LED的功函数变化。

在该实施方案中，可以在P型半导体层和第二电极例如欧姆层之间设置空穴注入层，来代替其中P型半导体层和欧姆层直接接触的结构。

因插入空穴注入层引起的空穴注入效率提高可以如下解释。P型半导体层的欧姆接触由P型层和欧姆层之间的功函数而非欧姆层的导电性确定。通过根据上述关系ψm＞ψs选择用于欧姆层的合适材料，可以增加P型层和欧姆层之间的功函数差，以增加对有源层的空穴注入效率。根据该实施方案，由于空穴注入层的形成，所以P型半导体层和欧姆层之间的功函数差(Δψ)可以从Δψ1增加到Δψ2。

在该实施方案中，空穴注入层插在P型半导体层和欧姆层之间，并且由于空穴注入层相对高的功函数，所以P型半导体层和空穴注入层之间的功函数差可相对大。随着功函数差增加，势垒壁变得更高，并且当施加电流时空穴注入量可增加以提高空穴注入效率。这是通过增加空穴注入层的功函数来实现的，并且空穴注入层的功函数可以通过形成空穴注入层时增加氧浓度来增加。

因此，半导体层和电极层之间的功函数差可以通过插入额外的空穴注入层来增加，以提高空穴注入效率和电流注入效率，由此提高LED芯片的发光效率。

图3是根据如本文广义描述的另一实施方案的LED 100的截面图。虽然图3中显示的是垂直型LED，但是其他布置也可以是合适的。在下文，将参照图3中显示的LED 100描述制造LED的方法。

首先，可在第一衬底上设置包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130的发光结构。为了讨论，当在图1中观察时，第一衬底可以位于第一导电半导体层110的上侧。

第一衬底可以为例如蓝宝石(Al₂O₃)单晶衬底，或者其他类型的合适衬底。可以在第一衬底上执行湿清洁以从第一衬底的表面移除杂质。

第一导电半导体层110可以通过例如化学气相沉积(CVD)法、分子束外延(MBE)法、溅射法、氢化物气相外延(HVPE)法或其他合适方法在第一衬底上形成。此外，第一导电半导体层110可以通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨(NH₃)气、氮(N₂)气和包含N型杂质如硅(Si)的硅烷(SiH₄)气体注入室中来形成。

接下来，可在第一导电半导体层110上设置有源层120。在有源层120处，通过第一导电半导体层110注入的电子遇到通过第二导电半导体层130注入的空穴，使得有源层120(发光层)可以发射具有由有源层120的材料的能带确定的能量的光。有源层120可以具有通过例如顺序堆叠具有不同能带的氮化物半导体薄层一次或更多次而形成的量子阱结构。例如，有源层120可具有通过注入三甲基镓(TMGa)气体、氨(NH₃)气、氮(N₂)气和三甲基铟(TMIn)气体形成的InGaN/GaN量子阱结构。其他布置也可以是合适的。

在下文，第二导电半导体层130可设置在有源层120上。例如，第二导电半导体层130可通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨(NH₃)气、氮(N₂)气和包含P型杂质如镁(Mg)的二乙基环戊二烯镁(EtCp₂Mg){Mg(C₂H₅C₅H₄)₂}气体注入室中来形成。然而，如果合适的话，可以在形成第二导电半导体层130时使用其他材料和方法。

接下来，可在第二导电半导体层130上设置载流子注入层135。在图3中显示的实施方案中，载流子注入层135设置在第二导电半导体层130上。然而，其他布置也可以是合适的。在图3中显示的实施方案中，载流子注入层135设置在第二导电半导体层130和电极/电极层140之间。载流子注入层135的功函数可以相对高，使得第二导电半导体层130和载流子注入层135之间的功函数差也可以相对高。由于功函数差大，所以势垒增加，当施加电流时空穴注入量也可以增加，从而提高空穴注入效率。这是通过增加载流子注入层135的功函数，例如通过在形成载流子注入层135时增加氧浓度来实现的。

在图3中显示的实施方案中，对于P型欧姆接触，当欧姆层的功函数大于第二导电半导体层130的功函数时，欧姆接触是可能的。

此外，载流子注入层135的功函数可以比欧姆层的功函数大。例如，在图3中显示的实施方案中，载流子注入层135可包括具有约4.2eV或更高的功函数的金属氧化物。然而，载流子注入层135不限于此。例如，如果电极/电极层140包括欧姆层142以提供p型欧姆接触，例如铟锡氧化物(ITO)层，则欧姆层的功函数可以为约4.2eV，第二导电半导体层130的功函数可以为约4.0eV，并且载流子注入层135可包括具有约4.2eV或更高的功函数的金属氧化物。

载流子注入层135可以是载流子隧穿层，并且可以具有允许隧穿的厚度。例如，载流子注入层135可具有约1nm至约30nm的厚度。其他厚度也可以是合适的。例如，在金属的情况下，通过热处理形成的金属氧化物结构的厚度可以为约50nm或更小。为了将金属氧化物的透射率增加至90％或更高，以不影响半导体的发射强度，可以注入大量的氧。由于氧的注入，可以增加金属层的厚度。因此，当金属层的厚度为30nm或更小时，可以获得期望的金属氧化物厚度，其是通过供给足够的氧以确保足够的透射率而形成的。也就是说，如果金属层形成为约30nm或更大，则可以进行臭氧处理例如热处理，透射率可增加，并且发光强度可降低。因此，尽管空穴注入效率高，但是光量可能不增加。

载流子注入层135可包括包含过渡金属的氧化物膜。例如，形成载流子注入层135的工艺可包括形成金属层的工艺和在氧气氛下将紫外(UV)光辐照到金属层上来进行臭氧处理的工艺。如果金属层在氧气氛下暴露于UV光，则金属层的表面通过氧进行臭氧处理，因此金属层的氧浓度增加，由此增加功函数。

金属层可以是过渡金属层。然而，金属层不限于此，其他金属也可适合于金属层。例如，载流子注入层135可包括含有铝(Al)、镁(Mg)、镉(Cd)、锡(Sn)、铅(Pb)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、铼(Re)、钴(Co)、铬(Cr)、镍(Ni)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)或锗(Ge)中的至少一种的过渡金属氧化物膜。

在一个替代实施方案中，形成载流子注入层135的工艺可包括形成金属层和在氧气氛中利用快速热过程(RTP)热处理金属层的工艺。金属层可以是过渡金属，但是不限于此，其他金属也可以是合适的。如果沉积的金属层在氧气氛中进行快速热处理，则可以获得具有高氧浓度的金属氧化物，并且金属氧化物的功函数可以相对高。

这种快速热过程可以根据所涉及金属的类型以不同的方式进行。例如，如果在氧气氛中、在300℃至400℃下进行热处理一分钟，则可以获得功函数增加的金属氧化物。然而，在垂直型LED的情况下，如果热处理为400℃或更高，则反射层的反射效率可能降低。为了将金属氧化成金属氧化物，可以在约300℃至400℃下进行热处理。

电极/电极层140可设置在载流子注入层135上。电极/电极层140可包括欧姆层142，并且可以通过在多个阶段中堆叠金属或金属合金层形成以增加空穴注入效率。欧姆层142可包括ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au或Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一种。然而，欧姆层142不限于此。

此外，电极/电极层140还可包括反射层144和粘合层146。在一些实施方案中，反射层144可包括包含Al、Ag或Al和Ag的合金的金属层。铝或银有效反射由有源层120发射的光，使得LED的光提取效率可以显著提高。在某些实施方案中，反射层144可以用作粘合层146，或者粘合层146可由镍(Ni)或金(Au)单独形成。

如图3所示，电极/电极层140还可以包括第二衬底148。如果第一导电半导体层110足够厚，例如约50μm，则可以省略第二衬底148。第二衬底148可由高导电性材料例如金属、金属合金或导电半导体形成。例如，第二衬底148可由诸如铜(Cu)、Cu合金、硅(Si)、钼(Mo)或硅锗(SiGe)的材料形成。第二衬底148可以通过电化学金属沉积法、利用低共熔金属接合法的接合法或其他合适的方法来形成。

接下来，移除第一衬底(在工艺开始时其上形成第一半导体层110)以暴露第一半导体层110。第一衬底可以通过利用高功率激光(激光剥离)或化学蚀刻法移除。此外，第一衬底可以通过物理研磨法移除。移除第一衬底时所暴露的第一导电半导体层110可具有表面缺陷层。这种缺陷可利用湿或干蚀刻工艺移除。然后如在图3中所示可以在第一半导体层110上设置电极105。

在图3中显示的LED中，半导体层和电极层之间的功函数差可以通过插入额外的载流子注入层来增加，以提高空穴注入效率和电流注入效率，由此提高LED芯片的总效率。

图4是根据如本文广义描述的另一实施方案的LED200的截面图，其中示出横向式LED。然而，实施方案不限于此，并且其部件的其他布置也是合适的。在下文，将关于图4中显示的LED 200来描述LED的制造方法。该实施方案可包括与关于图3中实施方案所讨论的那些类似的特征，因此以下讨论将主要着重于差别之处。

首先，可在衬底202上设置包括第一导电半导体层210、有源层220和第二导电半导体层230的发光结构。然后可以在第二导电半导体层230上设置载流子注入层235。接下来，可在载流子注入层235上设置电极层240。电极层240可包括例如欧姆层和反射层。

然后可以执行蚀刻工艺以暴露第一导电半导体层210的一部分。此后，可以在第一导电半导体层210上形成第一电极205，并且可以在电极层240上形成第二电极215。在图4显示的实施方案中，第二电极215接触载流子注入层235。然而，第二电极215不限于此。例如，第二电极215可通过电极层240电连接至载流子注入层235

在该实施方案中，载流子注入层235可以设置在第二导电半导体层230和电极层240之间。载流子注入层235的功函数可以相对高，使得第二导电半导体层230和载流子注入层235之间的功函数差可以相对大。当功函数差相对大时，势垒增加，并且空穴注入量也增加，以在施加电流时增加空穴注入效率。这是通过增加载流子注入层235的功函数实现的，其可以通过在形成载流子注入层235时增加氧浓度来完成。在该实施方案中，用于形成载流子注入层235的材料的功函数可以大于第二导电半导体层230或电极层240的欧姆层的功函数。

载流子注入层235具有允许隧穿的厚度，并且可用作载流子隧穿层。

载流子注入层235可包括过渡金属层。例如，形成载流子注入层235的工艺可包括形成金属层的工艺和在氧气氛中将紫外(UV)光辐照到金属层上以进行臭氧处理的工艺。在一个替代实施方案中，形成载流子注入层235的工艺可包括形成金属层的工艺和在氧气氛中利用快速热过程对金属层进行热处理的工艺。

在图4中显示的实施方案中，第二电极215可与载流子注入层235的一部分接触。然而，第二电极215不限于此。例如，如果第二电极215与载流子注入层235的区域接触，则根据载流子注入层235的功函数和与发光结构的接触表面的功函数之间的关系，直接接触区的电阻增加。所增加的电阻阻碍垂直电流从第二电极215沿发光结构流动。由于垂直电流受到增加的电阻阻碍，所以电流可沿载流子注入层235扩散。

在图4中显示的LED 200中，载流子注入层235增加第二导电半导体层230和电极层240之间的功函数差，以提高空穴注入效率和电流注入效率，由此提高LED芯片的总效率。

图5是包括如本文实施且广义描述的LED的LED封装300的截面图。

参照图5，LED封装300包括主体305、设置在主体305中的第一封装电极层310和第二封装电极层320、设置在主体305中且电连接至第一封装电极层310和第二封装电极层320的LED100、以及环绕LED100的模制件340。

主体305可由硅材料、合成树脂材料、金属材料或其他合适的材料形成。LED100周围可设置倾斜表面。

第一封装电极层310和第二封装电极层320彼此电隔离并向LED 100供电。第一封装电极层310和第二封装电极层320还可反射由LED 100产生的光以提高光效率，并且可以将LED 100产生的热释放到外部。

图3中显示的垂直型LED 100可用于图5显示的LED封装300，但是不限于此。例如，图4中示出的横向式LED 200可用于LED封装300。

LED 100可设置在主体305上，或第一封装电极层310上，或者第二封装电极层320上。LED 100可通过导线330电连接至第一封装电极层310和/或第二封装电极层320。模制件340可包围LED 100以保护LED 100。模制件340可包含磷光体以改变从LED 100发射的光的波长。

本文实施和广义描述的LED封装可应用照明系统。这类照明系统可包括例如图6中示出的照明单元1100和图7中示出的背光单元1200。这类照明系统可包括例如交通灯、车头灯、招牌和多种其他类型的照明系统。

图6中显示的照明单元1100可包括壳体1110、设置在壳体1110中的发光模块1130和设置在壳体1110中以接收来自外部电源的电力的连接端子1120。

壳体1110可由具有合适的热耗散特性的材料形成。例如，壳体1110可由金属材料、树脂材料或其他合适的材料形成。

发光模块1130可包括衬底1132和安装在衬底1132上的至少一个发光器件封装300。衬底1132可以包括印刷在绝缘材料上的电路图案。衬底1132例如可以为印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB或其他合适的衬底。衬底1132也可由有效反射光的材料形成。例如，衬底1132的表面可涂有彩色材料，例如，有效反射光的白色或银色材料。

可以在衬底1132上安装至少一个发光器件封装300。发光器件封装300可包括至少一个发光二极管100。发光二极管100可包括发射红色、绿色、蓝色或白色光的彩色LED和发射紫外(UV)光的UV LED。

在一些实施方案中，发光模块1130可包括多个发光器件封装300以获得各种颜色和亮度。例如，白色LED、红色LED和绿色LED可相互组合设置以确保高的显色指数(CRI)。

连接端子1120可电连接至发光模块1130以供电。在图6中显示的实施方案中，连接端子1120以插座方式旋入外部电源中。但是，本公开不限于此。例如，连接端子1120可具有销的形状，其可插入外部电源中或利用互连装置连接至外部电源。其他布置也可以是合适的。

图7中显示的背光单元1200可包括导光板1210、发光模块1240、反射构件1220和底盖1230。其他布置也可以是合适的。发光模块1240可为导光板1210提供光。反射构件1220可设置在导光板1210之下。底盖1230可容纳导光板1210、发光模块1240和反射构件1220于其中。

导光板1210可扩散光以产生平面光。导光板1210可由透明材料形成。例如，导光板1210可由丙烯酸树脂基材料例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂中的一种或其他合适的材料形成。

发光模块1240可向导光板1210的至少一个表面提供光。因此，发光模块1240可用作包括这类背光单元1200的显示设备的光源。

发光模块1240可接触导光板1210，但是不限于此。具体而言，发光模块1240可包括基板1242和安装在基板1242上的多个发光器件封装300。衬底1242可接触导光板1210，或者可以与导光板1210隔开，取决于具体的部件布置。

衬底1242可以是例如包括电路图案的PCB、金属芯PCB或柔性PCB或其他类型的合适衬底。

多个发光器件封装300中每一个的发光表面可以与导光板1210间隔预定的距离。

反射构件1220可设置在导光板1210之下以将入射到导光板1210底表面上的光反射到向上的方向上，由此提高背光单元1200的亮度。例如，反射构件1220可由PET、PC和PVC或其他合适材料中的一种形成。

底盖1230中可容纳导光板1210、发光模块1240和反射构件1220。因此，底盖1230可具有有开放上侧的盒形状，或其他合适的配置。

底盖1230可由金属材料或树脂材料形成，并且可利用压制成形工艺或挤塑工艺制成。其他材料和工艺也可以是合适的。

实施方案提供具有改善的电流注入效率和发射效率的发光器件(LED)、LED封装和照明系统。

在一个实施方案中，发光器件(LED)可包括包含第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层的发光结构；所述发光结构上的载流子注入层；和所述载流子注入层上的第二电极层。

在另一实施方案中，本文实施和广义描述的LED封装可包括：LED，该LED包括发光结构、所述发光结构上的载流子注入层和所述载流子注入层上的第二电极层；和其中设置有所述LED的封装体。

在另一实施方案中，本文实施和广义描述的照明系统可包括LED封装，所述LED封装包括：LED，该LED包括发光结构、所述发光结构上的载流子注入层和所述载流子注入层上的第二电极层；和其中设置有所述LED的封装体。

该说明书中提及的“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等是指关于实施方案所描述的具体特征、结构或特征包含在本发明的至少一个实施方案中。说明书中各处使用的这类短语不一定都是指相同的实施方案。此外，当关于任意实施方案描述具体特征、结构或特征时，关于实施方案的其它特征、结构或特性来实现该特征、结构或特性也在本领域技术人员的范围内。

虽然已经参照本发明的多个示例性实施方案描述本发明，但是应理解，本领域的技术人员可以设计多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，可以对本公开内容、附图和所附权利要求中的主题组合布置的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或布置进行变化和修改之外，可替代使用对本领域的技术人员而言也是明显的。

Claims (11)

1.一种发光器件(LED)，包括：

包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层的发光结构；

具有欧姆层的电极层；和

载流子注入层，其包括在所述发光结构和所述欧姆层之间的过渡金属氧化物层。

2.权利要求1所述的LED，其中所述过渡金属氧化物层包括空穴注入层。

3.权利要求1所述的LED，其中所述载流子注入层允许载流子隧穿。

4.权利要求3所述的LED，其中所述载流子注入层具有约1nm至约30nm的厚度。

5.权利要求1所述的LED，其中所述过渡金属氧化物包含铝(Al)、镁(Mg)、镉(Cd)、锡(Sn)、铅(Pb)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、铼(Re)、钴(Co)、铬(Cr)、镍(Ni)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)或锗(Ge)中的至少一种。

6.权利要求1所述的LED，其中所述电极层还包括反射层、粘合层或第二衬底中的至少一种。

7.权利要求1所述的LED，其中所述第二导电半导体层是P型半导体层或N型半导体层。

8.一种LED封装，其包括权利要求1所述的LED，并且还包括容纳所设置的LED的封装体。

9.一种照明系统，其包括发光模块，所述发光模块包括权利要求8所述的LED封装。

10.一种发光器件(LED)，包括：

包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层的发光结构；

欧姆层；和

在所述发光结构和所述欧姆层之间的过渡金属氧化物，所述过渡金属氧化物具有比所述欧姆层的功函数大的功函数。

11.权利要求10所述的发光器件，其中当所述欧姆层是ITO时，所述过渡金属氧化物的功函数大于4.2ev。

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