CN101746767A - 一种制备高纯球形纳米二氧化硅的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于一种高纯球形纳米二氧化硅的制备方法,特别是用等离子体氢热还原法制备高纯球形纳米二氧化硅的方法,属于材料技术领域。本发明工艺步骤如下:将含SiO2原料在450~1000℃下处理,研磨成粉,酸浸除杂;等离子体反应炉内密闭进行氢热还原,生成Si气体和SiO气体;以10~1000℃/min的速度冷却,SiO歧化反应,离开等离子体区的气体生成Si和SiO2球形纳米颗粒;SiO2和Si的混合物加热到300~800℃氧化处理,最后得到高纯球形纳米SiO2。本方法获得的球形纳米SiO2纯度大于99.99%,粒度分布均匀,平均粒径为50~200纳米。工艺流程短、成本低、经济效益高、节能环保。
Description
一、技术领域
本发明属于一种高纯球形纳米二氧化硅的制备方法,特别是用等离子体氢热还原法制备高纯球形纳米二氧化硅的方法,属于材料技术领域。
二、背景技术
纳米SiO2是应用较早的纳米材料之一,已被广泛的应用于橡胶改性、工程塑料、陶瓷、生物、医学、光学、建材、树脂基复合材料中。近年来,发达国家开发了纳米SiO2的一些新的应用领域。如在农业中,应用纳米SiO2制作农业种子处理剂,可使蔬菜(甘蓝、西红柿、黄瓜)棉花、玉米、小麦提高产量,提前成熟期。在食品行业中,添加了纳米SiO2的食品包装袋,对水果、蔬菜可起到保鲜作用;应用纳米SiO2于酒类生产中可起到净化和延长保鲜期的作用;纳米SiO2还可作为防治水果、蔬菜各种疾病的高效杀菌剂。高纯球形纳米SiO2作为一种新型材料,具有亲水性、稳定性、高介电、高耐热、高耐湿、高填充量、低膨胀、低应力、低杂质、低摩擦系数。市场潜力巨大,经济效益明显。目前,国内应用的高纯球形纳米SiO2基本依赖于进口。高纯球形纳米SiO2粉体的研究,对于诸多行业产品的提档升级具有极其重要的意义,也将会大大改变高纯球形纳米SiO2仅依赖于进口的局面。
近年来,我国对纳米SiO2的研究进展迅速,但对高纯球形纳米SiO2的研究较少。目前,制备高纯球形纳米SiO2的方法主要有高温熔融法、机械整形法、化学气相沉积法以及溶胶一凝胶法等等,但是效果不是很理想,如高温熔融法生产的高纯球形纳米SiO2的成球率只能达到80%左右,且温度高,装置要求较苛刻、技术参数较难控制,不易获得较高纯度、粒度均匀的产品。化学气相沉积法原料昂贵、能耗高、技术复杂、对设备要求苛刻,其制得的SiO2的应用也很有限。因此需要开发一种工艺简单、成本低、经济效益高、更加有效地利用二次资源的高纯球形纳米二氧化硅的制备方法。
三、发明内容
本发明的目的是提供一种制备高纯球形纳米二氧化硅的方法,其工艺简单、成本低、经济效益高、原料价格低廉、节能环保。
实现本发明上述目的采用的技术步骤如下:将含SiO2原料在450~1000℃下处理,研磨成粉,酸浸除杂;等离子体反应炉内密闭进行氢热还原,生成Si气体和SiO气体;以10~1000℃/min的速度冷却,SiO歧化反应,离开等离子体区的气体生成Si和SiO2球形纳米颗粒;SiO2和Si的混合物加热到300~800℃氧化处理,最后得到高纯球形纳米SiO2。
本发明的具体技术方案为:
(1)含SiO2原料加热处理时间为1~5h,研磨粒度为50目以下,采用0.5~4mol/L盐酸酸浸,时间为0.1~3h,酸浸后用蒸馏水洗涤2~5次,在真空干燥箱里烘干,烘干温度为80~120℃,时间为0.5~3h,最后将粉末在0.6~5MPa下压块;
(2)离子体反应炉内反应压力控制在10~110kPa,氢气流量为1~10L/min,反应时间为10~50min;
(3)SiO2和Si的混合物加热氧化处理时间为10~60min,氧气流速为0.25L/min~10L/min。
在所述的离子体反应炉内反应时还通入氩作为保护气,氩气流量为10~100L/min。
上述的含SiO2原料采用火力发电厂燃料燃烧灰、稻壳灰、二氧化硅矿中的一种或几种。
与现有的制备高纯球形纳米SiO2的方法相比,本发明具有以下优点:
1.工艺简单:
本发明对操作技术和设备的要求都相对较低,因此较容易工业化实施。
2.经济效益高:
本工艺使用的原料为火力发电厂燃烧灰、稻壳灰和二氧化硅矿,价格低廉;直接用等离子体氢热还原,无须添加任何其他还原剂和添加剂,并且工艺流程简单,省去了大量的工艺步骤,能源消耗大大降低,从而可以大幅度提高经济效益。
3.节能环保:
本发明可以处理的原料(火力发电厂燃烧灰、稻壳灰等)是工业废弃物,如果直接丢弃,会造成环境污染。本工艺步骤简单,能耗低,并且没有废弃物排出,做到了变废为宝、环保节能。
四、附图说明
图1为本发明工艺流程示意图。
五、具体实施方式
实施例一
使用火力发电厂燃料燃烧灰(二氧化硅含量为80wt%)为原料。首先将原料进行高温处理,温度控制在800℃,处理时间为2h;自然冷却后研磨成50目以下粉末并采用盐酸酸浸处理进行除杂,盐酸浓度为3mol/L,处理时间为1h;经蒸馏水洗涤3次后在真空干燥箱里烘干,烘干温度为120℃,时间为1h;最后将粉末压块,成型压力为4MPa。置于氢氩等离子体反应炉内进行氢热还原,控制压力为100kPa,氩气流速为50L/min,氢气流速为5L/min。反应15min,得到SiO气体和Si气体;在离开等离子体区时,以800℃/min的速度冷却,SiO气体发生歧化反应生成球形纳米Si和SiO2,同时Si气体迅速凝结成球形纳米Si颗粒。将得到的混合物经过氧化处理,氧气流速为1.5L/min,氧化温度为380℃,时间为15min,最终得到高纯球形纳米SiO2。所得到的高纯球形纳米SiO2的纯度为99.993%,粒度分布均匀,平均粒径为55纳米。
实施例二
使用稻壳灰(二氧化硅含量为95wt%)为原料。首先将物料进行高温处理,温度控制在850℃,处理时间为4h;自然冷却后研磨成50目以下粉末并采用盐酸酸浸处理进行除杂,盐酸浓度为3.5mol/L,处理时间为2.5h;经蒸馏水洗涤3次后在真空干燥箱里烘干,温度为120℃,时间为1.5h;最后将粉末压块,成型压力为4MPa。置于等离子体反应炉内,控制压力为90kPa;氩气流速为80L/min,氢气流速为8L/min,反应20min,得到SiO气体和Si气体;在离开等离子体区时,以500℃/min的速度冷却,SiO气体发生歧化反应生成球形纳米Si和SiO2,同时Si气体迅速凝结成球形纳米Si颗粒。将得到的混合物经过氧化处理,氧气流速为1.2L/min,氧化温度为560℃,时间为10min,最终得到高纯球形纳米SiO2。所得到的高纯球形纳米二氧化硅的纯度为99.992%,粒度分布均匀,平均粒径为60纳米。
实施例三
使用含二氧化硅为99wt%的二氧化硅石英砂为原料。首先将物料进行高温处理,温度控制在650℃,处理时间为3h;自然冷却后研磨成50目以下粉末并采用盐酸酸浸处理进行除杂,盐酸浓度为1mol/L,处理时间为0.5h;经蒸馏水洗涤2次后在真空干燥箱里烘干,温度为120℃,时间为1h;最后将粉末压块,成型压力为4MPa。置于等离子体反应炉内,控制压力为11OkPa;氩气流速为80L/min,氢气流速为8L/min,反应20min,得到SiO气体和Si气体;在离开等离子体区时,以300℃/min的速度冷却,SiO气体发生歧化反应生成球形纳米Si和SiO2,同时Si气体迅速凝结成球形纳米Si颗粒。将得到的混合物经过氧化处理,氧气流速为1.8L/min,氧化温度为750℃,时间为20min,最终得到高纯球形纳米SiO2。所得到的高纯球形纳米二氧化硅的纯度为99.995%,粒度分布均匀,平均粒径为90纳米。
Claims (4)
1.一种制备高纯球形纳米二氧化硅的方法,其特征是工艺步骤如下:将含SiO2原料在450~1000℃下处理,研磨成粉,酸浸除杂;等离子体反应炉内密闭进行氢热还原,生成Si气体和SiO气体;以10~1000℃/min的速度冷却,SiO歧化反应,离开等离子体区的气体生成Si和SiO2球形纳米颗粒;SiO2和Si的混合物加热到300~800℃氧化处理,最后得到高纯球形纳米SiO2。
2.按权利要求1所述的制备高纯球形纳米二氧化硅的方法,其特征是:
(1)含SiO2原料加热处理时间为1~5h,研磨粒度为50目以下,采用0.5~4mol/L盐酸酸浸,时间为0.1~3h,酸浸后用蒸馏水洗涤2~5次,在真空干燥箱里烘干,烘干温度为80~120℃,时间为0.5~3h,最后将粉末在0.6~5MPa下压块;
(2)离子体反应炉内反应压力控制在10~110kPa,氢气流量为1~10L/min,反应时间为10~50min;
(3)SiO2和Si的混合物加热氧化处理时间为10~60min,氧气流速为0.25L/min~10L/min。
3.按权利要求2所述的制备高纯球形纳米二氧化硅的方法,其特征是:离子体反应炉内反应时通入氩作为保护气,氩气流量为10~100L/min。
4.按权利要求2所述的制备高纯球形纳米二氧化硅的方法,其特征是:含SiO2原料采用火力发电厂燃料燃烧灰、稻壳灰、二氧化硅矿中的一种或几种。
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20100623 |