CN101740685A - 发光器件封装 - Google Patents
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Abstract
提供一种发光器件封装。该发光器件封装包括封装体、封装体上的发光器件和发光器件下方的透光光导构件。
Description
相关申请交叉引用
本申请根据35U.S.C.119和35U.S.C.365要求韩国专利申请10-2008-0114615(2008年11月18日提交)的优先权，该专利申请通过引用全文并入本文。
技术领域
本发明涉及发光器件封装。
背景技术
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而广泛用作发光器件例如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的核心材料。III-V族氮化物半导体由组成式InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1和0≤x+y≤1)表示的半导体材料构成。
LED是一种利用化合物半导体的特性将电转变成红外线或光以输入/输出信号或用作光源的半导体器件。
具有氮化物半导体材料的LED或LD广泛用于发光器件以获得光。例如，LED或LD用作各种产品如便携式电话键盘的发光部分、电子显示屏和照明设备的光源。
发明内容
实施方案提供一种发光器件封装，其将光导构件置于发光器件下方，由此改善光提取效率。
实施方案提供一种发光器件封装，其包括在封装体和发光器件之间的光导构件。
实施方案提供一种发光器件封装，其包括在发光器件下方的光导构件和引线电极。
一个实施方案提供一种发光器件封装，其包括：封装体；所述封装体上的发光器件；和所述发光器件下方的透光光导构件。
一个实施方案提供一种发光器件封装，其包括：包含腔的封装体；所述腔处的发光器件；所述发光器件下方的至少一个引线电极；所述发光器件下方的至少一个光导构件；和所述腔处的树脂材料。
一个实施方案提供一种发光器件封装，其包括：封装体；所述封装体上的发光器件；电连接至所述发光器件的至少一个引线电极；所述发光器件下方的粘合部；和所述引线电极和所述粘合部之间的光导构件。
一个实施方案提供一种发光器件封装，其包括：包括腔的封装体；所述腔处的发光器件；所述发光器件下方的至少一个引线电极；和设置在所述发光器件的周边下方的光导构件。
一个或更多个实施方案的细节在以下说明书和附图中阐述。根据说明书和附图以及权利要求，其它特征将变得明显。
附图说明
图1是示出根据第一实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图2是示出图1中利用光导构件提取光的一个实例的图。
图3是示出图1中的发光器件封装的平面图。
图4是示出根据第二实施方案的发光器件封装的平面图。
图5是示出根据第三实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图6是示出根据第四实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图7是示出根据第五实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图8是示出根据第六实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图9是示出根据第七实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图10是示出根据第八实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图11是示出根据第九实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图12是示出根据第十实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图13是示出根据第十一实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图14是示出根据第十二实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
图15是示出根据第十三实施方案的发光器件封装的侧视截面图。
具体实施方式
现在将详细参照本公开内容的实施方案，其实施例在附图中示出。在实施方案的说明中，各层的“上方”或“下方”可以参照附图来描述，并且各层的厚度也是作为例子来描述，而不限于附图中所显示的厚度。
图1是示出根据第一实施方案的发光器件封装的侧视截面图。图2是示出图1中利用光导构件提取光的一个实例的图。
参照图1和2，发光器件封装100包括封装体110、腔115、引线电极131和132、光导构件140和树脂材料150。
封装体110可包含树脂材料(例如PC和PPA)、陶瓷材料或硅材料。封装体110可包含注塑结构或堆叠结构。封装体110可包含反射率高于70％的树脂材料。
引线电极131和132形成在封装体110处。引线电极131和132可形成为PCB型、陶瓷型、引线框型和通孔型中的至少一种。
在实施方案中，为了方便起见，下面将以引线框型为例进行说明。封装体110可与其上部112整体注塑而成，或者可与上部112以分开的堆叠结构连接。
具有一定深度的腔115形成在封装体110的上部112处。腔115具有敞开的上侧。腔115的表面形状可以是圆形、多边形或其它形状，并且腔115可以形成为单层结构或多层结构，但是不限于此。腔115的周边可以形成为相对于腔115的底部垂直或倾斜。腔115不形成在封装体110处，封装体110可形成为具有平坦表面。
各引线电极131和132的一端位于腔115处。引线电极131和132彼此分离且为电断开。
发光器件120可附着至第一电极131和/或第二电极132上。发光器件120可附着到第一引线电极131的粘合部133上。发光器件120和引线电极131和132可以通过导线122电连接。发光器件120可通过选择性使用芯片接合、导线接合或倒装接合而连接至引线电极131和132。
引线电极131和132的外端P1和P2可以暴露于电极型封装体110的外侧，或者可以沿封装体110的外侧延伸到后表面或底面的一部分。而且，在封装体110中可包含通孔或辅助孔。
发光器件120可包括蓝色LED芯片、另一色LED芯片或紫外(UV)LED芯片，并且在腔115中可包含这些芯片中的至少一种，但是不限于此。
发光器件120可包括衬底121和发光结构123的堆叠结构。例如衬底121可由Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP和InP中的任一种形成。在实施方案中，可以在上述实例中使用透光衬底。发光结构123包含III-V族化合物半导体中的至少一种，并且形成为N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的任一种。发光结构123发出具有一定波长的光。
可以在发光器件120下方设置另一衬底或半导体层来代替衬底121，但是不限于此。
在发光器件120中，光导构件140和粘合部133位于衬底121下方。衬底121和光导构件140可由相同的材料或折射率差异小的材料形成。因此，从发光结构123发出的光可以经过衬底121入射到光导构件140，并且穿过光导构件140而从发光器件120的外侧射出。光导构件140可由折射率小于2的材料形成。
光导构件140形成在腔115处。光导构件140的一侧位于发光器件120下方，并且光导构件140的另一侧位于发光器件120的周边的外侧。
在腔115处可形成至少一个槽117。槽117可在腔115的底部116(图2中示出)形成为具有一定的深度。槽117的深度可形成为大于引线电极131和132的厚度。
槽117可形成为相对于发光器件120的下周边从内侧连接到外侧，这可以形成为将内侧的光提取到外侧的形状和图案。
槽117可以形成在各引线电极131和132的内侧或一侧处，但是不限于此。
光导构件140形成在槽117处。光导构件140可以形成为与槽117对应的形状和图案。槽117例如可以形成为圆形、多边形(例如菱形和梯形)、条形、透镜形或任意形状。光导构件140例如可以形成为多边形(例如四边形)、圆形或条形。然而，槽117的形状不限于上述形状。槽的表面涂有反射材料(例如Ag、Al)。
光导构件140的内侧可以形成在发光器件120的下部处或发光器件120的整个下部区域处，光导构件140的外侧暴露在发光器件120的周边处。在该情况下，光导构件140的外侧可形成为伸出槽117以外，但是不限于此。
光导构件140可形成为一个或多个。图案的表面形状可以形成为多边形(例如四边形)、圆形、条形或任意形状。
光导构件140的截面表面可形成为多边形(例如菱形和梯形)或凹透镜形状。在光导构件140中，侧表面S1和S4可形成为相对于底面S2以一定角度θ1倾斜或具有一定的斜率。光导构件140的顶面S3可以形成为与封装体110的腔底面116在同一平面上，或者可以形成为高于封装体110的腔底面116。
光导构件140可由相对于发光器件120的衬底121具有小的折射率差的材料、GaN基材料或折射率小于衬底121的折射率的材料形成。光导构件140可使用具有透光性的材料和具有高散热特性的材料。
光导构件140例如可选择性地由氧化物层如SiO2、Al2O3、TiO2、TiO3、ZnO基材料和透明导电氧化物(TCO)基材料、聚合物基材料、聚合物复合材料和玻璃材料中的至少一种形成。TCO基材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)和氧化锑锡(ATO)。
树脂材料150或添加有荧光体的树脂材料形成在腔115处。树脂材料150包括硅材料或环氧树脂材料。当发光器件120是蓝色LED芯片时，可以添加发黄光的荧光体。荧光体可根据芯片的类型而改变成其它荧光体。
当通过引线电极131和132供给外部电源时，发光器件120发光。此时，所发出的光向发光器件120的各个方向发出，并且所发出的光的一部分穿过发光器件120的衬底121。
到达发光器件120的衬底121的光穿过衬底121并入射到位于发光器件120下方的光导构件140。此时，入射到光导构件140的光被光导构件140的侧表面S1和S4及底面S2反射。在此，光导构件140的侧表面S1和S4及底面S2与槽117连接，并且反射入射到光导构件140的光。因为被光导构件140反射的光的反射角通过诸如槽117的侧表面S1和S4的倾斜表面所改变，所以反射光可以发射到发光器件120的外部。因此，可以改善发光器件封装100的光提取效率。此外，光导构件140改变反射光的临界角，由此可以将反射光发射到外部。
从发光器件120产生的热可以通过光导构件140散发或者可以通过接触光导构件140下部的粘合部133散发。此外，粘合部133可以整体连接至第一引线电极131，由此通过封装体110的下部散热。作为替代方案，粘合部133可形成为通孔，由此通过封装体110的下部散热。
图3是示出图1中的发光器件封装的平面图。
参照图3，多个光导构件140位于封装体110的腔115的底部。发光器件120附着至光导构件140上。
光导构件140可以形成在各引线电极131和132的内侧或一侧处。可以在引线电极131和132之间设置隔离部135。如果光导构件140是介电材料(例如SiO2)，则隔离部135可利用光导构件140形成，或者可由与封装体110相同的材料形成。
光导构件140位于发光器件120下方，并将光(其到达发光器件120的底部)引导至发光器件120的外侧，由此提取光。
图4是示出根据第二实施方案的发光器件封装的平面图。在第二实施方案的说明中，与第一实施方案相同的元件用与第一实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图4，发光器件封装100A包括条型光导构件130和槽117A。
槽117A形成为多个。所述多个槽117A形成为条型，其中它们在腔115的底面处以一定距离形成阵列。条型槽117A可形成为周边表面倾斜的斜面结构，以容易地提取光。
槽117A可以形成在引线电极131和132处，并且可形成为比引线电极131的厚度更厚。
发光器件120附着至导光导构件140和引线电极131和132。通过发光器件120的下部(即，衬底)发出的光可以入射至光导构件140并发射到外部。可在光导构件140之间形成隔离部135A。隔离部135A可形成在引线电极131和132之间。隔离部135A可形成为封装体、光导构件140或介电材料(例如SiO2)。
图5是示出根据第三实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第三实施方案的说明中，与第一实施方案相同的元件用与第一实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图5，发光器件封装100B包括具有粗糙结构142的光导构件140。
当入射到光导构件140的光被反射并发射到外部时，光导构件140的粗糙结构142改变临界角，由此改善光提取效率。
此外，光导构件140的粗糙结构142可以形成在光导构件140的外侧顶面(即，发光器件的外侧)或光导构件140的整个顶面处。光导构件140的粗糙结构142可以形成为比衬底121的厚度更薄。
可以在槽117的底面和/或侧面处形成粗糙结构(未示出)，因此还可以在光导构件140的底面和/或侧面处形成粗糙结构。
图6是示出根据第四实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第四实施方案的说明中，与第一实施方案相同的元件用与第一实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图6，在发光器件封装100C中，光导构件140可以形成为其侧截面凹入的凹透镜形状。光导构件140的凹透镜形状可通过槽117B的凹透镜形状形成。由于该光导构件140的功能与第一实施方案中光导构件的功能相同或相似，所以其详细说明参照第一实施方案中的说明。
图7是示出根据第五实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第五实施方案的说明中，与第一实施方案相同的元件用与第一实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图7，发光器件封装100D可包括位于封装体110的腔115中的引线电极131和132上的子衬底160。
在封装体110中，引线电极131和132形成在腔115的底面处，子衬底160形成在引线电极131和132上。发光器件120附着至子衬底160上。
子衬底160可由透光性良好的介电材料形成，例如为蓝宝石衬底(Al2O3)、玻璃材料衬底或氧化物层材料，并且还可由散热特性良好的材料形成。
此外，在子衬底160中可形成至少一个导孔162或槽。在导孔162中，可选择性地形成相对于发光器件120的衬底121具有小折射率差的材料、透光材料或散热特性良好的材料。例如，可以选择性地形成氧化物层例如SiO2、Al2O3、TiO2、TiO3、ZnO基材料和TCO基材料、聚合物基材料或聚合物复合材料。TCO基材料包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO。
光导构件165可以模制在导孔162处，并且子衬底160可以附着到腔底面。作为替代方案，子衬底160附着到腔底面，而光导构件165模制在导孔162处。
子衬底160形成独立于封装体110的槽117(在图1中示出)，或者子衬底160附着到腔底面而不像在图1中那样进行在腔中模制光导构件的工艺，由此改善发光器件120下部处的光提取效率。而且，在第五实施方案中，包括腔115的上部112可以不形成在封装体110上，但是不限于此。
图8是示出根据第六实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第六实施方案的说明中，与上述实施方案相同的元件用与上述实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图8，发光器件封装100E可包括通孔137和散热板138。
通孔137可以形成为一个或多个。通孔137形成在金属材料或具有高散热特性的材料中。通孔137位于发光器件120下方并形成在封装体110中。通孔137可连接至光导构件140的下部。
散热板138位于封装体110下方并连接至通孔137的末端。散热板138可与引线电极131和132隔开。通孔137和散热板138可以作为电极提供。
由发光器件120产生的热可以光导构件140和接触光导构件140下部的通孔137散发。此外，散热板138可连接至通孔137，并由此通过封装体110的下部散热。
图9是示出根据第七实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第七实施方案的说明中，与上述实施方案相同的元件用与上述实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图9，发光器件100F可以包括形成为条型的引线电极131和132。
封装体110A具有上侧敞开的腔115。
引线电极131和132可具有位于腔115中的部分。引线电极131和132的另一端P1和P2设置在封装体110A的底表面上。引线电极131和132穿过腔115的底表面到达封装体110A的底表面。
槽117可在腔115的底表面处形成为具有一定的深度。槽117的深度可以形成为大于引线电极131和132的厚度。
槽117可形成为可形成为相对于发光器件120的下周边从内侧连接到外侧，这可以形成为将内侧的光提取到外侧的形状和图案。
槽117可以形成在各引线电极131和132的内侧或一侧处，但是不限于此。
光导构件140形成在槽117处。光导构件140可以形成为与槽117对应的形状和图案。光导构件140的内侧可以形成在发光器件120的下部处或发光器件120的整个下部区域处，光导构件140的外侧暴露在发光器件120的周边处。一个槽117具有由与光导构件140不同的材料(例如SiO2)形成的隔离部135B。光导构件140形成为透明导电氧化物(TCO)基材料。
图10是示出根据第八实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第八实施方案的说明中，与上述实施方案相同的元件用与上述实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图10，发光器件封装100G可包括形成在封装体110B上的树脂材料150A和连接至通孔139的引线电极131和132。
树脂材料150A整体位于封装体110B上。树脂材料150A的一部分可以在发光器件120上形成为凸透镜形状。树脂材料150A可包含荧光体。
引线电极131和132连接至通孔139。通孔139连接至形成在封装体110B的底表面上的外侧端P1和P2。
图11是示出根据第九实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第九实施方案的说明中，与上述实施方案相同的元件用与上述实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图11，发光器件封装100H可包括朝向封装体110外侧突出的引线电极131和132。
引线电极131和132的外侧端P1和P2可形成为朝向封装体110外侧突出并具有平滑弯曲或曲线形状。
引线电极131和132的内侧端131A和132A具有至少一个形成为在腔115的底表面具有一定深度的槽。光导构件140形成在引线电极131和132的内侧端131A和132A上。
引线电极131和132的内侧端131A和132A可具有槽，例如具有圆形或多边形形状的反射杯，但是反射杯的形状不限于此。
因此，通过发光结构123发出的光可以经过衬底121入射到光导构件140、穿过光导构件140并通过发光器件120的外侧发出。此时，入射到光导构件140的光被引线电极131和132的内侧端131A和132A反射。
因为被引线电极131和132的内侧端131A和132A反射的光的反射角通过诸如槽侧表面的斜表面而改变，所以反射光可发射到发光器件120的外部。因此，可以改善发光器件封装100的光提取效率。此外，光导构件140改变反射光的临界角，由此可以将反射光发射到外部。
封装体110可注塑成型，并且上部112A可连接到封装体110而成为分离堆叠结构。
图12是示出根据第十实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第十实施方案的说明中，与上述实施方案相同的元件用与上述实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图12，发光器件封装100I可包括封装体110C、具有槽117的引线电极131B和132B。
封装体110C具有上侧敞开的腔115。诸如SiO2的绝缘层形成至封装体110C的表面。该绝缘层位于封装体110C和引线电极131B和132B之间。
引线电极131B和132B可具有位于腔115内的部分。引线电极131B和132B的外侧端P1和P2位于封装体110C的底表面上。
引线电极131B和132B的槽117可在腔115的底表面处形成为具有一定的深度。
槽117可以形成在各引线电极131B和132B的内侧处，但是不限于此。
光导构件140形成在槽117处。光导构件140可形成为与槽117对应的形状和图案。
第一引线电极131B位于封装体110C的另一侧表面上，第二引线电极132B位于封装体110C的一侧表面上。第一引线电极131B沿腔115的底表面和侧表面以及沿封装体110C的另一侧的外表面设置以延伸至封装体110C的底表面的一部分。
第二引线电极132B沿腔115的底表面和侧表面以及沿封装体110C的一侧的外表面设置以延伸至封装体I10C的底表面的一部分。
在第一引线电极131B和第二引线电极132B上可以利用溅射设备设置掩模图案以形成金属电极层，但是不限于此。
发光器件330利用粘合剂粘接到腔115内的第一引线电极131B的粘合部133。
图13是示出根据第十一实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第十一实施方案的说明中，与上述实施方案相同的元件用与上述实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图13，发光器件封装100J可包括通孔139、139A和139B、散热板138A和138B。通孔139A和139B连接到形成为透明导电氧化物(TCO)基材料的光导构件140。通孔139A和139B和散热板138A和138B可以作为电极提供。
通孔139A和139B和散热板138A和138B可以在封装体110B处形成为一个或多个。
发光器件120可以利用封装体110或绝缘层设置在粘合部133B上。
图14是示出根据第十二实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第十二实施方案的说明中，与上述实施方案相同的元件用与上述实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图14，发光器件封装100K可包括与引线电极131和132隔开的粘合部133A。粘合部133A可以设置在具有介电材料(例如SiO2)的两个隔离部135之间。
图15是示出根据第十三实施方案的发光器件封装的侧视截面图。在第十三实施方案的说明中，与上述实施方案相同的元件用与上述实施方案相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。
参照图15，发光器件封装100L可包括光导构件140A和在光导构件140A上的粘合部133B。光导构件140A可设置在引线电极131B和132B中的一个上。光导构件140A形成为介电材料(例如SiO2)或透明导电氧化物(TCO)基材料。隔离部135设置在光导构件140A的一侧处，并且形成为封装体110C或绝缘层。光导构件140A位于发光器件120的周边下方。
粘合部133B形成在光导构件140A上，并且形成为金属材料和/或粘合剂材料。粘合部133B与引线电极131B和132B分开。
上述第一至第十三实施方案可彼此混合并由此使用。上述第一至第十三实施方案的技术特征不限于各个实施方案，而是可应用于另一实施方案。根据实施方案的发光器件封装可以以阵列形式设置在便携终端或笔记本电脑的衬底处，由此作为光单元提供，或者可以广泛用于照明设备和指示设备。
一个实施方案提供了一种用于制造发光器件封装的方法，该方法包括：在封装体上形成至少一个引线电极；在封装体处形成包含透光材料的光导构件；将发光器件附着到至少一个引线电极和光导构件上；和将发光器件电连接至至少一个引线电极。
根据实施方案，发光器件封装及其制造方法可改善光提取效率。
根据实施方案，发光器件封装及其制造方法提供高效封装，使得封装的可靠性改善。
根据实施方案，发光器件封装及其制造方法可将到达发光器件下部的光提取到外部。
实施方案提供光提取效率改善的发光器件封装。
根据实施方案，发光器件封装及其制造方法可改善发光器件封装的可靠性。
实施方案提供可广泛应用于便携电话、笔记本电脑、照明设备、指示设备等的发光器件封装。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施方案描述了本发明，但是应理解，本领域的技术人员可以设计多种其它的修改方案和实施方案，它们也在本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，可以对本公开内容、附图和所附权利要求的范围中的主题组合排列的组件和/或布置进行各种变化和修改。除了对组件和/或布置进行变化和修改之外，可替代用途对本领域的技术人员而言也是显而易见的。
Claims (25)
1.一种发光器件封装，包括：
封装体；
所述封装体上的发光器件；和
所述发光器件下方的透光光导构件。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述光导构件的一侧设置在所述发光器件的底面处，而所述光导构件的另一侧设置在所述发光器件的外部。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述封装体包括其中形成有所述光导构件的至少一个槽。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，包括：
电连接至所述发光器件的多个引线电极；和
容纳所述引线电极和所述发光器件的腔。
5.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中所述槽具有条形、圆形、多边形和任意形状中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的发光器件封装，包括：
在所述腔处的其中形成有所述光导构件的至少一个槽；和
所述发光器件上的树脂材料。
7.根据权利要求6所述的发光器件封装，其中所述槽的深度大于所述引线电极的厚度。
8.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中所述光导构件具有倾斜侧表面、具有一定曲率的侧表面和粗糙侧表面中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装，其包括子衬底，所述子衬底包括在所述封装体和所述发光器件之间的所述光导构件。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述光导构件包含氧化物基材料、聚合物基材料和聚合物复合材料中的至少一种。
11.一种发光器件封装，包括：
封装体；
所述封装体上的发光器件；
电连接至所述发光器件的至少一个引线电极；
所述发光器件下方的粘合部；和
所述引线电极和所述粘合部之间的光导构件。
12.根据权利要求11所述的发光器件封装，包括：在所述封装体上形成的腔；和所述腔中的树脂材料。
13.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中所述粘合部连接至所述引线电极。
14.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中所述粘合部设置在所述光导构件和所述发光器件之间。
15.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中所述光导构件形成在所述电极或所述封装体上。
16.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中所述发光器件包括附着在所述光导构件和/或所述粘合部上的透光衬底。
17.根据权利要求11所述的发光器件封装，其包括形成至所述封装体和/或所述光导构件的通孔。
18.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中所述光导构件包括与所述发光器件的下部材料相同的透光材料或折射率低于所述发光器件的下部折射率的透光材料。
19.根据权利要求11所述的发光器件封装，其包括表面涂覆有反射材料的槽。
20.根据权利要求19所述的发光器件封装，其中所述光导构件设置在所述槽上。
21.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中所述光导构件包含SiO2、Al2O3、TiO2、TiO3、ZnO基材料和透明导电氧化物(TCO)基材料以及玻璃材料中的至少一种。
22.根据权利要求11所述的发光器件封装，其中所述光导构件的一侧位于所述发光器件的下部处，而所述光导构件的另一侧位于所述发光器件的外部。
23.一种发光器件封装，包括：
包含腔的封装体；
所述腔处的发光器件；
所述发光器件下方的至少一个引线电极；和
位于所述发光器件的周边下方的光导构件。
24.根据权利要求23所述的发光器件，其中所述光导构件设置在子衬底处，所述子衬底形成在所述腔的底面上或所述腔的底面的槽上。
25.根据权利要求23所述的发光器件，其中所述光导构件包含与所述发光器件的下部材料相同的透光材料或具有小折射率差的材料。
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