CN101629127A - 一种高压一次电路保洁剂及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高压一次电路保洁剂，包含以下质量百分比的组成成分：聚乙二醇辛基苯醚1～20％，壬基酚聚氧乙烯醚1～20％，正溴丙烷1～3％，C2Cl3H3 10～20％，C3HCl2F5 5～60％。本发明还提供该高压一次电路保洁剂的制备方法，包括以下步骤：将上述各组分按比例装入密闭容器，在温度为20～30℃，常压下反应1小时。本保洁剂无环境污染，腐蚀性低，物理分解能力强，使用安全可靠，可迅速、彻底清除各种精密设备电路表面及深层的尘土、油污、碳渍、盐分、潮气、金属尘埃及各种带电粒子，有效消除“软性故障”，保证设备的最佳工作状态，降低维护成本。

Description

一种高压一次电路保洁剂及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种保洁剂，具体地说，本发明涉及一种高压一次电路保洁剂。
背景技术
由于程控交换机、移动通讯设备、微波通讯设备、无线寻呼设备、电脑系统、自动化控制设备、影视设备、广电设备、遥控、遥感、遥测设备、高精密仪器、家用电器等设备在运行过程中，时刻受到污秽及静电的侵害，形成电路(板)漏电，电化学腐蚀，静电放电引起的元器件击穿会造成元器件介质硬击穿、烧毁或永久性失效，软击穿则会造成器件性能劣化或参数指标下降。
电力设备事故的根本原因是由于绝缘子、母排、端子、开关、互感器、刀闸、接触器、继电器、触头等表面沉积了污秽物质，使绝缘性降低，泄露电流增大，造成短路、电弧、散热不良及闪络事故。由于污闪跳闸后的重合成功率很低，绝缘子的污闪容易大面积发展，造成长时间的恶性停电事故，危害极大。
传统的电子电力设备维护技术方法有：
1、事后抢修，即更换硬件；
2、停机工作后采用皮老虎、吹风机吹走表面浮尘，用刷子刷土，或用挥发性、易燃溶剂(如酒精、汽油、四氯化碳)进行擦洗。
但是，使用这些方法对于深层及细小罅隙的灰尘、油污、碳渍等有害物质很难清洗干净，且危害性大，并且受到时间和空间的限制。
与传统方法相比，采用精密电路的带电清洗维护技术，可以迅速、彻底清除各种精密设备电路表面及深层的灰尘、油污、炭渍、盐份、潮气、金属尘埃及各种带电粒子，有效消除“软性故障”，避免造成设备电路短路、电弧、散热不良，影响信号的准确性和稳定性，保证设备最佳工作状态和稳定运行，防止重大恶性事故发生。
但是，现在市场上使用的带电清洗剂通常均偏酸性或碱性，挥发快，其动态绝缘值偏低，易造成闪络。
因此，本发明的目的在于提供一种中性、去污力强、腐蚀性低的高压一次电路保洁剂。
发明内容
本发明提供一种高压一次电路保洁剂，包含以下质量百分比的组成成分：聚乙二醇辛基苯醚1～20％，壬基酚聚氧乙烯醚1～20％，正溴丙烷1～3％，C2Cl3H3 10～20％，C3HCl2F5 5～60％。
所述聚乙二醇辛基苯醚含量优选1～5％，所述壬基酚聚氧乙烯醚含量优选5～10％。
所述保洁剂还包括选自以下组分的一种或多种：低级烷烃、具有碳原子数为1～4的烷基取代基的低级烷烃、低级醇类、低级烯烃。
所述低级烷烃包括庚烷0～1％、己烷0～1％、辛烷0～1％。
所述具有碳原子数为1～4的烷基取代基的低级烷烃包括甲基戊烷0～1％、甲基己烷0～1％、二甲基己烷0～1％、甲基庚烷0～1％、甲基环己烷0～1％、乙基戊烷0～1％、二甲基环戊烷0～1％、四甲基丁烷0～1％、甲基乙基己烷0～1％、三甲基戊烷0～1％。
所述低级醇类包括乙醇0～1％。
所述低级烯烃包括乙烯0～1％。
所述保洁剂的PH值为6.8～7.2。
本发明还提供所述高压一次电路保洁剂的制备方法，包括以下步骤：将上述各组分按比例装入密闭容器，在温度为20～30℃，常压下反应1小时。
本发明的有益效果为：
本保洁剂无环境污染，腐蚀性低，物理分解能力强，使用安全可靠，可迅速、彻底清除各种精密设备电路表面及深层的尘土、油污、碳渍、盐分、潮气、金属尘埃及各种带电粒子，有效消除“软性故障”，保证设备的最佳工作状态，降低维护成本，已被成功用于洁神JS-169A高压电路一次设备保洁剂中。
具体实施方式
以下用实施例对本发明作更详细的描述。这些实施例仅仅是对本发明最佳实施方式的描述，并不对本发明的范围有任何限制。
实施例1：
聚乙二醇辛基苯醚1kg，壬基酚聚氧乙烯醚1kg，正溴丙烷1kg，C2Cl3H3 10kg，C3HCl2F5 5kg。
将上述原料装入密闭容器，在温度25℃，常压下反应1小时，制得精密电路保洁剂。
实施例2：
聚乙二醇辛基苯醚20kg，壬基酚聚氧乙烯醚20kg，正溴丙烷3kg，C2Cl3H3 20kg，C3HCl2F5 50kg。
制备方法同实施例1。
实施例3：
聚乙二醇辛基苯醚18kg，壬基酚聚氧乙烯醚18kg，正溴丙烷2kg，C2Cl3H3 15kg，C3HCl2F5 30kg，甲基戊烷0.5kg，甲基戊烷0.5kg，乙醇0.5kg，乙基戊烷0.5kg、庚烷0.5kg。
制备方法同实施例1。
实施例4：
聚乙二醇辛基苯醚15kg，壬基酚聚氧乙烯醚15kg，正溴丙烷2kg，C2Cl3H3 12kg，C3HCl2F5 40kg，甲基己烷0.5kg，己烷0.5kg，甲基庚烷1kg，二甲基环戊烷0.5kg，甲基乙基己烷0.5kg，三甲基戊烷1kg。
制备方法同实施例1。
实施例5：
聚乙二醇辛基苯醚12kg，壬基酚聚氧乙烯醚17kg，正溴丙烷2kg，C2Cl3H3 17kg，C3HCl2F5 35kg，二甲基己烷1kg，甲基戊烷0.5kg、乙烯1kg、四甲基丁烷0.5kg，辛烷1kg。
制备方法同实施例1。
本保洁剂无环境污染，腐蚀性低，物理分解能力强，使用安全可靠，可迅速、彻底清除各种精密设备电路表面及深层的尘土、油污、碳渍、盐分、潮气、金属尘埃及各种带电粒子，有效消除“软性故障”，保证设备的最佳工作状态，降低维护成本，已被成功用于洁神JS-169A高压电路一次设备保洁剂中。

Claims (9)

1、一种保洁剂，其特征在于，包含以下质量百分比的组成成分：聚乙二醇辛基苯醚1～20％，壬基酚聚氧乙烯醚1～20％，正溴丙烷1～3％，C2Cl3H3 10～20％，C3HCl2F5 5～60％。
2、如权利要求1所述的保沽剂，其特征在于，所述聚乙二醇辛基苯醚含量为1～5％，所述壬基酚聚氧乙烯醚含量为5～10％。
3、如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，还包括选自以下组分的一种或多种：低级烷烃、具有碳原子数为1～4的烷基取代基的低级烷烃、低级醇类、低级烯烃。
4、如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述低级烷烃包括庚烷0～1％、己烷0～1％、辛烷0～1％。
5、如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述具有碳原子数为1～4的烷基取代基的低级烷烃包括甲基戊烷0～1％、甲基己烷0～1％、二甲基己烷0～1％、甲基庚烷0～1％、甲基环己烷0～1％、乙基戊烷0～1％、二甲基环戊烷0～1％、四甲基丁烷0～1％、甲基乙基己烷0～1％、三甲基戊烷0～1％。
6、如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述低级醇类包括乙醇0～1％。
7、如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述低级烯烃包括乙烯0～1％。
8、如权利要求1所述的保洁剂，其特征在于，所述保沽剂的PH值为6.8～7.2。
9、权利要求1所述保洁剂的制备方法，该保洁剂包含以下质量百分比的组成成分：聚乙二醇辛基苯醚1～20％，壬基酚聚氧乙烯醚1～20％，正溴丙烷1～3％，C2Cl3H3 10～20％，C3HCl2F5 5～60％，所述制备方法包括以下步骤：将上述各组分按比例装入密闭容器，在温度为20～30℃，常压下反应1小时。
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C06 Publication
PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Shanghai Shenjie Environmental Protection Technology Development Co., Ltd.

Assignor: Zhang Siping

Contract record no.: 2010310000223

Denomination of invention: Primary high-voltage circuit cleaning agent and preparation method thereof

License type: Exclusive License

Open date: 20100120

Record date: 20101207

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160118

Address after: 201400 room 3, No. 2165, Lane 218, hope road, Shanghai, Fengxian District

Patentee after: SHANGHAI SHENJIE ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: 200030, room 2, No. 149, Lane 702, Dongan Road, Shanghai, Xuhui District

Patentee before: Zhang Siping