CN101661145A - 间隔片阵列及其制作方法 - Google Patents

间隔片阵列及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101661145A
CN101661145A CN200810304233A CN200810304233A CN101661145A CN 101661145 A CN101661145 A CN 101661145A CN 200810304233 A CN200810304233 A CN 200810304233A CN 200810304233 A CN200810304233 A CN 200810304233A CN 101661145 A CN101661145 A CN 101661145A
Authority
CN
China
Prior art keywords
distance piece
array
piece array
making
rotary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200810304233A
Other languages
English (en)
Inventor
庄信弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd, Hon Hai Precision Industry Co Ltd filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority to CN200810304233A priority Critical patent/CN101661145A/zh
Priority to US12/342,249 priority patent/US8114577B2/en
Publication of CN101661145A publication Critical patent/CN101661145A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/005—Diaphragms

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供一种间隔片阵列，该间隔片阵列具有多个阵列排布的通孔和围绕该通孔的遮光区，该间隔片阵列的材料为黑化的聚二甲基硅氧烷。本发明还提供一种上述间隔片的制作方法。本发明采用黑化的聚二甲基硅氧烷材料制作间隔片，原材料成本低，在制作过程中，利用旋转涂布法可以有效地控制聚二甲基硅氧烷材料层的厚度，从而降低间隔片厚度。且利用灰阶光罩可避免繁琐的对准流程，从而适合大批量生产。

Description

间隔片阵列及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种间隔片阵列及其制作方法，尤其涉及一种采用微影制程制作的间隔片阵列及其制作方法。
背景技术
随着科技的发展，便携式设备，例如具有拍照摄像功能的移动电话、数码相机等电子产品的应用日益广泛，并且越来越倾向于轻薄短小化。便携式设备的便携性和小型化对与之结合的相机模组提出了小型化的要求。
在相机模组中，单镜片一般很难满足光传播的特殊要求，往往需要几片镜片改变光路，并且最大限度地消除像差和球差。镜片与镜片之间用间隔片间隔，以防止相邻镜片之间发生摩擦或碰撞而受损。间隔片可采用的材料为金属、薄膜或塑料等。现有通过聚对苯二甲酸乙二醇酯属线型饱和聚酯(PET)生产的间隔片，但其厚度相对于目前的小型化镜头模组而言还是较厚，而且表面较粗糙，大批量生产时均一性较差。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种轻薄型且适合大批量生产的间隔片阵列及其制作方法。
一种间隔片阵列，该间隔片阵列具有多个阵列排布的通孔和围绕该通孔的遮光区，该间隔片阵列的材料为黑化的聚二甲基硅氧烷。
一种间隔片阵列的制作方法，其包括以下步骤：提供一个基板，该基板具有一个表面；利用一灰阶光罩，通过曝光及显影的方法在该基板表面形成圆台体阵列；于基板表面未被圆台体阵列覆盖的区域形成一黑化的聚二甲基硅氧烷材料层；固化该聚二甲基硅氧烷材料层；及翻模，使该聚二甲基硅氧烷材料层与该基板、该若干个圆台体分离，得到该间隔片阵列。
相较于现有技术，本发明采用黑化的聚二甲基硅氧烷材料制作间隔片，原材料成本低，在制作过程中，利用旋转涂布法可以有效地控制聚二甲基硅氧烷材料层的厚度，从而降低间隔片厚度。利用灰阶光罩避免繁琐的对准流程，从而适合大批量生产。
附图说明
图1是本发明实施例提供的间隔片阵列的俯视示意图。
图2是图1沿II-II方向的剖视图。
图3是本发明实施例提供的间隔片阵列的制作方法流程示意图。
图4是本发明实施例提供的涂布了负光阻的基板示意图。
图5是本发明实施例提供的曝光示意图。
图6是本发明实施例提供的显影后的示意图。
图7是图6沿VII-VII方向的剖视图。
图8是本发明实施例提供的在基板上涂布一聚二甲基硅氧烷材料层的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明实施例作进一步的详细说明。
请一并参阅图1和图2，本发明实施例提供了一种间隔片阵列100。该间隔片阵列100具有多个阵列排布的通孔101和围绕该通孔101的遮光区102，该间隔片阵列100的材料为黑化的聚二甲基硅氧烷(poly-dimethylsiloxane，PDMS)。该通孔101为圆台状通孔。
请参阅图3，本发明实施例提供的该间隔片阵列100的制作方法包括以下步骤：
提供一个基板，该基板具有一个表面；
利用一灰阶光罩，通过曝光及显影的方法在该基板表面形成圆台体阵列；
于基板表面未被圆台体阵列覆盖的区域形成一黑化的聚二甲基硅氧烷材料层；
固化该聚二甲基硅氧烷材料层；及
翻模，使该聚二甲基硅氧烷材料层与该基板、该若干个圆台体分离，得到该间隔片阵列。
下面将结合图4至图8对间隔片阵列100的制作方法进行详细描述。
请参阅图4，首先提供一基板30，其具有一个表面302，在表面302涂布光阻层304。
其中，基板30的材料为硅，在硅片上涂布光阻之前，需要先对硅片表面进行烘烤、清洗。通过烘烤将硅片表面吸收的水分去除，通过清洗使硅片表面更容易与光阻结合。
光阻层304为负光阻，负光阻的特点为曝光后，其感光部分不与显影液发生反应因而得以保留，未感光部分被显影液去除。本实施例采用的负光阻是环氧基紫外负性光刻胶(SU-8光刻胶)，因为此种负光阻能够符合一定的厚度要求。
请参阅图5，光罩40为一灰阶光罩，其具有预定图案，紫外光通过光罩40照射到负光阻层304上。
制作该灰阶光罩40有以下步骤：(1)提供一石英基板402；(2)以蒸镀方式将一合金层(图未示)镀于石英基板402上，该合金层的厚度约2.5至10nm；(3)经曝光及显影后利用剥离技术(Lift off)完成光罩表面灰阶结构404，通过曝光时光罩上各部位的穿透率不同以产生灰度。该灰阶结构404包括镍、铬及铁，其重量百分比分别为75％、16％及5％。该灰阶结构404具有多个圆台孔4042形成的阵列。
曝光完成后，要对负光阻层304进行曝后烤，其作用在于使被曝光的光阻分子加速键结，增加被曝光光阻和基板的附着性。
请参阅图6和图7，使用显影剂与负光阻层304发生反应，使得未曝光的部分被显影液洗掉，使负光阻呈现预定的图案，即，于该基板30的表面302上形成的具有一定厚度的被曝光的光阻层3042和从该光阻层3042延伸出的多个相同尺寸的圆台体306组成的阵列。该每个圆台体306的直径是沿着远离该基板30的方向逐渐减小。
请参阅图8，在该光阻层3042的表面涂布黑化的聚二甲基硅氧烷材料层308。该聚二甲基硅氧烷材料层308的厚度等于或小于该圆台体306的高度。
由于聚二甲基硅氧烷本身为具有良好弹性的透明材料，不具有遮光功能，因此要在聚二甲基硅氧烷的前驱物中添加黑化剂使其黑化。黑化剂包括碳黑和甲苯。另外，还可以根据需要添加硬化剂，使得聚二甲基硅氧烷材料容易硬化。
为了使间隔片阵列100的厚度尽可能地降低，本实施例采用的涂布法为旋转涂布法，基板30将被置于旋转台上，旋转台转速越快，聚二甲基硅氧烷材料层308涂布得越薄越均匀。因此，可通过控制旋转台的转速来控制聚二甲基硅氧烷材料层308的厚度，其厚度范围为10至30微米。
将聚二甲基硅氧烷材料涂布均匀后，对其进行固化处理。可采用热固化的方式。
然后进行翻模，将固化后的聚二甲基硅氧烷材料层308从该光阻层3042上剥离，从而得到图1所示的间隔片阵列100。由于聚二甲基硅氧烷材料固化后仍具有良好的弹性，剥离不会对聚二甲基硅氧烷材料层308造成结构上的破坏。可以理解的是，也可以对间隔片阵列100进行切割形成单个间隔片。
相较于现有技术，本发明采用黑化的聚二甲基硅氧烷材料层308制作间隔片100，原材料成本低，在制作过程中，利用旋转涂布法可以有效地控制聚二甲基硅氧烷材料层308的厚度，从而降低间隔片阵列100的厚度。且利用灰阶光罩40可避免繁琐的对准流程，从而适合大批量生产。
另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化，可以理解的是，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (15)

1.一种间隔片阵列，该间隔片阵列具有多个阵列排布的通孔和围绕该通孔的遮光区，该间隔片阵列的材料为黑化的聚二甲基硅氧烷。
2.如权利要求1所述的间隔片阵列，其特征在于，该通孔为圆台状通孔。
3.如权利要求1所述的间隔片阵列，其特征在于，该间隔片阵列的厚度为10至30微米。
4.一种间隔片阵列的制作方法，其包括以下步骤：
提供一个基板，该基板具有一个表面；
利用一灰阶光罩，通过曝光及显影的方法在该基板表面形成圆台体阵列；
于基板表面未被圆台体阵列覆盖的区域形成一黑化的聚二甲基硅氧烷材料层；
固化该聚二甲基硅氧烷材料层；及
翻模，使该聚二甲基硅氧烷材料层与该基板、该若干个圆台体分离，得到该间隔片阵列。
5.如权利要求4所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该圆台体阵列中每个圆台体的直径是沿着远离该基板的方向逐渐减小。
6.如权利要求4所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该形成圆台体阵列的方法包括以下步骤：
在该基板的表面涂布一负光阻层；
将紫外光通过该灰阶光罩照射到该负光阻层上；
对负光阻层进行曝后烤；及
使用显影剂与负光阻层发生反应，使得未曝光的部分被显影液洗掉，形成该圆台体阵列。
7.如权利要求4所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该聚二甲基硅氧烷材料层的厚度等于或小于该圆台体的高度。
8.如权利要求4所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该灰阶光罩的形成包括以下步骤：
提供一石英基板；
以蒸镀方式一合金层镀于石英基板上；及
经曝光及显影后利用剥离技术完成光罩表面灰阶结构。
9.如权利要求8所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该合金层的厚度为2.5至10纳米。
10.如权利要求8所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该灰阶结构包括镍、铬及铁。
11.如权利要求10所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该镍、铬及铁的重量百分比分别为75％、16％及5％。
12.如权利要求8所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该灰阶结构具有多个圆台孔形成的阵列。
13.如权利要求4所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，利用旋转涂布法将该聚二甲基硅氧烷材料层形成于该基板表面。
14.如权利要求4所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该聚二甲基硅氧烷材料包括黑化剂和硬化剂。
15.如权利要求14所述的间隔片阵列的制作方法，其特征在于，该黑化剂包括碳黑和甲苯。
CN200810304233A 2008-08-27 2008-08-27 间隔片阵列及其制作方法 Pending CN101661145A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810304233A CN101661145A (zh) 2008-08-27 2008-08-27 间隔片阵列及其制作方法
US12/342,249 US8114577B2 (en) 2008-08-27 2008-12-23 Method for making light blocking plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810304233A CN101661145A (zh) 2008-08-27 2008-08-27 间隔片阵列及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101661145A true CN101661145A (zh) 2010-03-03

Family

ID=41725984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810304233A Pending CN101661145A (zh) 2008-08-27 2008-08-27 间隔片阵列及其制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8114577B2 (zh)
CN (1) CN101661145A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170120251A (ko) 2016-04-20 2017-10-31 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6324010B1 (en) * 1999-07-19 2001-11-27 Eastman Kodak Company Optical assembly and a method for manufacturing lens systems
KR20060079957A (ko) * 2005-01-04 2006-07-07 삼성에스디아이 주식회사 포토리소그래피용 연질 포토마스크, 그 제조방법, 이를채용한 패턴 형성 방법
TW200736821A (en) 2006-03-16 2007-10-01 Hoya Corp Pattern forming method and method of producing a gray tone mask
JP4265696B2 (ja) * 2006-07-04 2009-05-20 凸版印刷株式会社 マイクロニードルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100055622A1 (en) 2010-03-04
US8114577B2 (en) 2012-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101801652B (zh) 微光学器件的批量制造、相应的工具、以及最终结构
US7947430B2 (en) Method of forming 3D micro structures with high aspect ratios
CN1296191C (zh) 制造具有带实用微结构的主曲面的模制件的方法
CN102934028A (zh) 感光性树脂组合物及显示器装置
CN103204459A (zh) 柔性基底薄膜表面微结构的形成方法
CN105807557A (zh) 一种用于光学曝光的高分辨率柔性复合掩模板及其制备方法
CN101661145A (zh) 间隔片阵列及其制作方法
CN102799066B (zh) 一种在二氧化钛有机无机光敏复合薄膜上制备凹透镜阵列结构的方法
CN108471683B (zh) 一种盖板的制作方法、电子设备
CN102674241A (zh) 一种基于无掩模灰度光刻的变高度微流道制作方法
KR100537722B1 (ko) 미세형상 구조물의 연속 성형장치 및 방법 그리고 그 미세형상의 성형을 위한 스탬퍼 제작방법
CN101566700A (zh) 光圈片、光圈片的制造方法及使用该光圈片的镜头模组
TWI423432B (zh) 間隔片陣列及其製作方法
JP4269196B2 (ja) 拡散反射板の製造法及び転写フィルム
KR100318545B1 (ko) 액정소자의 백 라이트 유닛 금형 제조방법
CN114995056A (zh) 一种基于酚醛树脂的图形反转光刻胶组合物及使用方法
JPH10235748A (ja) 導光体の製造方法
US7826148B2 (en) Aspheric lens structures and fabrication methods thereof
US8287781B2 (en) Imprinting method for making optical components
KR100772038B1 (ko) 바이오 칩의 제조 방법
TWI444756B (zh) 光圈片、光圈片之製造方法及使用該光圈片之鏡頭模組
CN107911594B (zh) 支架组件及其制造方法、摄像头和电子设备
CN113759451B (zh) 一种曲面光栅的加工装置及制备方法
CN109285764B (zh) 一种膜层图案化的方法、有机发光二极管的制备方法
CN113573877B (zh) 晶圆对准特征

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20100303