CN101663752B - 功率半导体装置及设置有功率半导体装置的半导体阀 - Google Patents

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Abstract

一种功率半导体装置，包括：至少一个功率半导体元件(6)；夹紧装置，包括第一夹紧元件(1)及第二夹紧元件(2)，所述功率半导体元件(6)布置在所述第一夹紧元件(1)与所述第二夹紧元件(2)之间；以及至少一个弹簧元件(4)，布置在所述第一夹紧元件(1)与所述功率半导体元件(6)之间，其中所述至少一个弹簧元件(4)具有用来支撑相邻元件的至少一个相应支撑表面的至少一个支撑表面。当所述弹簧元件压缩运动时，所述至少一个弹簧元件的所述至少一个支撑表面相对于所述至少一个相应支撑表面横向固定地布置。

Description

功率半导体装置及设置有功率半导体装置的半导体阀
技术领域
本发明涉及一种功率半导体装置，该功率半导体装置包括：夹紧装置，包括第一夹紧元件及第二夹紧元件；多个功率半导体元件，在所述夹紧装置的所述第一夹紧元件与所述第二夹紧元件之间相互固定(staple)，其中所述第一夹紧元件承受沿所述功率半导体元件的堆积(staple)的轴线方向的夹紧力；以及至少一个弹簧元件，布置在所述第一夹紧元件与所述功率半导体元件之间，其中所述至少一个弹簧元件具有用来支撑相邻元件的至少一个相应支撑表面的至少一个支撑表面。
本发明还涉及一种设置有根据本发明的功率半导体装置的半导体阀(例如，在晶闸管或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或集成栅极换流晶闸管(IGCT)中使用的半导体阀)。
功率半导体元件是指以高电压电平开关大电流的元件。它们能够以非常低的损耗在几微秒内在这两个状态之间翻转，并且具有极紧凑的优点。它们可以用于将电流及电压的形状从交流转换成直流(反之亦然)以及从一个频率转换成另一频率。因此，本发明包括针对这种应用的半导体元件。
特别是，在中压应用或高压应用中使用本发明的功率半导体装置，其中本发明的装置承受约1kV以上的电压以及通常100A以上的传导电流。通常(但不一定)，本发明的半导体装置具有约1kV以上(优选地在1200V至8500V的范围内)的阻断电压。最大传导电流可以高至数千安培。
背景技术
在DC-AC转换器及AC-DC转换器中的半导体阀中使用功率半导体，其中半导体阀包括与夹紧装置中的相对应的多个冷却元件呈交错关系地堆叠的多个板状功率半导体元件。该夹紧装置用作以下功能：通过沿从所述堆叠的一端至另一端的轴向对所述堆叠施加夹紧压力，来保证在所述堆叠的元件之间存在受到控制且明确定义的热传导及电传导。
如上所述的功率半导体装置通常需要大夹紧力以提供所要求的热接触及电接触。功率半导体供应商通常要求各个功率半导体元件上的夹紧力均匀分布。当全部夹紧力作用于半导体元件自身上时(即，当该元件周围 不存在吸纳给定阈值以上的所有夹紧负荷的负荷吸纳结构时)，这尤其重要。
当夹紧力作用于功率半导体元件与其相邻的功率半导体元件之间的接触面的中心时，实现均匀的压力分布。
即使在功率半导体装置的所有部件都在它们适当的位置时，也可能会发生非均匀的压力分布。这可能是夹紧装置具有过大的抗扭刚度的情况。高夹紧抗扭刚度使夹紧对装置中存在的元件的平行度的微小偏差敏感。所施加的夹紧力的方向的任何倾斜将产生导致功率半导体元件与它们的相邻元件之间的接触面上的非均匀压力分布的弯矩。
现有技术
EP 1 207 553描述了一种用于一个或多个压力接触功率半导体元件的夹紧装置，其中盘形弹簧的堆积用于对所述功率半导体元件施加压力。未提及可能的弯矩。
为了避免功率半导体元件上的非均匀压力分布，现有技术的夹紧装置包括一个或更多个弹簧元件，所述弹簧元件设置在对其施加夹紧力的夹紧元件与另外的夹紧元件之间。将这两个夹紧元件相对于彼此可倾斜地布置，以便让弹簧元件吸纳所述夹紧元件之间的平行度偏差。这两个夹紧元件及弹簧元件在功率半导体元件的堆叠的一侧形成单元，而在所述堆叠的相对侧还设置有另一夹紧元件。作为另一种选择，弹簧元件可以与夹紧元件相隔一定距离，例如，在堆叠中的分开的半导体元件之间。此外，可以在沿堆叠的多个位置处设置弹簧元件。用于该目的的弹簧元件是盘形弹簧，可以是沿夹紧力方向串联布置的多个盘形弹簧。
现有技术的另一方案是在刚才提到的两个夹紧元件之间设置球，并在所述元件的相对的表面中设置作为该球的座的相对应的凹部。
然而，在更大夹紧力的情况下，根据现有技术的方案在吸纳平行度偏差、从而保证功率半导体元件与它们的相邻元件之间的接触面上的均匀压力分布方面似乎不太有效。
发明目的
本发明的目的是提供一种消除上述现有技术缺点的如原先定义的功 率半导体装置。
发明内容
本发明的功率半导体装置应当在功率半导体元件与它或它们的相邻元件之间的接触面上提供均匀的压力分布，在施加相对大的压力(例如，在10kN至1000kN的范围内)时也是如此。
本发明的目的是通过原先定义的功率半导体装置实现的，其特征在于，所述至少一个弹簧元件包括其中心轴与所述夹紧力的中心相一致的螺旋弹簧，或者所述至少一个弹簧元件包括相对于将所述夹紧力的中心传到所述第一夹紧元件的点对称地布置的、相互平行地布置的多个螺旋弹簧。
螺旋弹簧具有以下优点：能够吸纳其相对侧的元件之间的平行度偏差，并且在其被压缩时，在该弹簧与所述另外的元件的接触面之间不必要有任何引起滑动摩擦力的运动。作为其结果，避免会抵消弹簧元件对不平行度的正确吸纳的摩擦力，从而实现比其它方式更均匀的压力分布。这是与前面所述的依赖于具有滑动特性因此具有引起摩擦损耗的特性的各个部件(球与球座、弹簧元件与相邻表面)之间的运动来吸纳不平行度的现有技术的本质区别。本发明的技术效果将随夹紧力的增大而提高。
应当注意，弹簧元件的所述压缩运动包括弹簧元件的一侧变得比其另一侧压缩得更多的弹簧元件的非均匀压缩。所述螺旋弹簧的中心轴与所施加的夹紧力的中心相一致。因此，通过第一夹紧元件施加给弹簧元件的夹紧力应当尽可能均匀地分布，而不对弹簧元件施加任何扭矩。
作为一个螺旋弹簧的替代，根据本发明的功率半导体装置可以包括相互平行地布置的多个螺旋弹簧。从自动防故障的观点看，多个弹簧元件的布置可能是有利的，并且还有利于更通用且有效地吸纳其相对侧的元件之间的平行度偏差。将所述多个螺旋弹簧相对于将夹紧力的中心传到所述第一夹紧元件的点对称地布置。由此，提供从第一夹紧元件到功率半导体元件的均匀且良好分布的夹紧力传递。
根据一个实施例，所述至少一个弹簧元件布置在所述第一夹紧元件与所述功率半导体之间，并且支撑所述第一夹紧元件。
根据一个实施例，所述功率半导体装置包括布置在所述弹簧元件与所述功率半导体之间的第三夹紧元件，其中所述弹簧元件支撑所述第三夹紧元件。
根据一个实施例，通过所述弹簧元件的作用，所述第三夹紧元件能够相对于所述第一夹紧元件倾斜。
根据一个实施例，无限制地受到所述夹紧装置的压力地(即，没有任何减荷环绕结构)布置所述功率半导体。尽管本发明适用于其中功率半导体元件在径向(相对于轴向(夹紧力方向))上被当功率半导体元件已被压缩到一定程度时将吸纳所有更大的夹紧力的负荷吸纳结构包围的装置，但是本发明特别适合于没有这样的限制结构的应用。
根据一个实施例，所述功率半导体装置包括与所述功率半导体元件中的至少一个功率半导体元件相邻地布置且与其电接触的至少一个冷却元件。
根据一个实施例，所述功率半导体装置包括多个冷却元件，在功率半导体元件与冷却元件的堆叠中，每对功率半导体元件被冷却元件分隔，由此设置在所述第一夹紧元件与所述第二夹紧元件之间。
根据一个实施例，所述夹紧装置对所述至少一个功率半导体元件施加在10kN至1000kN的范围内的压力。
本发明还涉及一种半导体阀，其特征在于，该半导体阀包括根据本发明的半导体装置。具体地说，在优选实施例中，所述半导体阀是晶闸管、IGBT或IGCT的部件。
在下面的本发明的详细说明中将公开本发明的其它特征及优点。
附图说明
现将参照附图以示例的方式更详细地描述本发明的优选实施例，在附图中：
图1是本发明第一实施例的原理侧视图；
图2是图1中的装置的部分的详细侧视图；
图3是本发明第二实施例的与图2中的侧视图相对应的侧视图；
图4是图2中所示的细节的顶视截面图；
图5是根据现有技术的装置的与图2及图3中的侧视图相对应的侧视 图；以及
图6是图5的细节的部分的放大表示，示出了弹簧元件与夹紧元件之间的滑动运动。
具体实施方式
图1示出了根据本发明的功率半导体装置的第一实施例。优选的是，所述装置形成晶闸管(例如，所谓的IGBT)中、或者其中通常将高压直流转换成交流或其中将高压交流转换成直流的晶体管中的模块。
所述装置包括夹紧装置，该夹紧装置包括第一夹紧元件1、第二夹紧元件2、第三夹紧元件3以及布置在第一夹紧元件1与第三夹紧元件3之间的多个弹簧元件4。所述夹紧装置还包括框架结构，在这种情况下，诸如杆的多个细长构件5在第一夹紧元件1与第二夹紧元件2之间延伸并将第一夹紧元件1与第二夹紧元件2彼此连接。
在第一夹紧元件1与第二夹紧元件2之间设置有多个功率半导体元件6及相对应的多个冷却元件7。将每个半导体元件6布置成仅在一个方向上且仅在其受到控制时通过其传导电流(即，对电流导通)。在本发明的装置形成晶闸管或晶体管模块的典型应用中，设置有用于控制各个独立的半导体元件6的功能的控制电子装置(未示出)。夹紧装置具有以下任务：保证在每个半导体元件6与其相邻元件(在本实施例中为冷却元件7)之间的界面上有受到控制且明确定义的热传导及电传导。
图2更详细地示出图1中的装置的上部的实施例。在图2中的实施例中，夹紧装置包括夹紧单元，该夹紧单元包括第一夹紧元件1、第三夹紧元件3以及位于第一夹紧元件1与第三夹紧元件3之间并且在其相对的端部处分别支撑第一夹紧元件1及第三夹紧元件3的弹簧元件4。还设置有导引装置，设置该装置以防止第一夹紧元件1相对于第三夹紧元件横向位移，所述导引装置包括从第三夹紧元件3的上表面向第一夹紧元件1延伸的筒状或套状构件8，以及从第一夹紧元件1的下表面向第三夹紧元件3延伸且与所述套状构件8沿轴向滑动咬合的活塞状或杆状构件9。然而，所述导引装置允许第三夹紧元件3相对于第一夹紧元件1有一定倾斜。
将第一夹紧元件1布置成承受轴向(即，与功率半导体元件6和冷却元件7的堆或堆积(staple)的纵向相对应的方向)上的夹紧力。可以通过允许作用于第一夹紧元件1的上表面的液压动力装置(例如，汽缸-活 塞装置)来产生夹紧力。
第一夹紧元件1具有弹簧元件4所支撑的平面下表面，并且第三夹紧元件3具有弹簧元件4所支撑的平面上表面，所述上表面与所述下表面彼此相对。图2中的实施例的弹簧元件4包括中心轴与所施加的夹紧力的中心相一致的单螺旋弹簧4。因此，通过第一夹紧元件1施加给弹簧元件4的夹紧力应当尽可能均匀地分布，而不对弹簧元件施加任何扭矩。
在理想情况下，假定第三夹紧元件3的上表面与第一夹紧元件1的相对的下表面共面且平行，并且第三夹紧元件的下表面与其相邻元件(例如，冷却元件7或功率半导体元件6)的匹配表面共面。如果出于任何原因还存在该第一共面关系的任何偏差，则将弹簧元件4布置成通过其纯弹性弯曲(其相对于其支撑的表面没有任何滑动)来吸纳该偏差。螺旋弹簧4非常适合于该目的。由于弹簧元件4的作用，防止作用于功率半导体元件6与冷却元件7的堆的弯矩(即，非均匀施加的夹紧力)。由于弹簧元件4的非滑动特性(因此不存在通过夹紧力引起的任何摩擦力)，因此即使在更大夹紧力的情况下也能提供弹簧元件的功能性。换言之，弹簧元件吸纳不同部件的共面关系偏差不会受到任何反作用摩擦力的影响。
图3及图4示出了夹紧装置的另选实施例，其中，以上关于第一实施例描述的单元与该实施例的不同之处在于其包括多个弹簧元件10。如可以在图4中具体地看出的，本实施例的弹簧元件10绕施加到第一夹紧元件1上的夹紧力的假定中心对称地布置。换言之，在弹簧元件4所支撑的第一夹紧元件1与第三夹紧元件3的相对的表面之间存在共面关系，并且沿轴向施加夹紧力的情况下，每个弹簧元件经受相同的力及相同程度的压缩。如果在施加夹紧力时存在所述共面关系的任何偏差，则由于所述弹簧元件10中的一些弹簧元件将比其它弹簧元件受到更大程度的压缩，因此这种偏差将被该组弹簧元件10吸纳。并且在这种情况下，将弹簧元件10布置成被压缩并吸纳所述共面关系的任何偏差，而没有可能引起会抵消弹簧元件在这方面的功能性的摩擦力的任何滑动运动。图3及图4中示出的实施例的每个弹簧元件10是螺旋弹簧。
图5及图6示出了现有技术的功率半导体装置的部分，或更确切地说，与参照图2至图4描述的部分相对应的部分。示出这些图仅是为了例示本发明的方案与现有技术所提出的方案之间的主要差异。如可以在图5中看出的，标有11的现有技术的弹簧元件是当其受到压缩时将相对于其支撑的相邻表面进行一定滑动运动的元件。这在作为图5的部件的部分的放大 图的图6中进一步示出。滑动运动将引起取决于所施加的夹紧力的大小并且抵消弹簧元件的进一步压缩的摩擦力。因此，随着夹紧力的增大，该反作用力将变得相当重要。鉴于此，当对图5中所示的单元施加大夹紧力时，假定弹簧元件11吸纳其所支撑的夹紧元件的相对的表面的共面关系的一定偏差，所引起的摩擦力将有效地抵消该吸纳，因此，可以对通过夹紧装置夹紧的功率半导体元件的堆施加一定的弯矩。其最终结果为，与参照图1至图4描述的根据本发明的方案相比，在各个功率半导体元件6之间提供受到控制且明确定义的热传导及电传导的效果较差。
应当理解，所描述的本发明的实施例仅为本发明的示例，在由专利权利要求所限定的本发明的范围内的另选方案对于本领域技术人员是显而易见的。因此，保护的范围由所附专利权利要求来限定，并得到说明书及附图的支持。

Claims (7)

1.一种功率半导体装置，包括：
-夹紧装置，包括第一夹紧元件(1)及第二夹紧元件(2)；
-多个功率半导体元件(6)，在所述夹紧装置的所述第一夹紧元件(1)与所述第二夹紧元件(2)之间相互固定，其中所述第一夹紧元件(1)承受沿所述功率半导体元件(6)的堆积的轴线方向的夹紧力；
-至少一个弹簧元件(4，10)，布置在所述第一夹紧元件(1)与所述功率半导体元件(6)之间，其中所述至少一个弹簧元件(4，10)具有用来支撑相邻元件的至少一个相应支撑表面(14，15)的至少一个支撑表面(12，13)；以及
布置在所述弹簧元件(4，10)与所述多个功率半导体元件(6)之间的第三夹紧元件(3)，
其中，所述至少一个弹簧元件(4，10)包括其中心轴与所述夹紧力的中心相一致的螺旋弹簧，或者所述至少一个弹簧元件(4，10)包括相对于将所述夹紧力的中心传到所述第一夹紧元件(1)的点对称地布置的、相互平行地布置的多个螺旋弹簧，
其特征在于，
第一相邻元件是所述第一夹紧元件，第二相邻元件是所述第三夹紧元件，并且通过所述弹簧元件的作用，所述第三夹紧元件能够相对于所述第一夹紧元件倾斜。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，设置有导引装置，包括：
-套状构件(8)，从所述第三夹紧元件(3)的上表面向所述第一夹紧元件(1)延伸；以及
-杆状构件(9)，从所述第一夹紧元件(1)的下表面向所述第三夹紧元件(3)延伸，其中所述杆状构件(9)与所述套状构件(8)沿轴向滑动咬合。
3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，无限制地受到所述夹紧装置的压力地布置所述功率半导体元件(6)。
4.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体装置包括与所述功率半导体元件(6)中的至少一个功率半导体元件相邻地布置且与其电接触的至少一个冷却元件(7)。
5.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体装置包括多个冷却元件(7)，在功率半导体元件(6)的堆积中，每对功率半导体元件(6)被冷却元件(7)分隔。
6.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述夹紧装置对所述功率半导体元件(6)施加在10kN至1000kN的范围内的压力。
7.一种半导体阀门，其特征在于，该半导体阀门包括根据权利要求1-6中的任一项的半导体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102097809B (zh) * 2010-11-23 2013-04-17 株洲变流技术国家工程研究中心有限公司 一种静止无功补偿器晶闸管阀组
EP2808988A4 (en) * 2012-01-23 2015-11-25 Toyota Motor Co Ltd ELECTRIC POWER CONVERTING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
CN103367278B (zh) * 2012-03-26 2016-12-14 南京皓赛米电力科技有限公司 带固定装置双面水冷的半导体器件三维堆叠封装结构
DE202012007280U1 (de) * 2012-07-30 2012-09-26 Abb Technology Ag Leistungshalbleiterspannstapel
JP6125657B2 (ja) * 2012-12-07 2017-05-10 エービービー テクノロジー エルティーディー． 半導体アセンブリ
CN104995830B (zh) 2012-12-21 2018-02-09 Abb 技术有限公司 对于模块化多级ac/dc转换器中转换器单元的pwm的过调制型脉冲下降
CN206758432U (zh) * 2014-07-03 2017-12-15 西门子公司 具有弹簧装置的夹紧组件
CN104867633A (zh) * 2015-04-27 2015-08-26 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司梧州局 一种横向绝缘支撑结构
EP3639871A1 (en) * 2018-10-15 2020-04-22 SHL Medical AG Medicament delivery device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1264175A (zh) * 1999-01-27 2000-08-23 Abb(瑞士)股份有限公司 功率半导体模块
EP1207553A1 (de) * 2000-11-16 2002-05-22 ABB Schweiz AG Einspannvorrichtung für ein druckkontaktiertes Hochleistungshalbleiterbauelement
CN1561543A (zh) * 2001-09-10 2005-01-05 Abb瑞士有限公司 可压力接触的功率半导体模块
CN1596472A (zh) * 2001-06-01 2005-03-16 Abb瑞士有限公司 大功率半导体模块

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3686541A (en) * 1971-07-19 1972-08-22 Gen Electric A flexible resilient member for applying a clamping force to thyristor units
DE3133485A1 (de) * 1980-09-15 1982-05-06 Peter 2563 Ipsach Herren Fluessigkeitsgekuehlte elektrische baugruppe
US5016088A (en) * 1989-11-02 1991-05-14 Institut Imeni V. I. Lenina Unit of semiconductor elements
US6677673B1 (en) * 2000-10-27 2004-01-13 Varian Medical Systems, Inc. Clamping assembly for high-voltage solid state devices
JP4470784B2 (ja) * 2005-03-28 2010-06-02 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1264175A (zh) * 1999-01-27 2000-08-23 Abb(瑞士)股份有限公司 功率半导体模块
EP1207553A1 (de) * 2000-11-16 2002-05-22 ABB Schweiz AG Einspannvorrichtung für ein druckkontaktiertes Hochleistungshalbleiterbauelement
CN1596472A (zh) * 2001-06-01 2005-03-16 Abb瑞士有限公司 大功率半导体模块
CN1561543A (zh) * 2001-09-10 2005-01-05 Abb瑞士有限公司 可压力接触的功率半导体模块

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