CN101630021B - 用于嵌入安装的感应式接近传感器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种感应式接近传感器，用于嵌入在金属安装板中，包括：壳体，具有合成材料制成的前壁，前壁在壳体的前端形成感测面；振荡器，包括带芯体的传感器线圈，芯体由相对磁导率大于1的典型为铁素体的材料制成，芯体布置在前壁后面的壳体内，从而芯体的开口侧朝向感测面，以使传感器线圈的磁场指向感测面前方的目标；中空圆柱金属元件，垂直于感测面布置并包围芯体；以及测量电路，检测由于涡流导致的振荡器的衰减。为了提高传感器的可嵌入性，芯体径向包围有电阻率小于15μΩ·cm且厚度小于40μm的金属层。可替代地，如果金属元件的电阻率调整到15μΩ·cm至5015μΩ·cm之间范围内的值，可省略该薄金属层。

Description

用于嵌入安装的感应式接近传感器

技术领域

本发明涉及一种依据权利要求1或9前序部分的用于嵌入在金属安装板中的感应式接近传感器及其设计方法。 

背景技术

接近传感器包括带传感器线圈的RLC振荡器，传感器线圈的磁场在目标中产生涡流。这些涡流导致的功率损耗表达了随着传感器和目标之间的距离的缩短而使所述振荡器衰减增强的负载。 

振荡器将其储存能量消耗的速率测量为品质因数Q，品质因数Q为每个周期内所存储能量对所消耗能量的比率的2π倍。在传感器的非嵌入状态下且不存在目标的情况下，测量感应式接近传感器的振荡系统的最大品质因数Q_max。在操作中，品质因数Q由于安装板中和/或目标中的涡流损耗而降低。将品质因数Q对最大品质因数Q_max归一化，相对品质因数Q_rel定义为如下： 

$Q_{\mathrm{rel}}=\frac{Q}{Q_{\max }}---\left(1\right)$

如果传感器的环境中无任何场影响物体存在，则Q等于Q_max，并由此Q_rel等于1。先前针对品质因数Q所提及的内容也适用于相对品质因数Q_rel：由于安装板和/或目标中的涡流损耗使得每个周期的能耗增加的事实，故相对品质因数降低。该降低的量为振荡器衰减的度量： 

感应电路包括检测电路，所述检测电路设置成产生输出信号，所述输出信号为该衰减的函数。 

在开关感应式接近传感器和模拟感应式接近传感器之间做出了区分。接近开关的检测电路布置成衰减一达到参考阈值就将输出信号从一个状态切换到另一个状态，在本文中参考阈值也称为工作阈值；然而，模拟接近开关的检测电路布置成针对衰减超过参考阈值而产生输出信号，所述输出信号为振荡器衰减的单调函数。 

传感器壳体的外表面包括感测面，传感器线圈的磁场通过芯体指向感测面。目标距离为从该感测面到目标之间的距离，且传感器范围为需使目标距离减少(通过使目标接近感测面)到使传感器输出信号发生变化的值。如果传感器为接近开关，则由此定义的传感器范围称为工作距离。在传感器的数据表中规定的范围称为额定范围。由于例如制造误差，传感器的实际范围可能偏离其额定范围。 

作为感应范围的检测和规格基础，国际标准IEC60947-5-2定义了所采用的目标的尺寸和材料。标靶为厚度1mm、边长等于感测面直径或者为3倍传感器额定范围(以更大的为准)的方形低碳钢板。 

感应式接近传感器的范围及其可嵌入性为反向关联。目标距离越大，目标中的涡流损耗越小，这导致安装板中的涡流损耗对所确定的振荡器衰减的总涡流损耗量的影响增加。 

使传感器的参考阈值降低，以使传感器的范围增加。在下表中，对比了标准IEC 60947-5-2规定的嵌入式接近开关的额定工作距离(可采用大约35％的参考阈值来获得)和相应尺寸状态的现有技术的接近开关所测得的工作距离(以仅10％的参考阈值为特征)。 

表1 

在该表中，传感器的尺寸由形成传感器壳体的外螺纹套筒的直径来规定。 

长程接近传感器以10％或更小的参考阈值为特征。通过使参考阈值降低到10％以下，可实现具有更长程的传感器。具有低于5％参考阈值的长程传感器在本领域中是公知的。基于上表右列中的值，长程传感器的最小范围S_min可近似地采用下面的公式来确定： 

S_min＝0.14+0.114＊d^1.4    (3) 

其中，d为毫米表示的传感器壳体套筒的外径，S_min为毫米表示的感应范围。 

通常的长程传感器不是完全可嵌入在钢安装板中，这是因为在嵌入状态下由安装板引起的衰减几乎等于或超过传感器的参考阈值，这尤其地致使任何开关式接近传感器不可工作。 

为了减轻安装板的影响，德国专利申请DE3438998A1建议采用屏蔽裙板包围线圈和芯体来防止传感器场到达安装板。设计成担当免受交变磁场影响的屏蔽物的金属层在厚度上至少与所述层的材料在场振荡频率下的趋肤深度相同，而且优选更厚。材料的趋肤深度可计算为： 

其中ρ为材料的电阻率(Ω·m)，f为场的角频率(Hz)，μ₀为自由区的磁导率(N/A²)，μ_r为材料的相对磁导率。 

例如，铜在1MHz频率下的趋肤深度为66μm。为了达到长工作距离，带芯体的传感器线圈的传感器的工作频率优选在50kHz以上但通常在1MHz以下，且由此为了充当屏蔽物，包围芯体的铜层必须更厚。 

发明内容

本发明的目的在于在对传感器的范围无反向影响的情况下提高接近传感器的可嵌入性。 

该目的可由依据权利要求1或9的嵌入式接近传感器以及依据权利要求13或14的设计这种传感器的方法来实现。 

本发明的优选特征在从属权利要求中予以说明。 

附图说明

下面将结合附图给出的优选实施方式来详细说明本发明。 

图1以透视图示出了齐平安装在安装板中的感应式接近传感器； 

图2示出了一结构的示意图，所述结构包括依据图1安装在安装板中的传感器以及位于传感器前面的目标； 

图3示出了图2所示的传感器的振荡器的相对品质因数Qrel为目标距离x的函数的曲线图； 

图4示出了包括传感器、安装板以及目标的结构，其定义有限元法模型的几何模型； 

图5示出了有限元法(FEM)模拟具有依据图4的几何形状的传感器而计算出的总涡流损耗的曲线图； 

图6示出放大比例下的感应式接近传感器前部的纵剖视图； 

图7示出了依据图6的备选实施方式的传感器前部。 

具体实施方式

图1示出了在安装板2中安装的感应式接近传感器1。所述传感器的壳体大体由非铁磁金属制成的圆柱套筒3构成，套筒3在其外侧上有螺纹并旋入到相应的安装板2的螺纹通孔中，从而所述壳体的与套筒轴线垂直的感测面4和安装板2的前表面5齐平。术语“齐平安装”用作下文“嵌入”的同义词，并暗示了安装板的通孔在安装板的前表面5附近不会扩大，从而传感器1的前部周围未设有任何空间。 

图2为一结构的示意图，所述结构包括依据图1安装在安装板2中的感应式接近传感器1以及位于传感器的感测面4前方的目标板6。所述传感器具有单独给出的电路和磁路。具有传感器线圈7的电路以框图示出，而磁路可通过磁场线8和暴露在磁场下的不同材料体(即传感器线圈7的开口壶型芯体9、径向包围芯体9的壳体套筒3、安装板2、以及目标6)来表示。这些物体示出在沿穿过套筒3中部的剖面 得到的剖视图中，套筒3为圆柱形且横截面为圆形。电路和磁路由传感器线圈7相联。 

所述电路也称为传感器电路，所述传感器电路包括RLC振荡器10，RLC振荡器10的感应元件L由传感器线圈7和该线圈的芯体9形成。芯体9由相对磁导率大于1的材料制成，所述材料典型地为铁素体。所述传感器线圈的磁场在目标6中产生涡流，而且由这些涡流引起的功率损耗代表着随着感测面4和目标6之间的距离减小而使振荡器10衰减增加的负载，所述距离称为目标距离x。 

所述传感器电路还包括测量电路11和输出电路12。测量电路11设计成基于电量来检测所述振荡器的衰减，所述电量为该衰减的单调函数。例如，依赖于所述振荡器的电子设计，该电量可以为振荡器的振幅或者可以为所述振荡器的反馈放大器的输出电流。所述测量电路包括可位于整流器13之前的信号转变单元14。接近开关的信号转变单元14为比较器，所述比较器设置成将所述衰减和预定参考阈值来对比，所述预定参考阈值在本文中也称为工作阈值。与此相反，模拟接近传感器的信号转变单元14具有转换功能，所述转变功能被设计成产生测量电路的输出信号，对于处于零和使衰减等于所述参考阈值的距离之间的值而言，该输出信号为目标距离x的线性函数。 

为了形成可在壳体外侧通过信号传导来获取的传感器的输出信号，信号转变单元14的输出信号被输出电路12调理。 

目标距离x定义了所述传感器的范围，如上定义的标准尺寸目标在目标距离x处使所述振荡器衰减至所述预定参考阈值。开关式传感器的范围也称为工作距离。 

图3示出了为目标距离函数的相对振荡衰减Qrel的曲线图。长程传感器的参考阈值在90％线以上。曲线在这个工作位置处相当平缓，从而即使由安装板引起的较小的衰减也对传感器范围产生显著影响。尽管如此，可嵌入在金属安装板(通常为低碳钢安装板)中的长程接近传感器的设计是可行的，因为将传感器线圈的芯体径向包围的导电元件的几何形状和电阻率可以以这种方式进行调整，即嵌入在安装板 中的传感器的范围与非嵌入式传感器的范围(未带安装板的同一传感器的范围)一致。 

这种一致性的精度越高，传感器的可嵌入性越好。对于所考虑的可嵌入的感应式接近传感器而言，感应式接近传感器在嵌入状态下的范围不应该与其在非嵌入状态下的范围有着显著的不同。前者和后者之间的差超过30％时将被认为是显著的。优选地，该差不超过20％；更优选地，该差不超过10％。 

导电元件可形成所述壳体的一部分或者布置在所述壳体内。通常，在将传感器线圈的芯体包围的导电元件中的一个导电元件为所述壳体的金属套筒3。另外的元件可包括金属层，所述金属层施加到这个套筒的内和/或外表面上或者施加到一个或多个径向插置在所述芯体和所述套筒之间的元件上。 

径向包围芯体的元件是那些径向位于芯体外侧并轴向接近芯体的元件，从而这些元件在传感器的嵌入或非嵌入的状态下至少部分地暴露在传感器线圈的磁场下。这包括沿轴向部分地或全部地位于芯体前方的元件，因为芯体使得磁场朝壳体的前端指向。相反，套筒3后部的未暴露在磁场下且不传导涡流的几何结构对传感器-目标结构中的涡流损耗无影响。由此，如果所述套筒的前部(代表包围芯体的中空圆柱形金属元件)被认为是包围芯体的导电元件，那么就足够了。总的来看，轴线方向上位于芯体后端的任何东西均可被忽略。 

所有包围芯体的导电元件径向上的厚度均比振荡器工作频率下的它们各自材料的趋肤深度小，从而所述导电元件不充当屏蔽件。如果导电元件的径向厚度不是常数，则该规则适用于这种元件的最薄位置。例如，在本文中，外螺纹壳体套筒的厚度为其在螺纹最深位置处的厚度。 

图4示出了嵌入在安装板2中的传感器1。传感器的壳体大体由外表面形成有螺纹的圆柱形金属套筒3构成。套筒3的前端被塑料封闭帽15来封闭。位于所述壳体的前端处的感测面4为塑料帽15的底部16的外表面，所述外表面形成壳体的前壁16。感测面4与套筒3 的前端齐平。传感器线圈7的开口壶型芯体9设置在前壁16后面的套筒中、且其开口侧指向感测面4，从而传感器线圈7的磁场指向感测面4前方的目标6。在该实例中，套筒3的前部为在壳体外表面限定的空间中径向包围芯体9的仅有的导电元件。这种结构供不同尺寸(至少高达套筒直径M50)的感应器使用。 

现在将给出通过有限元模拟相配导电元件的方法。在由传感器1、传感器感测面4前方的传感器额定范围S_n处的目标6、以及嵌入有传感器1的安装板2构成的结构(例如如图4所示)中，如果安装板2可被去掉而不影响总涡流损耗量，则嵌入式传感器的范围将与同样的处于非嵌入状态下的传感器的范围一致。为了验证是否该条件被满足，利用有限元法模拟来确定该结构中的涡流损耗。 

在用于模拟这种结构的模型中，磁路中的各个物体以它的几何结构、磁导率和电阻率来说明。标准目标为厚度1mm边长度量为3倍传感器额定范围S_n的方形低碳钢板。为了获得精确的结果，所述套筒的几何结构规格可限定在所述套筒的前部并优选地包括套筒螺纹的精确几何结构。另外针对有限元法模拟的需要给定的参数为传感器线圈的绕组数、振荡器的工作频率、以及(恒定的)线圈电流强度或线圈电压及线圈电阻率。 

基于这个模拟模型，通过有限元法模拟来数值地计算该结构中的总涡流损耗量。针对包括安装板的结构和相同但未包括安装板的结构进行模拟，并确定在总涡流损耗上的差。如果该差不接近于零，则为了再次计算带有和不带有安装板的情况之间在总涡流损耗上的差，在数值模型中稍微修改包围芯体的导电元件在规格上的性能。因为在该实例中，金属套筒是仅有的包围芯体的导电元件，所以，递增修改的性能优选是金属套筒的电阻率。观察对套筒电阻率做出的递增变化所导致的这种差的演变，所述电阻率可调整到使带有和不带有安装板时总涡流损耗上的差接近于零。 

这就是使带有或不带有安装板时涡流损耗均相同的情况。在电路中，总涡流损耗可表示为传感器线圈平行等效电路中的等效电阻。从 这个观点看，套筒金属的电阻率在这种方式下将是合适的，即线圈在带有和不带有安装板的结构中感知到的等效电阻相同。 

图5示出了针对依据图4的结构所计算出的总涡流损耗值P_tot对于所述壳体的套筒3的不同电阻率值ρ_s的曲线表示，所述结构带有额定范围S_n为3mm、尺寸M8的传感器。黑点代表传感器在非嵌入状态下(不带有安装板)的值，而空圈代表传感器在嵌入状态下(带有安装板)的值。为了简化计算，芯体中的功率损耗被认为是常数而且小，从而其仅代表已被省略的偏差。表示带有和不带有安装板的总涡流损耗的曲线存在着相交。在相交点处，所述套筒金属具有18μΩ·cm的电阻率。如果具有这种电阻率的金属形成用于所述模拟的模型中所规定的传感器的套筒，则传感器在嵌入到低碳钢金属安装板中时的范围优选地与其在非嵌入状态下的范围一致。 

已证实，这种用于将感应式接近传感器嵌入到金属安装板的设计方法尤其适用于设计这样的长程传感器，所述长程传感器以10％或更小的参考阈值为特征或者以额定范围超过上述公式(3)定义的最小范围为特征。 

因为需要对套筒金属选定其电阻率，所以这种金属不可以针对某些应用在化学上是充分惰性的；而且可要求套筒外表面的涂层具有不同的金属(诸如铬)。这种涂层代表了包围芯体的由导电材料制成的另外元件，这需要在有限元模拟模型中予以说明，以确定所述套筒所需的电阻率。 

如果壳体套筒的前部是仅有的包围传感器芯体的导电元件，除了由可施加到套筒外表面上的诸如铬之类的合适材料制成的保护涂层之外，则要求总涡流损耗在带有和不带有安装板时一致的非铁磁套筒金属的电阻率处于15μΩ·cm和50μΩ·cm之间的范围内。典型的这种金属为包含铜、镍和锌的合金。 

这些以及本文给出的其它电阻率值是针对在温度20℃时的相应材料。 

图6示出了感应式接近传感器前部的另一实施方式。除了将涂层 18施加到套筒前部的套筒内表面上以外，传感器线圈7、传感器线圈的芯体9以及包括金属套筒3的壳体的几何结构均与图4所示的传感器中的那些部件相同。套筒3′由非铁磁金属制成，与参照上述图4和图5所述的方法对于传感器的理想可嵌入性所确定的值相比，所述非铁磁金属具有的电阻率高。不锈钢制成的套筒由于其化学惰性而优选地使用。所述套筒的额外电阻率可通过施加涂层18来补偿，涂层18也优选地由非铁磁金属制成，并且涂层18的电阻率低于套筒金属的电阻率。 

根据所述材料、所述几何结构、以及涂层18的精确结构，传感器范围在嵌入状态和非嵌入状态下的差为正或负，而且的确存在着一个使所述差为零的涂层厚度。为了确定该厚度，可采用如上述参照图4说明的有限元模拟。在这种情况下，在单独的循环模拟之间优选变化的性能为涂层18的性能，即涂层18的厚度或涂层18的电阻率。 

不管套筒的材料如何，如果所述涂层的电阻率低于15μΩ·cm，则对于任何常规尺寸(至少达到M50)的传感器而言，40μm的涂层厚度被认为是最大值。一般而言，为了使传感器的范围在嵌入状态和非嵌入状态下一致，所述涂层越薄，需要所述涂层材料的电阻率越低。如果所述涂层材料(例如黄铜)的电阻率低于10μΩ·cm，则30μm的涂层厚度视为最大值；而如果所述涂层材料(例如纯铜、铝、金)的电阻率低于5μΩ·cm，则20μm的涂层厚度被认为是最大值。所述金属涂层的实际厚度低于所述可适用的最大值，而且需要依据各自传感器的特质来确定，优选地依据上述参照图4所述的方法来确定。 

值得注意的是，依据图4(没有金属涂层18)和图6(带有金属涂层18)的实例对接近传感器的可嵌入性进行优化的方法是基于相同的物理原理：将包围传感器线圈芯体的导电元件调整为，在安装状态下分布在所述目标、所述安装板、以及传感器壳体的导电元件中的总涡流损耗量等于在非嵌入状态下不带有安装板的情况下所引起的涡流损耗。尤其是，金属涂层18不具有屏蔽功能时。实际上，依据本发明，有效屏蔽安装板免受传感器线圈和芯体影响的金属涂层不会用作调整 涡流损耗分布的手段。由此，金属涂层18的厚度优选地比所述涂层材料在振荡器操作频率下的趋肤深度的一半小，且更优选地，金属涂层18的厚度比该趋肤深度的30％小。如上所述，为了确保所述传感器的工作距离足够长，该工作频率优选地高于50Hz。 

图7示出了一传感器的前部，其与图6所示的传感器的前部类似。主要区别在于，金属涂层18″不是施加到套筒内表面，而是施加到塑料帽15的圆周壁17的内表面上，塑料帽15的圆周壁17延伸到套筒3″和芯体9之间的间隙中。另一差别在于，塑料帽15略微伸出到金属套筒3″的前端外。 

在本发明的精神和范围内可有诸多变型和修正。 

可采用薄金属膜来替代涂层18和18″。 

涂层18、18″或所述膜可设置在其它位置，优选地设置在芯体和套筒之间的某些位置，包括可将所述涂层或所述薄膜设置在套筒内表面上(如图6所示)或设置在芯体的径向外表面上。 

要施加在所述涂层或所述薄膜(薄金属层)上的表面优选为大体圆柱形，但是与所述圆柱形不一致的表面(诸如锥形承载面)也是可行的，由此形成了沉积到该表面上的锥形形状的金属涂层。 

可采用E型芯体或U型芯体来替代壶型芯体。这些芯体形状的共同特征是它们均一侧开口，从而它们主要在一个方向上朝向传感器线圈的磁场。 

在依据图4或图6的实施方式中，可省却塑料帽15，而合成树脂可用于在套筒3的前端将套筒3封闭。在这种情况下，覆盖所述芯体的树脂层形成所述壳体的前壁。 

可采用具有光滑外表面的金属套筒来替代螺纹套筒3。金属套筒3的横截面形状不必是圆形。例如，可采用方柱形外形的金属套筒。 

最后，可采用合成壳体来替代金属套筒3。在这种情况下，由设置在所述合成壳体中且与感测面4垂直的中空圆柱金属元件来包围芯体9。对于本发明的目的而言，环形金属元件已足够；而且采用与参 照图6针对套筒形金属元件所述的方式相同的方式，该金属元件可与金属层组合。 

Claims (14)

1.一种用于嵌入在金属安装板(2)中的感应式接近传感器(1)，其包括：

壳体，其具有由合成材料制成的前壁(16)，所述前壁(16)在所述壳体的前端形成感测面(4)；

振荡器(10)，其包括带芯体(9)的传感器线圈(7)，所述芯体(9)由相对磁导率大于1的材料制成，所述材料通常为铁素体，所述芯体(9)布置在所述前壁(6)后面的所述壳体内，从而所述芯体(9)的开口侧朝向所述感测面(4)，以使所述传感器线圈的磁场指向所述感测面(4)前面的目标(6)；

中空圆柱形金属元件，其垂直于所述感测面(4)布置并包围所述芯体(9)；以及

测量电路(11)，用于检测由于涡流导致的所述振荡器(10)的衰减；

其特征在于，所述芯体(9)由金属层(18，18″)径向地包围，所述金属层的电阻率小于15μΩ·cm并且厚度小于40μm，所述测量电路(11)设置成所述衰减一旦超过预定参考阈值就改变所述传感器电路的输出信号，所述预定参考阈值对应于10％或更小的衰减。

2.根据权利要求1所述的接近传感器，其特征在于，所述金属层(18，18″)由非铁磁金属制成。

3.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于，所述金属层(18，18″)布置在所述金属元件和所述芯体之间。

4.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于，所述金属元件为金属套筒(3)，并且所述芯体(9)设置在所述金属套筒(3)内。

5.根据权利要求4所述的接近传感器，其特征在于，所述前壁为密封帽(15)的底部，所述密封帽(15)的圆周壁(17)延伸到所述套筒(3′，3″)和所述芯体(9)之间的间隙，所述金属层(18″)设置在所述圆周壁(17)的内表面上。

6.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于，所述金属层(18，18″)为金属涂层。

7.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于，所述金属层(18，18″)的厚度小于所述金属层的材料在所述振荡器(10)的工作频率下的趋肤深度的一半。

8.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于，所述金属层(18，18″)的厚度小于所述金属层的材料在所述振荡器(10)的工作频率下的趋肤深度的30％。

9.根据权利要求1所述的接近传感器，其特征在于，所述金属层(18，18″)的厚度被构造成：针对低碳钢目标(6)而言，使所述涡流引起的所述衰减对应于所述参考阈值的所述感测面(4)和所述目标(6)之间的距离在所述传感器的嵌入状态下比在所述传感器的非嵌入状态下的距离最多相差30％。

10.根据权利要求1所述的接近传感器，其特征在于，所述金属层(18，18″)的厚度被构造成：针对低碳钢目标(6)而言，使所述涡流引起的所述衰减对应于所述参考阈值的所述感测面(4)和所述目标(6)之间的距离在所述传感器的嵌入状态下比在所述传感器的非嵌入状态下的距离最多相差20％。

11.一种用于嵌入在金属安装板(2)中的感应式接近传感器(1)，其包括：

壳体，其具有合成材料制成的前壁(16)，所述前壁(16)在所述壳体的前端形成感测面(4)；

振荡器(10)，其包括带芯体(9)的传感器线圈(7)，所述芯体(9)由相对磁导率大于1的材料制成，所述材料通常为铁素体，所述芯体(9)布置在所述前壁(6)后面的所述壳体内，从而所述芯体(9)的开口侧朝向所述感测面(4)，以使所述传感器线圈的磁场指向所述感测面(4)前方的目标(6)；

中空圆柱形金属元件(3)，其垂直于所述感测面(4)布置并包围所述芯体(9)；以及

测量电路(11)，其用于检测由于涡流导致的所述振荡器(10)的衰减；

其特征在于，所述金属元件(3)由非铁磁金属制成，所述非铁磁金属具有15μΩ·cm-50μΩ·cm的电阻率，所述测量电路(11)设置成所述衰减一超过预定参考阈值就改变所述传感器电路的输出信号，所述预定参考阈值等于10％或更小的所述衰减。

12.根据权利要求11所述的接近传感器，其特征在于，所述金属元件为金属套筒(3)，所述芯体(9)设置在所述金属套筒(3)内。

13.根据权利要求11所述的接近传感器，其特征在于，围绕所述芯体(9)的套筒部分的电阻率被配置成：针对低碳钢目标(6)而言，使所述涡流引起的所述衰减等于所述参考阈值的所述感测面(4)和所述目标(6)之间的距离在所述传感器的嵌入状态下与在所述传感器的非嵌入状态下的距离相差最多30％。

14.根据权利要求11所述的接近传感器，其特征在于，围绕所述芯体(9)的套筒部分的电阻率被配置成：针对低碳钢目标(6)而言，使所述涡流引起的所述衰减等于所述参考阈值的所述感测面(4)和所述目标(6)之间的距离在所述传感器的嵌入状态下与在所述传感器的非嵌入状态下的距离相差最多20％。

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