CN101614965B - 光刻设备及器件制造方法 - Google Patents

光刻设备及器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101614965B
CN101614965B CN2009101463673A CN200910146367A CN101614965B CN 101614965 B CN101614965 B CN 101614965B CN 2009101463673 A CN2009101463673 A CN 2009101463673A CN 200910146367 A CN200910146367 A CN 200910146367A CN 101614965 B CN101614965 B CN 101614965B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pattern
radiation
order diffracted
phase
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2009101463673A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101614965A (zh
Inventor
约瑟夫·玛丽亚·芬德斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN101614965A publication Critical patent/CN101614965A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101614965B publication Critical patent/CN101614965B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70158—Diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。所述光刻设备包括相位调整器以在衬底上曝光图案期间调整横穿相位调整器的光学元件的光波的相位。所述光学元件可以是光刻设备的投影系统中的热量可控的光学元件。在使用时，用包括离轴辐射束的照射模式照射所述图案。所述束被衍射成许多个第一级衍射束，一个与图案中沿第一方向的第一节距相关，另一个与图案中沿不同的第二方向的第二节距相关。辨识与第一节距相关的第一级衍射束横穿光学元件的区域。通过计算与其它第一级衍射束的光学相位相关的所述第一级衍射束的所需的光学相位来优化所述图案的图像的图像特性。所述相位调整器被控制以施加所需的光学相位至所述第一级衍射束。

Description

光刻设备及器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻设备和一种制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，所述图案对应于待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案成像或转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
在半导体制造工业中，对更小特征和增加特征密度的需求不断增加。被光刻印刷的最小特征的所需要的临界尺寸(CD)快速地减小，且正在变得非常接近诸如如上所述的步进机和扫描器的现有技术曝光工具的理论分辨率极限。旨在提高分辨率和最小化可印刷的CD的传统技术包括减小所述曝光辐射的波长、增加所述光刻设备的投影系统的数值孔径(NA)、和/或包括小于曝光工具的分辨率极限的图案形成装置的图案中的特征，以至于所述小于曝光工具的分辨率极限的图案将不印刷在衬底上，但它们将产生可提高对比度和锐化精细特征的衍射作用。
当这样的传统分辨率改善技术被应用至光刻印刷过程，且在所述光刻印刷过程中将要被印刷的所需图案沿两个不同的方向重复出现时，所述重复性由两个对应的不同节距所表征，所印刷的特征的尺寸误差可能超过容许度。这可能是由于被称为光学邻近效应的问题所导致的。与密集的特征相比，这是由孤立的特征的衍射图案中的固有差别引起的。密集的特征可包括巢状图案和间隔紧密的周期特征。例如，在密集的和更孤立的接触孔或线被同时印刷时，光学邻近效应可导致CD上的差异。
所述光学邻近效应还依赖于所使用的照射设置。起初，已经使用的所谓传统照射模式在所述投影系统的光瞳上具有照射辐射的盘状强度分布。然而，在趋于使较小特征成像的情况下，离轴照射模式已经成为标准，以改善用于小特征的工艺窗口(即，曝光范围与焦深结合)。然而，对于离轴照射模式(例如环状照射)，所述光学邻近效应的情况变得更差。
发明内容
例如，需要至少部分地缓解光学邻近效应的问题和/或在此处未提及的一个或多个其它的问题。
根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，包括：
照射系统，被配置以用包括从照射极射出且相对于光轴倾斜一角度的离轴辐射束的照射模式来调节辐射束；
支撑件，被构造以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束且另外能够将所述离轴的辐射束衍射成与图案沿第一方向的第一节距相关的第一第一级衍射束和衍射成与图案沿不同于第一方向的第二方向的第二节距相关的第二第一级衍射束；
投影系统，具有光瞳平面且被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；
相位调整器，被构造且被设置以调整一辐射束的电场的相位，所述一辐射束横穿在所述光瞳平面中设置的所述相位调整器的光学元件；和
控制器，被构造且被设置用于获取表示所述图案和照射模式的数据，用于辨识所述第一级衍射束在使用时横穿所述光瞳平面的区域，用于通过计算与所述第二第一级衍射束的光学相位相关的所述第一级衍射束的所需的光学相位来优化所述图案的图像的图像特性，用于将所述区域映射在所述光学元件的一部分上，以及用于施加热量至所述部分或从所述部分提取热量以根据所需的光学相位来改变所述光学元件的折射率。
根据本发明的一个方面，提供一种包括将图案从图案形成装置转移至衬底上的步骤的器件制造方法，所述方法包括步骤：
用具有包括从照射极射出的且相对于光轴倾斜一角度的离轴辐射束的照射模式的辐射束照射图案形成装置，所述图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束，且进一步将所述离轴的辐射束衍射成与所述图案中沿第一方向的第一节距相关的第一第一级衍射束和衍射成与所述图案中沿不同于第一方向的第二方向的第二节距相关的第二第一级衍射束；
经由光瞳平面将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；
调整一辐射束的电场的相位，所述一辐射束横穿在所述光瞳平面中设置的光学元件，所述调整步骤包括：
获取表示所述图案和照射模式的数据，
辨识所述第一级衍射束横穿所述光瞳平面的区域，
通过计算与所述第二第一级衍射束的光学相位相关的所述第一级衍射束的所需的光学相位来优化所述图案的图像的图像特性，
将所述区域映射到所述光学元件的一部分上，和
施加热量至所述部分或从所述部分提取热量以根据所述所需的光学相位改变所述光学元件的折射率。
附图说明
现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：
图1描述根据本发明实施例的光刻设备；
图2示出被配置以改变横穿光刻设备的投影系统的电磁波的相位的相位调整器；
图3示出包含在相位调整器中的光学元件；
图4描述包含在相位调整器中的光学元件的温度可控部分；
图5示出四极照射模式；
图6A示出由图案形成装置产生的接触孔的图案；
图6B示出图6A的图案的接触孔的期望的形状和所印刷的所述接触孔的模拟形状；
图6C示出图6A的图案的接触孔的图像的不同部分；
图6D示出如在一个实施例中获得的图6A的图案的接触孔的形状的变化；
图7描述源自于四极照射模式的单个照射束的衍射束；
图8描述源自于邻近图7的所述极的四极照射模式的一个极的衍射束；
图9描述源自于图7的单个束的附加的衍射束；
图10描述在一个实施例中的施加了相位的变化的衍射束所横穿过的区域；
图11A示出根据一个实施例在没有施加的光学相位变化时图6A的图案的接触孔的图像的两个横截面中的两个强度分布；和
图11B示出根据一个实施例在具有施加的光学相位变化时图6A的图案的接触孔的图像的两个横截面中的两个强度分布。
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备100。所述设备100包括：
-照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，诸如由以248nm或193nm波长工作的准分子激光器产生的紫外(UV)辐射或例如由以13.6nm波长工作的激光点燃(laser-fired)等离子体源产生的EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和
-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT保持所述图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备100的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备100是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备100可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备100可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
所述光刻设备100还可以是以下类型，其中，至少一部分衬底可被具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充在所述投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可被应用至光刻设备100中的其它空间中，例如在所述掩模和投影系统PS之间。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径在本领域中是公知的。在此处所使用的术语“浸没”并不是指例如衬底的结构必须浸没在液体中，而仅指液体在曝光期间位于所述投影系统PS和衬底W之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备100可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备100的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现图案形成装置台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述图案形成装置台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记M1、M2可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备100用于以下模式中的至少一种中：
在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。
在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图1的设备的光学布置使用科勒照射。在科勒照射的情形下，照射系统IL中的光瞳平面PPi与投影系统PS的光瞳平面PPp共轭。光瞳平面PPp是图案形成装置MA所在的物平面的傅里叶变换平面。如传统的，通过参考在照射系统IL的光瞳平面PPi中的束B的辐射强度的分布可对所述设备的照射模式进行描述。在图案形成装置MA的图案的衍射作用的影响下，投影系统PS的光瞳平面PPp中的强度分布将与照射系统IL的光瞳平面PPi中的强度分布大致相同。
投影系统PS包括相位调整器110，所述相位调整器110构造和设置以调整横穿所述投影系统PS的光学辐射束的电场的相位。如图2示意性地显示，相位调整器110可包括材料对于辐射束B基本上透射的光学元件310。在一个实施例中，光学元件310对于束340的辐射可以是反射的。所述相位调整器110可进一步包括控制器340。对于横穿所述元件310的波的光学路径长度是可响应于由控制器340供给的信号调整的。光学元件310例如大致设置在或可大致设置在诸如所述光瞳PPp的傅立叶变换平面中，并且使得在使用时从所述图案形成装置MA射出的衍射束DB横穿所述光学元件310。
图3更加详细地示出相位调整器110，且显示沿所述Z轴的光学元件310的俯视图。可通过施加热量至光学元件310的一部分320或从光学元件310的一部分320移除热量，从而使得所述元件的材料折射率相对于邻近所述部分320的材料的折射率产生局部变化，来获得对横穿所述元件310的光波的相位的调整。施加所述热量可通过例如通过电线330传送电流来实现，所述电线330具有欧姆电阻的且被设置成与所述元件的部分320接触，和与被设置以提供电流至电线330的控制器340接触。
光学元件的多个邻近的部分可设置有用于独立于任何其它部分加热任何部分的对应的多个电线。例如，如图4中示意性显示的，邻近部分320-1一直到320-44被设置在邻近的列中且被从左至右和从上至下地编号。所述部分320-1一直到320-44的每一部分320设置有对应地编号的加热电线330-1一直到330-44(尽管仅是为了清楚的原因，在图4中仅为部分320-4和320-37显示所述电线。)控制器340被构造且被设置使得每一电线可独立地被电流触发。这使得能够根据在X-Y平面内的所述元件310上的温度的空间分布将空间相位分布应用至横穿所述元件310的光波。
另外或替代地，光学元件310可包括通道，所述通道被设置以包括冷却流体。相位调整器110可包括冷却流体供给和回收系统，所述冷却流体供给和回收系统连接至所述通道且被设置以使得冷却流体以可控制的温度通过所述通道循环。类似于电线330，冷却通道可与每个部分320相关联；然而，替代地可为所有的部分320设置单独的冷却通道。冷却所述元件310与加热所述元件310的部分320的组合可以使得能够将所述部分320的温度在额定温度下面和上方延伸的温度范围内调整。例如，所述额定温度可以是所述设备100的特定的需要的操作温度或投影系统PS的光学元件的材料的特定的需要的操作温度。
可从美国专利申请No.11/593,648中获得相位调整器110的示例。部分320的总数不限于44个。相反，它通常可以依赖于温度分布的需要的空间分辨率。例如，所述部分320中的每一个的面积与投影系统PS的光瞳平面PPi中的清晰区域的大小比可以在100至1000之间。
注意到，本发明并不限于相位调整器110的上面描述的特定实施例。在此处出现的这样的实施例仅是为了说明性的目的。基于此处所包含的教导，对相关领域的技术人员来说，另外的实施例是显而易见的。例如，可选的相位调整器110可包括一个红外激光器(或多个红外激光器)，所述红外激光器被设置以选择性地加热靠近透镜光瞳PPp设置的光学元件310的部分320。通过例如中空的光学纤维将红外辐射引导至光学元件的已选择的部分。可从日本专利申请公开出版物JP2007317847A中获得所述实施例的细节。在缺少冷却装置的情形下，可通过将相应的相互不同量的红外辐射能量供给至相应的不同部分，将不同部分320的温度设置成彼此相互不同。之后，额定温度可被制定成例如相互不同温度的平均温度值。
在实施例中，如图5所示，利用传统的四极照射模式照射由图案形成装置MA提供的图案形成装置的图案。所述束B包括在第一入射平面PI1中相对于Z轴(所述Z轴大致垂直于所述图案形成装置MA)以角度α1倾斜的第一辐射束B1和在第二入射平面PI2中也相对于所述图案形成装置MA成角度α1倾斜的第二辐射束B2。第二入射平面PI2被设置成相对于所述平面PI1成角度所述束B进一步包括与所述各自的束B1和B2分别对称地相对设置的束B1’和B2’。角度
Figure G2009101463673D00102
在本实施例中是90度，但不限于这个值。在本实施例中，所述平面PI1和PI2分别是X-Z平面和Y-Z平面，但还可在相对于Z轴的其它旋转方向上进行选择。
图案600包括图6A中显示的成列的接触孔610。所述列与X方向对齐，且每列包括以节距Px设置的接触孔610。接触孔610还被设置成沿Y方向的列。沿Y方向的列的接触孔610被以节距Py设置。节距Py大于节距Px。例如，这样的接触孔图案可以是用于采用包括两个曝光步骤的所谓双曝光光刻方法印刷密集接触孔的图案的图案。所述两个曝光步骤分别是两个光刻印刷过程的一部分。在第一光刻印刷过程中，接触孔的第一图案600形成在衬底上。在之后的第二光刻过程中，接触孔的第二图案600形成在所述衬底上，第二过程被设置，以便将接触孔的第二图案600相对于接触孔的第一图案600定位至交错位置上。可从美国专利No.6,455,438中获得这样的双曝光方法。
在采用通过在掩模台上的掩模形成图案的现有设备中，通常，投影系统将具有放大率因子M(通常小于1)。例如，通过传统的光刻投影系统使图案在衬底的目标部分上成像被设置成放大率因子M＝-0.25。如此处所讨论和显示的，放大率因子M被假定为1，使得图6A的图案还表示要被光刻印刷的接触孔的需要的图案的图像。然而，本发明的实施例并不限于使用单位放大率投影系统；对于不同于1的放大率，在本实施例中可容易地考虑实际的放大率。在本文和权利要求的情况中，特征的尺寸是指特征在衬底高度水平上具有的额定尺寸。
实际上，如在图案形成装置上表现的接触孔610的形状可以偏离圆形。例如，如之前描述的，表示接触孔的图案形成装置特征的形状可被设置以补偿光学邻近效应。通常，在图案形成装置上的另外的尺寸偏离被引入以补偿例如在图案的投影和曝光过程中产生的误差，这样的再定制物体图案的特征尺寸在下文中被称作为偏置和/或光学邻近效应校正(“OPC”)。没有在图6A中显示任何这样的偏置。
在节距Py大于节距Px的情形下，由于光学邻近效应，所印刷的图案可能偏离所需的图案600。在本实施例中，如图6B所示，光学邻近效应将会导致具有椭圆形的接触孔610，而不是大致圆形的接触孔。例如，任何接触孔610可期望具有圆形边缘611，“圆形”还可以指大致圆形，然而，所印刷的接触孔610可具有椭圆形边缘611’。因此，所印刷的接触孔610沿X方向的尺寸不同于接触孔沿Y方向的尺寸。这样的尺寸差别在下文中还被称作为“椭圆率”。在本实施例中，在实施例中，可能已经应用了传统的光学邻近效应校正，在这种情况下，假定存在诸如在图6B中显示的接触孔的椭圆率的CD误差的余量。
在本实施例中，节距Px的值是80nm，节距Py的值在160nm至320nm之间。接触孔610的期望的直径是40nm。用于印刷图案600的投影过程的特征在于：投影系统PS具有1.35的NA；辐射束B具有193nm波长；以及四极照射模式具有30°方位角弧(azimuthal angularsubtend)的极(即极间的弧对应于30°方位角)、由σ内部＝0.75限定的内部径向范围以及由σ外部＝0.87限定的外部径向范围。
如图7所示，图案形成装置MA的图案形成装置图案600(在图7中未显示)将所述束B1衍射成零级衍射束和第一级衍射束，分别为所述束DB10和DB11。所述束DB10和DB11横穿投影系统PS中的傅立叶变换平面(例如，所述光瞳平面PPp)。角度α1被设置成使得横穿所述光瞳平面PPp出现在相对于所述光轴OA(平行于Z轴)对称设置的各自的相对区域AE10和AE11中，所述区域AE10和AE11在距离光轴OA分别相等的距离d10和d11(d10＝d11)处。
如图8所示，所述图案600进一步将所述束B2衍射成零级和第一级衍射束，分别为束DB20和DB21。所述束DB20和DB21在各自的相对区域AE20和AE21中横穿投影系统PS中的傅立叶变换平面(例如，光瞳平面PPp)。与所述区域AE10和AE11相反，所述区域AE20和AE21被相对于光轴OA不对称地设置，且在距离光轴OA的各自的不同距离d20和d21处。源自于B1和B2的衍射束之间的差别与设置成分别平行于X轴和Y轴的列的接触孔610的节距Px和Py之间的差别相关。尤其，与以较短节距设置的特征相比，以较长节距设置的特征在将辐射从图案形成装置照射束的零级衍射束方向衍射偏离上作用较小。
如图9所示，除了源自于照射到所述图案形成装置MA上的所述束B1的第一第一级衍射束DB11之外，两个另外的衍射束DB10(+1)和DB10(-1)也源自于所述束B1。所述第一第一级衍射束DB11与图案600中的相对短的节距Px相关。第二和第三第一级衍射束DB10(+1)和DB10(-1)与图案600的相对长的节距Py相关。衍射束DB10(+1)和DB10(-1)分别是正第一级和负第一级衍射束、相对于所述平面PI1相对且对称地倾斜，所述平面PI1是包括零级衍射束DB10和光轴OA的假想平面。所述束DB10(+1)和DB10(-1)的至少部分横穿投影系统PS中的傅立叶变换平面(例如，光瞳平面PPp)。类似地，但未在图9中显示，衍射束DB10(+1)’和DB10(-1)’源自于所述B1’。
在使用中，所述DB10(+1)和DB10(-1)在相对于入射平面PI1相对且对称地设置的各自的区域AE10(+1)和AE10(-1)中横穿所述光瞳平面PPp，所述区域位于距离光瞳平面PPp中的X轴各自相等的距离d10(+1)和d10(-1)的位置上。在图9中仅显示区域AE10(+1)。
在具有例如图5中显示的四极照射的情形下，接触孔610的图像可表示为分别由源自在照射光瞳平面PPi中的四极照射强度分布的4个各自的极和束B1、B1’、B2和B2’的衍射辐射所产生的4个组成图像(图像im1、im1’、im2和im2’)的和。图6C显示出具有边缘611(所述边缘例如可以是恒定强度的轮廓线)和包括所述边缘611的一部分的区域620和630的接触孔610的图像。
由所述束DB10、DB11、DB10(+1)和DB10(-1)的重新结合刚好在衬底上方和在衬底上产生4个图像的和中的第一图像im1。图像im1中的三个不同的第一级衍射束与束DB10的重新结合对在接触孔图案600的图像中沿X轴的对比度、分别率以及图像保真度做出主要贡献，从而与接触孔610的部分630(包括大致平行于X方向的接触孔610的边缘611的部分)相比能更好地分辨出接触孔610的部分620(包括大致平行于Y方向的接触孔610的边缘611的部分)。源自于所述束B1’的衍射束提供了类似的图像im1’。
参见图8，由所述束DB20和DB21的重新结合在衬底的上方和在衬底上产生第二图像im2。所述第二图像对在图案600的图像中沿Y方向的对比度、分辨率和图像保真度做出主要贡献，从而与接触孔610的部分620(包括大致平行于Y方向的接触孔610的边缘611的部分)相比能更好地分辨出接触孔610的部分630(包括大致平行于X方向的接触孔610的边缘611的部分)。类似地，第二图像im2’源自于由所述束B2’在图案600处的衍射所产生的衍射束。
在本实施例中，诸如在图6B中显示的，由于椭圆率所造成的CD误差通过影响对接触孔610的部分630的成像的贡献而被补偿。这种贡献从第一第一级衍射束DB11与第二和第三第一级衍射束DB10(+1)和DB(-1)的重新结合而产生。在本实施例中，将相对于所述束DB11的光学相位变化施加给所述束DB10(+1)和DB10(-1)。另外，将相对于所述束DB11’的光学相位的相同变化给束DB10(+1)’和DB10(-1)’。在图6D中示出这样的相位变化的效果。在图6D中，由于边缘611’将在没有施加相位偏移的情况下被印刷，X、Y轴相对于接触孔的边缘611’位于中心处。同样地，接触孔表示具有如由图案的图像中的边缘611’所限定的形状的图像特征。所述相位变化导致在X轴上和X轴附近处的所述边缘611’的相对部分的沿X方向的相反偏移。所述偏移由箭头612示出，且相对于Y轴是镜面对称的，从而拉伸所述接触孔边缘以便产生需要的圆形边缘611。
例如，可将光学相位的第一变化施加至所述束DB10(+1)和DB10(-1)，并且可将光学相位的第二变化施加至所述束DB11。相位调整器110用于将需要的相位变化提供给所述束DB10(+1)、DB10(-1)和DB11。首先，由控制器340从图案形成装置数据文件和包括照射模式设置数据的文件中提取表示图案形成装置图案600和照射模式的数据。其次，基于包括所述图案和照射数据的数据，来预测投影系统的光瞳平面PPp中的强度分布。在所述束DB10(+1)、DB10(-1)和DB11横穿相位调整器110的光学元件310的位置处，识别出区域AE10(+1)、AE10(-1)和AE11。由控制器340来执行光刻过程的优化(例如被设置以最小化特征的CD误差)。在优化中使用的优化变量包括前述的光学相位的第一和第二变化。需要的第一和第二光学相位被计算和储存。已识别的区域AE10(+1)、AE10(-1)和AE11被映射在光学元件310的部分320上，被各个束DB10(+1)、DB10(-1)以及DB11大致横穿的部分320被识别，它们与对应的加热电线和/或冷却通道相关的地址被储存。在一个实施例中，如图10所示，所述区域AE10(+1)被假定对应于所述部分320-8和320-14。如在图10中进一步显示地，所述区域AE10(-1)被假定对应于部分320-35和320-41，且所述区域AE11被假定对应于部分320-17和320-24。相对于DB10(+1)’、DB10(-1)’和DB11’可做出类似的判定。
在本实施例中，对于束DB10(+1)、DB10(-1)所需的第一相位变化是2π的分数50/193，对于束DB11所需的相位变化是与所述第一相位变化相等的量级，但与所述第一相位变化符号相反。所述控制器将所需的相位变化以相反的温度间隔从对于320-1一直到320-44中的任何其它的部分(即不包括部分320-8、320-14、320-35、320-41、320-17和320-24的任何部分)的所需的额定温度的转换成对于部分320-8、320-14、320-35和320-41所需的各自的第一温度以及对于部分320-17和320-24所需的第二温度。其次，控制器确定对应的电流并将所述对应的电流施加给加热电线(和/或将冷却流体温度施加给所述通道)。以类似的方式，将所需的相位变化施加给源自于束B1’的束DB10(+1)’、DB10(-1)’和DB11’。
如上所指出的，本发明不限于相位调整器110的特定实施例；一种替代的相位调整器110可以包括一个红外激光器(或多个红外激光器)，所述红外激光器被设置以选择性地加热靠近所述透镜光瞳PPp设置的光学元件310的加热部分320。
本实施例不限于拉伸接触孔的形状。除了接触孔之外，所述特征可以是线段或具有垂直于连接所述B1和B1’所源自的极的线的边缘部分的任意形状的特征。本实施例还不限于拉伸特征；通过颠倒相位变化的符号，也可实现特征尺寸的缩小。
应用如上所述的第一和第二相位变化的模拟预测可导致接触孔的图像610的椭圆率的减小。
图11A示出在没有对本实施例的CD误差进行补偿的情形下接触孔610的图像的强度分布。所述强度被以沿垂直轴的任意单位绘制。曲线1表示在X-Z平面中的强度分布，曲线2表示在Y-Z平面中的强度分布。在X-Z平面内的曲线的宽度是42nm的强度水平上，在Y-Z平面内的曲线的宽度是91Bn。所述强度水平表示抗蚀剂阀值强度(resist thresholdintensity)，使得当接触孔的椭圆率表示为沿Y轴印刷的CD和沿X轴印刷的CD之间的差别时，接触孔的椭圆率是约50nm。
图11B示出在具有本实施例的CD误差的补偿的情形下的接触孔610的图像的强度分布。所述强度被以沿垂直轴的任意单位绘制。如图10A所示，曲线1和2分别表示在X-Z平面和Y-Z平面中的强度分布。在X-Z平面内的曲线的宽度是41nm的强度水平上，在Y-Z平面内的曲线的宽度是52nm。所述强度水平也表示抗蚀剂阀值强度，所述模拟表示接触孔610的椭圆率(使用相同的定义的情形下)被减小至上述情况的椭圆率的1/5，被减小为约11nm。
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm范围内的波长)。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明的实施例可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims (6)

1.一种光刻设备，包括：
照射系统，被配置以用包括从照射极射出且相对于光轴倾斜一角度的离轴辐射束的照射模式来调节辐射束；
支撑件，被构造以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束，且还能够将所述离轴的辐射束衍射成与沿第一方向的图案的第一节距相关的第一第一级衍射束和与沿不同于第一方向的第二方向的图案的第二节距相关的第二第一级衍射束；
投影系统，具有光瞳平面且被配置以将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；
相位调整器，被构造且被设置以调整一辐射束的电场的相位，所述一辐射束横穿在所述光瞳平面中设置的所述相位调整器的光学元件；和
控制器，被构造且被设置用于获取表示所述图案和照射模式的数据，用于辨识所述第一级衍射束在使用时横穿所述光瞳平面的区域，用于通过计算与所述第二第一级衍射束的光学相位相关的所述第一级衍射束的所需的光学相位来优化所述图案的图像的图像特性，用于将所述区域映射在所述光学元件的一部分上，以及用于将热量施加至所述部分或从所述部分提取热量以根据所需的光学相位改变所述光学元件的折射率。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述照射模式是包括从各自的第一极和邻近的第二极射出的且都相对于所述光轴倾斜所述角度的第一和第二束的四极照射模式。
3.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中，所述图像特性是所述图像中的图像特征的形状。
4.一种包括将图案从图案形成装置转移至衬底上的步骤的器件制造方法，所述方法包括步骤：
用具有包括从照射极射出的且相对于光轴倾斜一角度的离轴辐射束的照射模式的辐射束照射图案形成装置，所述图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束且进一步将所述离轴辐射束衍射成与所述图案中沿第一方向的第一节距相关的第一第一级衍射束以及与所述图案中沿不同于第一方向的第二方向的第二节距相关的第二第一级衍射束；
经由光瞳平面将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上；
调整一辐射束的电场的相位，所述一辐射束横穿在所述光瞳平面中设置的光学元件，所述调整步骤包括：
获取表示所述图案和所述照射模式的数据，
辨识所述第一级衍射束横穿所述光瞳平面的区域，
通过计算与所述第二第一级衍射束的光学相位相关的所述第一级衍射束的所需的光学相位来优化所述图案的图像的图像特性，
将所述区域映射到所述光学元件的一部分上，和
将热量施加至所述部分或从所述部分提取热量以根据所述所需的光学相位来改变所述光学元件的折射率。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述照射模式是包括从各自的第一极和邻近的第二极射出的且都相对于所述光轴倾斜所述角度的第一和第二束的四极照射模式。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，所述图像特性是所述图像中的图像特征的形状。
CN2009101463673A 2008-06-24 2009-06-24 光刻设备及器件制造方法 Active CN101614965B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12940708P 2008-06-24 2008-06-24
US61/129,407 2008-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101614965A CN101614965A (zh) 2009-12-30
CN101614965B true CN101614965B (zh) 2011-06-01

Family

ID=41430885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101463673A Active CN101614965B (zh) 2008-06-24 2009-06-24 光刻设备及器件制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7982856B2 (zh)
JP (1) JP4970498B2 (zh)
KR (1) KR101092985B1 (zh)
CN (1) CN101614965B (zh)
NL (1) NL2002999A1 (zh)
TW (2) TWI544289B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1036905A1 (nl) * 2008-06-03 2009-12-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4970498B2 (ja) * 2008-06-24 2012-07-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2010111656A2 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 Life Technologies Corporation Systems and methods for assessing images
NL2004323A (en) * 2009-04-16 2010-10-18 Asml Netherlands Bv Device manufacturing method and lithographic apparatus.
JP5401369B2 (ja) 2010-03-19 2014-01-29 株式会社細川洋行 自立袋およびその製造方法、ならびに内容物入り自立袋
NL2008184A (en) * 2011-02-28 2012-08-29 Asml Netherlands Bv Gas manifold, module for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8736814B2 (en) * 2011-06-13 2014-05-27 Micron Technology, Inc. Lithography wave-front control system and method
NL2009850A (en) 2011-12-02 2013-06-05 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
US10216096B2 (en) * 2015-08-14 2019-02-26 Kla-Tencor Corporation Process-sensitive metrology systems and methods
DE102016209616A1 (de) 2016-06-01 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Vorhersage des mit einer Maske bei Durchführung eines Lithographieprozesses erzielten Abbildungsergebnisses
US10209627B2 (en) * 2017-01-06 2019-02-19 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for focus-sensitive metrology targets

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0629182A (ja) * 1992-05-15 1994-02-04 Nikon Corp 露光方法
US6404482B1 (en) * 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP3291818B2 (ja) * 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3581628B2 (ja) 2000-03-13 2004-10-27 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6335130B1 (en) * 2000-05-01 2002-01-01 Asml Masktools Netherlands B.V. System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features
JP2007317847A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7525640B2 (en) * 2006-11-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054449B2 (en) * 2006-11-22 2011-11-08 Asml Holding N.V. Enhancing the image contrast of a high resolution exposure tool
US7692766B2 (en) * 2007-05-04 2010-04-06 Asml Holding Nv Lithographic apparatus
NL1036905A1 (nl) * 2008-06-03 2009-12-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4970498B2 (ja) * 2008-06-24 2012-07-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI544289B (zh) 2016-08-01
KR101092985B1 (ko) 2011-12-12
US8416394B2 (en) 2013-04-09
US20090316125A1 (en) 2009-12-24
US20120182534A1 (en) 2012-07-19
CN101614965A (zh) 2009-12-30
JP2010010674A (ja) 2010-01-14
KR20100002143A (ko) 2010-01-06
JP4970498B2 (ja) 2012-07-04
US20130222779A1 (en) 2013-08-29
US7982856B2 (en) 2011-07-19
US8786828B2 (en) 2014-07-22
TWI461859B (zh) 2014-11-21
TW201007379A (en) 2010-02-16
TW201512791A (zh) 2015-04-01
NL2002999A1 (nl) 2009-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101614965B (zh) 光刻设备及器件制造方法
CN101598902B (zh) 光刻设备和器件制造方法
CN101369102B (zh) 光刻设备和器件制造方法
JP5112408B2 (ja) リソグラフィ装置及び基板非平坦性を補償する方法
CN101261442B (zh) 器件制造方法和光刻设备
CN102200693A (zh) 照射系统和光刻设备
CN101196695B (zh) 光刻设备、器件制造方法和计算机程序产品
KR101694275B1 (ko) 패터닝 디바이스, 기판에 마커를 생성하는 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2009206513A (ja) 基板にパターンを転写するリソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
CN101515116B (zh) 用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法
CN101866117B (zh) 器件制造方法和光刻设备
JP5128576B2 (ja) リソグラフィ装置のための方法
KR101460604B1 (ko) 리소그래피 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant