CN101720407A - 发光二极管照明装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管照明装置(1)，包括一载台(12)、一基板(14)、一发光二极管晶粒(16)、一导热组件(20)以及一导热相变材料(22)。该载台包含一顶表面(122)和一底表面(124)。该载台在顶表面上形成一第一凹陷部(126)，在底表面上形成一第二凹陷部(128)。该第一凹陷部与该第二凹陷部相连接。该基板嵌入第二凹陷部。该发光二极管晶粒设置在基板上。该导热组件具有一平坦部(202)。基板设置在该平坦部上。导热相变材料设置在基板和平坦部之间。

Description

发光二极管照明装置 技术领域
本发明涉及一种发光二极管照明装置，特别涉及一种使用导热相变材料
(thermal phase change material)粘着基板的发光二极管照明装置。
孜不冃 J¾¾
随着半导体发光组件发展，发光二极管已为一种新兴的光源，具有省电、 耐震、 反应快、 适合量产等等， 许多优点。 因此， 以发光二极管作为指示器 已属常见， 并且以发光二极管作为光源的照明产品， 亦已渐成趋势。 为提供 足够的照明， 以发光二极管作为光源的照明装置多使用高功率的发光二极 管， 然而也带来了高散热的需求。
一般而言，发光二极管设置在一基板上，该基板再设置在一散热组件上。 该散热组件可为金属板、具较高导热效率的热导管或其它可提供高导热效率 的材料， 其上有多个鳍片以增加散热效率。只是发光二极管在运作中产生的 热量还需经由基板， 再传导至散热组件， 所以发光二极管与基板、基板与散 热组件间的接口热阻即为重要议题。在现有技术中， 因为发光二极管相对体 积较小， 且多直接形成或固定在基板上， 所以发光二极管与基板间的接口热 阻改善有限。因此，整个系统的改善多着重在基板与散热组件间的接口热阻。
基板与散热组件接面本身并无法保证紧密贴合，故常产生多个气室在基 板与散热组件之间。 由于每个气室很小， 因此其热对流效率有限， 其热传递 以热传导为主。 并且， 因为空气的热传导系数太低， 造成基板与散热组件间 接口热阻过高， 所以在现有技术中，.基板与散热组件间多会填充散热膏等导 热物质以避免气室产生， 进而降低接口热阻。然而， 长时间的高温对散热膏 会有老化效应， 散热膏的流动性也大幅减低， 亦即填充效果减弱， 进而产生 气室， 接口热阻则隨之增加。 严重的话， 散热组件无法有效导热、 散热， 发 光二极管则可能因过热而损坏。 因此， 有必要提供一种发光二极管照明装置， 其基板与散热组件之间的 填充材料可抗老化效应以持续提供低接口热阻以解决上述问题。
发明概要
本发明的目的是提供一种发光二极管照明装置。
本发明的另一目的是提供一种使用导热相变材料粘着基板的发光二极 管照明装置。
本发明的发光二极管照明装置包含一载台、一基板、一第一发光二极管 晶粒、 一导热组件以及一导热相变材料。 所述载台包含一阻隔部、一顶表面 和一底表面， 所述载台在所述顶表面上形成一第一凹陷部， 所述载台在所述 底表面上形成一第二凹陷部， 所述第一凹陷部与所述第二凹陷部相连接。所 述基板嵌入所述第二凹陷部。 所述第一发光二极管晶粒设置在所述基板上。 所述导热组件具有一平坦部， 所述基板设置在所述平坦部上。所述导热相变 材料设置在所述平坦部与所述基板之间。
所述发光二极管照明装置可进一步包含一支撑体。所述支撑体固定所述 载台于所述导热组件上。 并且， 所述基板具有一底表面， 所述基板的所述底 表面与所述载台的所述底表面大致共平面，致使所述导热相变材料可轻易地 充分填充于所述基板与所述平坦部之间，进而使所述基板与所述导热组件的 热传导效率得以提升。
此外， 所述基板与所述第二凹陷部之间可填充一粘胶， 以增加所述基板 与所述第二凹陷之间的附着力。所述第一凹陷部的直径小于所述第二凹陷部 的直径， 致使所述第二凹陷部具有一顶部， 所述基板与所述顶部连接。所述 基板也可与所述顶部电连接。在一实施例中， 所述基板上设有电路接点， 并 且所述顶部上也对应设有电路接点， 当所述基板与所述顶部连接时， 所述基 板上的电路接点即与所述顶部上的电路接点电连接。 其中， 所述载台可为一低温共烧陶瓷板、一印刷电路板或一金属核心电 路板。所述基板可为硅、 金属或低温共烧陶瓷。所述第一发光二极管晶粒为 一半导体发光二极管或一半导体激光。 所述导热组件为一热导管或一热导 柱。 所述导热相变材料具有粘性， 借此， 所述基板可有效地粘着在所述平坦 部上。所述导热相变材料具有一相变温度。当所述导热相变材料产生相变时， 其流动性增加， 可更有效填充在所述基板与所述平坦部之间，进而避免产生 气室，有效将所述第一发光二极管晶粒在运作过程中所产生的热量传导至导 热组件并散热出去。 在一实施例中， 所述相变温度在 40°C至 60Ό之间。 所 述导热相变材料具有一导热系数，所述导热系数在 3.6W/mK至 4.0W/mK之 间。
另外，本发明的发光二极管照明装置可进一步包含一第二发光二极管晶 粒设置于所述基板上， 并且所述载台包含一阻隔部。所述第一发光二极管晶 粒与所述第二发光二极管晶粒被所述阻隔部所分隔。所述第一发光二极管晶 粒可发射一第一波长光线， 所述第二发光二极管晶粒可发射一第二波长光 线， 所述第一波长光线异于所述第二波长光线。通过所述阻隔部分隔所述第 一发光二极管晶粒与所述第二发光二极管晶粒，所述发光二极管照明装置可 同时发射不同波长的光线。此外， 所述发光二极管照明装置可再进一步包含 一封装材料。所述封装材料同时覆盖所述第一发光二极管晶粒、所述第二发 光二极管晶粒以及所述阻隔部。在一实施例中， 所述封装材料可包含一萤光 粉。
在一实施例中，本发明的发光二极管照明装置进一步一第一萤光粉区域 以及一第二萤光粉区域。所述第一萤光粉区域位于所述第一发光二极管晶粒 之上，所述第一萤光粉区域用以将所述第一发光二极管晶粒发射的一第三波 长光线转换为一第四波长光线。所述第二萤光粉区域位于所述第二发光二极 管晶粒之上，所述第二萤光粉区域用以将所述第二发光二极管晶粒发射的一 第五波长光线转换为一第六波长光线。此外， 所述封装材料同时覆盖在所述 第一萤光粉区域与所述第二萤光粉区域上，且所述第一萤光粉区域的萤光粉 不同于所述第二萤光粉区域之萤光粉。借此， 所述发光二极管照明装置可同 时发射鲜明的且不同波长的光线。
另外， 根据本发明的发光二极管照明装置， 为增加集光效率， 可在所述 封装材料上设有一透镜， 并且还可在所述第一凹陷部上设有一反射层。 因此， 本发明的发光二极管照明装置使用所述导热相变材料， 有助于所 述基板粘着在所述平坦部上。 在所述导热相变材料相变后， 其流动性增加， 所述导热相变材料可更有效填充在所述基板与所述平坦部之间。并且于长时 间使用后， 所述导热相变材料仍可保持相当流动性、 导热性。此外， 本发明 的发光二极管照明装置通过在所述第一发光二极管晶粒以及所述第二发光 二极管晶粒间设置所述阻隔部以达到整合数个发光二极管晶粒于同一封装 区域中， 进而缩减封装区域并提供可同时发射不同波长光线的能力。
附图说明
为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂， 下面将结 合附图对本发明的较佳实施例详细说明- 图 1A是本发明第一较佳实施例的发光二极管照明装置的剖面图； 图 1B是图一 A的局部放大图；
图 1C是本发明的发光二极管照明装置的所述支撑体的另一结构示意 图；
图 1D是本发明的发光二极管照明装置具有数个基板及数个发光二极管 晶粒的示意图；
图 1E是本发明的发光二极管照明装置的所述导热组件及其上的鳍片的 另一结构示意图；
图 2A是本发明第二较佳实施例的发光二极管照明装置的局部剖面图； 图 2B是本发明第三较佳实施例的发光二极管照明装置的局部剖面图； 图 2C是本发明的发光二极管照明装置具有数个基板及数个发光二极管 晶粒的示意图； 以及
图 2D是本发明的发光二极管照明装置具有所述透镜及所述反射层的示 意图。 发明内容
请参阅图 1A及 B, 图 1A是本发明第一较佳实施例的发光二极管照明 装置 1的剖面图， 图 1B是图 1A的局部放大图。 本发明的发光二极管照明 装置 1包含一载台 12、一基板 14、一第一发光'二极管晶粒 16、一支撑体 18、 一导热组件 20以及一导热相变材料 22。
所述载台 12包含一顶表面 122和一底表面 124, 所述载台 12在所述顶 表面 122上形成一第一凹陷部 126，所述载台 12在所述底表面 124上形成一 第二凹陷部 128， 所述第一凹陷部 126与所述第二凹陷部 128相连接。 所述 基板 14嵌入所述第二凹陷部 128。 所述第一发光二极管晶粒 16设置在所述 基板 14上。 并且， 所述第一凹陷部 126与所述第二凹陷部 128相连接的直 径小于所述第二凹陷部 128与所述第一凹陷部 126相连接的直径，使得所述 第二凹陷部 128具有一顶部 130。所述基板 14与所述顶部 130连接。所述顶 部 130具有卡合所述基板 14的功能，也可增加所述基板 14与所述第二凹陷 部 128附着面积，亦即增加所述基板 14与所述第二凹陷 128之间的附着力。 此外， 在一实施例中， 所述基板 14上可设有电路接点 (未图示)， 并且所述顶 部 130上则对应设有电路接点 (未图示)，当所述基板 14与所述顶部 130连接 时， 所述基板 14上的电路接点即与所述顶部 130上的电路接点电连接。 在 此情形， 所述第一发光二极管晶粒 16即无需再打线至所述载台 12上。 此外， 所述支撑体 18具有一通孔 (未图示)， 致使所述支撑体 18可固定 在所述导热组件 20上。所述导热组件 20包含一平坦部 202。所述平坦部 202 上设置所述导热相变材料 22, 然后所述基板 14再设置在所述导热相变材料 22上。所述导热相变材料 22可填充所述基板 14与所述平坦部 202之间的空 隙， 以减少所述基板 14与所述平坦部 202间的接口热阻。 由于所述基板 14 已嵌入所述第二凹陷部 128，因此可通过固定所述载台 12来达到固定所述基 板 14的目的。 如图 1B所示， 所述支撑体 18以数个螺丝 182固定所述载台 12在所述导热组件 20上， 所述基板 14因此压缩所述导热相变材料 22以达 到固定在所述平坦部 202上的目的。 由于所述基板 14的一底表面 142与所 述载台 12的所述底表面 124大致共平面。因此所述导热相变材料 22可充分 地填充在所述基板 14与所述平坦部 202之间。
根据所述第一较佳实施例， 所述导热相变材料 22具有一相变温度。 所 述相变温度在 40°C至 60 之间， 但本发明不以此为限。 在所述导热相变材 料 22相变后，其流动性增加，可更有效填充在所述基板 14与所述平坦部 202 之间， 进而避免气室的产生， 有效地将所述第一发光二极管晶粒 16在运作 过程中所产生的热量传导至所述导热组件 20并散逸出去。 所述导热相变材 料具有一导热系数， 所述导热系数在 3.6W/mK至 4.0W/mK之间。 另外， 所 述导热组件 20可包含数个鳍片 204(请参阅图 1A)， 用以将经由所述平坦部 202传导的热量可经由所述该等鳍片 204散逸出去。 所述该等鳍片 204的设 置取决于产品计设， 在此不再赘述。
补充说明， 图 1B虽表示了整个载台 12压在所述导热相变材料 22上， 但本发明不以此为限。另外， 所述支撑体 18固定所述载台 12的方式也不以 图 IB所示者为限。 例如， 所述支撑体 18'也可以结构上来卡住所¾载台 12， 如图 1C所示。 当然， 也可同时结合上述两种固定方式。 另外， 根据所述第 一较佳实施例， 所述发光二极管照明装置 1仅包含一个基板 14以及一个发 光二极管晶粒 16，但本发明不以此为限。亦即，本发明的发光二极管照明装 置也可包含多个基板 14， 每个基板 14上设置多个发光二极管晶粒 16， 如图 1D所示。 另外， 所述平坦部 202不一定位于所述导热组件 20的一端面。 所 述平坦部 202'亦可形成于所述导热组件 20'的管体中间部分。如图 1E所示 (图 1E仅绘示所述导热组件 20'以及所述等鰭片 204')， 所述导热组件 20'可形成 一 U型管， 其中间部位则压扁以形成所述平坦部 202'。 所述该等鳍片 204' 则可分置在所述导热组件 20'的两端部分。 在此情形， 所述支撑体 18则需做 相对应的结构变更以使得所述支撑体 18可将所述载台 12固定在所述导热组 件 20'上， 并使得所述基板 14能设置在所述平坦部 202'上。
根据本发明， 所述载台 12可为一低温共烧陶瓷板、 一印刷电路板、 ― 金属核心电路板或其它可与所述基板 14衔接的材料。 所述基板 14可为硅、 金属、 低温共烧陶瓷或其它可承载发光二极管晶粒的材料。 所述基板 14与 所述第二凹陷部 130之间可填充一粘胶， 以增加所述基板 14与所述第二凹 陷 130之间的附着力。 所述第一发光二极管晶粒 16是一半导体发光二极管 或一半导体激光。
请参阅图 2A， 图 2A是本发明第二较佳实施例的发光二极管照明装置 3 的局部剖面图。与所述第一较佳实施例的发光二极管照明装置 1相比， 所述 发光二极管照明装置 3进一步包含一第二发光二极管晶粒 17，并且所述载台 12包含一阻隔部 132。 所述第二发光二极管晶粒 17设置于所述基板 14上。 所述第一发光二极管晶粒 16与所述第二发光二极管晶粒 17被所述阻隔部 132所分隔。
所述第一发光二极管晶粒 16可发射一第一波长光线， 所述第二发光二 极管晶粒 17可发射一第二波长光线， 所述第一波长光线异于所述第二波长 光线。 通过所述阻隔部 132分隔所述第一发光二极管晶粒 16与所述第二发 光二极管晶粒 17， 所述发光二极管照明装置 3可同时发射不同波长的光线。 此外，所述发光二极管照明装置 3进一步包含一封装材料 24。所述封装材料 24同时覆盖所述第一发光二极管晶粒 16、所述第二发光二极管晶粒 17以及 所述阻隔部 132。在一实施例中，所述封装材料 24包含一萤光粉。补充说明， 关于所述封装材料 24的描述也适用于所述第一较佳实施例。
请参阅图 2B， 图 2B是本发明第三较佳实施例的发光二极管照明装置 5 的局部剖面图。与所述第二较佳实施例相比， 所述发光二极管照明装置 5进 一步一第一萤光粉区域以及一第二萤光粉区域 (未图示)。 所述第一萤光粉区 域位于所述第一发光二极管晶粒 16之上， 所述第一萤光粉区域用以将所述 第一发光二极管晶粒 16发射的一第三波长光线转换为一第四波长光线。 所 述第二萤光粉区域位于所述第二发光二极管晶粒 17之上， 所述第二萤光粉 区域用以将所述第二发光二极管晶粒 17发射的一第五波长光线转换为一第 六波长光线。 此外， 所述发光二极管照明装置 5的所述封装材料 24'同时覆 盖于所述第一萤光粉区域与所述第二萤光粉区域上，且所述第一萤光粉区域 的萤光粉不同于所述第二萤光粉区域的萤光粉。 因此， 即使所述第三波长光 线与所述第五波长光线相同， 仍可因萤光粉的不同， 而可使所述第四波长光 线不同于所述第六波长光线。借此， 所述发光二极管照明装置 5可同时发射 鲜明的且不同波长的光线。
根据所述发光二极管照明装置 5，所述封装材料 24'独立覆盖所述第一发 光二极管晶粒 16以及所述第二发光二极管晶粒 17。 因此， 在一实施例中， 所述第一萤光粉区域上的所述封装材料 24'可包含一萤光粉， 用以再转换所 述第四波长光线为一第七波长光线。 同样地， 所述第二萤光粉区域上的所述 封装材料 24'可包含另一萤光粉， 用以再转换所述第六波长光线为一第八波 长光线。借此， 即使所述第四波长光线与所述第六波长光线相同， 所述发光 二极管照明装置 5仍可通过整调所述封装材料 24'的萤光粉而同时发射不同 波长的光线。
补充说明， 所述发光二极管照明装置 5的所述封装材料 24'并未覆盖所 述阻隔部 132，因此所述第一发光二极管晶粒 16发射的光线与所述第二发光 二极管晶粒 17发射的光线互不干涉。 借此， 所述发光二极管照明装置 5可 同时发射鲜明的且不同波长的光线。相反的， 所述发光二极管照明装置 3的 所述封装材料 24尚覆盖所述阻隔部 132， 因此所述第一发光二极管晶粒 16 发射的光线与所述第二发光二极管晶粒 17发射的光线有部分混合， 进而产 生较柔和的效果。借此， 所述发光二极管照明装置 3可发射较柔和的且不同 波长的光线。另外， 本发明的发光二极管照明装置当然可发射单一波长的光 线， 不再赘述。
与对所述第一较佳实施例的说明相同， 根据所述第二或第三较佳实施 例， 所述发光二极管照明装置 3或 5仅包含一个基板 14以及二个发光二极 管晶粒 16、 17, 但本发明不以此为限。亦即， 本发明的发光二极管照明装置 也可包含多个基板 14， 每个基板 14上设置多个发光二极管晶粒 16、 17， 如 图 2C所示。 另夕卜， 为增加集光效率， 可在所述封装材料 24、 24'上设有一透 镜 26， 并且也可在所述第一凹陷部 126上设有一反射层 28， 如图 2D所示。 所述透镜 26不以与所述封装材料 24、 24'密合为必要。
综上所述， 本发明的发光二极管照明装置使用所述导热相变材料， 将所 述基板粘着在所述平坦部上。 在所述导热相变材料相变后， 其流动性增加， 所述导热相变材料可更有效填充在所述基板与所述平坦部之间。并且在长时 间使用后， 所述导热相变材料仍可保持相当、流动性、 导热性。 此外， 本发明 的发光二极管照明装置通过在所述第一发光二极管晶粒以及所述第二发光 二极管晶粒间设置所述阻隔部以达到整合数个发光二极管晶粒于同一封装 区域中， 进而缩减封装区域并提供可同时发射不同波长光线的能力。
以上已对本发明的较佳实施例进行了具体说明，但本发明并不限于所述 实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种 的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限 定的范围内。

Claims (1)

  1. 权利要求
    1.一种发光二极管照明装置， 其特征在于， 包含：
    一载台， 所述载台包含一顶表面和一底表面， 所述载台在所述顶表面上 形成一第一凹陷部， 所述载台在所述底表面上形成一第二凹陷部， 所述第一 凹陷部与所述第二凹陷部相连接；
    一基板， 所述基板嵌入所述第二凹陷部；
    一第一发光二极管晶粒， 所述第一发光二极管晶粒设置在所述基板上； 一导热组件， 所述导热组件具有一平坦部， 所述基扳设置在所述平坦部 ±; 以及
    一导热相变材料， 所述导热相变材料设置在所述平坦部与所述基板之 间。
    2.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 进一步包含 一第二发光二极管晶粒设置在所述基板上， 其中所述载台包含一阻隔部， 所 述第一发光二极管晶粒与所述第二发光二极管晶粒被所述阻隔部所分隔。
    3.如权利要求 2所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 所述第一发 光二极管晶粒可发射一第一波长光线，所述第二发光二极管晶粒可发射一第 二波长光线， 所述第一波长光线异于所述第二波长光线。
    4.如权利要求 2所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 进一步包含 一第一萤光粉区域位于所述第一发光二极管晶粒之上，所述第一萤光粉区域 用以将所述第一发光二极管晶粒发射的一第三波长光线转换为一第四波长 光线。
    5.如权利要求 4所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 进一步包含 一第二萤光粉区域位于所述第二发光二极管晶粒之上，所述第二萤光粉区域 用以将所述第二发光二极管晶粒发射的一第五波长光线转换为一第六波长 光线。
    6.如权利要求 5所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 进一步包含 一封装材料，所述封装材料同时覆盖在所述第一萤光粉区域与所述第二萤光 粉区域上，且所述第一萤光粉区域的萤光粉不同于所述第二萤光粉区域的萤 光粉。
    7.如权利要求 2所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 进一步包含 一封装材料， 所 封装材料同时覆盖所述第一发光二极管晶粒、所述第二发 光二极管晶粒以及所述阻隔部。
    8.如权利要求 7所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 所述封装材 料包含一萤光粉。
    9.如权利要求 7所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 进一步包含 一透镜， 所述透镜设置在所述封装材料上。
    10.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：所述载台是 一低温共烧陶瓷板、 一印刷电路板或一金属核心电路板。
    11.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：所述第一凹 陷部的直径小于所述第二凹陷部的直径， 致使所述第二凹陷部具有一顶部， 所述基板与所述顶部连接。
    12.如权利要求 11所述的发光二极管照明装置， 其特征在于： 所述基板 与所述顶部电连接。
    13.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：一粘胶填充 在所述基板与所述第二凹陷部之间。
    14.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：进一步包含 一反射层， 所述反射层位于所述第一凹陷部上。
    15.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：所述基板为 一硅、 金属或低温共烧陶瓷。
    16.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：所述第一发 光二极管晶粒是一半导体发光二极管或一半导体激光。
    17.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：所述基板具 有一底表面， 所述基板的所述底表面与所述载台的所述底表面大致共平面。
    18.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：进一步包含 一支撑体， 所述支撑体固定所述载台在所述导热组件上。
    19.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，.其特征在于：所述导热组 件为一热导管或一热导柱。
    20.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：所述导热相 变材料具有粘性。
    21.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：所述导热相 变材料具有一相变温度， 所述相变温度在 40°C至 60°C之间。
    22.如权利要求 1所述的发光二极管照明装置，其特征在于：其中所述导 热相变材料具有一导热系数， 所述导热系数在 3.6W/mK至 4.0W/mK之间。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5496763B2 (ja) * 2010-04-26 2014-05-21 日本モレックス株式会社 放熱機構を備える照明装置、照明機器
TWI461634B (zh) * 2012-05-18 2014-11-21 Jun Zhan Technology Co Ltd 發光裝置
KR101571830B1 (ko) 2014-06-11 2015-11-25 태원전기산업(주) 엘이디 조명기구
EP3597268B1 (en) 2018-07-19 2020-10-28 JK-Holding GmbH Irradiating device and irradiation method

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6651331B2 (en) * 1996-05-29 2003-11-25 Manford L. Eaton Method of establishing a thermal joint on a heat sink
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
WO2000036893A2 (en) * 1998-12-15 2000-06-22 Parker-Hannifin Corporation Method of applying a phase change thermal interface material
US6391442B1 (en) * 1999-07-08 2002-05-21 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Phase change thermal interface material
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
DE10041686A1 (de) * 2000-08-24 2002-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips
JP2002319702A (ja) * 2001-04-19 2002-10-31 Sony Corp 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子
JP4030399B2 (ja) * 2002-09-25 2008-01-09 電気化学工業株式会社 自己粘着性相変化型放熱部材
US7408787B2 (en) * 2003-07-30 2008-08-05 Intel Corporation Phase change thermal interface materials including polyester resin
US7482638B2 (en) * 2003-08-29 2009-01-27 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package for a semiconductor light emitting device
KR20060108757A (ko) * 2003-12-11 2006-10-18 컬러 키네틱스 인코포레이티드 조명 소자를 위한 열 관리 방법 및 장치
JP4225945B2 (ja) * 2004-05-17 2009-02-18 富士高分子工業株式会社 熱伝導性シート
JP2006049657A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2006114854A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置
US20060125716A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Wong Lye Y Light-emitting diode display with compartment
ATE389240T1 (de) * 2005-01-12 2008-03-15 Neobulb Technologies Inc Beleuchtungsvorrichtung mit leuchtdioden vom flip-chip -typ und verfahren zu ihrer herstellung
EP1872400A4 (en) * 2005-04-05 2009-06-24 Tir Technology Lp ASSEMBLY ASSEMBLY FOR OPTOELECTRONIC DEVICES
CN100486397C (zh) * 2005-04-19 2009-05-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括红色发射陶瓷发光转换器的照明系统
JP4535928B2 (ja) * 2005-04-28 2010-09-01 シャープ株式会社 半導体発光装置
CN100435361C (zh) * 2005-05-31 2008-11-19 新灯源科技有限公司 半导体发光元件封装结构
EP1970967A1 (en) * 2005-11-28 2008-09-17 NeoBulb Technologies, Inc. Package structure of light-emitting diode
JP4922607B2 (ja) * 2005-12-08 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ光源装置
US20070165392A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Edison Opto Corporation Light emitting diode structure
JP4742977B2 (ja) * 2006-05-12 2011-08-10 凸版印刷株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法
US7985005B2 (en) * 2006-05-30 2011-07-26 Journée Lighting, Inc. Lighting assembly and light module for same
US20080296757A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Paul Hoffman Fluid spreader

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