CN101771387B - 一种基于cmos精确电压放大器的对数放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于CMOS精确电压放大器的对数放大器。一种基于CMOS精确电压放大器的对数放大器,由CMOS跨导电路和负载电路并联而成,所述CMOS跨导电路包括输入差分对M1和M2,电流源M3、M4和M7、M8,以及与M1、M2构成负反馈回路的M5、M6,所述负载电路由M9、M10和连接在M9和M10栅极上的R2组成。本发明可实现对于对数放大器的增益和动态量程的精确控制,从而使得对数放大器的性能不再受工艺、温度、电压变化的影响。
Description
技术领域:
本发明涉及一种基于CMOS精确电压放大器的对数放大器。
背景技术:
图1是对数放大器的基本结构。其中A是电压放大器(在图1中,有N个电压放大器串联,在本例中N=4),Gm是电流发生器(电压电流转换),∑I则用于将输出电流相加。
假设放大器饱和时,放大器的输入信号为E,则此时放大器输出将不再随输入信号增大而增大,恒为AE,如图2。在这种情况下,由图3可知,当输入信号从E/A3变化到AE的时候,所有放大器输出信号的和由大约AE变化到了大约5AE。即输入信号成倍增加时,输出信号线性增大。这是对数放大器的基本原理。在实际电路应用中,因为电压难以进行加法运算,所以需要电流发生器将电压转换为电流,然后再把电流相加得到最终的输出信号。
对数放大器的性能主要由它的动态量程范围和增益决定。由图3可知这两项属性都由A、E决定。由图3中的电路为例,输入动态量程范围:E/A3到AE,增益:A4。精确的控制A和E就成为当下对数放大器设计中的一个重要课题。
如图4所示,传统的电压放大器通常有两种结构来得到恒定的增益。图4a的电路增益为R2/R1,但是必须满足GmR1>>1。也就是说Gm或者R1要足够大,这样的放大器无法由低功耗或小面积的电路来实现。图4b的电路可实现恒定增益为(W1L2/W2L1)1/2,并对功耗和面积没有要求,但其线性度无法控制。
发明内容:
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种基于CMOS精确电压放大器的对数放大器。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种基于CMOS精确电压放大器的对数放大器,其特征是:所述CMOS精确电压放大器由CMOS跨导电路,偏置电路和负载电路联接而成,所述CMOS跨导电路包括输入差分对M1和M2,电流源M3、M4和M7、M8,以及与M1、M2构成负反馈回路的M5、M6;所述偏置电路由M0,M11和M12组成;所述负载电路由M13至M18,以及M9、M10和分别连接在M9和M10栅极与漏极之间的两个R2组成;其中M0~M18为场效应晶体管,R1和R2都是电阻;
所述偏置电路为:M0的源极接电源,其栅极与其漏极相连,并连接M3、M4、和M11的栅极;M12的源极接地,其栅极与其漏极相连,并连接M7和M8的栅极;M11源极接电源,漏极连接M12的栅极;
所述偏置电路M0的漏极接收输入偏置电流ib,并通过与M3、M4、M7、M8的共栅连接向所述CMOS跨导电路提供偏置电流;
所述CMOS跨导电路:R1的一端与M1的源极、M3的漏极和M5的漏极相连;R1另一端与M2的源极以及M4和M6的漏极相连;M1栅极接差分输入信号的正极vinp,M1漏极与M5栅极、M7漏极和M14栅极相连;M2栅极接差分输入信号负极vinn,M2漏极与M6栅极、M8漏极和M16栅极相连;M5~M8的源极接地;M3和M4的漏极接电源;
所述负载电路:M14栅极连接M5栅极,M16栅极连接M6栅极;M13栅极与其漏极相连,并连接M14漏极和M17栅极;M15栅极与其漏极相连,并连接M16漏极和M18栅极;M17漏极连接输出端负极outn以及M9漏极和一个R2的一端,此R2的另一端连M9的栅极;M18漏极连接输出端正极outp以及M10漏极和另一个R2的一端,此R2的另一端连M10的栅极;M9栅极与M10栅极相连;M14、M16、M9和M10的源极接地;M13、M15、M17、M18源极接电源;
所述负载电路通过M14与M5、M16与M6的共栅连接,接收所述CMOS 跨导电路产生的信号电流,再通过M13与M17,M15与M18的共栅连接将信号电流传送到两个R2上产生差分信号输出电压;M9与M10为本级输出端也就是下一级输入端提供偏置电压。
本实用新型可实现对于对数放大器的增益和动态量程的精确控制,从而使得对数放大器的性能不再受工艺、温度、电压变化的影响。
附图说明:
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是对数放大器的基本结构。
图2是电压放大器的输入输出特性。
图3是对数放大器的基本原理。
图4是基于现有技术的电压放大器示意图。
图5是本实用新型的电压放大器示意图。
具体实施方式:
如图5所示的一种基于CMOS精确电压放大器的对数放大器,其特征是:所述CMOS精确电压放大器由CMOS跨导电路,偏置电路和负载电路联接而成,所述CMOS跨导电路包括输入差分对M1和M2,电流源M3、M4和M7、M8,以及与M1、M2构成负反馈回路的M5、M6;所述偏置电路由M0,M11和M12组成;所述负载电路由M13至M18,以及M9、M10和分别连接在M9和M10栅极与漏极之间的两个R2组成;其中M0~M18为场效应晶体管,R1和R2都是电阻。这样做的好处是直流电流不经过R2,输出点的DC电压与R2无关。对于差分电路而言“n4”是虚地,位于M9和M10的栅极上,故AC信号视M9和M10为开路,所有小信号电流都会流过R2。因此该电路的功能与R2接地相同。
当有输入信号Vi=(Vip-Vin)加在放大器输入端时,M5和M6构成的负反 馈电路将保证输入差分对M1和M2工作在饱和区。此时M1和M2的电流不变,那么Vi’=(Vip’-Vin’)将等于Vi。所以流过R1的电流ΔI=Vi’/R1=Vi/R1。ΔI流入M5和M6中,并通过电流镜转移到R2上。如果电流镜产生的增益为1,那么整个放大器的增益就等于:2R2/R1。显而易见该放大器的增益只与电阻的比值的有关,与工艺、温度、电压没有关系。
并且只要M1和M2工作在饱和区,Vi’=(Vip’-Vin’)将恒等于Vi=(Vip-Vin),没有GmR1>>1的限制(对比图4a的电路),这样就不需要将电流或者电阻做的很大,节省了功耗和面积。
从图5中还可以看到,I1和I2是电流源电流。当电路工作在线性区时,I1和I2应保持恒定不变。输入信号产生的ΔI应该全部来自于I3,那么当I3=0,即M5关闭的时候,电路进入非线性区。由图5易知,此时Vi=(I1-I2)*R1。当放大器完全饱和时,M1、M5和M7都关闭了,此时流过R1的电流为I1,经过电流镜的转移,得到的差分输出电压为I1*2R2。这就是该放大器的最大输出饱和电压。
该放大器的最大输出饱和电压是一个I*R的形式,看起来不是一个恒定值。但考虑I通常是由Bandgap产生的,具有Vref/Rref的形式。放大器的最大输出饱和电压依然可以写成Vref*R/Rref的形式。而Vref通常是由Bandgap产生的一个恒定电压。显而易见该放大器的最大输出饱和电压只随电阻的比值变化,与工艺、温度、电压没有关系。当然这有一个前提:Rref与放大器中的R是同一类型,并且相互匹配。
回到图3,显然易见A是电压放大器增益等于2R2/R1。AE是电压放大器最大输出饱和电压等于I1*2R2。饱和输入电压E应当等于I1*R1。这样对数放大 器的基本性能参数:输入动态量程范围(E/A3到AE),增益(A4)都可以确定下来了。并且这些参数都是可以精确控制的,与工艺、温度、电压无关。
以上仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (1)
1.一种基于CMOS精确电压放大器的对数放大器,其特征是:所述CMOS精确电压放大器由CMOS跨导电路,偏置电路和负载电路联接而成,所述CMOS跨导电路包括输入差分对M1和M2,电流源M3、M4和M7、M8,以及与M1、M2构成负反馈回路的M5、M6;所述偏置电路由M0,M11和M12组成;所述负载电路由M13至M18,以及M9、M10和分别连接在M9和M10栅极与漏极之间的两个R2组成;其中M0~M18为场效应晶体管,R1和R2都是电阻;
所述偏置电路为:M0的源极接电源,其栅极与其漏极相连,并连接M3、M4、和M11的栅极;M12的源极接地,其栅极与其漏极相连,并连接M7和M8的栅极;M11源极接电源,漏极连接M12的栅极;
所述偏置电路M0的漏极接收输入偏置电流ib,并通过与M3、M4、M7、M8的共栅连接向所述CMOS跨导电路提供偏置电流;
所述CMOS跨导电路:R1的一端与M1的源极、M3的漏极和M5的漏极相连;R1另一端与M2的源极以及M4和M6的漏极相连;M1栅极接差分输入信号的正极vinp,M1漏极与M5栅极、M7漏极和M14栅极相连;M2栅极接差分输入信号负极vinn,M2漏极与M6栅极、M8漏极和M16栅极相连;M5~M8的源极接地;M3和M4的漏极接电源;
所述负载电路:M14栅极连接M5栅极,M16栅极连接M6栅极;M13栅极与其漏极相连,并连接M14漏极和M17栅极;M15栅极与其漏极相连,并连接M16漏极和M18栅极;M17漏极连接输出端负极outn以及M9漏极和一个R2的一端,此R2的另一端连M9的栅极;M18漏极连接输出端正极outp以及M10漏极和另一个R2的一端,此R2的另一端连M10的栅极;M9栅极与M10栅极相连;M14、M16、M9和M10的源极接地;M13、M15、M17、M18源极接电源;
所述负载电路通过M14与M5、M16与M6的共栅连接,接收所述CMOS跨导电路产生的信号电流,再通过M13与M17,M15与M18的共栅连接将信号电流传送到两个R2上产生差分信号输出电压;M9与M10为本级输出端也就是下一级输入端提供偏置电压。
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