CN101815427A - 一种降低emi的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种降低EMI的方法,先将待提取EMI曲线的频率分设为低频段、中频段和高频段,分别对各频段设定相应的频段EMI限定值;然后,提取EMI曲线;当EMI曲线有包络拱起时,比较EMI包络拱起与EMI限定值,对于不同频段的包络拱起超出EMI限定值的情况,切换选取相应的模式,达到精准快速地降低EMI。
Description
技术领域
本发明是关于一种降低EMI的方法。
背景技术
随着电子信息技术不断发达,EMI即电磁干扰日趋严重,无论是对人类社会还是对电子装置都具有很大的危害。在实际工程中,设备或者电子装置在实现功能过程中经常造成对其它设备或者电子装置的电磁干扰,以及自身附加产生电磁干扰。因此,通常情况下,电磁干扰是极其复杂,难以控制的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种精准快速地降低EMI的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种降低EMI的方法,包括如下步骤:
a.预设定待提取EMI曲线的频率为低频段、中频段和高频段,分别对低频段、中频段和高频段设定低频段EMI限定值,中频段EMI限定值和高频段EMI限定值;
b.提取EMI曲线;
c.所述步骤b中的EMI曲线若有包络拱起,则比较EMI曲线包络拱起与EMI限定值:
当检测出低频段有EMI包络拱起超过低频段EMI限定值,切换选取加大接地面积的第一模式;
当检测出中频段有EMI包络拱起超过中频段EMI限定值,切换选取加π型滤波电路的第二模式;
当检测出高频段有EMI包络拱起超过高频段EMI限定值,切换选取加大接地面积的第三模式。
在上述技术方案的基础上,作进一步改进,具体是:所述步骤b中的EMI曲线若无包络拱起,则执行下述步骤:
d.抓取EMI曲线超出限定值的频点,比较频点与频点之间是否有规律:
当检测出EMI频点与频点之间成奇数倍时,即奇次谐波规律,切换选取加磁珠的第四模式;
当检测出EMI频点与频点之间成偶数倍时,即偶次谐波规律,切换选取加T型LC滤波电路的第五模式;
本发明的有益效果是,通过把EMI曲线的频率设定三个频段,即低频段、中频段和高频段,并对这三个频段分别设定相应的EMI限定值,当EMI曲线有包络拱起时,比较EMI包络拱起与EMI限定值,对于不同频段的包络拱起超出EMI限定值的情况,切换选取相应的模式,达到精准快速地降低EMI。
附图说明
图1是降低EMI的方法流程图;
图2是电磁垂直干扰方向的EMI曲线;
图3是按照步骤b和c对图2所示的EMI包络拱起处理后的EMI曲线图;
图4是按照步骤d对图3所示的EMI频点出现奇次谐波处理后的EMI曲线图;
图5是按照步骤d对图4所示的EMI频点出现偶次谐波处理后的EMI曲线图;
图6是电磁水平干扰方向的EMI曲线图;
图7是按照步骤b和c对图6所示的EMI包络拱起处理后的EMI曲线图;
图8是按照步骤d对图7所示的EMI频点出现奇次谐波处理后的EMI曲线图;
图9是按照步骤d对图8所示的EMI频点出现偶次谐波处理后的EMI曲线图。
具体实施方式
如图1所示,一种降低EMI的方法,具体包括如下步骤:
a.预设定待提取EMI曲线的频率为低频段、中频段和高频段,分别对低频段、中频段和高频段设定低频段EMI限定值,中频段EMI限定值和高频段EMI限定值;
b.提取EMI曲线;
c.所述步骤b中的EMI曲线若有包络拱起,则比较EMI曲线包络拱起与EMI限定值:
当检测出低频段有EMI包络拱起超过低频段EMI限定值,切换选取加大接地面积的第一模式;
当检测出中频段有EMI包络拱起超过中频段EMI限定值,切换选取加π型滤波电路的第二模式;
当检测出高频段有EMI包络拱起超过高频段EMI限定值,切换选取加大接地面积的第三模式。
在上述具体实施方式的基础之上,作进一步的改进,具体是:所述步骤b中的EMI曲线若无包络拱起,则执行下述步骤:
d.抓取EMI曲线超出限定值的频点,比较频点与频点之间是否有规律:
当检测出EMI频点与频点之间成奇数倍时,即奇次谐波规律,切换选取加磁珠的第四模式;
当检测出EMI频点与频点之间成偶数倍时,即偶次谐波规律,切换选取加T型LC滤波电路的第五模式;
下面以降低硬盘类产品的EMI为例对上述步骤进行详细说明。
首先,将待提取的EMI曲线的频率预先设定分为三个频段:低频段为30MHZ~224MHZ,中频段为224MHZ~418MHZ,高频段为418MHZ~1GHZ;设定低频段EMI限定值为30DB,设定中频段EMI限定值和高频段EMI限定值均为37DB。
然后,提取某一硬盘的电路板的EMI曲线,这里先要作点说明,由于电磁干扰是向周围空间辐射,所以最好选择提取电磁垂直干扰方向和水平干扰方向的EMI曲线,只要当这两个方向的EMI在控制范围之内,则该电路板的EMI达标。图2是电路板的电磁辐射干扰方向为垂直方向的EMI曲线,图6是电路板的电磁干扰方向为水平方向的EMI曲线。
接着,分别判断出图2和图6中的EMI曲线有包络拱起,比较EMI曲线包络拱起与EMI限定值,具体如下:
表一和表二分别是图2和图6中的EMI曲线包络拱起的波峰点的相应数据。
表一
表二
在图2中,检测出低频段有严重的包络拱起现象,包络拱起的波峰点有点1和点2处,如图2和表一,点1处的EMI为49.46DB,点2处的EMI为52.94DB,分别超过EMI限定值19.46DB和22.94DB;在图6中,检测出低频段有严重的包络拱起现象,包络拱起的波峰点有点1、点2和点3处,如图6和表二,点1处的EMI为36.47DB,点2处的EMI为40.04DB,点3处的EMI为48.41DB分别超过EMI限定值6.47DB、10.04DB和18.41DB,综合低频段的检测出的结果,这是由于外壳与PCB之间的接地不良引起的或者是电源部分异常,因此,此时切换选取加大接地面积的第一模式,并进一步选取用金属外壳或弹片接触PCB板加大接地面积的子模式或者选取加大电路板电源部分接地面积的子模式来降低EMI。
在图2中,检测出中频段有严重拱起现象,包络拱起的波峰点有点3和点4处,如图2和表一,点3处的EMI为40.64DB,点4处的EMI为42.55DB,分别超过EMI限定值3.64DB和5.55DB;在图6中,检测出中频段有严重拱起现象,包络拱起的波峰点有点4和点5处,如图6和表二,点4处的EMI为45.48DB,点5处的EMI为44.65DB,分别超过EMI限定值8.48DB和7.65DB,综合中频段的检测出的结果,这是由于电源DC-DC部分接地不良引起的,因此,此时切换选取加π型滤波电路的第二模式来降低EMI。
在图2中,检测出高频段有严重拱起现象,包络拱起的波峰点有点5和点6处,如图2和表一,点5处的EMI为47.23D,点6处的EMI为46.10DB,分别超过EMI限定值10.23DB和9.10DB,在图6中,检测出高频段有严重拱起现象,包络拱起的波峰点有点6处,如图6和表二,点6处的EMI为38.69DB,超过EMI限定值1.69DB,综合高频段的检测出的结果,这是由于CPU部分接地不良引起的,因此,切换选取加大接地面积的第三模式,并进一步选取加大CPU部分接地面积的子模式。
实际工程中,由于低频段的EMI传播方式通常是传导,高频段的EMI传播方式通常是辐射,因此,通过把EMI曲线的频率分设成三个频段,即低频段、中频段和高频段,并对三个频段分别设定相应的EMI限定值,当EMI曲线有包络拱起,则比较EMI包络拱起与EMI限定值,对于不同频段的包络拱起超出EMI限定值的情况,选取相应的模式,达到精准快速地降低EMI;对图2改善后的EMI的曲线见图3,对图6改善后的EMI的曲线见图7,从图3和图7可以看出,EMI的包络拱起明显得到改善。
如图3和图7所示,在EMI曲线无包络拱起时,系统将会自动抓取EMI曲线上超出EMI限定值的点,即频点,如图3和表三,表三是图3中的EMI曲线上频点相对应的数据,这时,检测出频点2、频点4和频点6的频率是奇数倍的关系,它们的频率大约是125MHZ、375MHZ和625MHZ,即这些频点是奇次谐波的规律;如图7和表四,表四是图7中的EMI曲线上频点相对应的数据,这时也检测出125MHZ、375MHZ和625MHZ对应的频点是奇数倍的关系,综合检测出频点与频点之间规律性的结果,此时针对时钟信号源要处理125MHZ和它的3次、5次谐波即375MHZ、625MHZ的频点,切换选取加磁珠的第四模式,也就是说,要对125MHZ输出的网络芯片加125MHZ时最高阻抗为2.4KOhm的磁珠,以达到进一步降低EMI。图4和图8表明,EMI确实进一步明显改善了。
表三
表四
如图4和表五,图8和表六,表五是图4中的EMI曲线上频点相对应的数据,表六是图8中的EMI曲线上频点相对应的数据。这时检测出125MHZ的频点与750MHZ的频点是偶数倍的关系,即125MHZ的6次倍频是750MHZ,这两个频点之间是偶次谐波规律,此时,切换选取加T型LC滤波电路的第五模式,以达到再进一步降低EMI。
表五
表六
表七和表八分别是图5和图9中的EMI曲线上相应点的数据。通过上述方法,可直接从图5和表七,图9和表八中得到证实,EMI已降低到限定值的范围内。
表七
表八
以上内容是接合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种降低EMI的方法,包括如下步骤:
a.预设定待提取EMI曲线的频率为低频段、中频段和高频段,分别对低频段、中频段和高频段设定低频段EMI限定值,中频段EMI限定值和高频段EMI限定值;
b.提取EMI曲线;
c.所述步骤b中的EMI曲线若有包络拱起,则比较EMI曲线包络拱起与EMI限定值:
当检测出低频段有EMI包络拱起超过低频段EMI限定值,切换选取加大接地面积的第一模式;
当检测出中频段有EMI包络拱起超过中频段EMI限定值,切换选取加π型滤波电路的第二模式;
当检测出高频段有EMI包络拱起超过高频段EMI限定值,切换选取加大接地面积的第三模式。
2.根据权利要求1所述的降低EMI的方法,其特征在于:所述步骤b中的EMI曲线若无包络拱起,则执行下述步骤:
d.抓取EMI曲线超出限定值的频点,比较频点与频点之间是否有规律:
当检测出EMI频点与频点之间成奇数倍时,即奇次谐波规律,切换选取加磁珠的第四模式;
当检测出EMI频点与频点之间成偶数倍时,即偶次谐波规律,切换选取加T型LC滤波电路的第五模式。
3.根据权利要求1或2所述的降低EMI的方法,其特征在于:所述低频段为30MHZ~224MHZ,所述中频段为224MHZ~418MHZ,所述高频段为418MHZ~1GHZ,相应地,所述低频段EMI限定值设定为30DB,所述中频段EMI限定值和高频段EMI限定值均设定为37DB。
4.根据权利要求1或2所述的降低EMI的方法,其特征在于:所述第一模式包括用金属外壳或弹片接触PCB板加大接地面积的子模式。
5.根据权利要求3所述的降低EMI的方法,其特征在于:所述第一模式包括用金属外壳或弹片接触PCB板加大接地面积的子模式。
6.根据权利要求1或2所述的降低EMI的方法,其特征在于:所述第一模式包括加大电路板电源部分接地面积的子模式。
7.根据权利要求3所述的降低EMI的方法,其特征在于:所述第一模式包括加大电路板电源部分接地面积的子模式。
8.根据权利要求1或2所述的降低EMI的方法,其特征在于:所述第三模式包括加大CPU部分接地面积的子模式。
9.根据权利要求3所述的降低EMI的方法,其特征在于:所述第三模式包括加大CPU部分接地面积的子模式。
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PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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