CN101751347A - 一种防止存储器被误擦写的保护方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种软件数据保护方法，通过对FLASH/EEPROM进行擦或写操作之前，先写入一串特定的命令字，只有在命令字都正确的情况下，FLASH/EEPROM才会真正的启动擦写命令，这样也就能有效防止FLASH/EEPROM被误擦写的发生，保证了芯片数据的安全。
Description
技术领域
本发明涉及一种存储器数据保护方法，具体地说，是涉及一种用于防止FLASH或EEPROM存储器被误擦写的保护方法，是一种软件数据保护方法。
背景技术
随着信息化，电子化进程的发展，数据越来越成为企业、事业单位日常运作的核心决策发展的依据，芯片数据作为记录存储企事业或个人关键信息的载体，其安全性要求也越来越高。因此对目前广泛使用的芯片数据存储器FLASH/EEPROM，在其数据保护机制的可靠性、安全性方面提出了更高的要求。
FLASH/EEPROM存储器在外界环境比较恶劣时(超出规范允许的范围运行CPU，如温度与电压，或者是严重的EMI或电气噪声事件等)，会使FLASH/EEPROM存储器的地址信号、数据信号、读信号、写信号都有可能随机变化，读写时序可能发生混乱，从而导致FLASH/EEPROM存储器的数据发生改变或丢失。也即是发生了误擦或误写的动作。随着信息数据安全性方面的要求日益提高，如何保证FLASH/EEPROM中存贮数据的安全，防止误擦写就显得格外重要。
发明内容
本发明在对FLASH/EEPROM进行擦或写操作之前，先写入一串特定的命令字，此串命令字中的地址与数据可根据不同需求，不同的芯片使用不同的特定命令字，如向AAAAH地址写#55H数据，再向CCCCH地址写#AAH数据，然后再向AAAAH地址写数据，根据不同的擦写命令(页擦、页写、半页擦…)写入不同的数据。其中的AAAA、55、CCCC、AA等为寄存器内容，均由软件设置。只有在这一串命令字都正确的情况下，FLASH/EEPROM才会真正的启动擦写命令，否则不能启动FLASH/EEPROM的擦写命令。这样也就能防止误擦写的发生，保证了FLASH/EEPROM存储器数据的安全。实现了一种能防止FLASH/EEPROM存储器数据被误擦写的保护方法。
本发明通过软件编程的方式，在对FLASH/EEPROM进行擦或写操作之前，先写入一串特定命令字的软件数据保护方法。特定命令字也由软件来设置。
具体方法为：先对相应寄存器进行设置，设定每个命令字中的地址与数据内容。然后再发一串特定命令，举例如下：第一条命令，先向地址AAAAH写#55H；第二条命令，向地址CCCCH写#AAH；依此类推在更多的命令字中写入地址与数据内容，最后，根据不同的擦写命令，向地址AAAAH写一个不同数据，启动真正的擦写命令，向指定的地址写入指定的数据。这其间只要有一步写入的地址或数据不符，则返回到初始态，不能对FLASH/EEPROM存储器启动擦或写的命令。
利用上面的方法，若直接对FLASH/EEPROM存储器任一地址进行擦或写操作，而没有先写入一串特定的命令字，则不能启动对FLASH/EEPROM进行擦或写的操作；若写入命令字的顺序及数据与上述方法中描述的不一致时，也不能成功启动对FLASH/EEPROM进行擦或写的操作。使得即使在芯片工作不稳定时，FLASH/EEPROM被误擦写的可能性也被大大降低。
附图说明
图1命令序列状态机转化图
图2防止误擦写命令流程示意图
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。
为了保护FLASH/EEPROM存储器中数据的安全，在对FLASH/EEPROM存储器进行擦或写操作之前，先写入一串特定的命令字，完全正确后方可进行相应擦写操作，FLASH/EEPROM存储器的擦或写操作之前所需要发的命令序列如表1如示：
表1命令序列表(以页写为例)
注：地址、数据均为16进制。
在对FLASH/EEPROM存储器进行擦或写操作之前，需写入一串特定的命令字。如上表所示，根据用户的定义，先设置第一条命令字中的地址为0xAAAA，数据为0x55；第二条命令字中的地址为0xCCCC，数据为0xAA；第三条命令字中的地址为0xAAAA，数据需要根据不同的擦写命令来设置，如页写操作为0x10。等等。然后开始发命令字，第一步，即第一个周期先向地址AAAAH写#55H；第二步，即第二个周期向地址CCCCH写#AAH；第三步，根据不同的擦写命令，第三个周期向地址AAAAH写入相应擦写命令的数据；等等。然后根据这一串命令中的最后一条命令字来确定擦写命令，写入实际需要写入的地址与数据信息。流程见图2所示。
现以FLASH的页写操作命令模式为例，在进入FLASH页写操作之前，需要判断上述一串的命令字是否都正确，只有命令都正确的情况下，才能真正启动FLASH的页写操作。如图1所示的状态机转化图，在默认情况下位于State0读状态，当满足第一步的命令时，状态机进入状态State1，若不满足则仍为State0读状态；当满足第二步的命令时，状态机进入状态State2，若不满足则返回到State0读状态；依此类推。直到这一串命令中的所有命令字都正确且顺序符合设置时，由最后一条的页写命令向地址AAAAH写入#10H数据，状态机则进入页写状态State3，此时则可以开始进行相应的页写编程，写入相应的地址与数据，直到页写编程结束(program_end有效)，则状态机重新返回到State0读状态。若中间任何一步命令发错，则状态机都将返回到State0读状态，等待下一轮的命令序列检测与擦写操作。详细见下图1所示。由于EEPROM存储器的命令及状态转化与FLASH类似，在此就不做举例。
本发明所公开的一种防止FLASH或EEPROM被误擦写的保护方法，能有效的防止在芯片各种不稳定期间可能存在的误擦或误写的操作，避免了数据的改变与丢失，保证了FLASH/EEPROM存储器数据的安全，在擦或写FLASH/EEPROM之前，只需先写入一串特定命令字，就可以提高存储器的数据安全性能，代价小，效果显著，简便易行。可以根据用户的不同需求，对不同的芯片可使用不同的特定命令字，能防止软件攻击与破解，尽可能地实现芯片数据的最大安全。
Claims (3)
1.面向FLASH/EEPROM存储器存贮数据的保护方法，实现对FLASH/EEPROM存贮数据的保护，能够防止误擦写的发生，其特征在于对FLASH/EEPROM进行擦或写操作之前，先对相应寄存器进行设置，设定每个命令字中的地址与数据内容，然后再发一串命令，只有在这一串命令字都正确的情况下，FLASH/EEPROM才启动擦写命令。
2.如权利要求1所述的面向FLASH/EEPROM存储器存贮数据的保护方法，其特征在于所述的命令字可根据不同需求，不同的芯片使用不同的特定命令字。
3.如权利要求1所述的面向FLASH/EEPROM存储器存贮数据的保护方法，其特征在于若直接对FLASH/EEPROM存储器一地址进行擦或写操作，而没有先写入一串命令字，则不能成功启动对FLASH/EEPROM进行擦或写的操作；若写入命令字的顺序及地址数据与设置不符合时，也不能成功启动对FLASH/EEPROM进行擦或写的操作。
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| CN200810227986A CN101751347A (zh) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 一种防止存储器被误擦写的保护方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN110321078A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-10-11 | 海芯科技(厦门)有限公司 | 一种降低系统受干扰误擦写单片机mtp数据的设计方法 |
| CN113836600A (zh) * | 2021-11-26 | 2021-12-24 | 上海泰矽微电子有限公司 | 一种Embedded Flash误写保护方法 |
| CN115525933A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-12-27 | 杭州杰峰科技有限公司 | 数据防篡改方法、装置、电子设备及存储介质 |
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2008
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