CN101679097A - 处理玻璃衬底表面的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是提供处理整个玻璃衬底表面以使得表面具有优异的平坦度和表面粗糙度的方法。本发明提供使用处理技术来处理玻璃衬底表面的方法，所述处理技术选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀，其中在对所述玻璃衬底表面进行处理之前，沿所述玻璃衬底的周围设置框架部件，所述框架部件满足下列(1)和(2)：(1)所述框架部件的高度和所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下；以及(2)所述框架部件的宽度不小于在所述处理技术中使用的离子束直径或激光直径的一半。
Description
技术领域
本发明涉及处理玻璃衬底表面的方法。更具体地，本发明涉及处理玻璃衬底表面的方法，使得表面具有优异的平坦度和表面粗糙度，以作为半导体器件制造步骤中用于EUV(远紫外)光刻的反射型掩模中的玻璃衬底。
背景技术
在光刻技术中，已经广泛使用曝光工具，以将精细电路图案转印至晶片上，从而制造集成电路。随着集成电路中的向着更高集成度、更高速度和更高功能的趋势，集成电路变得更加精细。需要曝光工具在长焦深下在晶片表面上形成高分辨率的电路图案图像，并促进缩短曝光光线的波长。除了已经被用作光源的g-线(波长为436nm)、i-线(波长为365nm)和KrF受激准分子激光器(波长为248nm)之外，正开始使用ArF受激准分子激光器(波长为193nm)作为具有更短波长的光源。此外，认为使用F2激光器(波长为157nm)来处理下一代集成电路是有希望的，所述下一代集成电路的电路线宽度为100nm以下。然而，认为即使这种技术也仅能覆盖具有70nm线宽度的一代。
在这些技术状况下，认为使用EUV光作为下一代曝光光线的光刻技术适用于45nm及以后的几代。术语EUV光是指波长在软X射线区域或真空紫外区域的光，具体地为波长约0.2～100nm的光。目前，正在研究使用13.5nm的光刻光源。这种EUV光刻(下文中缩写成“EUVL”)的曝光原理与其中利用光学投影系统来转印掩模图案的常规光刻相同。然而，不能使用折射光学系统，因为没有在EUV光能量区域内透光的材料，且不可避免地使用折射光学系统(参见专利文献1)。
用于EUVL的掩模基本上由如下构成：(1)玻璃衬底；(2)在所述玻璃衬底上形成的反射性多层膜；和(3)在所述反射性多层膜上形成的吸收剂层。作为反射性多层膜，使用具有如下结构的膜，其中在曝光光线波长下折射率不同的两种以上材料在纳米尺度下相互周期性重叠。典型的已知材料为钼和硅。
关于所述吸收剂层，正在研究钽和铬的使用。关于玻璃衬底，需要其材料具有低热膨胀系数，从而即使在用EUV光辐照时也不会变形，且正在研究具有低热膨胀系数的玻璃或具有低热膨胀系数的结晶玻璃的使用。在本说明书中，将具有低热膨胀系数的玻璃和具有低热膨胀系数的结晶玻璃统称为“低膨胀玻璃”或“超低膨胀玻璃”。
通过对这种玻璃或结晶玻璃材料进行高度精密处理并对经处理的玻璃进行洗涤，制造玻璃衬底。当对玻璃衬底进行处理时，通常在相对高的处理速度下进行预研磨，直至所述玻璃衬底表面开始具有预定平坦度和预定表面粗糙度。其后，通过更高处理精度的方法或在导致更高处理精度的处理条件下处理这种玻璃衬底表面，从而得到期望的平坦度和期望的表面粗糙度。能够用于该目的的高处理精度的方法的实例包括离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和利用激光辐照的纳米磨蚀(参见专利文献2～专利文献5)。
专利文献1：JP-T-2003-505891
专利文献2：JP-A-2002-316835
专利文献3：JP-A-8-293483
专利文献4：JP-A-2004-291209
专利文献5：JP-A-2006-133629
发明内容
由于高处理精度和其它原因，对玻璃衬底表面进行束辐照或激光辐照的方法如离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀或利用激光辐照的纳米磨蚀适合于将玻璃衬底表面处理至期望的平坦度和期望的表面粗糙度。
然而，本发明人发现，当使用那些用束辐照玻璃衬底表面或用激光辐照玻璃衬底表面的方法时，存在不可能均匀处理整个玻璃衬底的问题。具体地，在玻璃衬底的周围边缘附近和玻璃衬底其余部分(即玻璃衬底的中心部)之间的处理速度存在差别，且所述周围边缘附近难以平坦。当难以使得周围边缘附近平坦时，得到的经处理的玻璃衬底提供EUVL掩模底板(mask blank)，其中将用于构图的曝光区域限于除了玻璃衬底周围边缘附近之外的区域。根据提高集成电路的集成度观点，这是不利的。
为了克服上述常规技术的问题，本发明的目的是提供处理玻璃衬底表面的方法，从而导致表面具有优异的平坦度和表面粗糙度。更具体地，所述目的是提供将玻璃衬底的整个表面处理成具有优异平坦度和表面粗糙度的表面的方法。
为了完成上述目的，本发明提供一种通过处理技术来处理玻璃衬底表面的方法，所述处理技术选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀，
其中在对所述玻璃衬底表面进行处理之前，沿所述玻璃衬底的周围设置框架部件，所述框架部件满足下列要求(1)和(2)：
(1)所述框架部件的高度和所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下；以及
(2)所述框架部件的宽度不小于在所述处理技术中使用的离子束直径或激光直径的一半。
在本发明处理玻璃衬底表面的方法中，所述玻璃衬底优选由低膨胀玻璃制成，所述低膨胀玻璃在20℃或50～80℃的热膨胀系数为-30～30ppb/℃。
优选所述框架部件由与待处理的玻璃衬底相同的玻璃材料制成。
优选所述框架部件由选自由聚酰亚胺、Ni-Cr合金、铍和单晶蓝宝石组成的组中的任意一种制成，或者优选所述框架部件的表面被选自所述组中的任意一种涂布或镀敷。
在本发明处理玻璃衬底表面的方法中，在处理之前，优选所述玻璃衬底的表面粗糙度(Rms)为5nm以下。
在本发明处理玻璃衬底表面的方法中，优选所述处理技术为气体簇离子束腐蚀。
在本发明处理玻璃衬底表面的方法中，所述气体簇离子束腐蚀优选使用气体混合物作为原料气体，所述气体混合物选自：含SF6和O2的气体混合物；含SF6、Ar和O2的气体混合物；含NF3和O2的气体混合物；含NF3、Ar和O2的气体混合物；含NF3和N2的气体混合物；以及含NF3、Ar和N2的气体混合物。
更优选使用含NF3和N2的气体混合物作为原料气体。
在本发明处理玻璃衬底表面的方法中，优选所述方法还包括：对通过前述方法处理的玻璃衬底表面进行第二处理，以改善表面粗糙度。
优选所述第二处理为气体簇离子束腐蚀，其使用单独的O2气体或含O2和选自Ar、CO和CO2中的至少一种气体的气体混合物作为原料气体，并在3keV～小于30keV的加速电压下进行。
还优选所述第二处理为在1～60gf/cm2的表面压力下利用研磨浆体进行的机械研磨。
本发明还提供一种框架，其在通过本发明处理玻璃衬底表面的方法对玻璃衬底表面进行处理时沿所述玻璃衬底的周围设置，所述框架满足下列要求(3)和(4)：
(3)沿所述玻璃衬底的周围设置的所述框架的高度与所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下；以及
(4)所述框架的宽度为1.5mm以上。
优选本发明的框架由选自由聚酰亚胺、Ni-Cr合金、铍和单晶蓝宝石组成的组中的任意一种制成，或者所述框架的表面被选自所述组中的任意一种涂布或镀敷。
本发明的框架优选由含TiO2的石英玻璃制成。
本发明还提供一种玻璃衬底，其具有通过本发明处理玻璃衬底表面的方法处理的表面，所述玻璃衬底中心部的衬底表面平坦度与所述玻璃衬底整体部的衬底表面平坦度之差为20nm以下，所述中心部和整体部是指如下：
中心部：除外周边缘起至10mm为止的区域以外的区域；
整体部：除外周边缘起至5mm为止的区域以外的区域(整体部包括中心部)。
根据本发明，能够将玻璃衬底的整个表面处理成具有优异平坦度和表面粗糙度的表面。在由如此处理的玻璃衬底制造的EUVL掩模底板中，能够使用整个表面作为用于构图的曝光区域。根据提高集成电路的集成度观点，这是优选的。
附图说明
图1为显示玻璃衬底和沿所述玻璃衬底周围设置的框架的一个实施方案的倾斜视图。
图2为显示图1中所示沿玻璃衬底周围设置框架的状态的俯视图。
图3为显示图1中所示沿玻璃衬底周围设置框架的状态的侧视图。
用于附图中的附图标记分别表示如下：
10：玻璃衬底
12：加工面
20：框架
21：开口
22：框架部件
具体实施方式
本发明提供使用处理技术来处理玻璃衬底表面的方法，所述处理技术选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀，使得表面具有优异的平坦度和表面粗糙度。
本发明的处理方法适合于处理用作EUVL的反射型掩模的玻璃衬底的表面处理，EUVL能够适应在集成电路中向着更高集成度和更高细度的趋势。用于这种应用的玻璃衬底为具有低热膨胀系数和所述系数变化减小的玻璃衬底。所述玻璃衬底优选由低膨胀玻璃制成，所述低膨胀玻璃在20℃或50～80℃下的热膨胀系数为-30～30ppb/℃，更优选由超低膨胀玻璃制成，所述超低膨胀玻璃在20℃或50～80℃下的热膨胀系数为-10～10ppb/℃。
最广泛用作这种低膨胀玻璃和超低膨胀玻璃的为石英玻璃，其包括SiO2作为主要成分并包含掺杂剂，从而具有较低的热膨胀系数。为了降低玻璃的热膨胀系数而并入到玻璃中的这种掺杂剂的典型实例为TiO2。含TiO2作为掺杂剂的石英玻璃的具体实例包括ULE(注册商标)Code 7972(由康宁玻璃制品公司(Corning Glass Works)制造)。
未对玻璃衬底的形状、尺寸、厚度等进行特殊限制。然而，在用于EUVL用反射型掩模的衬底的情况下，玻璃衬底为具有矩形或正方形平面形状的板材。
在本发明中，由于使用选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀的处理技术，因此能够处理玻璃衬底表面而使得表面具有优异的平坦度和表面粗糙度。然而，这些处理技术在处理速度、特别是在处理大面积玻璃衬底表面时的处理速度方面次于常规机械研磨。鉴于此，在通过本发明的处理方法进行处理之前，可以在相对高的处理速度下将玻璃衬底表面预处理至某一程度的平坦度和表面粗糙度。
对可用于预处理的处理技术未进行特殊限制，且能够从用于玻璃表面处理的已知处理技术的宽范围内选择合适的处理技术。然而，通常使用机械研磨技术，因为通过使用具有高研磨速度和大表面积的研磨垫能够一次对具有大面积的表面进行研磨。此处的术语“机械研磨技术”不但包括仅通过磨料粒的研磨功能对表面进行研磨的技术，而且包括机械化学研磨技术，在所述机械化学研磨技术中组合使用磨料粒的研磨功能和化学品的化学研磨功能。所述机械研磨技术可以为磨光或研磨，且所使用的研磨工具和磨料材料可以从已知的工具和材料当中适当选择。
在进行预处理的情况下，已经经历了预处理的玻璃衬底的表面粗糙度(Rms)优选为5nm以下、更优选为1nm以下。该说明书中使用的术语“表面粗糙度”是指通过利用原子力显微镜对1～10μm正方形区域内进行检查而确定的表面粗糙度。如果已经进行了预处理的玻璃衬底的表面粗糙度超过5nm，则通过本发明的处理方法将该玻璃衬底表面处理至预定平坦度和预定表面粗糙度应当花费大量时间，这是成本增加的原因。
本发明的处理方法的特征在于，在使用选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀中的处理技术对玻璃衬底表面进行处理之前，沿所述玻璃衬底的周围设置框架部件，所述框架部件满足下列要求(1)和(2)：
(1)所述框架部件的高度和所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下。
(2)所述框架部件的宽度不小于在所述处理技术中使用的离子束直径或激光直径的一半。
通过沿玻璃衬底周围设置满足下列要求(3)和(4)的框架，能够完成沿玻璃衬底的周围对满足要求(1)和(2)的框架部件进行设置：
(3)沿所述玻璃衬底周围设置的所述框架的高度与所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下。
(4)所述框架的宽度为1.5mm以上。
本发明中提及的“框架的宽度”旨在表示框架部件的宽度(例如，图2中由“h”所示的长度)。为了确保框架的机械强度，将所述框架的宽度调节至1.5mm以上。能够将用于离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀和等离子体腐蚀的离子束直径和用于纳米磨蚀的激光的直径降低至最小值，就FWHM(半高宽)而言为约3mm。在这种情况下，如果框架的宽度为1.5mm以上，那么框架部件的宽度不小于在所述处理技术中使用的离子束直径或激光直径的一半。
图1为显示玻璃衬底和沿所述玻璃衬底周围设置的框架的一个实施方案的斜视图。图2和图3为显示图1中所示沿玻璃衬底周围设置框架的状态的视图；图2为俯视图，图3为侧视图。
图1中所示的框架20为具有矩形平面形状(在这种情况下为正方形)的板材且具有矩形(在这种情况下为正方形)开口21。所述开口21与玻璃衬底10的待处理表面12(下文中成为“加工面”)的大小和形状几乎相同。此处的表述“图1中所示沿玻璃衬底10的周围设置框架”是指将玻璃衬底10安装在框架20的开口21内，如图2中所示。通过将玻璃衬底10安装在框架20的开口21内，沿玻璃衬底10的周围、更具体地沿玻璃衬底10的加工面12的周围设置框架20的框架部件22。因而，沿玻璃衬底10的周围、更具体地沿玻璃衬底10的加工面12的周围能够设置框架部件22。在这种状态下，玻璃衬底10的加工面12的高度与框架部件22的高度之差为1mm以下，如图3中所示。顺便提及，在图3中，加工面12的高度与框架部件22的高度相同。
框架20和玻璃衬底10之间的间隔优选不大于离子束直径或激光直径的一半。其原因如下。如果框架20和玻璃衬底10之间的间隔超过离子束直径或激光直径的一半，则通过设置所述框架20而得到的下述效果大大降低，从而无法均匀地处理整个加工面12。结果，在加工面12的周围边缘附近的平坦度突然变差。
图1～3中所示的框架20为具有矩形平面形状(在这种情况下为正方形)并具有矩形(在这种情况下为正方形)开口21的板材。然而，所述框架的形状不限于此，根据在其周围设置框架的衬底的形状，能够适当地选择任意一种期望形状。例如，在将玻璃衬底10的周围边缘斜切的情况下，优选框架20的形状能够覆盖玻璃衬底10的斜切部分。通过利用框架20覆盖所述玻璃衬底10的斜切部分，使得玻璃衬底10的加工面12高度等于框架22的高度。
可以把在面对玻璃衬底10一侧上的框架20的边缘、具体地在与加工面12相同侧上的边缘修圆。预期具有这种形状的框架20获得下列效果。由于位于加工面12附近的框架20的表面不再与束或激光垂直，因此在处理加工面12时，在加工面12附近的框架20的表面(框架部件22)变得不易处理。结果，因处理框架20的表面(框架部件22)产生的杂质颗粒粘附至加工面12，从而引起加工面12的缺陷的麻烦受到抑制。
图1～3中所示的框架20为具有开口21的整体结构的板材。然而，框架20可以具有可分结构(例如，可分成两个的结构或可分成四个的结构)。为了便于沿玻璃衬底10的周围设置框架20的操作，优选框架20具有可分结构。
如图2和图3中所示，利用沿加工面12周围设置的框架部件22，使用处理技术来处理玻璃衬底10的加工面12，所述处理技术选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀，由此能够均匀处理整个加工面12。
如果在不沿加工面周围设置框架20的条件下，使用选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀的处理技术来处理玻璃衬底10的加工面12，则不能在整个表面上对加工面12进行均匀处理，且平坦度会在加工面12的周围边缘附近突然变差。这是因为，即使当在相同条件下处理整个加工面12时，加工面12的周围边缘附近(例如加工面12内距离周围边缘小于10mm的区域)和玻璃衬底的其余区域(例如，在加工面12内距离周围边缘10mm以上的区域，该区域在下文中称为“中心部”)的处理速度也开始不同。
认为在加工面12的周围边缘附近和中心部之间的处理速度之差归为如下原因。在加工面经历束辐照或激光辐照如离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀或纳米磨蚀的处理技术中，出现加工面12的周围边缘附近和中心部例如在原料气体流动方式和束或激光辐照方式方面的差别。
当使用选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀的处理技术，利用如图2和图3中所示沿加工面12周围设置的框架部件22，对玻璃衬底10的加工面12进行处理时，则在加工面12的周围边缘附近和中心部之间的处理速度没有差别，且能够均匀处理整个加工面12。认为其原因在于，用束或激光辐照的区域向沿加工面12的周围设置的框架部件22延伸，这避免了加工面12的周围边缘附近和中心部之间在原料气体的流动方式和束或激光辐照方式方面的差别的出现。
基于该原因，所述框架部件22的宽度h优选为不小于用于离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀或等离子体腐蚀中的离子束直径的一半，或不小于用于纳米磨蚀中的激光直径的一半。更优选地，所述宽度h不小于离子束直径或激光直径。
用于离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀和等离子体腐蚀的离子束直径以及用于纳米磨蚀中的激光直径随着所使用的处理方法和处理条件而变化。然而，根据提高处理精度观点，就FWHM(半高宽)而言，所述直径优选为15mm以下，更优选为10mm以下，还更优选为5mm以下。
在将使用在上述范围内的离子束直径或激光直径的处理技术用于处理玻璃衬底表面的情况下，必须用束或激光扫描所述玻璃衬底表面。关于用束或激光扫描，例如能够使用已知的技术如光栅扫描或螺旋扫描。
在通过选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀的处理技术进行的处理中，将框架20暴露于束辐照或激光辐照下。因此，优选所述框架20由不易于被这些处理技术处理的材料制成。在框架20由易于被这些处理技术处理的材料制成的情况下，存在因处理该框架20而产生的杂质颗粒可能会粘附至加工面12从而导致在加工面12上产生缺陷的可能性。根据这种观点，适合于框架20的材料包括聚酰亚胺、Ni-Cr合金、铍和单晶蓝宝石。或者，框架20的表面可以被这些材料中的任意一种涂布或镀敷。
通过由与待处理的玻璃衬底10相同的材料、具体地为与玻璃衬底10相同的低膨胀玻璃或超低膨胀玻璃如含TiO2的石英玻璃制造框架20，能够消除因处理框架20而产生的杂质颗粒所引起的问题。
在本发明中，在所述处理技术中优选使用气体簇离子束腐蚀，因为该技术能够使得表面具有低表面粗糙度和优异的平滑度。
气体簇离子束腐蚀为如下的技术：其中将压缩状态的一种以上气体反应物(原料气体)在常温和常压下通过膨胀喷嘴注入真空设备中，由此形成气体簇，在其上实施电子辐照，并引起所得到的离子化气体簇的离子束施加至物体并腐蚀物体。气体簇由大量原子或分子构成，所述大量原子或分子通常由数百个至数万个、优选数千个原子和分子构成。在本发明的处理技术中，当使用气体簇离子束腐蚀时，气体簇对玻璃衬底10的加工面12的碰撞因与固体的相互作用而产生多体冲击效应，由此对加工面12进行处理。
[气体簇离子束腐蚀的条件]
在使用气体簇离子束腐蚀的情况下，能够单独使用或以其混合物的形式使用气体如SF6、Ar、O2、N2、NF3、N2O、CHF3、CF4、C2F6、C3F8、C4F6、SiF4和COF2，作为原料气体。在这些气体中，根据在对玻璃衬底10的加工面12的碰撞时而发生的化学反应观点，SF6和NF3作为原料气体是较好的。因此，优选含SF6或NF3的气体混合物。具体地，优选下列气体混合物：含SF6和O2的气体混合物；含SF6、Ar和O2的气体混合物；含NF3和O2的气体混合物；含NF3、Ar和O2的气体混合物；含NF3和N2的气体混合物；以及含NF3、Ar和N2的气体混合物。尽管这些气体混合物中各种成分的适当混合比例随着包括辐照条件在内的条件而变化，但是所述比例优选如下。
SF6∶O2＝(0.1～5％)∶(95～99.9％)(SF6和O2的气体混合物)
SF6∶Ar∶O2＝(0.1～5％)∶(9.9～49.9％)∶(50～90％)(SF6、Ar和O2的气体混合物)
NF3∶O2＝(0.1～5％)∶(95～99.9％)(NF3和O2的气体混合物)
NF3∶Ar∶O2＝(0.1～5％)∶(9.9～49.9％)∶(50～90％)(NF3、Ar和O2的气体混合物)
NF3∶N2＝(0.1～5％)∶(95～99.9％)(NF3和N2的气体混合物)
NF3∶Ar∶N2＝(0.1～5％)∶(9.9～49.9％)∶(50～90％)(NF3、Ar和N2的气体混合物)。
在这些气体混合物中，优选NF3和N2的气体混合物，因为其具有相对高的腐蚀速度。
根据原料气体的种类和玻璃衬底的表面性质，能够适当选择辐照条件，所述辐照条件包括簇大小、为了电离簇而引起流经气体簇离子束腐蚀设备的电离电极的电离电流、施加至气体簇离子束腐蚀设备的加速电极的加速电压和气体簇离子束的剂量。例如，为了提高加工面12的平坦度而不过度损害表面粗糙度，施加至加速电极的加速电压优选为15～30keV。
根据本发明的处理方法，能够均匀地处理整个加工面12而不会引起在加工面12的周围边缘附近和中心部之间处理速度的不同。结果，在由此处理的玻璃衬底10中，如下定义的加工面12的中心部和整体部在平坦度方面没有差别。具体地，加工面12的中心部平坦度和整体部平坦度之差为20nm以下。
中心部：除外周边缘起至10mm为止的区域以外的区域。
整体部：除外周边缘起至5mm为止的区域以外的区域。所述整体部为包括中心部的区域。
在经处理的玻璃衬底10中，加工面12的整体部平坦度和中心部平坦度之差优选为10nm以下，更优选为5nm以下。
利用Zygo New View Series(齐戈株式会社(Zygo Corp.))或SURFCOM(东京精密株式会社(Tokyo Seimitsu Co.，Ltd.))能够确定加工面12的平坦度。
当通过上述方法处理玻璃衬底10的加工面12时，存在加工面12的表面粗糙度因加工面的状态和束或激光辐照条件而稍微受到损害的情况。例如，由于在前面[气体簇离子束腐蚀的条件]部分中所述的气体簇离子束条件为主要用于改善加工面12的平坦度的条件，因此可能存在加工面12的表面粗糙度稍微受到损害的情况。此外，可能存在即使在前面[气体簇离子束腐蚀的条件]部分中所述条件下能够获得期望的平坦度，也不能将玻璃衬底处理至期望的表面粗糙度的情况，这取决于玻璃衬底的规格。
基于该原因，在本发明中，在通过上述方法对加工面12进行处理之后，可进一步进行第二处理，以提高玻璃衬底10的加工面12的表面粗糙度。
作为打算提高加工面12的表面粗糙度的第二处理，可以使用气体簇离子束腐蚀。在这种情况下，通过由上面进行的气体簇离子束腐蚀的那些条件改变包括原料气体、电离电流和加速电压在内的辐照条件，进行气体簇离子束腐蚀。具体地，在诸如使用更低的电离电流或更低的加速电压的更加缓和条件下，进行此处的气体簇离子束腐蚀。更具体地，所述加速电压优选为3keV～小于30keV、更优选为3～20keV。关于原料气体，优选使用单独的O2气体或含O2和选自Ar、CO和CO2中的至少一种气体的气体混合物，因为这些气体不易于在对加工面12的碰撞时引起化学反应。在这些气体中，优选使用含O2和Ar的气体混合物。
作为改善加工面12的表面粗糙度的第二处理，可以进行被称作接触研磨(touch polishing)的机械研磨，其中在低至1～60gf/cm2的表面压力下使用研磨浆体。在接触研磨中，分别在其上连接有研磨垫如非机织织物或研磨织物的研磨板之间设置玻璃衬底，在供应浆体的同时相对于玻璃衬底旋转所述研磨板，由此在1～60gf/cm2的表面压力下研磨所述加工面12，所述浆体经过调节以具有预定性能。
作为研磨垫，例如使用由钟纺株式会社(Kanebo，Ltd.)制造的Bellatrix K7512。作为研磨浆体，优选使用含胶体二氧化硅的研磨浆体。更优选使用包含胶体二氧化硅和水的研磨浆体，所述胶体二氧化硅的平均初级粒径为50nm以下，且所述研磨浆体的pH经过调节使得在0.5～4的范围内。研磨时的表面压力为1～60gf/cm2。如果表面压力超过60gf/cm2，则这种研磨在衬底表面中产生刮痕等，无法将加工面12处理至期望的表面粗糙度。此外，还有一个问题，研磨板可能具有增大的旋转负荷。如果表面压力低于1gf/cm2，则所述处理需要延长的时间周期。而且，当表面压力低于30gf/cm2时，则所述处理需要更长的时间。因此，优选在30～60gf/cm2的表面压力下将加工面12处理至一定程度，然后，在1～30gf/cm2的表面压力下进行镜面研磨。
胶体二氧化硅的平均初级粒径更优选为小于20nm，特别优选为小于15nm。没有胶体二氧化硅的平均初级粒径的特别下限。然而，根据提高研磨效率观点，其平均初级粒径优选为5nm以上、更优选为10nm以上。如果胶体二氧化硅的平均初级粒径超过50nm，则难以处理加工面12而给出期望的表面粗糙度。根据严格控制粒径观点，期望胶体二氧化硅为因初级颗粒的聚集而形成的次级颗粒的含量尽可能少的胶体二氧化硅。即使当胶体二氧化硅包含次级颗粒时，这些颗粒的平均粒径也优选为70nm以下。此处胶体二氧化硅的粒径为通过利用SEM(扫描电子显微镜)得到的放大倍率为(15～105)×103的图像的检查而得到的粒径。
研磨浆体中胶体二氧化硅的含量优选为10～30质量％。如果研磨浆体中胶体二氧化硅的含量低于10质量％，则担心研磨的效率可能降低，从而无法获得经济研磨。另一方面，如果胶体二氧化硅的含量超过30质量％，则所使用的胶体二氧化硅的量增大，根据成本和洗涤性能观点这可能是不利的。其含量更优选为18～25质量％，特别优选为18～22质量％。
当研磨浆体的pH在上述酸性范围内，即pH在0.5～4的范围内时，那么所述加工面12能够进行化学和机械研磨并能够有效研磨，从而获得满意的平滑度。也就是说，加工面12的凸部由包含在研磨浆体中的酸软化，因此通过机械研磨能够容易地除去。结果，不但处理效率提高了，而且能够防止通过研磨除去的废弃的玻璃颗粒重新形成损伤，因为这种废弃的玻璃颗粒已经被软化。如果研磨浆体的pH低于0.5，则担心用于这种接触研磨的研磨设备可能会发生腐蚀。根据研磨浆体的操作性观点，其pH优选为1以上。为了有效获得化学研磨的效果，所述浆体的pH优选为4以下，特别是在1.8～2.5的范围内。
通过添加选自无机酸或有机酸中的一种酸或两种以上酸的组合能够进行研磨浆体的pH调节。可使用的无机酸的实例包括硝酸、硫酸、盐酸、高氯酸和磷酸。根据操作性观点，优选硝酸。有机酸的实例包括草酸和柠檬酸。
用于研磨浆体中的水优选为纯水或超纯水，从所述水中已经除去杂质。即，优选使用纯水或超纯水，其中长轴长度为0.1μm以上的精细颗粒的数目基本上为不大于每mL一个，所述数目通过使用激光等的光散射法来确定。不论杂质颗粒的材料和形状，使用每mL含超过一个这种杂质颗粒的水可能会引起加工面12的表面缺陷如刮痕和坑。例如，利用通过膜过滤器的过滤或超滤能够除去纯水或超纯水中存在的杂质颗粒。然而，除去杂质颗粒的方法不限于这些方法。
在经过本发明的处理方法处理的玻璃衬底10中，整个加工面12具有优异的平坦度和表面粗糙度。因此，玻璃衬底10适合用作半导体器件制造用曝光工具的光学系统中的光学元件。特别地，经处理的玻璃衬底10适合用作用于制造线宽度为45nm以下的下一代半导体器件的曝光工具的光学系统中的光学元件。这种光学元件的实例包括透镜、衍射光栅、光学膜材料及其组合。具体地，实例包括透镜、多物镜、透镜阵列、双凸透镜、复眼透镜、非球面透镜、反射镜、衍射光栅、二元光学元件、光掩模及其组合。
此外，由于经过本发明的处理方法处理的玻璃衬底10的整个加工面12具有优异的平坦度和表面粗糙度，因此玻璃衬底10适合用作光掩模或用于制造光掩模的掩模底板。特别地，经处理的玻璃衬底10适合用作EUVL的反射型掩模和适合用作制造掩模的掩模底板。
尽管未对曝光工具的光源进行特殊限制且所述光源可以为发射至今已经使用的g-线(波长为436nm)或i-线(波长为365nm)的激光器，但是优选具有更短波长的光源如波长为250nm以下的光源。这种光源的具体实例包括KrF受激准分子激光器(波长为248nm)、ArF受激准分子激光器(波长为193nm)、F2激光器(波长为157nm)和EUV(13.5nm)。
实施例
参考下列实施例，将更详细地说明本发明，但本发明不应理解为限于此。
(实施例)
准备由低膨胀玻璃制成的152mm正方形玻璃衬底(含TiO2的石英玻璃衬底)，并通过机械研磨将其预处理至268nm的平坦度(上述整体部的平坦度值)和0.11nm的表面粗糙度。以图1～3中所示的方式沿经预处理的玻璃衬底10的周围设置框架20。通过气体簇离子束腐蚀来处理处于这种状态下的玻璃衬底10的加工面12。所使用的框架20由与玻璃衬底10相同的低膨胀玻璃(含TiO2的石英玻璃)制成，且框架部件22的宽度h为5mm。所述气体簇离子束腐蚀的条件如下。
原料气体：5％的NF3和95％的N2(vol％)的气体混合物
加速电压：30keV
簇大小：1000以上
束电流：100μA
离子束直径(FWHM值)：4.5mm以下
处理时间：50分钟
用束扫描所述152mm正方形加工面12，使得利用所述束来辐照整个加工面12，同时通过控制扫描速度来控制剂量。
(比较例)
除了省略沿玻璃衬底周围布置框架之外，以与实施例中相同的程序通过气体簇离子束腐蚀来处理玻璃衬底的加工面。
关于各个实施例和比较例，对处理之后加工面12的各个中心部和整体部的平坦度进行测量。所述中心部和整体部如上所述。下面显示平坦度测量的结果。
实施例
平坦度(中心部)：81nm
平坦度(整体部)：89nm
比较例
平坦度(中心部)：78nm
平坦度(整体部)：116nm
尽管详细地并参考其具体实施方案描述了本发明，但是对于本领域技术人员而言，能够在此完成各种变化和修改，而不背离其主旨和范围。
本申请是以2007年6月5日提交的日本专利申请2007-148752号为基础的，其内容通过参考并入本文中。
Claims (15)
1.一种通过处理技术来处理玻璃衬底表面的方法，所述处理技术选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀，
其中在对所述玻璃衬底表面进行处理之前，沿所述玻璃衬底的周围设置框架部件，所述框架部件满足下列要求(1)和(2)：
(1)所述框架部件的高度和所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下；以及
(2)所述框架部件的宽度不小于在所述处理技术中使用的离子束直径或激光直径的一半。
2.如权利要求1所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中所述玻璃衬底由低膨胀玻璃制成，所述低膨胀玻璃在20℃或50～80℃的热膨胀系数为-30～30ppb/℃。
3.如权利要求1或2所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中所述框架部件由与待处理的玻璃衬底相同的玻璃材料制成。
4.如权利要求1或2所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中所述框架部件由选自由聚酰亚胺、Ni-Cr合金、铍和单晶蓝宝石组成的组中的任意一种制成，或者所述框架部件的表面被选自所述组中的任意一种涂布或镀敷。
5.如权利要求1～4中任一项所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中在处理之前，所述玻璃衬底的表面粗糙度(Rms)为5nm以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中所述处理技术为气体簇离子束腐蚀。
7.如权利要求6所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中所述气体簇离子束腐蚀使用气体混合物作为原料气体，所述气体混合物选自：含SF6和O2的气体混合物；含SF6、Ar和O2的气体混合物；含NF3和O2的气体混合物；含NF3、Ar和O2的气体混合物；含NF3和N2的气体混合物；以及含NF3、Ar和N2的气体混合物。
8.如权利要求7所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中所述原料气体为含NF3和N2的气体混合物。
9.如权利要求1～8中任一项所述的处理玻璃衬底表面的方法，还包括：对经处理的玻璃衬底表面进行第二处理，以改善表面粗糙度。
10.如权利要求9所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中所述第二处理为气体簇离子束腐蚀，其使用单独的O2气体或含O2和选自Ar、CO和CO2中的至少一种气体的气体混合物作为原料气体，并在3keV～小于30keV的加速电压下进行。
11.如权利要求9所述的处理玻璃衬底表面的方法，其中所述第二处理为在1～60gf/cm2的表面压力下利用研磨浆体进行的机械研磨。
12.一种框架，其在通过权利要求1～10中任一项的处理玻璃衬底表面的方法对玻璃衬底表面进行处理时沿所述玻璃衬底的周围设置，所述框架满足下列要求(3)和(4)：
(3)沿所述玻璃衬底的周围设置的所述框架的高度与所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下；以及
(4)所述框架的宽度为1.5mm以上。
13.如权利要求13所述的框架，其中所述框架由选自由聚酰亚胺、Ni-Cr合金、铍和单晶蓝宝石组成的组中的任意一种制成，或者所述框架的表面被选自所述组中的任意一种涂布或镀敷。
14.如权利要求12所述的框架，其由含TiO2的石英玻璃制成。
15.一种玻璃衬底，其具有通过权利要求1～11中任一项的方法处理的表面，所述玻璃衬底中心部的衬底表面平坦度与所述玻璃衬底整体部的衬底表面平坦度之差为20nm以下，所述中心部和整体部是指如下：
中心部：除外周边缘起至10mm为止的区域以外的区域；
整体部：除外周边缘起至5mm为止的区域以外的区域(整体部包括中心部)。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107108344A (zh) * | 2015-03-10 | 2017-08-29 | 日本电气硝子株式会社 | 半导体用支承玻璃基板及使用其的层叠基板 |
| US11508929B2 (en) | 2015-02-03 | 2022-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductor and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5470703B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-04-16 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖｌ用光学部材およびその表面処理方法 |
| KR101133538B1 (ko) | 2010-07-08 | 2012-04-05 | 주식회사 이코니 | 에칭공정용 유리기판 지지구조 및 이를 이용한 유리기판 에칭방법 |
| WO2013126841A1 (en) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | Exogenesis Corporation | Method for neutral beam processing based on gas cluster ion beam technology and articles produced thereby |
| US9938186B2 (en) | 2012-04-13 | 2018-04-10 | Corning Incorporated | Strengthened glass articles having etched features and methods of forming the same |
| US8497155B1 (en) | 2012-06-05 | 2013-07-30 | Guardian Industries Corp. | Planarized TCO-based anode for OLED devices, and/or methods of making the same |
| US9441416B2 (en) * | 2012-09-27 | 2016-09-13 | Guardian Industries Corp. | Low temperature hermetic sealing via laser |
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| US10948814B2 (en) * | 2016-03-23 | 2021-03-16 | AGC Inc. | Substrate for use as mask blank, and mask blank |
| US10410883B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-09-10 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
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Family Cites Families (11)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2006027936A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Tosoh Corp | ガラス基板の高平坦加工方法 |
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| WO2006135098A1 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-21 | Asahi Glass Co., Ltd. | Method of finishing pre-polished glass substrate surface |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11508929B2 (en) | 2015-02-03 | 2022-11-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Conductor and method of manufacturing the same |
| CN107108344A (zh) * | 2015-03-10 | 2017-08-29 | 日本电气硝子株式会社 | 半导体用支承玻璃基板及使用其的层叠基板 |
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