CN101820045A - Led的封装支架、led封装方法及利用该方法制作的led - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种LED的封装支架、LED封装方法，所述支架包括至少一封装单元；所述封装单元的主体为一框架，框架上设置具有散热能力的热沉；该热沉具有的高度保证其底部在封装以后裸露，其底面积可与LED芯片功率匹配；所述热沉上设置反射杯，其底部可进行芯片共晶焊接；所述热沉周边设置至少两个焊线柱，分别进行正负电极的焊接；热沉、焊线柱通过管腿或/和管脚与框架相连。LED封装结构是由金属支架和封装胶体两种材料直接构成，结构紧凑，减少了透镜与封装体，塑胶与金属热沉等的界面，同时增加了结构的坚固性。采用金属支架突破了共晶温度高的难点，使用较高共晶温度的焊料一方面增加了热稳定性，另一方面也提高了焊层的热导率。

Description

LED的封装支架、LED封装方法及利用该方法制作的LED

技术领域

本发明属于LED封装技术领域，涉及一种LED封装方法，尤其涉及一种利用全金属支架进行功率型LED封装的方法；此外，本发明还涉及上述方法用到的功率型LED的支架。

背景技术

功率型发光二极管(Light Emitting Diode，LED)被认为是替代现有各种照明光源的最有潜力的半导体器件。从上世纪90年代到现在近二十年的时间，功率型LED获得巨大的进步，目前白光功率型LED的发光效率已经达到1861m/W，超过了现有的所有其他照明光源的效率；同时LED的输出功率和可靠性也在稳步增加。早期的功率型LED的封装只是在原有指示型直插式LED的简单放大，其封装热阻没有大的改善，一般情况下高达200-300℃/W，这对目前瓦级的功率型LED是不可想象的。惠普公司从1993年推出食人鱼及其改进结构的封装，使得LED热阻降低到70℃/W左右，功率从最初的几十毫瓦增加到0.3-0.5瓦。较大的进步是在Lumileds推出的Luxeon功率型LED系列产品，他们把芯片焊接在热沉插件上，使得热阻降低到15℃/W的水平，瓦级的LED实用就成为可能。

但是目前国内封装行业在功率型LED封装上还处于起步阶段，许多采用较高质量的芯片封装的瓦级LED并不能得到较长的使用寿命。主要原因有以下几点，一是封装热阻过大，虽然大多数厂家的封装结构类似于Luxeon系列产品，但是其固晶采用银胶固晶，银胶固晶需要较为苛刻的工艺条件，同时其热导率偏低，一般低于10W/mK。通过共晶金属焊接可以显著降低热阻，虽然很多厂家尝试，但成功的寥寥无几，一方面用于LED共晶焊的设备目前还不是很成熟，另一方面直接用于较高焊接温度的支架也很难在市场上采购得到。二是封装结构不够紧凑，产生了许多不同材料的界面，从而降低了其在高温及冷热冲击等方面的性能，一个例子就是透镜的封装，大多还采用预制透镜然后加盖封装的方法。这种方法增加了透镜中气隙产生的可能性，而且因为透镜和里面封装材质的差异导致透镜和胶体分离，甚至脱落。还有热沉与支架之间的联接界面通过冲压形成，在不断的冷热冲击或高低温循环下，也有松动的可能。

市场上常见的支架对进一步提高LED的封装的可靠性非常困难。本发明提供另外一种全金属支架封装的方法，用以解决目前功率型LED封装所面临的困难。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种利用特定金属支架进行功率型LED封装的方法，可提高LED的封装的可靠性。

此外，本发明还提供上述方法用到的功率型LED的支架。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种功率型LED的封装支架，所述支架包括至少一封装单元；所述封装单元的主体为一框架，框架上设置带碗杯的、具有散热能力的热沉；该热沉具有的高度保证其底部在封装以后裸露，其底面积可与芯片功率匹配；所述热沉中间的碗杯为反射杯，其底部可进行芯片共晶焊接；所述热沉两侧设置两个纺锤形的焊线柱，分别进行正负电极的焊接；热沉、焊线柱通过管腿或/和管脚与框架相连。

作为本发明的一种优选方案，所述支架为全金属材质；框架包括底座、梁和中间的筋，所述筋用以确保支架在封装过程中不变形。

作为本发明的一种优选方案，所述热沉为六角结构，相对的两边分别和管腿相连，管腿弯折成直角，且与热沉底部相平，以使热沉与LED的电极在线路板上进行回流焊接；管腿高于热沉底部，以使共晶焊接时热沉与夹具加热部分紧密相连；焊线柱的高度高于热沉的高度，焊线柱的顶端高于热沉的上表面，以使焊线柱对碗杯中的芯片有俯角，避免与热沉接触短路；框架的梁和模条的卡点配合，用以调节芯片在封装结构中的位置；管脚低于框架的高度，框架用来调节芯片的位置，同时保证管脚和热沉都在封装胶体的外面。

作为本发明的一种优选方案，为了配合上述支架的封装，所述支架还包括相应的模条；所述模条包括基板，该基板平行于支架的梁的尺寸大于支架的尺寸，基板垂直与支架梁的单元尺寸与支架单元尺寸相等；将封装体模粒和透镜模一体成型后通过卡套安装在基板上，封装体模粒包封支架焊柱，并包封热沉的大部分，透镜尺寸则由发光波长、封装角度确定；基板上设置定位标记，用作支架与封装体的精确定位；同时定位标记还提供卡槽，可进行芯片在封装体中定位；在基板上冲出大于LED封装体的方孔，然后安装封装体模粒和透镜模粒；LED芯片和管座的大部被封装体所包封，实现支架切筋后LED结构稳固，并能够在封装体固化后顺利地进行脱模；透镜和封装体一体连接；定位标记的切面是一个V型槽，其通过标记的位置来限制支架与封装体的对准。

作为本发明的一种优选方案，在每个模条上，配以不同槽深的定位标记，通过定位标记的部分卡槽的剪除来选择芯片在封装体中的位置。

一种功率型LED的封装支架，所述支架包括至少一封装单元；所述封装单元的主体为一框架，框架上设置具有散热能力的热沉；该热沉具有的高度保证其底部在封装以后裸露，其底面积可与LED芯片功率匹配；所述热沉上设置反射杯，其底部可进行芯片共晶焊接；所述热沉周边设置至少两个焊线柱，分别进行正负电极的焊接；热沉、焊线柱通过管腿或/和管脚与框架相连。

一种上述封装支架进行功率型LED的封装方法功率型LED的封装方法，所述方法包括如下步骤：

步骤A、通过共晶焊机器把芯片共晶焊接在支架的热沉上；

步骤B、把芯片电极通过引线与支架焊柱相连；

步骤C、在模条内注进适量的Si树脂，把支架碗杯向下插入模条；

步骤D、进行高温固化Si树脂胶体；

步骤E、把封装好胶体的支架从模条中脱模；

步骤F、剪切掉支架连接LED管脚的筋，得到分立的LED器件。

作为本发明的一种优选方案，步骤A中，共晶焊料一般为AuSn合金，共晶点为282℃；其加热温度设定330-350℃，焊接时间在50ms-1s之间；

步骤C中，选用Si树脂为粘度小于1500cp，固化硬度大于65A的型号，适于模造透镜；

步骤D中，固化温度在100-180℃之间，固化时间在20分钟-2小时之间。

一种利用上述的功率型LED的封装方法制造的LED，所述LED芯片包封于封装体中，封装体和透镜为一体成型；芯片共晶焊接在热沉上，热沉连有管腿和管脚；管腿弯成直角，分别与热沉及焊柱相连；芯片电极到支架焊柱连有金属引线；热沉中的反射碗杯的碗底用于与芯片的共晶焊接，而碗壁和部分碗底反射芯片射向侧面和底面的光；LED芯片电极通过金属引线与支架焊柱相连；支架焊柱整个包封于封装体中。

本发明的有益效果在于：

(1)本发明中，LED封装结构是由金属支架和封装胶体两种材料直接构成，结构紧凑，减少了透镜与封装体，塑胶与金属热沉等的界面，同时增加了结构的坚固性。采用金属支架突破了共晶温度高的难点，使用较高共晶温度的焊料一方面增加了热稳定性，另一方面也提高了焊层的热导率。

(2)LED封装结构实现了可靠的共晶焊接，即芯片与热沉通过高热导率的共晶金属连接。利用较高硬度的Si树脂进行透镜的塑封模造，简化了透镜的制作工艺，而且增加了器件的性能和可靠性。

(3)LED支架具有较宽的底座，连接底座的梁以及垂直的和横向的筋组成，其结构非常稳固。这些结构加上管腿的弯角连接等因素，可以支撑较大的热沉和焊柱。

(4)LED支架是全金属支架，可以进行高温的共晶焊接。同时热沉在固晶时可以直接与自动固晶机的加热块接触，缩短加热的时间。

(5)LED支架可以进行胶体的整体封装。即完成对芯片，热沉，焊柱，管腿的包封，同时完成透镜的塑封。封装体和透镜为一个整体。

(6)通过与LED支架对应的模条上的定位卡槽保证封装体与芯片的准确对准，并可以适量调节芯片在封装体中的位置。

(7)通过焊柱的较大的面积及封装体对焊柱的包封，以及对与胶体接触的热沉进行滚花处理，保证脱模工艺顺利进行。

(8)LED封装结构是由金属支架和封装胶体两种材料直接构成，结构紧凑，减少了透镜与封装体，塑胶与金属热沉等的界面，同时增加了结构的坚固性。

(9)LED封装结构实现了可靠的共晶焊接，即芯片与热沉通过高热导率的共晶金属连接。

(10)本发明实现了真正的模造透镜，消除透镜分离，脱落的隐患。

(11)热沉与管脚在一个平面内，便于在线路板上回流焊接。

附图说明

图1-0为以一个单元为例的功率型LED的支架结构示意图。

图1-1至图1-6分别为沿切线A1至-A6的剖面图。

图2-0为以一个单元为例的功率型LED的封装模条结构示意图。

图2-1至至图2-2分别为沿切线B1-B2的剖面图。

图3-1、图3-2为支架封装的功率型LED结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

实施例一

本发明提供一种功率型LED支架制备及采用该支架进行功率型LED封装的方法。所述支架为全金属支架，包含带碗杯的、具有足够散热能力的热沉；同时提供与支架对应的模条，透镜向下，且能调节支架插入高度。所述封装方法首先在全金属支架的热沉上做共晶焊接，然后进行电极引线的焊接，在模条内灌注Si树脂，插进上述焊接好的支架，固化胶体，脱模，接着进行支架切筋，得到单个功率型LED器件。

请参阅图1-0至图1-6，图中揭示了支架的结构；为了方便说明，仅用一个单元做说明，支架可以使用1×12单元单排结构，也可使用2×10的单元双排结构，或者其他合适的单元排列。

图1-0为支架的平面结构，支架为金属Cu或钢结构，表面镀有银层。框架1为支架的骨架，包括底座、梁和中间的筋11，用以确保支架在封装过程中不变形。六角柱状热沉2具有的高度保证其底部在封装以后裸露，其底面积可以与芯片功率匹配。热沉2中间的碗杯3为反射杯，同时其底部可以进行芯片共晶焊接。两个纺锤形的焊线柱4可以分别进行正负电极的焊接。热沉2、焊线柱4通过管腿5和管脚6(分别为6个)与框架1相连。为了便于说明，在平面图上做了6个切面，分别标记为A1-A6。

图1-1为沿着A1线即经过热沉2及相应管腿的切面。筋11连接管脚6的框架，其分别和中间横向的筋及下面的横向的底座相连。热沉2为六角结构，相对的两边分别和管腿5相连，而管腿5弯折成直角，且与热沉2底部相平，这样有利于热沉与LED的电极在线路板上进行回流焊接，但是管腿5要比热沉底部略高，这样在芯片共晶焊接时管腿不会碰上支架的夹具，保证共晶焊接时热沉与夹具加热部分紧密相连。同时这种弯折保证了热沉，部分管腿以及整个管脚在封装胶体的外面。管腿5在热沉两边的连接保证了热沉结构的稳定性。

图1-2为A2线沿焊柱4及相应管腿的切面，不同于A1线的切面，其不含热沉柱体，而且焊线柱4的高度高于热沉2的高度，这样使得焊线柱4对热沉3中的芯片有一定的俯角，便于电极引线焊接，避免与热沉3接触短路。

图1-3为A3线沿平行管腿的框架1的切面。其水平部分横跨支架两个平行的底座，作为固定支架的梁。同时其垂直部分与横向的筋及下面的底座相连，这样进一步保证支架的坚固；同时也保证了热沉3及焊柱4的稳固。

图1-4为A4线经过热沉2与焊柱4的切面。焊线柱4高度高于热沉2上表面，以保证对碗杯3中的芯片有一定的俯角，框架1(支架的梁)和模条的卡点配合，可以用来调节芯片在封装结构中的位置。

图1-5为A5线为平行支架底座的框架1切面。51为支架的底座，其具有较大的宽度，以确保支架具有一定的强度。52为平行于底座的筋，主要用来通过与垂直的筋连接固定热沉2、焊柱4。筋53连接热沉2、焊柱4管脚，其分别与51、52相连。筋54与框架梁相连，支架的定位孔55用于自动封装机器对支架的操作。

图1-6为A6线沿着三个平行的管脚6的切面。管脚6低于框架1的高度，框架1用来调节芯片的位置，同时保证管脚和热沉都在封装胶体的外面。

为了配合上述支架的封装，同时设计了相应的模条。图2-0至图2-2为一个单元的模条结构，其对应于支架结构，模条可以使用1×12单元单排结构，也可使用2×10的单元双排结构，或者其他合适的单元排列。

图2-0为LED模条的平面结构，基板21的材质一般为钢板，其平行于支架梁的单元尺寸比支架尺寸稍大，垂直与支架梁的单元尺寸则严格与支架单元尺寸相等。将封装体模粒22和透镜模23一体成型后通过卡套24安装在基板上，模粒的材料为塑胶，其与相应的封装材料脱模性能良好。封装体模粒2须包封支架焊柱，并包封热沉的大部分，而透镜3尺寸则由发光波长，封装角度等决定。定位标记25，用作支架与封装体的精确定位，同时定位标记25还提供卡槽，可以进行芯片在封装体中定位。

为了进一步说明模条的结构，在如图B1、B2两根虚线处做切面分析。

图2-1为沿平面图线B1的切面图，即经过透镜中心与模条边线平行的切面。在基板21上冲出略大于LED封装体的方孔，然后安装封装体模粒22和透镜模粒23。LED芯片和管座的大部被封装体所包封，实现支架切筋后LED结构稳固，并能够在封装体固化后顺利地进行脱模。透镜和封装体一体连接，相比传统LED，消除了不同材料所形成的界面。

图2-2为以定位标记中线B2形成的切面，在标记的切面是一个V型槽，其通过标记的位置来限制支架与封装体的对准。同时在一个模条上，可以配以不同槽深的定位标记，这样能够通过标记25的部分卡槽的剪除来选择芯片在封装体中的位置。

根据上述支架和模条的设计，可以得到支架封装的功率型LED结构，如图3-1、图3-2所示。

图3-1为封装结构的剖面图，LED芯片31包封于封装体32中，封装体32和透镜33为一体成型，其材料为硬度较大的Si树脂。芯片共晶焊接在热沉34上，35和36分别为管腿和管脚。管腿35弯成直角，分别与热沉及焊柱相连。37为芯片电极到支架焊柱的金属引线。38为热沉中的反射碗杯，其碗底用于与芯片的共晶焊接，而碗壁和部分碗底反射芯片射向侧面和底面的光。

图3-2为封装结构的平面图。芯片31电极通过引线37与焊柱34e相连。较多数量的引线37是为了电流能够在芯片表面均匀分布。焊柱34e整个包封于封装体32中，便于封装结构稳固和脱模。

以上介绍本发明的功率型LED的封装支架及封装后的LED结构。以下介绍利用上述封装支架进行功率型LED的封装方法功率型LED的封装方法；利用上述支架封装功率型LED的步骤如下：

(1)通过共晶焊机器把芯片共晶焊接在支架的热沉上。共晶焊料一般为AuSn合金，共晶点为282℃。其加热温度设定330-350℃，焊接时间在50ms-1s之间。

(2)把芯片电极通过引线与支架焊柱相连。

(3)在模条内注进适量的Si树脂，把支架碗杯向下插入模条。选用Si树脂为粘度小于1500cp，固化硬度大于65A的型号，适于模造透镜。

(4)进行高温固化Si树脂胶体。固化温度在100-180oC之间，固化时间在20分钟-2小时之间。

(5)把封装好胶体的支架从模条中脱模。

(6)剪切掉支架连接LED管脚的筋，得到分立的LED器件。

本发明的主要优点如下：

全金属支架可以方便地进行高温共晶焊接，而不必考虑传统功率型支架塑胶管座受热变形的问题。

类似于食人鱼结构，可以一次性塑封成型，模造透镜，减少各种异质材料界面，增加可靠性。但不同于食人鱼结构，其在支架上进行了加固措施，以适应大体积热沉的需要，因此相比食人鱼，其封装热阻要低得多。

增加发光的效率。由于采用透光性能良好的Si树脂材料代替传统的不透明的塑胶材料，其发光效率会有所增加。另外因为共晶焊接减小工作结温，也会增加发光效率。再者，透镜与封装体之间没有异质界面，不会因产生空气隙或者反射而减少光的出射。

可靠性增加。因为不同材料界面的减少，封装热阻的下降都会增加封装的可靠性，从而延长其使用寿命。

封装成本低廉。由于不需要单独的透镜，热沉插件等，其材料成本降低，另外因为省略了较复杂的点银胶工艺及盖透镜的工艺，其工艺成本降低，同时成品率提高进一步降低成本。

实施例二

本实施例揭示一种功率型LED的封装支架，所述支架包括至少一封装单元；所述封装单元的主体为一框架，框架上设置具有散热能力的热沉；该热沉具有的高度保证其底部在封装以后裸露，其底面积可与LED芯片功率匹配；所述热沉上设置反射杯，其底部可进行芯片共晶焊接；所述热沉周边设置至少两个焊线柱，分别进行正负电极的焊接；热沉、焊线柱通过管腿或/和管脚与框架相连。

具体地，所述支架包括至少一封装单元；所述封装单元的主体为一框架，框架上设置带碗杯的、具有散热能力的热沉；该热沉具有的高度保证其底部在封装以后裸露，其底面积可与芯片功率匹配；所述热沉中间的碗杯为反射杯，其底部可进行芯片共晶焊接；所述热沉两侧设置两个纺锤形的焊线柱，分别进行正负电极的焊接；热沉、焊线柱通过管腿或/和管脚与框架相连。所述支架为全金属材质；框架包括底座、梁和中间的筋，所述筋用以确保支架在封装过程中不变形。

所述热沉为六角结构，相对的两边分别和管腿相连，管腿弯折成直角，且与热沉底部相平，以使热沉与LED的电极在线路板上进行回流焊接；管腿高于热沉底部，以使共晶焊接时热沉与夹具加热部分紧密相连；焊线柱的高度高于热沉的高度，焊线柱的顶端高于热沉的上表面，以使焊线柱对碗杯中的芯片有俯角，避免与热沉接触短路；框架的梁和模条的卡点配合，用以调节芯片在封装结构中的位置；管脚低于框架的高度，框架用来调节芯片的位置，同时保证管脚和热沉都在封装胶体的外面。

此外，为了配合上述支架的封装，所述支架还包括相应的模条；所述模条包括基板，该基板平行于支架的梁的尺寸大于支架的尺寸，基板垂直与支架梁的单元尺寸与支架单元尺寸相等；将封装体模粒和透镜模一体成型后通过卡套安装在基板上，封装体模粒包封支架焊柱，并包封热沉的大部分，透镜尺寸则由发光波长、封装角度确定；基板上设置定位标记，用作支架与封装体的精确定位；同时定位标记还提供卡槽，可进行芯片在封装体中定位；在基板上冲出大于LED封装体的方孔，然后安装封装体模粒和透镜模粒；LED芯片和管座的大部被封装体所包封，实现支架切筋后LED结构稳固，并能够在封装体固化后顺利地进行脱模；透镜和封装体一体连接；定位标记的切面是一个V型槽，其通过标记的位置来限制支架与封装体的对准。在每个模条上，配以不同槽深的定位标记，通过定位标记的部分卡槽的剪除来选择芯片在封装体中的位置。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (9)

1.一种功率型LED的封装支架，其特征在于，所述支架包括至少一封装单元；

所述封装单元的主体为一框架，框架上设置带碗杯的、具有散热能力的热沉；该热沉具有的高度保证其底部在封装以后裸露，其底面积可与芯片功率匹配；

所述热沉中间的碗杯为反射杯，其底部可进行芯片共晶焊接；所述热沉两侧设置两个纺锤形的焊线柱，分别进行正负电极的焊接；热沉、焊线柱通过管腿或/和管脚与框架相连。

2.根据权利要求1所述的功率型LED的封装支架，其特征在于：

所述支架为全金属材质；

框架包括底座、梁和中间的筋，所述筋用以确保支架在封装过程中不变形。

3.根据权利要求2所述的功率型LED的封装支架，其特征在于：

所述热沉为六角结构，相对的两边分别和管腿相连，管腿弯折成直角，且与热沉底部相平，以使热沉与LED的电极在线路板上进行回流焊接；管腿高于热沉底部，以使共晶焊接时热沉与夹具加热部分紧密相连；焊线柱的高度高于热沉的高度，焊线柱的顶端高于热沉的上表面，以使焊线柱对碗杯中的芯片有俯角，避免与热沉接触短路；

框架的梁和模条的卡点配合，用以调节芯片在封装结构中的位置；

管脚低于框架的高度，框架用来调节芯片的位置，同时保证管脚和热沉都在封装胶体的外面。

4.根据权利要求1或2或3所述的功率型LED的封装支架，其特征在于：

为了配合上述支架的封装，所述支架还包括相应的模条；

所述模条包括基板，该基板平行于支架的梁的尺寸大于支架的尺寸，基板垂直与支架梁的单元尺寸与支架单元尺寸相等；

将封装体模粒和透镜模一体成型后通过卡套安装在基板上，封装体模粒包封支架焊柱，并包封热沉的大部分，透镜尺寸则由发光波长、封装角度确定；

基板上设置定位标记，用作支架与封装体的精确定位；同时定位标记还提供卡槽，可进行芯片在封装体中定位；

在基板上冲出大于LED封装体的方孔，然后安装封装体模粒和透镜模粒；

LED芯片和管座的大部被封装体所包封，实现支架切筋后LED结构稳固，并能够在封装体固化后顺利地进行脱模；透镜和封装体一体连接；

定位标记的切面是一个V型槽，其通过标记的位置来限制支架与封装体的对准。

5.根据权利要求4所述的功率型LED的封装支架，其特征在于：

在每个模条上，配以不同槽深的定位标记，通过定位标记的部分卡槽的剪除来选择芯片在封装体中的位置。

6.一种功率型LED的封装支架，其特征在于，所述支架包括至少一封装单元；

所述封装单元的主体为一框架，框架上设置具有散热能力的热沉；该热沉具有的高度保证其底部在封装以后裸露，其底面积可与LED芯片功率匹配；

所述热沉上设置反射杯，其底部可进行芯片共晶焊接；所述热沉周边设置至少两个焊线柱，分别进行正负电极的焊接；热沉、焊线柱通过管腿或/和管脚与框架相连。

7.一种利用权利要求1至6之一所述封装支架进行功率型LED的封装方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤A、通过共晶焊机器把芯片共晶焊接在支架的热沉上；

步骤B、把芯片电极通过引线与支架焊柱相连；

步骤C、在模条内注进适量的Si树脂，把支架碗杯向下插入模条；

步骤D、进行高温固化Si树脂胶体；

步骤E、把封装好胶体的支架从模条中脱模；

步骤F、剪切掉支架连接LED管脚的筋，得到分立的LED器件。

8.根据权利要求7所述的功率型LED的封装方法，其特征在于：

步骤A中，共晶焊料一般为AuSn合金，共晶点为282℃；其加热温度设定330-350℃，焊接时间在50ms-1s之间；

步骤C中，选用Si树脂为粘度小于1500cp，固化硬度大于65A的型号，适于模造透镜；

步骤D中，固化温度在100-180℃之间，固化时间在20分钟-2小时之间。

9.一种利用权利要求7所述的功率型LED的封装方法制造的LED，其特征在于，所述LED芯片包封于封装体中，封装体和透镜为一体成型；

芯片共晶焊接在热沉上，热沉连有管腿和管脚；管腿弯成直角，分别与热沉及焊柱相连；

芯片电极到支架焊柱连有金属引线；热沉中的反射碗杯的碗底用于与芯片的共晶焊接，而碗壁和部分碗底反射芯片射向侧面和底面的光；

LED芯片电极通过金属引线与支架焊柱相连；支架焊柱整个包封于封装体中。

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