CN101798087A - 三氯氢硅合成炉供气结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种三氯氢硅合成炉供气结构，它包括反应段、供气室及其相配合处平置的气体分布板，板状的气体分布板板面上均布轴向通孔，朝反应段一侧的通孔为螺孔，每只螺孔都配装喷嘴。所述喷嘴为内空结构，其上端为盲端，底端敞口与气体分布板上的通孔相通，腰部壁上对称设有朝下斜置的出气口，出气口轴线与喷嘴轴线相交的夹角为40°～50°。输入的氯化氢气从气体分布板中的通孔进入喷嘴，再顺着喷嘴壁上的斜置出气口喷向气体分布板上表面形成折射，斜喷出的氯化氢气在反应段内反复折射，增加了与硅粉合成反应机会，可显著提高合成效率。本发明适合作各种规格三氯氢硅合成炉的供气结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种化学合成炉供气结构，具体地讲，是一种用于合成三氯氢硅的合成炉供气结构。
背景技术
三氯氢硅是一种合成化工原料，它由合成炉内弥散的硅粉与氯化氢气在设定温度条件下化合而成。合成炉结构对三氯氢硅合成效率有着很大的影响，特别是供气结构的影响最大。工程中常规合成炉的结构是立式结构，供气结构位于底部，氯化氢气通过密排的喷嘴从下向上直线喷入到反应段内。现有技术采用直喷气供气结构，该结构相对比较简单，能够有效供气，但所供气呈层流输入，供气均匀性不够理想，在炉内反应段易形成供气盲区或弱区。显然，此区域内因供气不均而合成不足，直接降低了合成炉的合成效率，降低了产品品质。
发明内容
本发明主要针对现有技术的不足，提出一种结构简单、供气均匀、合成效率高的三氯氢硅合成炉供气结构。
本发明通过下述技术方案实现技术目标。
三氯氢硅合成炉供气结构，它包括反应段、供气室及其相配合处平置的气体分布板。板状的气体分布板板面上均布轴向通孔，朝反应段一侧的通孔为螺孔，每只螺孔都配装喷嘴。其改进之处在于：内空结构的喷嘴上端为盲端，底端敞口与气体分布板上的通孔相通，喷嘴腰部壁上对称设有出气口。
上述结构中，喷嘴腰部壁上的出气口为斜孔，出气口轴线与喷嘴轴线相交的夹角为40°～50°。
本发明与现有技术相比，具有以下积极效果：
1、在喷嘴壁上设置朝下的出气口，结构简单、易制造；
2、喷嘴壁上朝下斜置的出气口，构成反射式喷气结构，反复折射有利于氯化氢气均匀散开，增加与弥散的硅粉合成反应机会，提高合成效率。
附图说明
图1是本发明结构剖面示意图。
图2是喷嘴与气体分布板相配合的I局部放大示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1所示的三氯氢硅合成炉供气结构，它包括位于上部的反应段1、下部的供气室4及其相配合处平置的气体分布板3。板状的气体分布板3板面上均布轴向通孔3.1，面朝反应段1一侧的通孔3.1为螺孔，每只螺孔都配装喷嘴2。所述的喷嘴2为内空结构，其朝上的顶端为盲端，底端敞口与气体分布板3的通孔3.1相通，喷嘴2腰部壁上对称设有斜置的出气口2.1，本实施例中，出气口2.1轴线与喷嘴2轴线相交的夹角为45°。从合成炉外输入的氯化氢气从气体分布板3中的通孔3.1进入喷嘴2，再顺着喷嘴2腰部壁上斜置的出气口2.1喷向气体分布板3的上表面，斜喷出的氯化氢气在反应段1内易形成90°角的反复折射。氯化氢气在反应段1内反复折射进一步增加与弥散的硅粉合成反应机会，可显著提高合成效率。
本发明中，喷嘴2壁上的出气口2.1轴线与喷嘴2轴线相交的夹角，设成40°或50°都具有较大的反射角，其实施效果与上例相似，仅合成效率略低于45°夹角。
Claims (2)
1.一种三氯氢硅合成炉供气结构，它包括反应段(1)、供气室(4)及其相配合处平置的气体分布板(3)，板状的气体分布板(3)板面上均布轴向通孔(3.1)，朝反应段(1)一侧的通孔(3.1)为螺孔，每只螺孔都配装喷嘴(2)；其特征在于：内空结构的喷嘴(2)上端为盲端，底端敞口与气体分布板(3)上的通孔(3.1)相通，喷嘴(2)腰部壁上对称设有出气口(2.1)。
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉供气结构，其特征在于：喷嘴(2)腰部壁上的出气口(2.1)为朝下的斜孔，出气口(2.1)轴线与喷嘴(2)轴线相交的夹角为40°～50°。
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2010
- 2010-01-22 CN CN201010101111A patent/CN101798087A/zh active Pending
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| CN106006647B (zh) * | 2016-05-17 | 2018-03-13 | 山东瑞川硅业有限公司 | 三氯氢硅合成炉 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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