CN101661229B - 一种喷头定位装置及定位方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种喷头定位装置及定位方法，该喷头定位装置为多面体，该多面体具有置于待清洗的晶片上的第一表面，与上述第一表面相对的第二表面，第二表面上具有至少一条放置喷头以使喷头定位的凹槽，上述凹槽的角度为喷头需要的角度。该装置的优点是结构简单、体积小、准确度高，减少由光阻晶边清洗角度异常产生的产品异常。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶片清洗装置，特别涉及一种喷头定位装置及定位方法。
背景技术
目前的半导体工业中，光阻涂布是常用而必要的技术之一。而目前，业内通常使用旋转涂布的方法对光阻进行涂布，光阻涂布也是以旋转涂盖或气相涂盖两种的方式来进行，亦即将光阻滴洒在高速旋转的芯片表面，利用旋转时的离心力作用促使光阻往芯片外围移动最后形成一层厚度均匀的光阻层，此方法的优点在于形成得光阻层比较均匀，但在晶片的边上却容易出现光阻堆积现象，形成残留物，因而有可能造成机台误差等问题。同时，由于晶片在传送过程中也可能产生微粒缺陷，上述微粒可能在后续过程中对晶片的合格率产生影响。因而需要对晶片的晶边进行清洗。
目前常用的晶边清洗装置如图1所示，包括晶边光阻清洗结构(Edge Bead.Remover，简称EBR)11，该EBR11中包括喷头12，其中在清洗过程中，上述喷头12与晶片13成一角度，晶片清洗台外侧具有绕晶片的外围装置14，在位于晶片13外部，其上表面高于晶片13的上表面。首先，晶片12旋转或以其他方式被涂覆有光阻，其中光阻涂覆过程中在晶边产生的光阻涂覆不均、产生堆积等问题，而后在清洗过程中，上述喷头12以预定的角度向晶片13喷射晶边清洗用溶液。但是，由于角度容易出现异常，难以测定，所以有时会形成不好的角度，使晶边清洗不能有效完成，清洗效果不加，产生晶片异常。目前，没有相应的调节该角度的工具。
发明内容
鉴于上述，目前很希望能够有一种装置，可以准确地限定喷头与晶片所形成的角度，在晶边清洗过程中方便、准确地定位喷头。
为达上述目的，本发明提出了一种喷头定位装置，该喷头定位装置为多面体，该多面体具有置于待清洗的晶片上的第一表面，与上述第一表面相对的第二表面，第二表面上具有至少一条放置喷头以使喷头定位的凹槽，上述凹槽的角度为喷头需要的角度。
其中，上述喷头定位装置是梯形多边体，其具有六个面，第一表面与第二表面成30-60°角，第三表面与第四表面相互平行，第五表面与第六表面相互平行，第一表面、第三表面与第五表面分别垂直，第二表面垂直于第四表面。
其中，上述至少一条凹槽与第一表面的投影角度基本为30°-60°。
其中，上述至少一条凹槽与第一表面所成角度基本为45°。
其中，上述至少一条凹槽与第二表面和第三表面的交线所成角度为0°-30°。
其中，上述至少一条凹槽与第二表面和第三表面的交线所成角度为15°。
其中，定位喷头时，将上述喷头定位装置置于晶片上时，第二表面与第五表面相交的曲线与晶片径向基本垂直。
其中，上述凹槽为截面是半圆柱形的凹槽。
其中，上述凹槽数量为两条。
本发明还提出了一种喷头定位方法，包括以下步骤：
将清洗用喷头通过机械臂移动到机台上方的晶片上方；
将所述的喷头定位装置置于上述晶片上，其中上述喷头定位装置的第二表面位于喷头处，上述第二表面在凹槽延伸方向上的中线位于晶片径向位置；
将喷头置于凹槽中以定位喷头的角度为凹槽的角度；
将上述喷头定位装置移开，喷头喷射清洗液。
该装置的优点是结构简单、体积小、准确度高，减少由光阻晶边清洗角度异常产生的产品异常。
下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。
附图说明
图1为现有技术中的晶边光阻清洗的示意图。
图2为本发明一较佳实施例的喷头定位装置的立体图。
图3为本发明一较佳实施例的喷头定位装置的正视图。
图4为本发明一较佳实施例的喷头定位装置的侧视图。
图5为本发明一较佳实施例的喷头定位装置的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明所述的一种喷头定位装置作进一步的详细说明。
本发明的一较佳实施例的晶边光阻清洗结构的示意图如图2所示。首先，EBR的结构与图1中的相同，晶边13位于晶片清洗台上，喷头12延伸到晶片上方，与晶片成一定角度，晶片清洗台周围是外围装置13。
本发明一较佳实施例的一种喷头定位装置21，该喷头定位装置21为多面体，最好是如图所示的梯形立方体，当然也可以是其他形状的立方体，只要是具有置于待清洗的晶片上的第一表面即可，第二表面与第一表面相对，第二表面上具有至少一条放置喷头以使喷头定位的凹槽，上述凹槽具有预定的角度，该角度为喷头需要的角度。。上述喷头定位装置未如图2-4所示的梯形多边体时，其具有六个面，第一表面与第二表面成30-60°角，在该实施例中，其为45°角，第三表面与第四表面相互平行，第五表面与第六表面相互平行，第一表面、第三表面与第五表面分别垂直，第二表面垂直于第四表面和第三表面。当然，其他表面也可以成其他任意角度，不限于上述。
其中，上述至少一条凹槽与第一表面的投影角度也可以是30-60°，其最好为45°。其中，上述至少一条凹槽与第二表面和第三表面的交线所成角度为0°-30°。上述角度最好是15°。其中，上述凹槽为截面是半圆柱形的凹槽，也可以是其他任意形式的凹槽，只要可以与喷头的形状相对应即可。上述凹槽数量可以为一条，如图所示，也可以是两条、三条或者更多。与立方体各个面形成的角度由喷头12所确定的角度和喷头的直径所决定，适合于喷射清洗液体。
定位喷头时，将上述喷头定位装置21置于晶片14上时，第二表面与第五表面相交的曲线与晶片径向基本垂直。
本发明还提出了一种喷头定位方法，包括以下步骤：
将清洗用喷头通过机械臂移动到机台上方的晶片14上方；
将喷头定位装置21置于上述晶片14上，其中上述喷头定位装置12的第二表面位于喷头处，上述第二表面在凹槽延伸方向上的中线位于晶片径向位置；
将喷头置于凹槽中以定位喷头的角度为凹槽的角度；
将喷头定位装置21移开，喷头喷射清洗液。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；如果不脱离本发明的精神和范围，对本发明进行修改或者等同替换的，均应涵盖在本发明的权利要求的保护范围当中。
Claims (9)
1.一种喷头定位装置，其特征在于：该喷头定位装置为多面体，该多面体具有置于待清洗的晶片上的第一表面，与上述第一表面相对的第二表面，第二表面上具有至少一条放置喷头以使喷头定位的凹槽，上述凹槽的角度为喷头需要的角度。
2.根据权利要求1所述的一种喷头定位装置，其特征在于，上述喷头定位装置是梯形多边体，其具有六个面，第一表面与第二表面成30-60°角，第三表面与第四表面相互平行，第五表面与第六表面相互平行，第一表面、第三表面与第五表面分别垂直，第二表面垂直于第四表面。
3.根据权利要求1所述的一种喷头定位装置，其特征在于上述至少一条凹槽与第一表面的投影角度为30°-60°。
4.根据权利要求3所述的一种喷头定位装置，其特征在于上述至少一条凹槽与第一表面的投影角度为45°。
5.根据权利要求2所述的一种喷头定位装置，其特征在于上述至少一条凹槽与第二表面和第三表面的交线所成角度为0°-30°。
6.根据权利要求5所述的一种喷头定位装置，其特征在于上述至少一条凹槽与第二表面和第三表面的交线所成角度为15°。
7.根据权利要求2、5或6所述的一种喷头定位装置，其特征在于定位喷头时，将上述喷头定位装置置于晶片上时，第二表面与第五表面相交的曲线与晶片径向基本垂直。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的一种喷头定位装置，其特征在于上述凹槽为截面是半圆柱形的凹槽。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的一种喷头定位装置，其特征在于上述凹槽数量为两条。
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| CN2008101464332A CN101661229B (zh) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | 一种喷头定位装置及定位方法 |
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| CN101661229A CN101661229A (zh) | 2010-03-03 |
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| WO2004077529A2 (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Honeywell International Inc. | Edge bead removal for spin-on materials containing low volatility solvents using carbon dioxide cleaning |
| KR20060012081A (ko) * | 2004-08-02 | 2006-02-07 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 에지 비드 제거 장치 |
| KR20060072500A (ko) * | 2004-12-23 | 2006-06-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조를 위한 도금 공정의 에지 비드 제거장치 |
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