CN101688894A

CN101688894A - 光电二极管自测试

Info

Publication number: CN101688894A
Application number: CN200880022085A
Authority: CN
Inventors: G·普雷谢尔; T·弗拉克
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 2007-06-25
Filing date: 2008-05-27
Publication date: 2010-03-31
Anticipated expiration: 2028-05-27
Also published as: EP2160615B1; ATE510222T1; US8193815B2; US20120129274A1; CN101688894B; US8975907B2; US20100182011A1; WO2009001237A1; EP2160615A1

Abstract

光电检测器阵列(142)包括多个光电检测器单元(202)，例如雪崩光电二极管(208)和读出电路(210)。阵列自测试器(226)测试单元(202)的暗计数或其他性能特性。该测试结合阵列(142)的制造而执行或者在将阵列(142)安装到检测系统(100)中之后执行。

Description

光电二极管自测试

下文涉及光电二极管，尤其涉及盖革模式(Geiger-mode)雪崩光电二极管阵列。它特别适用于正电子发射层析术(PET)和单光子发射计算层析术(SPECT)系统中使用的检测器、光学成像装置以及其中部署了光传感器阵列的其他应用。

医疗和其他领域中的各种应用依赖于低水平光脉冲的检测。例如，PET系统包括检测同时发生的511千电子伏特(keV)伽玛光子的辐射敏感检测器，所述伽玛光子指示检查区域中发生的正电子衰变。检测器包括响应于接收的511keV伽玛而产生低能量光子(典型地在可见光范围内或附近)脉冲串的闪烁物，每个脉冲串典型地包括在大约数十到数百纳秒(ns)的时间段上传播的大约数百到数千光子。

光电倍增管(PMT)常规上用来检测闪烁物产生的光子。然而，PMT是体积相对较大的基于真空管的装置，其并不特别适用于需要高的空间分辨率的应用。最近，提出了硅光电倍增器(SiPM)。SIPM包括检测器像素阵列，每个像素包括并联地电连接的大约数千APD单元。各个不同的APD单元在盖革模式下操作，每个单元包括猝熄电路。SiPM可以提供许多优点，包括相对紧凑的尺寸、良好的灵敏度以及良好的空间分辨率。而且，APD及其关联的读出电路系统(circuitry)通常可以在公共的半导体衬底上制造。2006年10月26日的题为Digital Silicon Photomultiplier forTOF-PET的PCT公开WO2006/111883A2公开了一种包括APD和数字读出电路的数字SiPM。

然而，如上面所指出的，典型的像素可以包括许多APD单元。遗憾的是，当安装在扫描仪或其他装置上时，具有高的暗计数或其他缺陷的APD单元可能对APD制造产量和SiPM的性能产生有害的影响。

本申请的各方面解决了这些和其他问题。

依照第一方面，一种光电检测器包括半导体衬底和在衬底上制造的多个光电检测器单元。每个单元包括雪崩光电二极管和读出电路。光电检测器也包括在衬底上制造并且被配置成测试这些单元的测试器。

依照另一方面，一种方法包括使用半导体衬底上制造的电路系统测量该衬底上制造的硅光电倍增器的单元的第一子集的性能特性。该方法也包括对于所述单元的第二子集重复所述使用步骤。第一和第二子集中的每一个包括多个单元。

依照另一方面，一种设备包括在半导体衬底上制造的多个雪崩光电二极管单元。这些单元包括雪崩光电二极管和单元读出电路。该设备也包括在衬底上制造并且被配置成测量光电二极管单元的性能特性的电路系统。

依照另一方面，提供了一种维护(service)辐射检测设备的方法，该辐射检测设备包括在半导体衬底上制造的辐射检测器。该方法包括使用在衬底上制造的电路测量检测器的性能特性以及使用测量的性能特性维护所述正电子成像设备。

本领域普通技术人员在阅读和理解下面的详细描述时将会理解本发明的其他另外的方面。

本发明可以采取不同部件和部件布置以及不同步骤和步骤布置的形式。附图仅用于说明优选实施例的目的，不应当被视为对本发明的限制。

图1绘出了一种PET系统。

图2绘出了一种SiPM。

图3绘出了一种单元读出电路。

图4绘出了一种测试电路。

图5绘出了一种方法。

参照图1，在诸如组合的PET/CT成像系统100之类的系统100中采用了多个SiPM阵列142。系统100的PET台架(gantry)部分102包括以通常为环形的或其他合适的布置设置在检查区域108周围的辐射敏感检测器106。闪烁物材料140将指示正电子湮没的511keV伽玛辐射转换成更低能量的光子。与闪烁物材料140光学通信的SiPM阵列142将闪烁光子转换成电信号。

在公共半导体衬底上使用互补金属氧化物半导体(CMOS)或其他适当的制造技术制造的每个SiPM 142包括具有每个像素大约数千APD单元的光敏检测器像素的规则或其他阵列。PET台架部分102典型地包括大约10000像素。如下面将要进一步详细地描述的，SiPM阵列142也包括用来测试APD单元的集成自测试电路系统以及允许抑制有缺陷单元的执行的抑制逻辑。PET系统100也可以包括存储APD单元的抑制状态的存储器119。

CT部分104包括围绕CT检查区域112旋转的辐射源110，例如x射线管。辐射敏感检测器114检测横穿检查区域112的由x射线源发射的辐射。

PET台架部分102和CT台架部分104优选地被定位成与其对应的沿公共纵轴或z轴设置的检查区域108、112邻近。目标支撑116支撑待成像的目标118，例如人类患者。目标支撑116与PET/CT系统100的操作配合，通常可以在纵向移动，从而目标118可以在多个纵向位置由PET和CT台架部分102、104进行扫描。

CT数据采集系统122处理来自CT检测器114的信号以产生指示沿着通过检查区域112的多条线或射线的辐射衰减的数据。CT重构器126使用适当的重构算法重构所述数据以产生指示目标118的辐射衰减的体积图像数据。

PET数据采集系统120接收来自各个不同的SiPM的数据并且产生包括由检测器106检测的湮没事件列表的投影数据。更特别地，该投影数据提供有关每个事件的LOR的信息，例如LOR的横向和纵向位置、它的横向角度和方位角以及在TOF扫描仪的情况下的飞行时间(TOF)信息。可替换地，可以将该数据重分装(rebin)成一个或多个正弦图(sinogram)或投影仓(bin)。

PET重构器129使用已知的迭代或其他技术重构PET投影数据以产生指示目标118中放射性核素的分布的体积图像数据。此外，PET重构器129也使用来自CT重构器126的信息以便对PET数据进行衰减和其他希望的校正。

工作站计算机用作操作员控制台128。该控制台128包括人类可读输出装置(例如监视器或显示器)和输入装置(例如键盘和鼠标)。驻留在控制台128上的软件允许操作员观看以及另外地处理由PET和CT重构器129、126产生的体积图像数据。驻留在控制台128上的软件也允许操作员通过建立希望的扫描协议、启动和终止扫描以及以其他方式与扫描仪交互来控制系统100的操作。

应当理解的是，上面的内容是非限制性实例并且系统100的若干变型也是可能的。因此，例如扫描仪的CT部分可以省略、定位成远离PET台架部分102或者由诸如磁共振(MR)扫描仪之类的另一成像装置替换。也可以设想PET检测器106的不同配置。而且，SiPM 142可以在不同于PET系统100的系统中采用。非限制性实例包括SPECT系统、荧光和光学成像系统、高能物理以及其他医疗和非医疗系统。在目的为检测光辐射或者波长落入光电二极管的敏感波长内的其他辐射的情况下，也可以省略闪烁物140。

现在将参照图2进一步描述实例SiPM 142像素，应当理解的是，该SiPM可以包括若干这样的像素。如图所示，所述像素包括以规则或其他阵列组织的多个检测器单元202_1-q，所述阵列包括多个行204_1-m和/或列206_1-n。每个单元202包括经过偏压以工作于盖革模式的APD 208以及读出电路系统210。

读出电路210产生触发输出212和数据输出214。触发输出212被触发或激活以指示APD 208检测到光子。在测量光子到达时间的PET或其他系统的情况下，各个不同的触发输出212操作时连接到时间-数字转换器(TDC)216，该时间-数字转换器产生指示例如相对于公共扫描仪或系统时钟的光子到达时间的数字时间戳数据。数据输出214包括指示在读取时段期间由APD 208检测的光子数量的n位数据，其中n大于或等于1。像素接口218传送到达和/或来自PET数据采集系统120上游部件的相关数据。

读出电路系统210也包括输出使能(或者反过来看，输出禁止)输入端220、复位输入端222、抑制状态存储使能(或者反过来看，抑制状态存储禁止)输入端260以及抑制输入端224。输出使能输入端220使能与单元202的读出连接的数据输出212。复位输入端222在测量时段结束时或以其他方式复位单元202。在所示出的实施例中，各个不同的单元202的输出使能端220和复位输入端222以及抑制状态存储使能端260以逐行的方式连接，从而以逐行的方式使能和/或复位单元202。抑制状态存储使能端260允许通过抑制输入端224写抑制状态存储器，以便例如通过抑制易于暗计数过大或者以其他方式被确定有缺陷的单元202的触发216输出来禁止该单元202的操作。

SiPM 142也包括测试所述阵列中的单元202的测试电路系统226，例如一个或多个单元测试电路228_1-m。如图所示，这些测试电路228按列方式布置，每个测试电路228评估特定列206中的单元202的性能。测试电路228包括输入端230，该输入端在所示实施例中接收由特定列206中的单元202给出的数据214。测试电路228还产生评估输出232，其在所示实施例中操作时连接到所述列206中的单元202的抑制输入端224。

评估输出232也由累加器234接收，所述累加器例如一个或多个计数器，其累计所述阵列的像素或其他部分中的坏的(或者反过来说，好的)单元202的数量。

SiPM也包括操作时连接到数据采集系统120的控制器250。控制器250例如依照测试模式和工作模式控制一个或多个像素的操作，在所述测试模式中，测试电路226用来测试单元的操作。

现在转向图3，实例读出电路210包括输出使能/复位电路302、猝熄电路304、触发电路306、单元抑制电路308以及光子计数器312。

触发电路306产生触发输出信号212以指示APD 208已经检测到光子。光子计数器312在给定的读取时段中对APD 208检测到的光子数进行计数以便产生光子计数数据输出214。在1位的实施例中，计数器312为1位计数器，例如锁存器。也可以设想n位计数器，其中n大于或等于2。猝熄电路304(例如有源或无源猝熄电路)在雪崩之后使APD 208猝熄。

抑制(或者反过来说，单元使能)电路308例如通过禁用APD 208、触发电路306或者光子计数器312中的一个或多个来抑制单元210的操作。读出电路210也包括存储单元210的抑制状态的抑制状态存储装置310，例如静态随机存取存储器(SRAM)位、触发器、锁存器等等。抑制状态存储使能信号260用来例如与抑制输入端224上接收的抑制信号配合，允许写到抑制状态存储器310。

输出使能(或者反过来看，禁止)和复位电路302响应于在单元复位输入端222上接收的信号而对光子计数器312进行复位并且对APD208再充电。电路302也响应于在输出使能输入端220处接收的信号而使能光子计数数据输出214。

公开日为2006年10月26日且题为Digital Silicon Photomultiplierfor TOF-PET的PCT公开WO2006/111883A2、2005年4月22日提交的美国临时专利申请No.60/674034以及2005年5月18日提交的美国临时专利申请No.60/682226中也描述了读出电路和成像系统，这些文献中的每一篇明确地通过引用全部合并于此。

现在转向图4，实例测试电路228包括累加器402(例如计数器或加法器)、阈值404以及比较器406。累加器402对评估输入端230处接收的数据进行累计或者换句话说进行计数。比较器406将来自累加器402的计数值与阈值404进行比较以便产生评估输出信号232。可以提供复位电路以便在给定单元202的评估之后复位累加器402。

在一个实施例中，在所述装置的设计和/或制造期间将阈值404设置为预定的固定值。在另一个实施例中，阈值404可通过阈值输入端408改变，在这种情况下，可以将希望的阈值(或者指示希望的值的状态位)存储到在SiPM 142衬底上制造的存储器中。所述希望的阈值可以由终端用户或维修工程师在操作或维护系统100方面通过控制台128或其他适当的用户接口来确立。在系统100依照多种扫描或成像协议工作的情况下，也可以通过系统上驻留的软件或固件自动地或者通过用户手工地或者以其他方式根据选择的成像协议确立阈值404。

在例如相对较低的计数率下或者在其中检测器性能相对不受暗计数率的影响的其他应用中，可以将阈值404确立为相对较高的值。相反地，在对于暗计数相对敏感的应用或协议中，可以将阈值404确立为相对较低的值。也可以根据测量的温度或其他变量自动地或者以其他方式调节阈值404。

通常有利的是，最小化各个不同的单元202的读出电路210的面积，因为这样做倾向于增大光电二极管208可用的面积。在一个实施例中，单元202产生1位数据输出信号212，累加器402包括每次评估输入端230处接收到数据信号时递增的n位(其中n大于1)计数器，并且通过测试计数器402的最高有效位(MSB)，例如通过确定该MSB是否已经置位来执行所述比较。在另一个实施例中，单元202产生n位数据信号214，其中n大于或等于2。在读取时段期间，读取并复位数据214若干次，并且累加器402包括增加各个不同的读数的m位加法器。举例而言，单元202可以包括2位光子计数器312，所述加法器可以实现为6位加法器。

在SiPM 142的正常操作中，当单元202之一检测到光子时产生触发信号212。像素读出序列也被启动，数据输出214被读取以便确定在适当的读取时段期间检测到的光子数。然而，遗憾的是，触发信号212也可能响应于暗光子计数而产生。尽管有可能在系统工作期间识别并丢弃暗光子计数，但是通常不希望响应于暗计数而启动读出序列，因为这样做倾向于增大像素死区时间(dead time)并且因而降低检测器性能。随着每像素的单元202数的增加，这个问题更严重。

由于制造过程中的变化的原因，一些单元202可能更容易受到暗计数的影响或者以其他方式易于出现缺陷。而且，暗计数率也可能随着时间的流逝或者随着温度或其他外部参数的变化而变化。在前一种情形下，制造的变化可能影响制造产量；同样希望的是在生产过程中相对早期地评估装置的性能。在后一种情况下，可能同样有利的是在SiPM 142安装到扫描仪100或其他系统中之后检测和/或响应暗计数率的变化。

现在将参照图5描述操作。

在测试的性能特性为暗计数性能的情况下，在步骤502将SiPM置于暗环境中。

在步骤504输入测试模式。

在506，使能单元202行204或者其他希望的单元202组。

在508，测试行204中的单元202。因此，例如测量每个单元的暗光子计数率并且将其与阈值进行比较。将暗计数率超过阈值的那些单元202识别为有缺陷。

在510，例如通过抑制被识别的单元202的触发输出来抑制被识别为有缺陷的那些单元202的操作。

在512，对有缺陷的单元208的数量进行累计或计数。

在514，重复该过程，直到已经测试了每个希望的行204或组。应当指出的是，测试也可以在有缺陷单元202的数量超过希望的值的情况下更早地终止。

在516，可以重复所述过程，对测试执行希望的多次。这种重复在其中测量的值受到统计变化的影响的暗计数率或其他测量中是特别有益的。在SiPM安装到包括多个SiPM的PET 100或其他系统中的情况下，优选地在时间上并行地测试这些不同的SiPM。

在518，将测试的结果传送到SiPM 142外部的装置或系统，例如传送到数据采集系统或者不在SiPM 142衬底上制造的电路部分。

在520，利用这些测试结果，动作的性质取决于诸如SiPM 142的寿命周期阶段之类的因素以及执行的测试的性质。

例如，可以将所述测试作为SiPM 142晶片制造和/或生产过程的一部分来执行。在这种情形下，可以将有缺陷单元的数量与一个或多个阈值进行比较，将SiPM 142丢弃或者分级以用于对识别的缺陷相对不敏感的应用中。在SiPM 142包括多个像素的情况下，也可以确定有缺陷单元或像素的总数，相应地将SiPM 142丢弃或分级。

可以在SiPM安装到PET扫描仪102或其他系统中之后作为系统制造测试的一部分或者在系统工作寿命期间多次测试这些SiPM。例如，可以在医疗保健设施(例如诊所、医院或诊断成像中心)或者其他终端用户位置结合系统的上电初始化过程、安装和试运行、在准备扫描或其他系统操作中、结合诊断或其他服务或者以其他方式执行所述测试。在这种情况下，可以合适地将测试结果传送给操作员、技术员或者其他用户。然后，可以评估这些测试结果并且例如通过替换有缺陷SiPM或其他现场可替换单元(FRU)将其用于修复所述系统。为了促进相对更优美的失效(graceful failure)，系统100也可以被配置成仅在其中性能未过度地退化的那些工作模式或协议下操作。

尤其在SiPM 142已经安装到系统中的情况下，在522退出测试模式并且将SiPM 142置于工作模式下。

在步骤524，SiPM 142用来执行成像或其他检查。

可以设想若干变型和可替换方案。例如，电路226可以被配置成测量不同于暗计数率的性能特性，并且从测试导出的信息可以用于不同于抑制单元202的操作的目的。因此，例如电路226可以被配置成测量单元202的增益或其他参数，所述信息用来调节单元的操作或者调节单元产生的输出。

也可以设想测试电路228的不同数量和配置，就像可替换的测试电路228的复用方案一样。例如，可以提供单个测试电路228；可以针对每个单元202提供测试电路228。也可以同时测试两行或多行204。应当理解的是，为了解释的一致性起见，术语列已经结合竖直列进行了说明，术语行已经结合水平行进行了说明，并且所述单元可以以不同于水平行和竖直列来分组。而且，单元202不必以行和列来分组，并且可以以其他适当的配置或布置来分组。

还应当指出的是，也可以将各个不同的单元的抑制状态存储到诸如非易失性存储器119之类的存储器中，所述信息在系统上电时或者以其他方式传送到单元202。

尽管上面主要结合医疗PET系统进行了描述，但是应当理解的是，所述SiPM 142可以用在其他的系统和应用中。

上面已经参照优选的实施例描述了本发明。本领域技术人员在阅读和理解前面的详细描述时可以想到若干修改和变化。可以预期的是，只要所有这样的修改和变化落入所附权利要求书或者其等效物的范围内，那么本发明应当被视为包括了所有这样的修改和变化。

Claims

1.一种光电检测器，包括：

半导体衬底；

在该衬底上制造的多个光电检测器单元(202)，每个单元包括雪崩光电二极管(208)和读出电路(210)；

测试器(226)，其在所述衬底上制造并且被配置成测试这些单元。

2.权利要求1的光电检测器，其中读出电路包括根据测试器执行的测试抑制单元的操作的抑制电路(308)。

3.权利要求2的光电检测器，其中读出电路包括抑制状态存储装置(310)并且抑制电路根据该存储装置存储的抑制状态抑制单元的操作。

4.权利要求2的光电检测器，包括时间-数字转换器(216)，其中读出电路包括触发该时间-数字转换器的操作的光子触发电路(306)并且抑制电路根据测试电路执行的测试抑制该触发电路的操作。

5.权利要求1的光电检测器，其中测试器测试单元的暗计数率。

6.权利要求1的光电检测器，包括第一列(206₁)单元和第二列(206₂)单元，其中测试器包括第一测试电路(228₁)和第二测试电路(228₂)，第一测试电路测试第一列中的单元的性能特性，并且第二测试电路测试第二列中的单元的性能特性。

7.权利要求6的光电检测器，包括第一行(204₁)单元和第二行(204₂)单元，其中第一测试电路在第一时间段期间测试第一行中的单元的性能特性以及在第二时间段期间测试第二行中的单元的性能特性，并且其中第一和第二时间段是不同的。

8.权利要求1的光电检测器，其中所述单元产生光子计数并且所述测试器将单元产生的计数量与阈值进行比较。

9.权利要求8的光电检测器，其中所述阈值是可变的。

10.权利要求1的光电检测器，包括在所述衬底上制造的累加器(234)，其中所述测试器识别有缺陷的单元并且累加器(234)产生指示被识别为有缺陷的单元的数量的值。

11.权利要求1的光电检测器，其中该光电检测器形成包括人类接口(128)的成像系统(100)的一部分，并且其中指示所述测试器执行的测试结果的信息通过该人类接口给出。

12.权利要求1的光电检测器，其中该光电检测器形成正电子发射层析术设备的一部分。

13.一种方法，包括：

使用半导体衬底上制造的电路系统(226)测量该衬底上制造的硅光电倍增器的单元(202)的第一子集的性能特性；

对于所述单元的第二子集重复所述使用步骤，其中第一和第二子集中的每一个包括多个单元。

14.权利要求13的方法，包括对于所述第一和第二子集的单元中的每一个，比较测量的性能特性和希望的性能特性。

15.权利要求13的方法，包括使用测量的性能特性调节单元的操作。

16.权利要求13的方法，其中该方法包括使用测量的性能特性识别有缺陷的单元并且抑制被识别的单元的操作。

17.权利要求13的方法，包括将值存储到在所述衬底上制造的存储器中并且使用存储的值评估单元的测量的性能特性。

18.权利要求13的方法，包括：

接收指示第一性能特性值的第一输入；

使用在所述衬底上制造的电路系统评估相对于第一性能特性值的单元的测量的性能特性；

接收指示第二性能特性值的第二输入；

使用在所述衬底上制造的电路系统评估相对于第二性能特性值的所述单元的测量的性能特性。

19.权利要求13的方法，其中所述硅光电倍增器形成依照多个工作协议操作的系统的一部分，并且该方法包括：

确定所述系统的工作协议；

根据所确定的协议确立测试参数；

使用该测试参数以及单元的测量的性能特性测试该单元。

20.权利要求13的方法，其中单元的性能特性随着时变环境条件而变化并且该方法包括：

确定所述时变环境条件的值；

根据所确定的值确立测试参数；

使用该测试参数以及测量的性能特性测试所述单元。

21.权利要求13的方法，其中所述性能特性包括暗计数率。

22.权利要求13的方法，其中所述阵列的单元以行(204)和列(206)设置，所述第一子集包括第一行，所述第二子集包括第二行，并且使用包括同时测试位于多列中的每一列的单元，重复包括对于所述第二行重复所述使用步骤。

23.权利要求13的方法，包括使用测量的性能特性识别有缺陷的单元并且确定被识别的有缺陷单元的数量。

24.权利要求13的方法，其中所述电路系统包括多个计数器或加法器。

25.权利要求13的方法，包括重复所述使用步骤和所述重复步骤多次。

26.权利要求13的方法，包括作为所述硅光电倍增器的制造的一部分而执行所述使用和重复步骤，并且使用第一测试电路执行的测试的结果将该硅光电倍增器拒绝或分级。

27.权利要求13的方法，包括在将所述硅光电倍增器安装到成像系统中之后执行所述使用和重复步骤。

28权利要求27的方法，其中所述成像系统包括在第一半导体衬底上制造的第一硅光电倍增器和在第二半导体衬底上制造的第二硅光电倍增器，并且该方法包括对于所述第一和第二硅光电倍增器同时执行所述使用和执行步骤。

29.权利要求13的方法，包括使用所述硅光电倍增器检测指示正电子湮没的辐射。

30.权利要求13的方法，包括使用测量的性能特性使能多个单元的操作并且产生指示被使能的单元检测的辐射的图像数据。

31.一种设备，包括：

在半导体衬底上制造的多个雪崩光电二极管单元(202)，这些单元包括雪崩光电二极管(208)和单元读出电路(210)；

在所述衬底上制造并且被配置成测量这些光电二极管单元的性能特性的电路系统(226)。

32.权利要求31的设备，其中所述电路系统包括第一测量电路和第二测量电路，所述第一电路被配置成测量所述单元的第一子集(206₁)中的每个单元的性能特性，并且所述第二电路被配置成测量所述单元的第二不同子集(206₂)中的每个单元的性能特性。

33.权利要求32的设备，其中所述第一测量电路包括计数器。

34.权利要求32的设备，其中所述性能特性包括暗计数率并且所述电路系统被配置成测试所述单元中的每一个的暗计数率。

35.权利要求31的设备，其中所述读出电路包括：

猝熄电路(304)；

光子触发电路(306)；

光子计数器(312)。

36.权利要求31的设备，其中所述读出电路包括单元抑制电路，该单元抑制电路响应于所述电路系统执行的测量而抑制单元的操作。

37.一种维护辐射检测设备的方法，该辐射检测设备包括在半导体衬底上制造的辐射敏感检测器，该方法包括：

使用在所述衬底上制造的电路(226)测量所述检测器的性能特性；

使用测量的性能特性维护所述成像设备。

38.权利要求37的方法，其中所述设备包括正电子成像设备并且所述检测器检测指示正电子湮没的辐射。

39.权利要求37的方法，其中所述检测器包括雪崩光电二极管阵列。

40.权利要求37的方法，其中使用电路包括使用该电路测试所述检测器的性能。

41.权利要求40的方法，其中该方法包括根据测试结果抑制所述检测器的操作。

42.权利要求37的方法，其中使用测量的性能特性包括替换所述检测器。

43.权利要求37的方法，包括使用测量的性能特性包括禁用所述成像设备的功能。

44.权利要求37的方法，其中所述设备包括医疗成像设备，该方法包括将该成像设备安装到医疗保健设施中并且使用测量的性能维护该设备包括在医疗保健设施处使用测量的性能特性试运行所述设备。