CN101740300A - 等离子反应器的静电夹头装置 - Google Patents

等离子反应器的静电夹头装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101740300A
CN101740300A CN200910208243A CN200910208243A CN101740300A CN 101740300 A CN101740300 A CN 101740300A CN 200910208243 A CN200910208243 A CN 200910208243A CN 200910208243 A CN200910208243 A CN 200910208243A CN 101740300 A CN101740300 A CN 101740300A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrostatic chuck
jut
diameter
plasma
plasma reactor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910208243A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101740300B (zh
Inventor
李元默
蔡焕国
朴根周
高诚庸
金珉植
金起铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Weihai Dms Optical Electromechanical Co ltd
DMS Co Ltd
Original Assignee
Display Manufacturing Services Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Display Manufacturing Services Co Ltd filed Critical Display Manufacturing Services Co Ltd
Publication of CN101740300A publication Critical patent/CN101740300A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101740300B publication Critical patent/CN101740300B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供了一种等离子反应器中的静电夹头装置。该装置设有一个静电夹头，一个静电夹头盖环和一个阴极装置盖环。该静电夹头设有一个主体部分和一个突起部分。所述的主体部分为一个具有第一直径的圆形。所述的突起部分整个从主体部分中形成，并从主体部分中伸出，其为一个具有第二直径的圆形，其中第二直径小于第一直径。所述的静电夹头盖环沿突起部分的外圆周环绕地设置。所述的阴极装置盖环沿静电夹头盖环的一个外圆周和主体部分的一个外圆周环绕地设置在阴极装置的上部。

Description

等离子反应器的静电夹头装置
发明背景
技术领域
本发明涉及一种在半导体制备过程中使用的等离子反应器。本发明尤其涉及该等离子反应器的一种静电夹头装置。
静电夹头通常是设置在等离子反应器的一个反应腔中的一个阴极装置上。静电夹头在该反应腔中用于固定一个目标对象(如一块晶片或玻璃板)，使该目标对象被蚀刻材料蚀刻或固定在一个阴极装置上。当一个直流电电源(DC)向所述的静电夹头供电时，所产生的电引力将该目标对象固定在所述的静电夹头上部。为了将目标对象更平滑地蚀刻到反应腔中，必须将目标对象稳定地固定在所述的静电夹头上部，例如，目标对象的背面可以承受在其上施加30托或超过30托氦气(He)的压力。
在设计和制造一种静电夹头装置时，最重要的一点是需要保护静电夹头不与等离子体离子接触。一个用于保护静电夹头的设计，其最重要的是延长设置在静电夹头周围的加工工具的使用寿命，并减少经济损失。静电夹头的使用寿命通常至少是使等离子反应器进行了十万次完整的晶片处理工艺。静电夹头装置的结构可以延长或缩短静电夹头的使用寿命以及静电夹头周围的加工工具的使用寿命。此外，静电夹头装置的结构还决定了等离子反应器的运行性能(尤其是蚀刻性能)。
较之化学蚀刻工艺，通过物理撞击为等离子体离子提供物理能量的氧化薄膜蚀刻工艺，其蚀刻的晶体表面受静电夹头装置结构变化的影响更明显。也就是说，静电夹头装置的结构或是等离子反应器的蚀刻性能决定了氧化薄膜蚀刻工艺中的质量好坏。因此可以通过最优化静电夹头装置的结构，来延长静电夹头的使用寿命，提高等离子反应器的蚀刻性能。
图1所示的是一种传统的静电夹头装置的结构图。为了简化附图，图1省略了阴极装置。该静电夹头装置10设有一个静电夹头20，一个无线电频率(RF)接环30，一个静电夹头盖环40和一个阴极装置盖环50。所述的RF接环30和静电夹头盖环40沿静电夹头20上部的外圆周环绕地设置。所述的静电夹头盖环40设置在RF接环30的上部。由于RF接环30和静电夹头盖环40匹配于静电夹头20上部的外圆周，因此静电夹头20上部应该被设计成具有一个长至少为10mm的突起。
RF接环30可以由金属材料制成，如铝等。阴极装置盖环50沿RF接环30和静电夹头盖环40的外圆周，以及静电夹头20下部的外圆周环绕地设置。一块晶片80被安全地安装在静电夹头20的上表面。当一个DC电源向该静电夹头20供电时，静电夹头20中随即产生静电，从而将晶片80固定在静电夹头20的上表面。一个供电器60穿过一个RF噪音过滤器70，向静电夹头20提供DC电源。
下文将简要地描述等离子反应器的一种干燥蚀刻工艺。一个目标对象，如晶片80等被传送到一个反应腔中的静电夹头20上。此时向反应腔中注入一种反应气体，使反应腔内形成一个具有稳定真空度的真空状态。于是反应腔内达到适于蚀刻的真空状态，然后为等离子反应器的电感线圈提供一个RF功率，向一个较低电极(如阴极)提供一个偏RF功率，为静电夹头20提供一个DC电源。结果，如图1所示，等离子体离子91和92在晶片80的表面发生物理撞击，同时等离子体离子91和92与晶片80发生化学反应。这时，进一步向RF接环30提供RF功率，结果等离子体离子92均沿大致垂直的方向射入静电夹头盖环40的一个表面上。
如果不能向RF接环30提供RF功率或提供的不充足，如虚线箭头所示，那么等离子体离子92则倾斜地射入到晶片80和静电夹头盖环40的边缘，并与静电夹头盖环40的表面垂直方向(如实线箭头所示)成同一个角度(θ)。这是由于静电夹头20上表面(如静电夹头20与晶片80的接触面)上的偏功率(如等离子体离子91和92产生的能量)大于静电夹头20与RF接环30底面之间的接触面上的偏功率。因此，等离子体离子92是沿朝向静电夹头20上表面的方向射入到静电夹头20上的。
由于角度(θ)是由RF接环30吸引等离子体离子92产生的吸引力决定的，因此为了提高晶片80边缘的处理质量，延长静电夹头盖环40的使用寿命，关键是将RF接环30安装在静电夹头20的表面，使RF接环30以一个合适的吸引力吸引等离子体离子92。
但是，RF接环30并不能完全粘附在静电夹头20的一个表面和静电夹头盖环40之间，而是与静电夹头20和静电夹头盖环40之间简单地相匹配，例如在静电夹头20和静电夹头盖环40之间摇摆。因此，尽管RF接环30被激活，等离子体离子92还是不能垂直入射到静电夹头盖环40的表面上。此外，RF接环30并不能完全粘附在静电夹头20的这个表面和静电夹头盖环40之间。因此，就产生了第二个问题，即由于等离子体离子倾斜地射入，从而缩短了静电夹头盖环40的使用寿命，加重了静电夹头的电弧现象，增加了微粒的数量，减小了反应腔中的洁净区等。
由于等离子体离子92均以同一角度(θ)倾斜入射到晶片80的边缘，因此降低了晶片80的处理质量。图2所示的是在未向RF接环30提供RF功率的反应腔中，对晶片80的干燥蚀刻。将晶片80沿切割线C-C’切割后，如图2下部所示，其切割面上显示出晶片80中形成的接触孔(H1至H3)的剖面。图2清晰地显示出晶片80中心形成的接触孔(H2)具有一个与晶片80底面垂直的规则剖面，当等离子体离子92倾斜射入时，也可以射入到晶片80边缘上形成的接触孔(H1和H3)，因此接触孔(H1和H3)具有不规则剖面。
如果等离子体离子92以同一角度(θ)倾斜射入到静电夹头盖环40上，那么静电夹头盖环40被不规则蚀刻，从而迅速缩短了静电夹头盖环40的使用寿命。如图1所示，通过等离子体反应器重复进行晶片处理工艺，一块新的或未蚀刻的静电夹头盖环40(一个“A”部)被逐渐蚀刻。同时，如果在蚀刻工艺中不为RF接环30提供RF功率，那么静电夹头盖环40’如图1中“A’”部所示，被不规则蚀刻。为了防止静电夹头盖环40’被不规则蚀刻，提高晶片80边缘的蚀刻质量，静电夹头装置10必须设有RF接环30。因此，RF接环30使传统的静电夹头装置10的结构更复杂，于是制造费用也随之增加。此外，即使在静电夹头装置中设置RF接环30，也难以完美地运行RF接环30，如进行一个操作使等离子体92垂直地入射到静电夹头盖环40的表面。因此，静电夹头装置10仍然具有RF接环30连接不完善的问题。
发明概述
本发明的优选实施例一方面是至少解决这些问题并/或缺点，并至少具有下述优点。因此，本发明的优选实施例一方面是提供一种静电夹头装置，它可以克服无线电频率(RF)接环的不完善连接问题，同时还可以通过减小等离子体离子的同一入射角度(θ)，将静电夹头装置的结构最优化，使等离子体离子可以垂直地入射地静电夹头盖环边缘的表面上，而不需RF接环，达到延长静电夹头盖环使用寿命，增加等离子反应器蚀刻性能的目的。
为了达到本发明目的所述的这些和其它优点，本发明提供了一种等离子反应器的静电夹头装置。该静电夹头装置设有一个静电夹头，一个静电夹头盖环和一个阴极盖环。所述的静电夹头设有一个主体部分和一个突起部分。该主体部分为具有第一直径的圆形。突起部分整个从主体部分中形成，并从主体部分中伸出，它为具有第二直径的圆形，且第二直径小于第一直径。静电夹头盖环沿突起部分的外圆周环绕地设置，它可以保护静电夹头的主体部分，使之不受等离子反应器在运行过程中所产生的等离子体离子的影响。阴极装置盖环沿静电夹头盖环的外圆周和主体部分的外圆周环绕地设置在阴极装置的上部。为了使静电夹头盖环在被等离子体离子蚀刻后，能产生一个“L”切割面，必须将突起部分伸出于主体部分的长度(G)设置成1.0mm≤G≤7.0mm，而不用考虑安全地安装在突起部分上表面上的目标对象其直径。
如上文所述，本发明优化了静电夹头装置的结构，尤其是优化了静电夹头的结构，因此可以克服RF接环的不完善连接问题，同时还可以通过减小等离子体离子入射到静电夹头边缘的同一入射角度(θ)，使等离子体离子可以垂直地入射地静电夹头边缘的静电夹头盖环表面上，而不需RF接环，达到延长静电夹头盖环使用寿命，增加等离子反应器蚀刻性能的目的。
此外，通过优化静电夹头上突起部分的长度(G)和突起部分的直径(R1)，就不用在静电夹头盖环外侧特别设计一个预定形状的聚焦环，或是特别设计在静电夹头盖环的下部增加一个复杂的附加结构，如接环，因此可以降低等离子反应器的设备制造费。另一方面，通过优化静电夹头上突起部分的长度(G)和突起部分的直径(R1)，可以使对静电夹头的保护和目标对象(如一块晶片)边缘的处理质量得到保证。
此外，通过优化静电夹头上突起部分的长度(G)和突起部分的直径(R1)，可以使静电夹头盖环的蚀刻剖面成“L”形(如图3中B’部分所示)，从而可以获得有效的产品维护，如延长静电夹头盖环的使用寿命，削弱静电夹头的电弧现象，减少微粒的数量，扩大反应腔中的洁净区等等。
附图说明
本发明的上述及其它目的、特征和优点将在下面结合附图进一步描述，其中：
图1是传统静电夹头装置的结构示意图；
图2是由设有图1所示的静电夹头装置的一个等离子反应器所蚀刻产生的一块晶片的结构示意图；
图3是本发明中一个优选实施例所述的静电夹头装置的结构示意图；
图4是图3所示的静电夹头的侧视图；
图5是图3所示的一个静电夹头的设计图。
图6是设有图3所示的静电夹头装置的等离子反应器实例的结构示意图；
图7是被图6所示的等离子反应器所蚀刻产生的一块晶片的结构示意图；
图8是被图6所示的等离子反应器蚀刻产生的一块晶片，其蚀刻区中蚀刻率的结构示意图。
在这些图中，同样的附图标记应理解为涉及同样的元素、特征或结构。
具体实施方式
下面将结合附图描述了本发明优选的实施例。在此将省略对涉及公知功能和结构的详细描述。
图3是本发明一个优选实施例所述的静电夹头装置的结构示意图。该静电夹头装置100设有一个静电夹头110，一个静电夹头盖环120和一个阴极装置盖环130。该静电夹头110设有一个主体部分111和一个突起部分112。该主体部分111和突起部分112均为圆形(图5)。突起部分112整个从主体部分111中形成，并从主体部分111中伸出。突起部分112的直径(R1)小于主体部分111的直径(图4中的R2)。
静电夹头盖环120沿突起部分112的外圆周环绕地设置。当一个设有静电夹头装置100的等离子反应器200(如图6所示)运行时，可以产生等离子体离子182。当静电夹头盖环120被等离子体离子182蚀刻之后，该静电夹头盖环120就具有一个“L”形(如图3所示的“B”部)切割面。因此，突起部分112伸出于主体部分111的长度(G)被设置成1.0mm≤G≤7.0mm，而不用考虑安全地安装在突起部分112的上表面上的目标对象170(如一块晶片)其直径。仅有静电夹头盖环120沿突起部分112外圆周环绕地设置。
如图3所示，由于等离子反应器200重复进行晶片处理工艺，一块新的或是未蚀刻的静电夹头盖环120(图中所示的“B”部分)被逐渐蚀刻。因此，如图3中“B’”部分所示，该静电夹头盖环120被蚀刻具有“L”形切割表面。静电夹头盖环120被蚀刻具有“L”形切割表面的原因是，当目标对象170被等离子反应器200蚀刻时，通过将突起部分112伸出于主体部分111的长度(G)设置成1.0mm≤G≤7.0mm，等离子体离子182被垂直地射入到静电夹头盖环120的一个表面上。与之相较，如果突起部分112伸出于主体部分111的长度(G)被设置成10mm或更大，当目标对象170被等离子反应器200蚀刻时，等离子体离子182被倾斜地射入到静电夹头盖环120的一个表面上。
所述的突起部分112的直径(R1)是指上面安全地安装有目标对象170的突起部分112的上表面的直径。突起部分112的直径(R1)优选被设置成比目标对象170的直径小2.5mm至3.5mm。例如，如果目标对象170为一块300mm的晶片，那么优选的突起部分112的直径(R1)约为300mm，但是由于一个晶片输送系统的处理错误，突起部分112的直径(R1)通常应小于晶片的直径。因此，如果目标对象170为一块300mm的晶片，那么优选的突起部分112的直径(R1)应为296.5mm≤R1≤297.5mm。
静电夹头盖环120沿静头夹头110上突起部分112的外圆周环绕地设置。静电夹头盖环120保护静电夹头110的主体部分111，使之不受等离子反应器200运行时所产生的等离子体离子182的影响。阴极装置盖环130沿静电夹产盖环120的外圆周和静电夹头110上主体部分111的外圆周环绕地设置。
一个供电器140穿过一个RF噪音过滤器150，向静电夹头110提供直流(DC)电源。一个开关160可以在该供电器140和RF噪音过滤器150之间连接。当供电器140向静电夹头110提供DC电源时，静电夹头110中通过静电产生一个吸引力，使目标对象170固定在突起部分112的上表面。
图6是设有图3所示的静电夹头装置的一个等离子反应器实例的结构示意图。该等离子反应器200的一个反应腔201中安装了一个阴极装置202，在该阴极装置202的上部安装了所述的静电夹头装置100。静电夹头装置100的一个突起与图3所示的突起相同。
气体注射器203和204安装在反应腔201侧面和顶部上多点处。该气体注射器203和204将一种反应气体注射到反应腔201中。反应腔201顶部设有一个绝缘窗205。该绝缘窗205周围安装了一个电感线圈206(如一个等离子源在反应腔201中产生等离子体)。一个RF功率提供器208穿过一个RF匹配网络207，向电感线圈206提供一个RF功率源。这样，电感线圈206中就形成一个磁区。由于电感线圈206中的这个磁区，反应腔201中就产生了等离子体离子。
一个开关211在供电器209和RF噪音过滤器210之间连接，RF噪音过滤器210与静电夹头110连接。当打开开关211时，供电器209穿过RF噪音过滤器210向静电夹头110提供一个DC电源。偏阻抗匹配网络212和213与一个低电极(如阴极装置202)连接。一个低频率RF功率提供器214穿过偏阻抗匹配网络212向一个低电极提供一个低频率的偏RF功率。一个高频率RF功率穿过偏阻抗匹配网络213向一个低电极提供一个高频率的偏RF功率。因此，低频率的偏RF功率和高频率的偏RF功率被混合并供应给低电极(如阴极装置202)
反应腔201的下面安装了一个节流阀216和一个涡轮泵217。该涡轮泵217的一侧安装了一个排气阀218。
图7是图6所示的等离子反应器蚀刻而成的一块晶片的结构示意图。
将晶片170沿切割线F-F’切割后，如图7下部所示，其切割面上显示出晶片170中形成的接触孔(H11至H13)的剖面。图7清晰地显示出晶片170中心和边缘上形成的接触孔(H12，和H11与H13)具有一个与晶片170底面(或一个表面)垂直的规则剖面。由于突起部分112伸出于主体部分111的长度(G)被设置成1.0mm≤G≤7.0mm，因此接触孔(H11与H13)可以如上述地垂直于晶片170底面(或一个表面)设置，并且由于突起部分112的直径(R1)被设置成比目标对象170的直径小2.5mm至3.5mm，因此优化了静电夹头110的结构。
如果突起部分112的直径(R1)太小，就会在等离子反应器200蚀刻时，降低晶片边缘的处理质量。相反，如果突起部分112的直径(R1)太大，静电夹头110就会产生蚀刻问题。因此，突起部分112的直径(R1)必须通过高费用的实验进行优化。
另一方面，最优选的突起部分112伸出于主体部分111的长度(G)等于“0”。但是，这样静电夹头盖环120就无法安装在静电夹头110中。如果静电夹头盖环120不安装在静电夹头110中，就会由于等离子体离子间的撞击，破坏静电夹头110主体部分111的边缘(如图5中的“E”部分)。因此，突起部分112伸出于主体部分111的长度(G)应该保持在一个特殊的值上。
在优化突起部分112突起于主体部分111的长度(G)时，必须实验获得静电夹头盖环120的一个蚀刻率，目标对象(如晶片)170的一个蚀刻剖面，目标对象170边缘的一个蚀刻率和一个蚀刻剖面等数据。根据这些实验数据，当静电夹头盖环120为硅制时，静电夹头盖环120的蚀刻率约为0.82mm/200Hrs。最后，如果将二次清洗间平均间隔时间(MTBC)保证在大于或等于200Hrs时，再考虑到一个处理错误，突起部分112突起于主体部分111的长度(G)应该等于或大于1mm。
此外根据这些实验数据，当突起部分112突起于主体部分111的长度(G)等于或小于7mm时，可以保证静电夹头盖环120具有一个良好的蚀刻剖面，目标对象170的边缘具有一个良好的蚀刻率(图8中的表)和蚀刻剖面(如图7所示)。在图8的表中，一个蚀刻范围对应于最大蚀刻率和最小蚀刻率之间的差值，均匀度可以根据下面的等式计算。
Figure G2009102082433D0000091
另一方面，当突起部分112的直径(R1)比目标对象170小2.5mm至3.5mm，并最优化突起部分112突起于主体部分111的长度(G)，可以保证静电夹头盖环120具有一个良好的蚀刻剖面，目标对象170的边缘具有一个良好的蚀刻率(图8中的表)和蚀刻剖面(如图7所示)。另一方面，优选静电夹头110和静电夹头装置100的设计，从而可以简化静头夹头110周围的一个加工工具，降低费用。
虽然本发明已经公开描述了某些优选的实施例，但应理解为只要不违背和超出权利要求所规定的本发明的原理和范围，技术熟练的人可以进行各种变化。

Claims (6)

1.一种等离子反应器中的静电夹头装置，设有：
一个静电夹头，其设有一个具有第一直径的圆形主体部分，和一个整个从主体部分中形成，并从主体部分中伸出的突起部分，该突起部分为具有第二直径的圆形，并且第二直径小于第一直径；
一个沿突起部分的外圆周环绕地设置的静电夹头盖环，其保护静电夹头的主体部分不受等离子反应器运行时所产生的等离子体离子的影响；和
一个沿静电夹头盖环的外圆周和主体部分的外圆周环绕地设置在阴极装置上部的阴极装置盖环，
其特征在于，将突起部分伸出于主体部分的长度(G)设置成1.0mm≤G≤7.0mm，而不用考虑安全地安装在突起部分上表面上的目标对象其直径，使静电夹头盖环在被等离子体离子蚀刻后，产生一个“L”形切割面。
2.如权利要求1所述的静电夹头装置，其特征在于通过将突起部分伸出于主体部分的长度(G)设置成1.0mm≤G≤7.0mm，当目标对象被等离子反应器蚀刻时，等离子体离子是垂直射入到静电夹头盖环的一个表面上，并且目标对象一个边缘上形成的多个接触孔与目标对象的一个表面相垂直。
3.如权利要求1所述的静电夹头装置，其特征在于突起部分的第二直径等于其上安全地安装了目标对象的突起部分上表面的直径，并且该第二直径比目标对象的直径小2.5mm至3.5mm。
4.如权利要求1所述的静电夹头装置，其特征在于所述的等离子反应器设有一个感应线圈的等离子源，该等离子源在等离子反应器的一个反应腔中产生等离子体离子。
5.如权利要求1所述的静电夹头装置，其特征在于所述的等离子反应器设有：
一个感应线圈的等离子源，该等离子源在等离子反应器的一个反应腔中产生等离子体离子；和
多个安装在上述反应腔顶部和侧部上多点处的气体注射器，
其中气体注射器将等离子体反应气体注射到所述的反应腔中。
6.如权利要求1所述的静电夹头装置，其特征在于所述的等离子反应器设有一个低频率无线电频率(RF)功率提供器和一个高频率无线电频率(RF)功率提供器，
其中，通过所述的低频率RF功率提供器和高频率RF功率提供器，一个低频率的偏RF功率和一个高频率的偏RF功率被混合并供应给阴极装置。
CN2009102082433A 2008-11-05 2009-10-17 等离子反应器的静电夹头装置 Expired - Fee Related CN101740300B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0109242 2008-11-05
KR1020080109242A KR101063588B1 (ko) 2008-11-05 2008-11-05 커버 링의 수명을 연장하고 플라즈마 반응기의 식각 성능을향상시키기 위한 구조를 가지는 정전 척 어셈블리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101740300A true CN101740300A (zh) 2010-06-16
CN101740300B CN101740300B (zh) 2011-12-14

Family

ID=42131093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009102082433A Expired - Fee Related CN101740300B (zh) 2008-11-05 2009-10-17 等离子反应器的静电夹头装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100110605A1 (zh)
KR (1) KR101063588B1 (zh)
CN (1) CN101740300B (zh)
TW (1) TWI393210B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014093420A (ja) * 2012-11-02 2014-05-19 Toyota Motor Corp ウェハを支持ディスクに接着する治具、および、それを用いた半導体装置の製造方法
JP2018019016A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101893035B1 (ko) * 2017-09-27 2018-08-30 비씨엔씨 주식회사 플라즈마 공정 챔버의 커버링 어셈블리
TWM609307U (zh) * 2020-08-25 2021-03-21 天虹科技股份有限公司 晶片預清潔機台

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5539609A (en) * 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
US6344105B1 (en) * 1999-06-30 2002-02-05 Lam Research Corporation Techniques for improving etch rate uniformity
US6872281B1 (en) * 2000-09-28 2005-03-29 Lam Research Corporation Chamber configuration for confining a plasma
KR100384060B1 (ko) 2000-12-04 2003-05-14 삼성전자주식회사 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP2005064062A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5331580B2 (ja) * 2008-07-02 2013-10-30 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置及びそれに用いる部品

Also Published As

Publication number Publication date
KR101063588B1 (ko) 2011-09-07
KR20100050113A (ko) 2010-05-13
TWI393210B (zh) 2013-04-11
TW201021156A (en) 2010-06-01
CN101740300B (zh) 2011-12-14
US20100110605A1 (en) 2010-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7562604B2 (ja) ユニバーサルプロセスキット
US6726805B2 (en) Pedestal with integral shield
US9997381B2 (en) Hybrid edge ring for plasma wafer processing
KR102549291B1 (ko) 정전 척의 제조 방법 및 정전 척
TW201246327A (en) Focus ring and substrate processing apparatus having same
JP5970268B2 (ja) プラズマ処理装置および処理方法
US8529730B2 (en) Plasma processing apparatus
CN101740300B (zh) 等离子反应器的静电夹头装置
CN1602370A (zh) 等离子室插入环
US20040112544A1 (en) Magnetic mirror for preventing wafer edge damage during dry etching
CN113903647A (zh) 边缘环和蚀刻装置
KR102427971B1 (ko) 플라즈마 처리 방법
CN100370593C (zh) 促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘
CN112542415B (zh) 晶圆处理装置及半导体加工站
KR100481278B1 (ko) 용량결합형 플라즈마 에칭 장치
US20070187039A1 (en) Wafer carrying apparatus
KR20030046143A (ko) 플라즈마 공정장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: WEIHAI DIANMEISHI OPTO-MECHATRONICS CO., LTD.

Effective date: 20140226

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140226

Address after: Gyeonggi Do Korea Suwon Lingtong Lingtong hole 958-1 some dream PA 4 storey building

Patentee after: DMS Co.,Ltd.

Patentee after: WEIHAI DMS OPTICAL ELECTROMECHANICAL CO.,LTD.

Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon Lingtong Lingtong hole 958-1 some dream PA 4 storey building

Patentee before: DMS Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 264205 No. 88-1, Bekaert Road, Weihai Economic and Technological Development Zone, Weihai City, Shandong Province

Patentee after: WEIHAI DMS OPTICAL ELECTROMECHANICAL Co.,Ltd.

Patentee after: DMS Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon Lingtong Lingtong hole 958-1 some dream PA 4 storey building

Patentee before: DMS Co.,Ltd.

Patentee before: WEIHAI DMS OPTICAL ELECTROMECHANICAL Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111214